JPH0415630B2 - - Google Patents
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- JPH0415630B2 JPH0415630B2 JP57160218A JP16021882A JPH0415630B2 JP H0415630 B2 JPH0415630 B2 JP H0415630B2 JP 57160218 A JP57160218 A JP 57160218A JP 16021882 A JP16021882 A JP 16021882A JP H0415630 B2 JPH0415630 B2 JP H0415630B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフアクシミリ装置などの小型化を目指
した密着型読み取り装置に関するものである。
した密着型読み取り装置に関するものである。
近時、フアクシミリ用の密着型読み取り装置の
開発が活発化しており、この装置には原稿からの
反射光を集束性ロツド・レンズ・アレイを通して
検知する型式の他、このアレイを使わずに優れた
光量伝達率、小型化を達成する装置も種々検討さ
れている。
開発が活発化しており、この装置には原稿からの
反射光を集束性ロツド・レンズ・アレイを通して
検知する型式の他、このアレイを使わずに優れた
光量伝達率、小型化を達成する装置も種々検討さ
れている。
例えば、第１図は集束性ロツド・レンズ・アレ
イを使わない密着型読み取り系の構成を示す斜視
図であり、原稿１と寸法的に１：１に対応させた
密着型読み取り装置２が原稿１に密着され、けい
光灯、発光ダイオード等の光源３が原稿１を投光
し、その反射光を密着型読み取り装置２で受光す
るものである。
イを使わない密着型読み取り系の構成を示す斜視
図であり、原稿１と寸法的に１：１に対応させた
密着型読み取り装置２が原稿１に密着され、けい
光灯、発光ダイオード等の光源３が原稿１を投光
し、その反射光を密着型読み取り装置２で受光す
るものである。
第２図は従来の読み取り装置を詳細に示す要部
断面図であり、第３図は原稿１側からみた読み取
り装置２の要部概略図であり、同図中のＸ−
X′切断線によつて示される断面図が第２図であ
る。
断面図であり、第３図は原稿１側からみた読み取
り装置２の要部概略図であり、同図中のＸ−
X′切断線によつて示される断面図が第２図であ
る。
図中、けい光灯、発光ダイオード等の光源３
（図示せず）から導光窓４を通して入射光ａが原
稿１を投光し、原稿１からの反射光ｂが光電変換
層５の一部である光電変換部５′で受光される。
この光電変換層５はCdS、CdSe等の他、アモル
フアスシリコンでも構成され、光電変換部５′は
光電変換層５のうち下部電極６の上面全体に相当
する。また、７は＃7059ガラス等から成る透明基
板であり、Cr等の遮光性金属膜をコートした絶
縁膜もしくは絶縁性蒸着シリコンで形成した遮光
層８が透明基板７上に導光窓４を残して形成され
る。この遮光層８上にCr、Al等から成る下部電
極６が真空蒸着によつて形成され、下部電極６を
包むようにして光電変換層５が被覆されている。
更に光電変換層５の上にはインジウム・スズ・オ
キサイドから成る透明な上部電極９がコートされ
ている。そして、原稿１との間〓を埋めるととも
に光検知部を保護するために透明保護板１０がレ
ンズボンド（屈折率がガラスに近い透明な有機接
着剤）１１を介して接着されている。
（図示せず）から導光窓４を通して入射光ａが原
稿１を投光し、原稿１からの反射光ｂが光電変換
層５の一部である光電変換部５′で受光される。
この光電変換層５はCdS、CdSe等の他、アモル
フアスシリコンでも構成され、光電変換部５′は
光電変換層５のうち下部電極６の上面全体に相当
する。また、７は＃7059ガラス等から成る透明基
板であり、Cr等の遮光性金属膜をコートした絶
縁膜もしくは絶縁性蒸着シリコンで形成した遮光
層８が透明基板７上に導光窓４を残して形成され
る。この遮光層８上にCr、Al等から成る下部電
極６が真空蒸着によつて形成され、下部電極６を
包むようにして光電変換層５が被覆されている。
更に光電変換層５の上にはインジウム・スズ・オ
キサイドから成る透明な上部電極９がコートされ
ている。そして、原稿１との間〓を埋めるととも
に光検知部を保護するために透明保護板１０がレ
ンズボンド（屈折率がガラスに近い透明な有機接
着剤）１１を介して接着されている。
上記構成の密着型読み取り装置をフアクシミリ
送信用に用いる場合、原稿１がＣ方向へ移動され
るとともに、原稿１からの反射光が光電変換部
５′で受光され、上部電極９及び下部電極６の間
の信号電圧がそれぞれ共通電極リード１２及び個
別電極リード１３を通して信号処理回路へ送られ
る。
送信用に用いる場合、原稿１がＣ方向へ移動され
るとともに、原稿１からの反射光が光電変換部
５′で受光され、上部電極９及び下部電極６の間
の信号電圧がそれぞれ共通電極リード１２及び個
別電極リード１３を通して信号処理回路へ送られ
る。
上記の構成から成る密着型読み取り装置では光
電変換部５′に隣接して、光電変換部５′とほぼ同
じサイズの導光窓４が設けられ、通常、光電変換
部５′及び導光窓４は一辺100μｍ前後の方形状に
形成されている。この場合、光電変換部５′と原
稿１の間隔は導光窓４から入射した光ａを概ね光
電変換部５′で受光させるために100μｍ前後必要
となる。
電変換部５′に隣接して、光電変換部５′とほぼ同
じサイズの導光窓４が設けられ、通常、光電変換
部５′及び導光窓４は一辺100μｍ前後の方形状に
形成されている。この場合、光電変換部５′と原
稿１の間隔は導光窓４から入射した光ａを概ね光
電変換部５′で受光させるために100μｍ前後必要
となる。
しかしながら、上述の構成では前記の入射光ａ
及び反射光ｂはそれぞれ原稿１及び光電変換部
５′に対し傾斜しているため、入射光ａ及び反射
光ｂに亘る合計した光路長が長くなり、そのため
に光路の途中で照度が減衰し、加えて、原稿１の
表面の凹凸による光散乱角も大きくなるために、
光電変換部５′での受光強度が低下するという問
題点があつた。
及び反射光ｂはそれぞれ原稿１及び光電変換部
５′に対し傾斜しているため、入射光ａ及び反射
光ｂに亘る合計した光路長が長くなり、そのため
に光路の途中で照度が減衰し、加えて、原稿１の
表面の凹凸による光散乱角も大きくなるために、
光電変換部５′での受光強度が低下するという問
題点があつた。
更に前述の傾斜した投光路のために透明保護板
１０の表面で鏡面反射されやすく、光源３からの
照明光束が直接光電変換部５′に捕獲されるため、
これがノイズ成分となつていた。そのため光電変
換部５′で受光される原稿１の画像信号の成分が
小さい場合、検知感度が飽和され、Ｓ／Ｎ比が低
下するという問題点があつた。
１０の表面で鏡面反射されやすく、光源３からの
照明光束が直接光電変換部５′に捕獲されるため、
これがノイズ成分となつていた。そのため光電変
換部５′で受光される原稿１の画像信号の成分が
小さい場合、検知感度が飽和され、Ｓ／Ｎ比が低
下するという問題点があつた。
かくして従来の密着型読み取り装置によれば、
読み取り画像の鮮鋭度（コントラスト比）が低下
して、十分な読み取りが出来ず、末だ満足しえる
ものではなかつた。
読み取り画像の鮮鋭度（コントラスト比）が低下
して、十分な読み取りが出来ず、末だ満足しえる
ものではなかつた。
本発明は上記の事情に鑑み、ノイズ成分を少な
くして読み取り信号を高め、その結果、読み取り
画像の鮮鋭度（コントラスト比）を改善し、無駄
のない照明と忠実な画像の読み取りを可能とした
密着型読み取り装置を提供することを目的として
いる。
くして読み取り信号を高め、その結果、読み取り
画像の鮮鋭度（コントラスト比）を改善し、無駄
のない照明と忠実な画像の読み取りを可能とした
密着型読み取り装置を提供することを目的として
いる。
また本発明は直線状に並べられた複数個の光検
知部にそれぞれ対応した被検知体の読み取り領域
を所定の狭い範囲に設定するとともに、その読み
取り領域からの反射光を検知する場合に採光量を
高め、これによつて分解能及び採光効率を高めた
密着型読み取り装置を提供することを目的とす
る。
知部にそれぞれ対応した被検知体の読み取り領域
を所定の狭い範囲に設定するとともに、その読み
取り領域からの反射光を検知する場合に採光量を
高め、これによつて分解能及び採光効率を高めた
密着型読み取り装置を提供することを目的とす
る。
本発明の密着型読み取り装置は透明基板に遮光
層と、透明基板の裏面側に配置された光源からの
光を通すための導光窓とを形成しており、しかも
被検知体の読み取り領域と相対向する部位に、そ
の読み取り領域からの反射光を検知すべく、上記
導光窓の全周に亘つて層着された光電変換層から
成る光検知部を備えたことを特徴とするものであ
る。
層と、透明基板の裏面側に配置された光源からの
光を通すための導光窓とを形成しており、しかも
被検知体の読み取り領域と相対向する部位に、そ
の読み取り領域からの反射光を検知すべく、上記
導光窓の全周に亘つて層着された光電変換層から
成る光検知部を備えたことを特徴とするものであ
る。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第４図及び第５図はそれぞれ本発明密着型読み取
り装置の要部断面図及び要部平面概略図であり、
第４図は第５図中Ｙ−Y′切断線によつて示され
る断面図である。なお、第２図及び第３図と同一
部分には同一符号が付してある。
第４図及び第５図はそれぞれ本発明密着型読み取
り装置の要部断面図及び要部平面概略図であり、
第４図は第５図中Ｙ−Y′切断線によつて示され
る断面図である。なお、第２図及び第３図と同一
部分には同一符号が付してある。
第４図及び第５図に示す通り、＃7059ガラス等
から成る透明基板７上にCr等の遮光性金属膜を
コートした絶縁層もしくは絶縁性蒸着シリコンで
形成した遮光層８が方形状の導光窓４を残して形
成され、この遮光層８上にCr、Al等から成る下
部電極６が前記方形状の導光窓４の全周囲に亘つ
て形成される。そして前記導光窓４を残して前記
下部電極６を覆うようにしてCdS、CdSe、アモ
ルフアスシリコン等の光電変換層５が被覆され、
光電変換層５の上にはインジウム・スズ・オキサ
イドから成る透明の上部電極９がコートされてい
る。また、被検知体である原稿１との間〓を埋
め、光検知部２を保護するために、光検知部２の
上面並びに導光窓４上に透明保護膜１４が被覆さ
れる。そして、光源３から導光窓４を介して原稿
１を投光する投光路が光検知部２を貫通すること
になる。また、原稿１の読み取り領域からの反射
光が検知される光電変換部５′は光電変換層５の
うち導光窓４の周囲に設けられた下部電極６の上
面全体に相当する。
から成る透明基板７上にCr等の遮光性金属膜を
コートした絶縁層もしくは絶縁性蒸着シリコンで
形成した遮光層８が方形状の導光窓４を残して形
成され、この遮光層８上にCr、Al等から成る下
部電極６が前記方形状の導光窓４の全周囲に亘つ
て形成される。そして前記導光窓４を残して前記
下部電極６を覆うようにしてCdS、CdSe、アモ
ルフアスシリコン等の光電変換層５が被覆され、
光電変換層５の上にはインジウム・スズ・オキサ
イドから成る透明の上部電極９がコートされてい
る。また、被検知体である原稿１との間〓を埋
め、光検知部２を保護するために、光検知部２の
上面並びに導光窓４上に透明保護膜１４が被覆さ
れる。そして、光源３から導光窓４を介して原稿
１を投光する投光路が光検知部２を貫通すること
になる。また、原稿１の読み取り領域からの反射
光が検知される光電変換部５′は光電変換層５の
うち導光窓４の周囲に設けられた下部電極６の上
面全体に相当する。
透明基板７上の各層を層着する場合、下部電極
６及び上部電極９は主として真空蒸着により、ま
た遮光層８、光電変換層５及び透明保護膜１４は
主としてグロー放電により成膜する。
６及び上部電極９は主として真空蒸着により、ま
た遮光層８、光電変換層５及び透明保護膜１４は
主としてグロー放電により成膜する。
本発明の構成によれば、けい光灯、発光ダイオ
ード灯の光源３（図示せず）からの入射光ａが、
光電変換部５′のほぼ真中に形成された導光窓４
を貫通して原稿１へ投光し、原稿１の読み取り領
域からの反射光ｂが導光窓４の周囲に設けられた
光電変換部５′で検知される。この光電変換部
５′の一辺の大きさが100μｍ前後の場合、導光窓
４の一辺の大きさは光源３の光度及び光電変換部
５′の検知感度にもよるが約10〜60μｍが好適で
ある。
ード灯の光源３（図示せず）からの入射光ａが、
光電変換部５′のほぼ真中に形成された導光窓４
を貫通して原稿１へ投光し、原稿１の読み取り領
域からの反射光ｂが導光窓４の周囲に設けられた
光電変換部５′で検知される。この光電変換部
５′の一辺の大きさが100μｍ前後の場合、導光窓
４の一辺の大きさは光源３の光度及び光電変換部
５′の検知感度にもよるが約10〜60μｍが好適で
ある。
従つて入射光ａの原稿１に対する入射角は光源
３と導光窓４の間隔及び光源３の径を一定にした
場合、非常に小さくなり、付随して原稿１と光電
変換部５′の間隔が従来の100μｍ前後より半分以
下まで小さくでき、透明電極９の厚み（約1μｍ）
を加算しても約50〜2μｍとなることが判明した。
３と導光窓４の間隔及び光源３の径を一定にした
場合、非常に小さくなり、付随して原稿１と光電
変換部５′の間隔が従来の100μｍ前後より半分以
下まで小さくでき、透明電極９の厚み（約1μｍ）
を加算しても約50〜2μｍとなることが判明した。
また、前記の構成により入射光ａ及び反射光ｂ
の合計した光路長は従来よりも短くなり、そのた
めに光路の途中での照度の減衰がかなり抑制さ
れ、加えて原稿１の表面の凹凸による光散乱角も
かなり小さくなるために光電変換部５′での受光
強度、すなわち読み取り信号強度の低下はかなり
防止されることとなつた。
の合計した光路長は従来よりも短くなり、そのた
めに光路の途中での照度の減衰がかなり抑制さ
れ、加えて原稿１の表面の凹凸による光散乱角も
かなり小さくなるために光電変換部５′での受光
強度、すなわち読み取り信号強度の低下はかなり
防止されることとなつた。
更にまた、前述の通り入射角が小さくなつたた
め、原稿１以外による鏡面反射が小さくなり、た
とえ原稿１から光電変換部５′で受光される成分
が小さくても前記ノイズ成分が小さいために鮮鋭
な検知が可能となつた。
め、原稿１以外による鏡面反射が小さくなり、た
とえ原稿１から光電変換部５′で受光される成分
が小さくても前記ノイズ成分が小さいために鮮鋭
な検知が可能となつた。
更に原稿１と光電変換部５′との間隔が小さく
なつたため、遮光層８、下部電極６、光電変換層
５及び上部電極９の共通した成膜製造技術（例え
ば、スパツタリング、真空蒸着、グロー放電
等々）を使つて、透明保護板１０の代替として上
部電極９上に透明保護膜１４を被膜するだけでよ
く、透明保護板１０を付設するための製造上の工
程を付加する必要はなくなつた。
なつたため、遮光層８、下部電極６、光電変換層
５及び上部電極９の共通した成膜製造技術（例え
ば、スパツタリング、真空蒸着、グロー放電
等々）を使つて、透明保護板１０の代替として上
部電極９上に透明保護膜１４を被膜するだけでよ
く、透明保護板１０を付設するための製造上の工
程を付加する必要はなくなつた。
しかも、前記の入射角ａ及び反射角ｂは透明基
板７、透明電極９等々の積層を通過するため、各
層の屈折率により光進路が決まるが、本発明の如
き入射光が小さくなることで各層への光入射光が
小さくなり、光進路の方向が従来ほど各層の屈折
率の影響をうけないため、前記反射光ｂが概ね光
電変換部５′で受光されるべく位置合わせの調整
が容易となつた。
板７、透明電極９等々の積層を通過するため、各
層の屈折率により光進路が決まるが、本発明の如
き入射光が小さくなることで各層への光入射光が
小さくなり、光進路の方向が従来ほど各層の屈折
率の影響をうけないため、前記反射光ｂが概ね光
電変換部５′で受光されるべく位置合わせの調整
が容易となつた。
更にまた上記構成の装置であれば、原稿１の読
み取り領域は光電変換部５′と相対向する部位に
相当しており、その限定された狭い範囲だけに入
射光ａが投光し、その他の原稿領域を検知しない
ために分解能を顕著に高めることができ、併せて
入射光ａに対する受光量が高められるので採光効
率が高いという利点もある。
み取り領域は光電変換部５′と相対向する部位に
相当しており、その限定された狭い範囲だけに入
射光ａが投光し、その他の原稿領域を検知しない
ために分解能を顕著に高めることができ、併せて
入射光ａに対する受光量が高められるので採光効
率が高いという利点もある。
なお、上記実施例においては遮光層８の他に別
途下部電極６を形成しているが、その下部電極６
に遮光層８と同じ機能をもたせて遮光層８を除い
てもよく、その場合には下部電極６を各光検知部
が共通に接続された共通電極とし、上部電極９を
個別電極することで可能となる。
途下部電極６を形成しているが、その下部電極６
に遮光層８と同じ機能をもたせて遮光層８を除い
てもよく、その場合には下部電極６を各光検知部
が共通に接続された共通電極とし、上部電極９を
個別電極することで可能となる。
本発明において光電変換部５′及び導光窓４の
形状は第５図に限定されるものではなく、その他
の種々の形状を第６図に例示する。
形状は第５図に限定されるものではなく、その他
の種々の形状を第６図に例示する。
第６図のイは円形の導光窓１を示し、ロ及びハ
は導光窓４の内側にも光電変換部５′を設けた変
形例である。
は導光窓４の内側にも光電変換部５′を設けた変
形例である。
以上の通り、本発明の密着型読み取り装置は読
み取り信号強度が向上し、且つノイズ成分が小さ
くなり、また、採光効率及び分解能が高められ、
これにより、読み取り画像の鮮鋭度（コントラス
ト比）及びＳ／Ｎ比が改善され、無駄のない照明
と忠実な画像の読み取りが可能となつた。
み取り信号強度が向上し、且つノイズ成分が小さ
くなり、また、採光効率及び分解能が高められ、
これにより、読み取り画像の鮮鋭度（コントラス
ト比）及びＳ／Ｎ比が改善され、無駄のない照明
と忠実な画像の読み取りが可能となつた。
また、光検知部を保護するに当たつて、透明保
護板に代えて透明保護板を被膜するだけでよく、
これによつて製造工程が合理化され、各層の屈折
率の影響が小さくなり、光電変換層での受光に要
する位置合わせの調整が容易になるという利点も
有することとなつた。
護板に代えて透明保護板を被膜するだけでよく、
これによつて製造工程が合理化され、各層の屈折
率の影響が小さくなり、光電変換層での受光に要
する位置合わせの調整が容易になるという利点も
有することとなつた。
第１図はフアクシミリ送信機の集束性ロツド・
レンズ・アレイを使わない密着型読み取り系の構
成を示す斜視図、第２図及び第３図はそれぞれ第
１図光検知部の従来の構成を示す要部断面図及び
要部平面概略図、第４図及び第５図はそれぞれ本
発明の実施例を示す第１図光検知部の要部断面図
及び要部平面概略図、また第６図は本発明の他の
実施例を示す要部概略図である。 １：原稿、２：光検知部、４：導光窓、５：光
電変換層、５′：光電変換部、６：下部電極、
８：遮光層、９：上部電極、１４：透明保護膜。
レンズ・アレイを使わない密着型読み取り系の構
成を示す斜視図、第２図及び第３図はそれぞれ第
１図光検知部の従来の構成を示す要部断面図及び
要部平面概略図、第４図及び第５図はそれぞれ本
発明の実施例を示す第１図光検知部の要部断面図
及び要部平面概略図、また第６図は本発明の他の
実施例を示す要部概略図である。 １：原稿、２：光検知部、４：導光窓、５：光
電変換層、５′：光電変換部、６：下部電極、
８：遮光層、９：上部電極、１４：透明保護膜。
Claims (1)
- １ 透明基板に遮光層と、該透明基板の裏面側に
配置された光源からの光を通すための導光窓とを
形成し、かつ被検知体の読み取り領域と相対向す
る部位に、上記読み取り領域からの反射光を検知
すべく、上記導光窓の全周に亘つて層着された光
電変換層から成る光検知部を具備したことを特徴
とする密着型読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160218A JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160218A JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948954A JPS5948954A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH0415630B2 true JPH0415630B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=15710278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160218A Granted JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948954A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6152061A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Toshiba Corp | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
| JPH0749806Y2 (ja) * | 1985-05-31 | 1995-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | イメージセンサの実装構造 |
| JPS628649U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-19 | ||
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| JPH0360155A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 完全密着型イメージセンサ |
| JP2603522Y2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-03-15 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ |
| US20140152801A1 (en) | 2009-10-28 | 2014-06-05 | Alentic Microscience Inc. | Detecting and Using Light Representative of a Sample |
| WO2011053631A1 (en) | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
| US9075225B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-07-07 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
| US10502666B2 (en) | 2013-02-06 | 2019-12-10 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for quantitative microscopy |
| EP3014330B1 (en) | 2013-06-26 | 2024-01-03 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106590A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric converter |
| JPS5439589A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57160218A patent/JPS5948954A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106590A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric converter |
| JPS5439589A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5948954A (ja) | 1984-03-21 |
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