JPS5962267A - 密着型読み取り装置 - Google Patents
密着型読み取り装置Info
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- JPS5962267A JPS5962267A JP57173768A JP17376882A JPS5962267A JP S5962267 A JPS5962267 A JP S5962267A JP 57173768 A JP57173768 A JP 57173768A JP 17376882 A JP17376882 A JP 17376882A JP S5962267 A JPS5962267 A JP S5962267A
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- alumina single
- crystal plate
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はファクシミリ装置の小型化を目指し、原稿と寸
法的に１：１＆こ対応させた光検知部を配置させた密着
型読み取り装部に関するものである。
法的に１：１＆こ対応させた光検知部を配置させた密着
型読み取り装部に関するものである。
近時、ファクシミリ用の密着型読み取り装置の開発か活
発化しており、この装置には原稿からの反射光を集束性
ロッド・レンズ・アレイを通して検知する型式の他、こ
のアレイを使わすに侵れた光ｔｌ伝達率、小型化を達成
することが種々検討されており、本発明者等は以−トの
ような装置を先に提案した。
発化しており、この装置には原稿からの反射光を集束性
ロッド・レンズ・アレイを通して検知する型式の他、こ
のアレイを使わすに侵れた光ｔｌ伝達率、小型化を達成
することが種々検討されており、本発明者等は以−トの
ような装置を先に提案した。
即ち、第１図は集走性ロッド・レンズ・アレイを使わな
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法曲番こ１：１に対応させた光検知部２が原稿１に
密着され、けい光灯、発光タイオード等の発光源３か原
稿１を投光し、反射光を光検知部２で受光するものであ
る。
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法曲番こ１：１に対応させた光検知部２が原稿１に
密着され、けい光灯、発光タイオード等の発光源３か原
稿１を投光し、反射光を光検知部２で受光するものであ
る。
第２図は第１図中、光検知部２の一例を詳細に示す要部
断面図であり、第３図は原稿１側からみた光検知部２の
要部概略図であり、同図中、Ｘ−Ｘ′切断線によって示
される断面図が第２図である。
断面図であり、第３図は原稿１側からみた光検知部２の
要部概略図であり、同図中、Ｘ−Ｘ′切断線によって示
される断面図が第２図である。
図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３（図示せ
ず）から導光用窓４を通して反−剣先ａか原稿１を投光
し、原稿１からの反射光すが光電部材５の一部である光
電変換部５′で受光される。
ず）から導光用窓４を通して反−剣先ａか原稿１を投光
し、原稿１からの反射光すが光電部材５の一部である光
電変換部５′で受光される。
この光電部材５はＵｄ８． ｅｄｇｅ等の他、アモルフ
ァスシリコンでも構成され、光電変換部５′は光電部材
５のうち、下部電極６の上面−帯番こ相当する。また、
７は４７０５９ガラス等から成る透明基板であり、Ｃｒ
等の遮光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくはＳｉ等
の遮光性絶縁膜で形成した遮光層８が透明基板７上に方
形状の導光用窓４を残して成層される。この遮光層８上
にＯｒ、Δａ等から成る″）部電極６が前記方形状の導
光用窓４の周囲番こ真空蒸着番こよって形成され、下部
電極６を包むようにして前記方形状の導光用窓４を残し
て光電部材５が被核されている。更に、光電部材５の上
ｉこはインジウムスズオキサイドから成る透明の」゛部
電極９かコートされている。そして原稿１との間隙を埋
め、光検知部２を保論するため番こ光検知部２０〕十面
並ひに、導光用窓４上番こ５ｉ０２等から成る透明保睦
膜１０が被核される。
ァスシリコンでも構成され、光電変換部５′は光電部材
５のうち、下部電極６の上面−帯番こ相当する。また、
７は４７０５９ガラス等から成る透明基板であり、Ｃｒ
等の遮光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくはＳｉ等
の遮光性絶縁膜で形成した遮光層８が透明基板７上に方
形状の導光用窓４を残して成層される。この遮光層８上
にＯｒ、Δａ等から成る″）部電極６が前記方形状の導
光用窓４の周囲番こ真空蒸着番こよって形成され、下部
電極６を包むようにして前記方形状の導光用窓４を残し
て光電部材５が被核されている。更に、光電部材５の上
ｉこはインジウムスズオキサイドから成る透明の」゛部
電極９かコートされている。そして原稿１との間隙を埋
め、光検知部２を保論するため番こ光検知部２０〕十面
並ひに、導光用窓４上番こ５ｉ０２等から成る透明保睦
膜１０が被核される。
かくして、送信中の原稿１がＵ方向へ移動されるととも
昏こ、発光源３から導光用窓４を介して原稿１を投光す
る投光路が光検知部２を貝通し、原稿１の読み取り信号
が光電変換部５′で受光され、上部電極９及び−ト部電
極６間の信号電圧が、それぞれ共通電極り一ド１１及び
個別電極り一ド１２を通して信号処理回路へ送られる。
昏こ、発光源３から導光用窓４を介して原稿１を投光す
る投光路が光検知部２を貝通し、原稿１の読み取り信号
が光電変換部５′で受光され、上部電極９及び−ト部電
極６間の信号電圧が、それぞれ共通電極り一ド１１及び
個別電極り一ド１２を通して信号処理回路へ送られる。
上述の通り、原稿ｌを投光する投光路が光検知部２を貫
通させるという本発明者等の提案の結果、原稿ＩＩこ対
する入射角が非包に小さくなり、付随して、原稿１と光
電変換部５′の間隙が、大きい入射角を有した従来の方
式よりも半分以下まで小さく出来、入射光ａ及び反射光
すの合計した光路長は従来よりも短くなり、そのために
光路の途中での照度の減衰かかなり抑制され、加えて、
原稿１の表面の凹凸番こよる光散乱角もかなり小さくな
るために、光電変換部５′での受光強度、すなわち読み
取り信号強度の低）はかなり防止され、この問題は一時
的な解決か見られた。
通させるという本発明者等の提案の結果、原稿ＩＩこ対
する入射角が非包に小さくなり、付随して、原稿１と光
電変換部５′の間隙が、大きい入射角を有した従来の方
式よりも半分以下まで小さく出来、入射光ａ及び反射光
すの合計した光路長は従来よりも短くなり、そのために
光路の途中での照度の減衰かかなり抑制され、加えて、
原稿１の表面の凹凸番こよる光散乱角もかなり小さくな
るために、光電変換部５′での受光強度、すなわち読み
取り信号強度の低）はかなり防止され、この問題は一時
的な解決か見られた。
ところが長期間使用すると、透明保鰍膜１０か原稿１と
摺接するために原稿１中の硬い混入異物粒子や原稿１表
面の硬い吸右異物粒子により、徐々に透明保霞膜１０表
面に複数条の傷跡が出来、その結果、入射光ａ及び反射
光すが光散乱を起こし、それぞれの散乱光かノイズ成分
の増大及び読み取り信号強度の低下を招くため、読み取
り画像の鮮鋭度（コントラスト比）が°劣化し、根本的
な解決には未だ至っていない。
摺接するために原稿１中の硬い混入異物粒子や原稿１表
面の硬い吸右異物粒子により、徐々に透明保霞膜１０表
面に複数条の傷跡が出来、その結果、入射光ａ及び反射
光すが光散乱を起こし、それぞれの散乱光かノイズ成分
の増大及び読み取り信号強度の低下を招くため、読み取
り画像の鮮鋭度（コントラスト比）が°劣化し、根本的
な解決には未だ至っていない。
本発明は上記の事情に鑑み、ノイズ成分の増大及び読み
取り信号強度の低下を長期間防止し、その結果、読み取
り画像の鮮鋭度（コントラスト比）を維持しつつ、無駄
のない照明と忠実な画像の読み取りを可能とした密着型
読み取り装置を提供することを目的としている。
取り信号強度の低下を長期間防止し、その結果、読み取
り画像の鮮鋭度（コントラスト比）を維持しつつ、無駄
のない照明と忠実な画像の読み取りを可能とした密着型
読み取り装置を提供することを目的としている。
本発明は密着型読み取り装置において、光検知部２の、
少なくとも原稿１との当接部をアルミナ単結晶（α−Ａ
１ｇ（Ｊａ ）により形成したことを特徴とするもので
ある。
少なくとも原稿１との当接部をアルミナ単結晶（α−Ａ
１ｇ（Ｊａ ）により形成したことを特徴とするもので
ある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明者等は好適な透光性・硬度を有した透明保碌板を
、光検知部２上に貼り伺けれは、透明保睦板と原稿１と
の摺接が起因する透明保護板表面の傷跡が激減されるた
め、透明保腹板用祠料を種々、検創した結果、アルミナ
単結晶（α−Ａ７／２０３）か好適であると知見した。
、光検知部２上に貼り伺けれは、透明保睦板と原稿１と
の摺接が起因する透明保護板表面の傷跡が激減されるた
め、透明保腹板用祠料を種々、検創した結果、アルミナ
単結晶（α−Ａ７／２０３）か好適であると知見した。
従来の透明保睦板用材料優こはボウケイ酸ガラス等の光
学ガラスが使われ、透明材料として優れているが、ビッ
カース硬度５００〜６００にＲ／ ｖｒｔ２であるため
、透明保欽膜１０と同様な傷跡か発生していた。ところ
がアルミナ単結晶（α−ＡｇｚＯｓ ）は前記光学ガラ
スと匹敵するほどの透明材料であり、且つビッカース硬
度２３００ Ｋ１１７１１ｍ２ もあるため、非常番
こ優れた透明保睦板に適用できると判明した。
学ガラスが使われ、透明材料として優れているが、ビッ
カース硬度５００〜６００にＲ／ ｖｒｔ２であるため
、透明保欽膜１０と同様な傷跡か発生していた。ところ
がアルミナ単結晶（α−ＡｇｚＯｓ ）は前記光学ガラ
スと匹敵するほどの透明材料であり、且つビッカース硬
度２３００ Ｋ１１７１１ｍ２ もあるため、非常番
こ優れた透明保睦板に適用できると判明した。
次に実施例を具体的に説明する。
第４′図は本発明密着型読み取り装置番こ関し、第２図
番こ相当する光検知部２の要部断面図であり、第２図と
同一部分には同一符号が付しである。
番こ相当する光検知部２の要部断面図であり、第２図と
同一部分には同一符号が付しである。
Ｓ４図に示す通り、 ＃＝７０５９カラス等から成る透
明基板７上Ｇこ、Ｃｒ等の遮光性金属膜をコートした絶
縁膜、もしくはＳｉ等の遮光性絶縁膜で形成した遮光層
８が方形状の導光用窓４を残して成層され、この遮光層
８上にＵｒ、Ａρ等から成る下部電極６が前記方形状の
導光用窓４の周囲に形成される。そして前記下部電極６
を包むよう番こして前記方形状の導光用窓４を残してＵ
ｄ８． ＵｄＳｅ。
明基板７上Ｇこ、Ｃｒ等の遮光性金属膜をコートした絶
縁膜、もしくはＳｉ等の遮光性絶縁膜で形成した遮光層
８が方形状の導光用窓４を残して成層され、この遮光層
８上にＵｒ、Ａρ等から成る下部電極６が前記方形状の
導光用窓４の周囲に形成される。そして前記下部電極６
を包むよう番こして前記方形状の導光用窓４を残してＵ
ｄ８． ＵｄＳｅ。
アモルファスシリコン等の光電部材５が被りされ、光電
部材５の上≦こはインジウムスズオキサイドから成る透
明の上部電極９かコートされている。更に、光検知部２
を体膜するため番こ光検知部２の上面並び番こ導光用窓
４上にＳｉｏ２から成る透明ツク゛ンシベーション膜１
３が被覆される。そして屈折率がパッシベーション膜１
３（ｎ−Ｆｌ、４５）とアルミナ単結晶１ｉ１５ （１
１＝＝１．７６ ）の値の間番こある透明な有機材料（
ｎ＝１．４〜１．８）から成る接着剤１４ ｉこより透
明パッシベーション膜１３上番こ原稿１と当接する程度
にアルミナ単結晶板１５が貼り付けられる。
部材５の上≦こはインジウムスズオキサイドから成る透
明の上部電極９かコートされている。更に、光検知部２
を体膜するため番こ光検知部２の上面並び番こ導光用窓
４上にＳｉｏ２から成る透明ツク゛ンシベーション膜１
３が被覆される。そして屈折率がパッシベーション膜１
３（ｎ−Ｆｌ、４５）とアルミナ単結晶１ｉ１５ （１
１＝＝１．７６ ）の値の間番こある透明な有機材料（
ｎ＝１．４〜１．８）から成る接着剤１４ ｉこより透
明パッシベーション膜１３上番こ原稿１と当接する程度
にアルミナ単結晶板１５が貼り付けられる。
本発明の構成Ｇこよれは、けい光灯、発光タイオード等
の発光源３からの入射光電が光電変換ｇｌｓ ５’のほ
ぼ真中番こ形成された導光用窓４を貫通し、好適な透光
性・硬度を有したアルミナ単結晶板１５の通過後、原稿
１へ投光し、原稿１からの反射光すは再びアルミナ単結
晶板１５を通過し、導光用窓４の周囲に設りられた光電
変換部５′で検知される。この光電変換部５′の一辺の
サイズは発光源３の光度及び光電変換部５′の検知感度
Ｇこもよるが、通常、約１００μｍであり、そしてアル
ミナ単結晶板１５の厚みはｎｉＪ記光電ｉＩａ部５′の
サイズにもよるが、照度の減衰を許容し、且つ読み取り
分解能を低下さぜない範囲で最大約１００μｍ、好まし
くは５０μｎ）前後がよい。
の発光源３からの入射光電が光電変換ｇｌｓ ５’のほ
ぼ真中番こ形成された導光用窓４を貫通し、好適な透光
性・硬度を有したアルミナ単結晶板１５の通過後、原稿
１へ投光し、原稿１からの反射光すは再びアルミナ単結
晶板１５を通過し、導光用窓４の周囲に設りられた光電
変換部５′で検知される。この光電変換部５′の一辺の
サイズは発光源３の光度及び光電変換部５′の検知感度
Ｇこもよるが、通常、約１００μｍであり、そしてアル
ミナ単結晶板１５の厚みはｎｉＪ記光電ｉＩａ部５′の
サイズにもよるが、照度の減衰を許容し、且つ読み取り
分解能を低下さぜない範囲で最大約１００μｍ、好まし
くは５０μｎ）前後がよい。
前記の構成により、原稿１がアルミナ単結晶板１５と長
期間摺接しても、アルミナ単結晶板１５の硬度か極めて
大きいため、原稿１中の硬い混入異物粒子や原稿１表面
の硬い吸着異物粒子の影響をこよる。アルミナ単結晶板
１５表面の傷跡が激減するに至った。
期間摺接しても、アルミナ単結晶板１５の硬度か極めて
大きいため、原稿１中の硬い混入異物粒子や原稿１表面
の硬い吸着異物粒子の影響をこよる。アルミナ単結晶板
１５表面の傷跡が激減するに至った。
そして、パッシベーション膜１３． ｔｉ［剤１４及び
アルミナ単結晶板１５の順で、それぞれの屈折率が漸次
大きくなるような接着剤１４を使用し。
アルミナ単結晶板１５の順で、それぞれの屈折率が漸次
大きくなるような接着剤１４を使用し。
その結果、それぞれの境界曲番こ起因する境面反射を極
力避け、ノイズ成分の発生を防止している。や以上の実
施例から明らかなように、光検知部２の、少なくとも原
稿１との当接部をアルミナ単結晶（α−Δ１ｚ（Ｊｓ）
＋こより形成したため、原稿１との摺接による傷跡の影
響か極めて低減され、その結果、入射光ａ及び反射光す
の光散乱か避けられ、ノイズ成分の増大及び読み取り信
号強度の低下刃Ｓ長期間防止されることになった。その
ため、読み取す画像の鮮鋭度（コントラスト比、）を維
持しつつ、無駄のない照明と忠実な画像の読み取りを可
能とした密右型読み取り装置が提供されることとなった
。
力避け、ノイズ成分の発生を防止している。や以上の実
施例から明らかなように、光検知部２の、少なくとも原
稿１との当接部をアルミナ単結晶（α−Δ１ｚ（Ｊｓ）
＋こより形成したため、原稿１との摺接による傷跡の影
響か極めて低減され、その結果、入射光ａ及び反射光す
の光散乱か避けられ、ノイズ成分の増大及び読み取り信
号強度の低下刃Ｓ長期間防止されることになった。その
ため、読み取す画像の鮮鋭度（コントラスト比、）を維
持しつつ、無駄のない照明と忠実な画像の読み取りを可
能とした密右型読み取り装置が提供されることとなった
。
第１図はファクシミリ送信機の集束性ロッド・レンズ・
アレイを使わない密着型読ろ取り系の構成を示す斜視図
、第２図及び第３図はそれぞれ第１図光検知部の、本発
明者等の提案番こよる構成を示す要部断面図及び要部概
略図、第４図は本発明の実施例を示す第１図光検知部の
要部断話ヤある。 １・・・原稿、２・・・光検知部、５・・・光亀部祠、
５′・・・光電ｉ換部、１３・・・パッシベーション膜
、１４・・・接着剤、１５・・・アルミナ単結晶板 出願人 京都セラミック株式会社
アレイを使わない密着型読ろ取り系の構成を示す斜視図
、第２図及び第３図はそれぞれ第１図光検知部の、本発
明者等の提案番こよる構成を示す要部断面図及び要部概
略図、第４図は本発明の実施例を示す第１図光検知部の
要部断話ヤある。 １・・・原稿、２・・・光検知部、５・・・光亀部祠、
５′・・・光電ｉ換部、１３・・・パッシベーション膜
、１４・・・接着剤、１５・・・アルミナ単結晶板 出願人 京都セラミック株式会社
Claims (1)
- 発洸源が原稿を投光し、該原稿からの反射光を、原稿と
司法曲番こ１：１に対応させた検知部で受光するように
した密着型読み取り装置において、ｎｉｊ記検知部の、
少なくとも原稿との当接部をアルミナ単結晶（α−Δ（
１２（Ｊａ ） ！こより形成したことを特徴とする密
犯型読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173768A JPS5962267A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 密着型読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173768A JPS5962267A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 密着型読み取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962267A true JPS5962267A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15966782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173768A Pending JPS5962267A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 密着型読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0263497A2 (en) * | 1986-10-07 | 1988-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device |
| US4908718A (en) * | 1987-07-09 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus having a light shielding layer arranged on the sides of the substrate and protective layers of a photo sensor |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| GB2290164B (en) * | 1994-05-30 | 1998-11-04 | Nec Corp | Photoelectric conversion device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57173768A patent/JPS5962267A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0263497A2 (en) * | 1986-10-07 | 1988-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device |
| US4924282A (en) * | 1986-10-07 | 1990-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with moisture resistant layer |
| US4908718A (en) * | 1987-07-09 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus having a light shielding layer arranged on the sides of the substrate and protective layers of a photo sensor |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| GB2290164B (en) * | 1994-05-30 | 1998-11-04 | Nec Corp | Photoelectric conversion device |
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