JP2006351788A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化をはかり、高度の微細化に際しても高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子において、前記配線層が、前記電荷転送部を覆う絶縁膜に形成されたトレンチ内に埋め込まれる。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に微細化に耐えうる構造の固体撮像素子の製造方法に関する。

エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。

近年、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。このような状況の中で、チップサイズを大型化することなく高解像度を得るためには、単位画素あたりの面積を縮小し、高集積化を図る必要がある。

一方、光電変換部を構成するフォトダイオードの面積を小さくすると感度が低下するため、フォトダイオード領域の面積は確保しなければならない。そこで、電荷転送部および周辺回路部の配線の微細化をはかり、配線の面積比率を低減することにより、フォトダイオード領域の占有面積を確保しつつチップの微細化をはかるべく種々の研究がなされている。

このような状況の中で配線の微細化により、高集積化を実現するためには配線層間の層間絶縁膜の平坦性を保つことは重要な技術課題となる。さらにまた、固体撮像素子の作りこまれた基板（シリコン基板）は、フィルタやレンズを積層して、実装される。このため、レンズと光電変換部との位置精度が重要となり、またその距離すなわち高さ方向の距離も、製造工程における位置精度と、使用時における感度（光電変換効率）面での大きな問題となる。

例えば従来の固体撮像素子では電荷転送電極を形成した後、図１２に示すように、厚い層間絶縁膜を形成し、その上部にアルミニウム材料で周辺回路を構成する配線層２５を形成している（特許文献１）。この構造では、層間絶縁膜上に周辺回路の配線層の膜厚分に相当する凸部が形成され、その結果、カラーフィルタ層５０を形成する際、（フィルタ下）平坦化膜２２を厚く形成する必要がある。

特開平１０−１６３４６２号公報

このように、従来の固体撮像素子では、周辺回路の配線が、厚い層間絶縁膜の上層に形成されているため、この配線の厚さに起因する凸部が、この上層に形成される平坦化膜を厚くする原因となっており、斜め入射光の利用効率が低下し、高感度の固体撮像素子の形成を阻む原因となっている。

本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、薄型化をはかり、高度の微細化に際しても高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供することを目的とする。

そこで本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子において、前記配線層が、前記電荷転送部を覆う絶縁膜に形成されたトレンチ内に埋め込まれたことを特徴とする。

この構成によれば、配線層が絶縁膜に形成されたトレンチ内に埋め込まれているため、配線層分の凸部がない分だけ平坦化膜の膜厚を薄くすることができ、たて方向の厚さを低減することができる。

また本発明の固体撮像素子は、前記絶縁膜が平坦化膜を構成し、前記カラーフィルタ層と、前記電荷転送部を覆う最終パッシベーション膜との距離が1μｍ以下であるものを含む。
この構成によれば、大幅な膜厚の低減をはかることができる。

また本発明の固体撮像素子は、前記配線層の上層に無機絶縁膜からなる配線保護膜（パッシベーション膜）を有するものを含む。
この構成によれば、配線保護膜の膜厚を低減することができ、かつ水分やイオンに対する強いブロック性を維持することができる。

また本発明の固体撮像素子は、前記配線層の表面レベルは前記トレンチの外壁と同一表面上にあるものを含む。
この構成によれば、より平坦な表面を得ることができる。

また本発明の固体撮像素子は、光電変換部上に高屈折材料が埋め込まれており、この高屈折材料の周囲が当該高屈折材料との屈折率差が０．４以上である材料層で構成されたものを含む。
この構成によれば、効率よく光導波路構造を形成することが可能となる。高屈折材料としては窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンなどが使用可能である。またこのときこの周りを囲む材料層は酸化シリコンなどが用いられる。

また本発明の固体撮像素子は、前記材料層は前記平坦化膜であるものを含む。
この構成によれば、光導波路を囲むように平坦化膜が形成されているためより平坦な表面を得ることができる。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子の製造方法において、前記配線層の形成工程は、前記電荷転送部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にトレンチを形成し、このトレンチ内に配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記絶縁膜を形成する工程が、前記電荷転送部を覆う最終（ファイナル）パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜に配線層形成のためのトレンチを形成する工程と、前記トレンチに導体層を形成する工程と、表面レベルが前記トレンチの外壁と同程度となるように前記導体層のうち高レベルの領域を選択的に除去し、前記トレンチ内にのみ残留せしめる平坦化工程とを含むことを特徴とする。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記平坦化膜はＢＰＳＧ膜であり、トレンチを形成する工程に先立ちリフローによる平坦化を行うものを含む。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記平坦化膜の形成工程が、低温プラズマによるラジカル酸化膜の形成工程と、ＣＶＤ法により酸化シリコンを形成する工程とを含むものを含む。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記光電変換部に対応する領域に柱状の高屈折率材料層を形成する工程と、前記高屈折材料層の周りに平坦化膜を形成する工程と、前記導体層の形成に先立ち、前記高屈折材料を研磨停止層としてＣＭＰを行い、前記平坦化膜を平坦化する工程とを含むものを含む。
この構成によれば、表面が平坦化されているため、配線層の埋め込み形成が容易に可能となる。特に光導波路構造の場合、光電変換部上に高密度で柱状の高屈折層が形成されており、これを研磨停止層としてＣＭＰを行うことができ、表面を平坦化することができるため、光電変換部などの有効撮像領域上に配線層材料の残留をなくし、良好に配線層の埋め込み形成を行うことが可能となる。

また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記平坦化膜の前記光電変換部に対応する領域をエッチング除去し、開口を形成する工程と、前記開口に高屈折材料を充填する工程とを含み、前記導体層の形成に先立ち、ＣＭＰを行う工程を含むものを含む。
この構成によれば、表面が平坦化されているため、配線層の埋め込み形成が容易に可能となる。特にＣＭＰにより、表面を平坦化しているため、光電変換部などの有効撮像領域上に配線層材料の残留をなくし、良好に配線層の埋め込み形成を行うことが可能となる。

なお、平坦化膜あるいは配線層保護膜として配線層上に形成されるパッシベーション膜（配線保護膜）を、高密度の低温プラズマによるラジカル酸化によって形成すれば、高温下にさらすことなく、緻密で高品質の酸化膜を形成することができるため、この上層にＣＶＤ膜を形成しても、絶縁耐性の高い高品質の絶縁膜を得ることができる。このようにして低温下での形成が可能であるため、下地の不純物領域の拡散長の伸びを生じることなく、信頼性の高い膜形成を行うことが可能となる。

またラジカル酸化を用いることにより、光導波路構造を形成するための厚い層間絶縁膜（平坦化膜）の形成が、下地の不純物領域の拡散長の伸びを生じることなく、可能となり、特性の優れた固体撮像素子を提供することができる。

またこの層間絶縁膜を、低温プラズマによるラジカル酸化膜と、ＣＶＤ膜との２層膜構造で構成することにより、下地の不純物領域の拡散長の伸びを生じることなく、緻密で優れた膜質を得ることが可能となるため、さらに層間絶縁膜の膜厚を低減することができる。

また本発明の固体撮像素子は、前記フィールド酸化膜が、トレンチを形成した後選択酸化（ＬＯＣＯＳ）によって形成されたリセスＬＯＣＯＳ膜であるものを含む。

この構成によれば、表面の平坦化をはかることができ、より薄型化および微細化が可能となる。

また本発明の固体撮像素子は、前記フィールド酸化膜が、シャロウトレンチ（ＳＴＩ）構造をなす膜であるものを含む。

この構成によれば、表面の平坦化をはかることができ、より薄型化および微細化が可能となる。

上記構成によれば、カラーフィルタ層形成前の透明平坦化膜を薄膜化あるいはなくすことができ、縦方向の収縮が可能となり、斜め入射光マージンを向上し、光利用効率の高い高感度の固体撮像素子を形成することができる。
さらにまたトレンチ内にアルミニウム層などの配線層を埋め込む構造とするため配線のＥＭ（electric migration）ＳＭ（stress migration）耐性を向上し、信頼性の高い固体撮像素子を提供することができる。

以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（実施の形態１）

本実施の形態の固体撮像素子は、図１および図２（図１は図２のＡ−Ａ断面を示す図）に示すように、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層２５を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子において、前記配線層が、電荷転送部を覆う絶縁膜（酸化シリコン膜１０）に形成されたトレンチＴ内に埋め込まれたことを特徴とするもので、これにより、配線層分の凸部がない分だけ（フィルタ下）平坦化膜２２の膜厚を薄くすることができ、縦方向の厚さの低減をはかる。

なお、図１および２に示すように、シリコン基板１には、光電変換部を構成する複数のフォトダイオード領域３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード領域３０の間に形成される。
絶縁膜以外の部分については、通例の固体撮像素子と同様に形成されている。

ここで有効撮像領域は、光電変換部と垂直転送路（電荷転送部の一部）を含む受光領域と水平転送路（電荷転送部の一部）とで構成されており、その外側に周辺回路としての出力回路が形成されている。

このフィールド酸化膜１００上には、信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタや信号処理回路および配線３Ｓが形成されており、この配線３Ｓの上層に形成された平坦化膜としての酸化シリコン膜１０に形成されたトレンチにアルミニウム層からなる配線層２５を埋め込み形成している。

すなわち、図１および図２に固体撮像素子チップの断面図および平面図（図１は図２のＡ−Ａ断面図）を示すように、シリコン基板１内には、フィールド酸化膜（１００）で囲まれた有効撮像領域（受光領域）内にフォトダイオードを備えた光電変換部および電荷転送部が形成され、その上層は絶縁膜で被覆されている。

シリコン基板１内には、光電変換部、電荷転送チャネル、チャネルストップ領域、電荷読み出し領域が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる（電極間）絶縁膜４と電荷転送電極３（ドープトアモルファスシリコン膜）が形成される。

次に本実施の形態の固体撮像素子の製造工程について図３乃至図１０を参照しつつ説明する。

まず、ｎ型のシリコン基板１を用意し、フィールド酸化膜１００を形成するとともに、
電荷転送チャネル、チャネルストップ領域、電荷読み出し領域が形成された、不純物濃度１．０×１０^１６ｃｍ^−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を形成する。

続いて、このゲート酸化膜２上に、リンドープのドープトアモルファスシリコン膜３からなる電荷転送電極３および周辺回路の配線３Ｓを形成する。この電荷転送電極の上層には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などの絶縁膜４が通例の方法によって形成される(図３（ａ）)。

そして、この上層にＣＶＤ法により密着性層としてのＴｉＮ層（図示せず）、遮光膜６としてのＷ層を順次形成する）(図３（ｂ）)。

次に、レジストを塗布すると共にフォトリソグラフィを行い、遮光膜６をパターニングするためのレジストパターンＲ１を形成する（図３（ｃ））。そしてこのレジストパターンＲ１をマスクとして遮光膜６をエッチングする(図４（ａ）)。そして、プラズマＣＶＤ法により、配線層形成のためのトレンチＴを形成する際のエッチング工程におけるエッチング停止層として、膜厚数十ｎｍ程度の窒化シリコン膜７および膜厚数十ｎｍ程度酸化シリコン膜８を形成する（図４（ｂ））。

そしてこの上層に、垂直転送部の酸化シリコン膜８を開口するためのレジストパターンＲ２を形成する（図４（ｃ））。そしてこのレジストパターンＲ２をマスクとして酸化シリコン膜８をエッチングする(図５（ａ）)。このとき窒化シリコン膜に対して高選択比を持つ条件で酸化シリコン膜８を選択的に除去する。

そしてプラズマＣＶＤ法により可視光領域で透明な高屈折材料（プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜）１６を数百ｎｍ成膜し（図５（ｂ））、レジストエッチバック用のレジストＲ３を塗布し（図５（ｃ））、レジストＲ３とこの高屈折材料とのエッチング選択比が1となるようなエッチング条件でエッチバックを行うことにより、表面を平坦化する（図６（ａ））。レジストエッチバックに限らず、ＣＭＰによる平坦化を行ってもよいことはいうまでもない。

そして光電変換部上の高屈折材料１６を残すようにレジストパターンＲ４を形成し（図６（ｂ））、遮光膜６をエッチング停止層として用いて、光導波路となる柱状の高屈折材料層１６を形成する（図６（ｃ））。

この後、レジストパターンＲ４を除去し（図７（ａ））、Ｗ膜からなる遮光層６の酸化防止層として、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜（図示せず）を形成した後、常圧Ｏ３−ＴＥＯＳ ＣＶＤ法により酸化シリコン膜１０を形成する。このとき、柱状にパターニングした高屈折材料層１６の高さ以上となるように形成する（図７（ｂ））。このときボロンリンなどの不純物を添加したＢＰＳＧ膜としてもよい。そして必要に応じて８００から９００℃の高温熱処理により、リフローし平坦化を行い、光電変換部の高屈折材料層１６を研磨停止層としてこの酸化シリコン膜１０のＣＭＰを行い、表面の平坦化を行うとともに、高屈折材料層１６の表面を露呈せしめる（図７（ｃ））。このように配線層の形成に先立ち表面の平坦化を行っているため、光電変換部などの有効撮像領域上にアルミニウムなどの配線層が残留するのを防止することができる。

そして、酸化シリコン膜１０内に、周辺回路および水平ＣＣＤ部の配線を形成するためのトレンチを形成する（図８（ａ））。ここでは、図４（ｂ）で形成した窒化シリコン膜７をエッチング停止層として異方性エッチングを行う。そして必要部分では窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜８をエッチング除去するがそのままのこしておいてもよい。

この後、トレンチ内壁に酸化シリコン膜１８を形成し、バリアメタル層（図示せず）としてのＴｉＮ層を形成した後、配線層２５としてのアルミニウム層をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により形成する（図８（ｂ））。

そして、このＴｉＮ層を研磨停止層としてＣＭＰを行い、続いて、絶縁膜を研磨停止層としてＴｉＮ層を研磨除去して（図８（ｃ））、配線層をトレンチに埋め込む（図９（ａ））。

この後平坦化された表面に配線層を含む基板表面を保護するためのパッシベーション膜（平坦化膜）２０としてプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を形成する（図９（ｂ））。
そしてボンディングパッドとなる領域のアルミニウム層を露呈せしめるように窒化シリコン膜をエッチングし、開口した後、水素を含む不活性ガス雰囲気中でシンター処理を行い、透明樹脂膜からなる（フィルタ下）平坦化膜２２を形成する。

この後、必要に応じて層内レンズ（図示せず）を含む（フィルタ下）平坦化膜２２、カラーフィルタ５０、（フィルタ上）平坦化膜７０、マイクロレンズ６０などを形成して、図１および図２に示すような固体撮像素子を得る。なお図２では主要部のみを示し、光学系などは省略した。

かかる構成によれば、薄型化が可能となり、縦方向の収縮に伴う斜め入射光の利用効率を向上し、高感度のＣＣＤの形成が可能となる。また、配線層２５が絶縁膜（酸化シリコン膜）１０に形成されたトレンチに形成されるため、表面の平坦化が可能となる。

また、平坦な表面に配線保護膜としての窒化シリコン膜２０を形成することができるため、配線側壁などの段差部における膜質劣化を防止し、耐水性に優れた固体撮像素子を形成することが可能となる。なお、表面が平坦であるため、透明な（フィルタ下）平坦化膜２２を形成することなく直接配線保護膜上にカラーフィルタ５０を形成してもよい。

また、配線層２５に起因する凸部のない固体撮像素子を得ることができるため、平坦化のための膜を薄くすることができるとともに、低温プラズマによるラジカル酸化によって形成しているため膜質が良好で薄くても十分に大きな耐圧を維持することができるため、高精度のパターン形成を実現することができ、機能的にも信頼性の高い動作特性を得ることができる。

さらにまた前記実施の形態では光導波路構造となるように形成したが、必ずしも光導波路構造を構成しなくても良いことはいうまでもない。この光導波路構造の場合、表面の平坦化がなされた後に配線層形成のためのトレンチを形成し、これにアルミニウム層の埋め込みを行うため、画素部にアルミニウム層の残渣が形成されるおそれがない。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、フィールド酸化膜１００は基板表面に形成したが、本実施の形態では、図１０に示すように、基板表面にトレンチＴを形成し、フィールド酸化膜の表面が基板表面となるように埋め込み形成されているため、さらなる縦方向の薄型化が可能となる。

この構成によれば、平坦化のための膜をさらに薄くすることができる。

この方法によればＬＯＣＯＳの場合に比べてバーズビークもなく微細化が可能であるが、熱歪によってトレンチ内にクラックが入り易いなどの問題があることもある。
また、トレンチＴ内にＣＶＤ法により酸化シリコン膜を充填し、表面をＣＭＰ研磨する例について説明したが、トレンチＬＯＣＯＳ法でフィールド酸化膜を形成することにより、平坦化したものも有効である。

（実施の形態３）
前記実施の形態１および２では単層電極構造の電荷転送電極を用いた例について説明したが図１１に示すように、２層電極構造の電荷転送電極を用いてもよいことはいうまでもない。電荷転送部が第１層電極３ａと第２層電極３ｂで形成されている以外は前記実施の形態と同様である。

この構成によれば、薄型で高感度の固体撮像素子を提供することが可能となることから、小型化が可能であり、携帯電話などの電子機器における固体撮像素子として有用である。

本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態２の固体撮像素子を示す図である。 本発明の実施の形態３の固体撮像素子を示す図である。 従来例の固体撮像素子を示す図である。

符号の説明

１ シリコン基板
２ ゲート酸化膜
３ （３ａ、３ｂ）電荷転送電極（ドープトアモルファスシリコン層）
４ 酸化シリコン膜
５ 窒化シリコン膜
６ Ｗ層
７ 窒化シリコン膜
８ 酸化シリコン膜
１０ 絶縁膜(平坦化膜)
１６ 高屈折材料層
２２ （フィルタ下）平坦化膜
５０ カラーフィルタ
６０ マイクロレンズ
７０ （フィルタ上）平坦化膜
１００ フィールド酸化膜

Claims (12)

1. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子において、
   前記配線層が、前記電荷転送部を覆う絶縁膜に形成されたトレンチ内に埋め込まれた固体撮像素子。
2. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記絶縁膜は平坦化膜を構成し、
   前記カラーフィルタ層と、前記電荷転送部を覆う最終パッシベーション膜との距離が1μｍ以下である固体撮像素子。
3. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記配線層の上層に無機絶縁膜からなる配線保護膜（パッシベーション膜）を有する固体撮像素子。
4. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記配線層の表面レベルは前記トレンチの外壁と同一表面上にある固体撮像素子。
5. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   光電変換部上に高屈折材料が埋め込まれており、この高屈折材料の周囲が当該高屈折材料との屈折率差が０．４以上である材料層で構成された固体撮像素子。
6. 請求項５に記載の固体撮像素子であって、
   前記材料層は前記平坦化膜である固体撮像素子。
7. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部に接続される配線層を含む周辺回路部とを具備し、少なくとも光電変換部の上層にカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子の製造方法において、
   前記配線層の形成工程は、前記電荷転送部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜にトレンチを形成し、このトレンチ内に配線層を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
8. 請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記絶縁膜を形成する工程は、前記電荷転送部を覆う最終パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する工程と、
   前記平坦化膜に配線層形成のためのトレンチを形成する工程と、
   前記トレンチに導体層を形成する工程と、
   表面レベルが前記トレンチン外壁と同程度となるように、前記導体層のうち高レベルの領域を選択的に除去し、前記トレンチ内にのみ残留せしめる平坦化工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
9. 請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記平坦化膜はＢＰＳＧ膜であり、トレンチを形成する工程に先立ちリフローによる平坦化を行う固体撮像素子の製造方法。
10. 請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記平坦化膜の形成工程は、低温プラズマによるラジカル酸化膜の形成工程と、ＣＶＤ法により酸化シリコンを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
11. 請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換部に対応する領域に柱状の高屈折率材料層を形成する工程と、
    前記高屈折材料層の周りに平坦化膜を形成する工程と、
    前記導体層の形成に先立ち、前記高屈折材料を研磨停止層としてＣＭＰを行い、前記平坦化膜を平坦化する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
12. 請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記平坦化膜の前記光電変換部に対応する領域をエッチング除去し、開口を形成する工程と、
    前記開口に高屈折材料を充填する工程とを含み、
    前記導体層の形成に先立ち、ＣＭＰを行う工程を含む固体撮像素子の製造方法。

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