JPS6355221B2 - - Google Patents
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- JPS6355221B2 JPS6355221B2 JP55125044A JP12504480A JPS6355221B2 JP S6355221 B2 JPS6355221 B2 JP S6355221B2 JP 55125044 A JP55125044 A JP 55125044A JP 12504480 A JP12504480 A JP 12504480A JP S6355221 B2 JPS6355221 B2 JP S6355221B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフアクシミリ用のラインセンサに関す
るものである。
るものである。
従来のフアクシミリ用のラインセンサにおける
光電変換部としては、原稿の像をレンズ系で投影
し、その縮小された像をCCDイメージセンサ或
はMOSイメージセンサで光電変換する所謂シン
グルレンズ方式か、又は複数のレンズで投影され
た像を夫々のレンズの像面におかれた複数のイメ
ージセンサで光電変換する所謂マルチレンズ方式
が一般的である。しかし、これらの方式はレンズ
を含む光学系が必然的に大きくなり、装置の小
型、軽量化が困難である。
光電変換部としては、原稿の像をレンズ系で投影
し、その縮小された像をCCDイメージセンサ或
はMOSイメージセンサで光電変換する所謂シン
グルレンズ方式か、又は複数のレンズで投影され
た像を夫々のレンズの像面におかれた複数のイメ
ージセンサで光電変換する所謂マルチレンズ方式
が一般的である。しかし、これらの方式はレンズ
を含む光学系が必然的に大きくなり、装置の小
型、軽量化が困難である。
一方、レンズを使わない新しい方式として、光
導電層を原稿面に対向するように作り、原稿面で
の反射光を光導電層で受光し、原稿面の明暗を電
気信号に変換する方法が提案されている。この方
式は従来のものに比べてスペースの面で大いに改
善されているが、原稿面からの反射光を信号とし
ているためにラインセンサとして構成した場合、
その反射光が隣りのセンサで拾われる恐れがある
等、解像度の点で不十分である。
導電層を原稿面に対向するように作り、原稿面で
の反射光を光導電層で受光し、原稿面の明暗を電
気信号に変換する方法が提案されている。この方
式は従来のものに比べてスペースの面で大いに改
善されているが、原稿面からの反射光を信号とし
ているためにラインセンサとして構成した場合、
その反射光が隣りのセンサで拾われる恐れがある
等、解像度の点で不十分である。
本発明は、上述の点に鑑み、後者の方式を更に
改良し、小型、軽量化を計ると同時に解像度を向
上したラインセンサを提供するものである。
改良し、小型、軽量化を計ると同時に解像度を向
上したラインセンサを提供するものである。
本発明においては、光導電膜による光電変換部
と光入射部を一体に形成し、この光電変換部を原
稿面に接するようになすと共に、光導電膜と原稿
面との間隔を該原稿面での反射光が排除される小
さな間隔に選定し、光入射部より原稿面に照射さ
れた光の該原稿内部に進入した内部光を主たる信
号として光電変換部に受光するようになすもので
ある。
と光入射部を一体に形成し、この光電変換部を原
稿面に接するようになすと共に、光導電膜と原稿
面との間隔を該原稿面での反射光が排除される小
さな間隔に選定し、光入射部より原稿面に照射さ
れた光の該原稿内部に進入した内部光を主たる信
号として光電変換部に受光するようになすもので
ある。
以下、図面を参照して本発明によるラインセン
サを説明しよう。
サを説明しよう。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示す。
本発明においては、所定の基板、例えばガラス等
の透明基板１の一面に一部（センサ部を形成すべ
き部分に対応した位置）光遮蔽層２を介して複数
のストライプ電極３，３ａ，３ｂ，……を一方向
（所謂走査方向）に沿つて所定間隔をもつて並列
形成し、このストライプ電極３上の光遮蔽層２に
対応する部分に各ストライプ電極３を横切るよう
に順次光導電膜４及び透明電極５を被着形成す
る。さらに、各ストライプ電極３と光導電膜４と
透明電極５で構成された光電変換部となる各セン
サ部６，６Ａ，６Ｂ，……の側面を光遮蔽層７で
覆い、全体に硬質で透明な薄い保護層８を被着形
成する。各ストライプ電極３ａ，３ｂ，……には
夫々対応するセンサ部６Ａ，６ｂ，……に近接し
た位置に透孔９を設けて光入射部１０，１０ａ，
１０ｂ，……を形成する。ストライプ電極３は、
白金、金、アルミニウム等の不透明な金属よりな
り、例えば各ストライプ電極間のピツチＰが
100μm、透孔９の直径Ｄが50μm、隣り合うスト
ライプ電極間の間隙Ｗが10μm程度になされる。
透明電極５はITO（InO3＋SnO2）又はネサ
（SnO2）等の透明導電膜よりなる。光導電膜４と
しては、例えば無定形シリコン、無定形セレン等
の光導電性物質を用い得、例えば約1μm程度推積
する。保護層８としてはSiC膜等を用い得る。な
お、本例では光導電膜４の基板１側にストライプ
電極３を形成し、その反対側に共通の電極５を形
成したが、この逆の場合でもよい。さらに、図示
せざるも各ストライプ電極３及び共通の電極５間
より順次各センサで受けた光が電気信号として読
み出される。
本発明においては、所定の基板、例えばガラス等
の透明基板１の一面に一部（センサ部を形成すべ
き部分に対応した位置）光遮蔽層２を介して複数
のストライプ電極３，３ａ，３ｂ，……を一方向
（所謂走査方向）に沿つて所定間隔をもつて並列
形成し、このストライプ電極３上の光遮蔽層２に
対応する部分に各ストライプ電極３を横切るよう
に順次光導電膜４及び透明電極５を被着形成す
る。さらに、各ストライプ電極３と光導電膜４と
透明電極５で構成された光電変換部となる各セン
サ部６，６Ａ，６Ｂ，……の側面を光遮蔽層７で
覆い、全体に硬質で透明な薄い保護層８を被着形
成する。各ストライプ電極３ａ，３ｂ，……には
夫々対応するセンサ部６Ａ，６ｂ，……に近接し
た位置に透孔９を設けて光入射部１０，１０ａ，
１０ｂ，……を形成する。ストライプ電極３は、
白金、金、アルミニウム等の不透明な金属よりな
り、例えば各ストライプ電極間のピツチＰが
100μm、透孔９の直径Ｄが50μm、隣り合うスト
ライプ電極間の間隙Ｗが10μm程度になされる。
透明電極５はITO（InO3＋SnO2）又はネサ
（SnO2）等の透明導電膜よりなる。光導電膜４と
しては、例えば無定形シリコン、無定形セレン等
の光導電性物質を用い得、例えば約1μm程度推積
する。保護層８としてはSiC膜等を用い得る。な
お、本例では光導電膜４の基板１側にストライプ
電極３を形成し、その反対側に共通の電極５を形
成したが、この逆の場合でもよい。さらに、図示
せざるも各ストライプ電極３及び共通の電極５間
より順次各センサで受けた光が電気信号として読
み出される。
このラインセンサ１１は、第２図及び第４図の
模式図で示すようにセンサ部６を原稿１２の面に
密接して配し、光入射部１０を通して原稿面に対
し光源よりの光１３を略々垂直方向に照射し、そ
の光１３の原稿内部を散乱してセンサ部６下に到
達した内部光１３′を主たる信号としてセンサ部
６で受光する。即ち、光１３が原稿面の入射点か
ら原稿内部に進入し、原稿紙の繊維により屈折、
反射等の散乱を経てセンサ部６に至る経路中の光
の減衰量を、その絵素の濃度として検出し電気信
号に変換する。従つて、絵素が黒つぽければ内部
光１３′の吸収が大きくセンサ部６での受光量が
少なくなり、逆に絵素が白つぽければ内部光１
３′の吸収が小さくセンサ部６での受光量が増え
る。
模式図で示すようにセンサ部６を原稿１２の面に
密接して配し、光入射部１０を通して原稿面に対
し光源よりの光１３を略々垂直方向に照射し、そ
の光１３の原稿内部を散乱してセンサ部６下に到
達した内部光１３′を主たる信号としてセンサ部
６で受光する。即ち、光１３が原稿面の入射点か
ら原稿内部に進入し、原稿紙の繊維により屈折、
反射等の散乱を経てセンサ部６に至る経路中の光
の減衰量を、その絵素の濃度として検出し電気信
号に変換する。従つて、絵素が黒つぽければ内部
光１３′の吸収が大きくセンサ部６での受光量が
少なくなり、逆に絵素が白つぽければ内部光１
３′の吸収が小さくセンサ部６での受光量が増え
る。
しかして、本発明では、原稿面での反射光を排
し、原稿内部を通る内部光１３′を信号とするた
め、光導電膜４と原稿面との距離を十分近けねば
ならない。このためセンサ部６においては、その
光導電膜４−電極５−保護層８に至る厚みｔを
5μm以下に選ぶ。また、各センサ部６に於ては
夫々対応する絵素１４の信号（内部光１３′）の
みを受光し、隣接する絵素からの内部光１３′を
受光しないように、各センサ部６間のピツチＰ
（ストライプ電極間のピツチに相当する）を、ｄ
＜Ｐ200μmに選定する。ｄはセンサ部６と光入
射部１０の中心間距離である。ラインセンサ１１
を構成する各センサ部６と光入射部１０との配列
関係は、フアクシミリの走査方向ａに対して之と
直角方向に、即ち光入射部１０からセンサ部６に
向う信号となる光１３′の方向が走査方向ａと直
交するように配列する。
し、原稿内部を通る内部光１３′を信号とするた
め、光導電膜４と原稿面との距離を十分近けねば
ならない。このためセンサ部６においては、その
光導電膜４−電極５−保護層８に至る厚みｔを
5μm以下に選ぶ。また、各センサ部６に於ては
夫々対応する絵素１４の信号（内部光１３′）の
みを受光し、隣接する絵素からの内部光１３′を
受光しないように、各センサ部６間のピツチＰ
（ストライプ電極間のピツチに相当する）を、ｄ
＜Ｐ200μmに選定する。ｄはセンサ部６と光入
射部１０の中心間距離である。ラインセンサ１１
を構成する各センサ部６と光入射部１０との配列
関係は、フアクシミリの走査方向ａに対して之と
直角方向に、即ち光入射部１０からセンサ部６に
向う信号となる光１３′の方向が走査方向ａと直
交するように配列する。
かかる構成のラインセンサ１１によれば、原稿
面より内部に入射した内部光１３′を信号として
センサ部６で受光し、電気信号に変換されるもの
であり、しかも、各絵素に対応して光入射部１０
が独立して設けられ、各絵素中の光照射される位
置が夫々光入射部１０によつて定められているた
めに、各絵素における信号となる内部光１３′は
対応するセンサ部１０にのみ受光されることにな
り、高解像度の信号が得られる。そして、このラ
インセンサ１１は原稿面に直接接しているため
に、レンズ係が不要となり、全体が小型、軽量に
構成される。また、このラインセンサ１１は強い
光が必要であるがコントラストは良好である。
又、隣り合うセンサ部６間は入射光が入らないほ
ど隙間なく並置されているので、集積度が上が
り、解像度が向上する。
面より内部に入射した内部光１３′を信号として
センサ部６で受光し、電気信号に変換されるもの
であり、しかも、各絵素に対応して光入射部１０
が独立して設けられ、各絵素中の光照射される位
置が夫々光入射部１０によつて定められているた
めに、各絵素における信号となる内部光１３′は
対応するセンサ部１０にのみ受光されることにな
り、高解像度の信号が得られる。そして、このラ
インセンサ１１は原稿面に直接接しているため
に、レンズ係が不要となり、全体が小型、軽量に
構成される。また、このラインセンサ１１は強い
光が必要であるがコントラストは良好である。
又、隣り合うセンサ部６間は入射光が入らないほ
ど隙間なく並置されているので、集積度が上が
り、解像度が向上する。
第７図乃至第９図は本発明の他の実施例であ
る。之は第１図における光遮蔽層２に代えて、基
板１の内面全面に可視光（光源の成分光）を全く
通さない結晶質薄膜（例えば無定形Ge、無定形
Si：Ｆ：Ｈ等）１５を形成し、その非晶質薄膜１
５にストライプ電極３の透孔９に対応した位置に
透孔１６を形成するようにした例であり、この様
に構成することもできる。
る。之は第１図における光遮蔽層２に代えて、基
板１の内面全面に可視光（光源の成分光）を全く
通さない結晶質薄膜（例えば無定形Ge、無定形
Si：Ｆ：Ｈ等）１５を形成し、その非晶質薄膜１
５にストライプ電極３の透孔９に対応した位置に
透孔１６を形成するようにした例であり、この様
に構成することもできる。
尚、第１図及び第７図の構成において、基板１
としては不透明基板を用いる場合は、光遮蔽層２
或は非晶質薄膜１５を省略し、この不透明の基板
１にストライプ電極３の透孔９に対向した位置に
光を入射する透孔を形成するようになす。
としては不透明基板を用いる場合は、光遮蔽層２
或は非晶質薄膜１５を省略し、この不透明の基板
１にストライプ電極３の透孔９に対向した位置に
光を入射する透孔を形成するようになす。
又、第５図の例では各センサ部即ち絵素１４に
対応して夫々独立に光入射部１０を設けたが、第
６図に示す如く各絵素１４に共通に光入射部１０
を設けるようになしてもよい。この第６図の場合
は、各絵素１４に対する光照射の位置が限定され
るも、絵素１４間の境界部分に入射された光は隣
り合う両センサ部６で受光する可能性があるもの
で、第５図の構成に比して解像度は落ちる。
対応して夫々独立に光入射部１０を設けたが、第
６図に示す如く各絵素１４に共通に光入射部１０
を設けるようになしてもよい。この第６図の場合
は、各絵素１４に対する光照射の位置が限定され
るも、絵素１４間の境界部分に入射された光は隣
り合う両センサ部６で受光する可能性があるもの
で、第５図の構成に比して解像度は落ちる。
上述せる如く、本発明においては光導電膜によ
る光電変換部を用いて成るので、多数のセンサ部
６を有するラインセンサが容易に得られ、且つこ
のラインセンサが原稿面に直接接し光入射部を通
して原稿内部に入射された内部光１３′をセンサ
部６に受光せしめて、之より変換された電気信号
を順次読み出す構成により、小型、軽量にして、
高解像度のラインセンサが得られるものである。
る光電変換部を用いて成るので、多数のセンサ部
６を有するラインセンサが容易に得られ、且つこ
のラインセンサが原稿面に直接接し光入射部を通
して原稿内部に入射された内部光１３′をセンサ
部６に受光せしめて、之より変換された電気信号
を順次読み出す構成により、小型、軽量にして、
高解像度のラインセンサが得られるものである。
第１図は本発明によるラインセンサの一実施例
を示す要部の斜視図、第２図及び第３図は夫々そ
の−線及び−線上の断面図、第４図は本
発明の原理的動作説明の模式図、第５図及び第６
図は夫々本発明の例を示す概略図、第７図は本発
明の他の実施例を示す要部の斜視図、第８図及び
第９図は夫々その−線上及び−線上の断
面図である。 １……基板、３……ストライプ電極、４……光
導電膜、５……共通の電極、６……センサ部、１
０……光入射部、１２……原稿である。
を示す要部の斜視図、第２図及び第３図は夫々そ
の−線及び−線上の断面図、第４図は本
発明の原理的動作説明の模式図、第５図及び第６
図は夫々本発明の例を示す概略図、第７図は本発
明の他の実施例を示す要部の斜視図、第８図及び
第９図は夫々その−線上及び−線上の断
面図である。 １……基板、３……ストライプ電極、４……光
導電膜、５……共通の電極、６……センサ部、１
０……光入射部、１２……原稿である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板に対し、複数のストライプ状電極を
一方向に所定間隔をもつて並置し、前記ストライ
プ状電極の一側部に各々独立の光電変換部を有
し、 前記ストライプ状電極の他側部に各々独立の光
入射部を隣接して有し、 前記光電変換部と光入射部の各対が隣接して一
体化された構成体が相互に光電変換部同志がほぼ
隙間なく並置されて成り、前記光電変換部が原稿
面に接し、前記光入射部より前記原稿面に対し、
略々垂直方向に照射された光の該原稿内部に進入
した内部光を主たる信号として前記光電変換部に
受光することを特徴とするラインセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55125044A JPS5749265A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Line sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55125044A JPS5749265A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Line sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5749265A JPS5749265A (en) | 1982-03-23 |
| JPS6355221B2 true JPS6355221B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=14900439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55125044A Granted JPS5749265A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Line sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5749265A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0618411B2 (ja) * | 1982-11-02 | 1994-03-09 | 京セラ株式会社 | 密着型読み取り装置 |
| JPS59122273A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Canon Inc | 原稿読取り装置 |
| JP2706443B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1998-01-28 | 松下電器産業株式会社 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439589A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
| US4149197A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-10 | Northern Telecom Limited | Direct imaging apparatus for an electronic document transmitter utilizing a linear array of photo-detectors |
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5846186B2 (ja) * | 1980-02-28 | 1983-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
-
1980
- 1980-09-09 JP JP55125044A patent/JPS5749265A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5749265A (en) | 1982-03-23 |
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