KR930000441Y1 - 밀착형 이미지 센서 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

밀착형 이미지 센서

제1도는 본 고안의 구조를 도시하는 주요부 단면도.

제2도는 제1도에서 설치된 박막 EL의 단층 구조도.

제3도는 종래의 밀착형 이미지센서를 도시하는 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 박막 EL 2 : 그라스기판

10 : ITO층 11 : SiON층

12 : ZnS층 13 : SiON층

14 : 알루미늄 전극

본 고안은 팩시밀리나 컴퓨터의 이미지리더 등에 사용되는 밀착형 이미지센서에 관한 것이다.

밀착형 이미지센서는 피사체로 빛을 조사하는 발광부와 피사체에서 반사되는 빛을 받아 이미지센싱하는 수광부로 구성되어 있다.

제3도는 종래에 사용되고 있는 이미지센서의 구조를 도시하는 것으로서, 발광부는 LED(L)을 사용하고 있고 또 수광부는 그라스기판(G)에 크롬층(C), a-Si층(A), 알루미늄층(A1)이 차례로 적층된 광전변환소자로 구성되어서 그위에 수지보호막(P)와 커버그라스(CG)가 피복되어 있다.

이와 같은 종래의 이미지센서에 의해 행해지는 이미지 독출은 LED(L)에 발광되는 빛이 원고지(B)에서 반사 되어 a-Si층(A)로 입사되면, 이 a-Si층(A)의 전하가 광전효과에 의해 변환되고, 이때의 전하 변환은 독출신호로 되어 알루미늄충(A1)을 통해 외부의 회로로 보내진다.

그런데 상술한 구조로 된 이미지센서는 발광부로서 LED(L)을 사용하고 있는 관계로, 센서의 두께가 증대되어 장치 소형화에 장애를 주게된다.

본 고안의 목적은 상기한 종래의 이미지센서에서 볼 수 있는 단점을 해결하기 위하여 센서의 두께를 대폭축소할 수 있는 구도의 이미지센서를 제공함에 있다.

상기 목적에 따라 본 고안은 수광부의 그라스면에 박막 EL소자를 형성시킨 구성을 특징으로 한다.

상기한 박막EL소자는 수광부의 그라스면에 TIO를 수퍼터링하고, 이 ITO를 사진식각하여 소정의 패턴을 형성한 후, 다시 질소개스분위기에서 SiO₂를 스퍼터링하여 SiON층을 증착하고, 그 위에 ZnS를 E-비임으로 증착하여 형광막을 형성하며, 다시 그 위로 상기와 동일하게 SiON이 증착되게 스퍼터링한 다음 알루미늄을 증착시 켜 상부전극을 형성함으로써 만들어진다.

상기와 같이 형성되는 박막EL에 소정의 전압이 인가되면 ITO에서 피크치 575nm의 파장이 발광되어 이미지 센서에 필요한 발광부의 기능을 나타내게 된다.

이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부도면에 따라 상세히 설명한다.

제1도는 본 고안의 구조를 나타내는 단면도로서, 본 고안에 관련된 이미지센서는 박막EL(1)을 발광부로 하고, 수광부는 그라스기판(2)에 크롬층(3), a-Si(4), 알루미늄층(5)가 차례로 적층된 광전변환소자(6)으로 구성하고, 이 광전 변환소자(6)을 수지보호막(7)과 커버그라스(8)로 피복시켜 놓고 있다.

한편, 박막EL(1)은 다음과 같은 공정을 통하여 제2도에 도시한 바와 같이 형성된다.

광전변환소자(6)의 그라스기판(2)의 대향면 상에 ITO층(10)을 증착 형성하고, 사진식각하여 소정의 하부전극 패턴을 형성한 후에 질소분위기에 넣고 SiO₂를 스퍼터링함으로써 SiON층(11)이 형성되게 한다.

상기의 SiON층(11)위에는 형광막으로서 ZnS층(12)가 형성된다.

이 ZnS층(12)는 E비임에 의해 형성되는 것으로, 형성중에 액티브물질로 Mn을 미량 첨가한다.

ZnS층(12)의 상면에 다시 SiON층(13)이 적층되게한 다음, 그 위로 알루미늄전극(14)을 적층시킨다.

상기한 알루미늄전극(14)는 상부전극이 되는 것이므로 그 패턴은 센서의 화소 배열과 동일하게 만들어져야 한다.

이상과 같이 구성된 본 고안에 의하면, 박막EL(1)의 ITO층(10)과 알루미늄전극(14)사이로 200V정도의 교류 전압이 인가될 때, ITO층(10)을 통하여 피크파장 575nm를 갖는 빛이 발광하여 제1도의 원고지(B)로 투사케 됨으로써 발광부의 기능을 나타내게 된다.

본 고안의 주요부 박막EL(1)에서 원고지(B)로 투사된 빛은 반사되어 광전변환소자의 a-Si층(4)로 입사됨으로서, 이미지 독출신호가 발생되는 과정은 종래의 이미지센서와 동일하게 나타난다.

Claims (3)

1. 그라스기판에 크롬층, a-Si층, 알루미늄층이 차례로 적층된 광전변환소자를 수광부로 구비하는 밀착형 이미지센서에 있어서, 전기한 그라스기판(2)의 대향면 상에 ITO층(10), SiON층(11), ZnS층(12), 및 SiON층(13), 그리고 알루미늄 전극 (14)을 순차 적층하여 이루어지는 박막EL(1)을 발광부로 구비하고 있음을 특징으 로 하는 밀착형 이미지센서.
2. 제1항에 있어서. ZnS층(12)에는 Mn이 미량 첨가됨을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서.
3. 제1항에 있어서, ITO층(10)과 알루미늄전극(14)는 수광소자의 화소배열과 동일한 패턴으로 형성되어 있음을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서.