JPH0749806Y2 - イメージセンサの実装構造 - Google Patents
イメージセンサの実装構造Info
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- JPH0749806Y2 JPH0749806Y2 JP1985082044U JP8204485U JPH0749806Y2 JP H0749806 Y2 JPH0749806 Y2 JP H0749806Y2 JP 1985082044 U JP1985082044 U JP 1985082044U JP 8204485 U JP8204485 U JP 8204485U JP H0749806 Y2 JPH0749806 Y2 JP H0749806Y2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はイメージセンサの実装構造に関する。
本考案は、密着型イメージセンサの実装構造において、
透明絶縁基板上に光電変換素子が形成された光電変換部
材をガラス基板上に前記ガラス基板とほぼ同一の屈折率
を有する透明な接着剤を用いて接着し、ガラス基板、接
着層、透明絶縁基板を通過した光が、光電変換素子に入
射することにより、大きな原稿まで読め、高感度・高解
像度の密着型イメージセンサを安価なコストで実現する
というものである。
透明絶縁基板上に光電変換素子が形成された光電変換部
材をガラス基板上に前記ガラス基板とほぼ同一の屈折率
を有する透明な接着剤を用いて接着し、ガラス基板、接
着層、透明絶縁基板を通過した光が、光電変換素子に入
射することにより、大きな原稿まで読め、高感度・高解
像度の密着型イメージセンサを安価なコストで実現する
というものである。
現在、画像入力デバイスとして、密着型イメージセンサ
の実用化が急がれている。
の実用化が急がれている。
この密着型イメージセンサには、光電変換材料として、
主にアモルファスシリコンやCdSなどが用いられてい
る。この光電変換材料は、CVD法やスパッタ法などの薄
膜加工技術により、ガラス上に電極とともに形成される
ことによって光電変換素子となる。
主にアモルファスシリコンやCdSなどが用いられてい
る。この光電変換材料は、CVD法やスパッタ法などの薄
膜加工技術により、ガラス上に電極とともに形成される
ことによって光電変換素子となる。
この光電変換素子の実装構造は次の４種類がある。
（１）第２図に示すように、光電変換部材13をセラミッ
ク等の基板９に接着し、その後ガラスマスク10とスペー
サー11によって封止するもの。
ク等の基板９に接着し、その後ガラスマスク10とスペー
サー11によって封止するもの。
（２）第３図に示すように、セラミック等の基板９に穴
をあけ、そこから入射光３が入るようにしたもの。
をあけ、そこから入射光３が入るようにしたもの。
（３）第４図に示すように、ガラス基板２′上に電極８
を形成した光電変換部材13上に駆動用集積回路６を実装
するもの。
を形成した光電変換部材13上に駆動用集積回路６を実装
するもの。
（４）特開昭59−48954号公報の第２図に示すように、
透明絶縁基板（透明基板７）上に光電変換素子（光電変
換部５′）が形成された光電変換部材（５、５′、６、
７、８、９、12等）とガラス基板（透明保護板10）が前
記ガラス基板に近い屈折率を有する透明な接着剤（レン
ズボンド11）を用いて接着してなるもの（かっこ内の番
号は当該公報第２図中の番号である。）。
透明絶縁基板（透明基板７）上に光電変換素子（光電変
換部５′）が形成された光電変換部材（５、５′、６、
７、８、９、12等）とガラス基板（透明保護板10）が前
記ガラス基板に近い屈折率を有する透明な接着剤（レン
ズボンド11）を用いて接着してなるもの（かっこ内の番
号は当該公報第２図中の番号である。）。
しかし、前述の従来の密着型イメージセンサの実装構造
には以下のような問題点がある。
には以下のような問題点がある。
（１）については、ガラスマスクやスペーサーを用いる
ため、コストが高い。また、入射光は、「空気層」「ガ
ラス層」「空気層」「ガラス層」と屈折率の異なる層を
４層も通過するために、入射光が各層に垂直に入るよう
に作り込まなければならないので、作り込みが難しい。
ため、コストが高い。また、入射光は、「空気層」「ガ
ラス層」「空気層」「ガラス層」と屈折率の異なる層を
４層も通過するために、入射光が各層に垂直に入るよう
に作り込まなければならないので、作り込みが難しい。
（２）については、光電変換素子が完全に封止されてい
ないので、信頼性に欠ける。また、基板に穴をあけて入
射光を入れると、穴の側面で乱反射して入射光が乱れ
る。
ないので、信頼性に欠ける。また、基板に穴をあけて入
射光を入れると、穴の側面で乱反射して入射光が乱れ
る。
（３）については、光電変換素子上に駆動用集積回路を
実装するため、光電変換部材の大きさが大きくなってし
まう。光電変換部材は前述の如く薄膜加工技術によって
作られるため、素子の大きさが大きくなると、それだけ
コス高となってしまう。
実装するため、光電変換部材の大きさが大きくなってし
まう。光電変換部材は前述の如く薄膜加工技術によって
作られるため、素子の大きさが大きくなると、それだけ
コス高となってしまう。
（４）については、大きな原稿まで読める安価な密着型
イメージセンサを実現するために不可欠な長尺の光電変
換部材は強度的には弱いものであるが、これと組み合わ
せた透明保護板はもとのガラス基板より幅が狭いため、
実用的な強度を維持することができない。
イメージセンサを実現するために不可欠な長尺の光電変
換部材は強度的には弱いものであるが、これと組み合わ
せた透明保護板はもとのガラス基板より幅が狭いため、
実用的な強度を維持することができない。
したがって、大きな原稿までよめる安価な密着型イメー
ジセンサを実現することができない。
ジセンサを実現することができない。
そこで、本考案は、これらの従来の実装構造の問題点を
解決したもので、その目的は大きな原稿まで読め、高感
度・高解像度・高信頼性の密着型イメージセンサを安価
に提供するところにある。
解決したもので、その目的は大きな原稿まで読め、高感
度・高解像度・高信頼性の密着型イメージセンサを安価
に提供するところにある。
本考案は、透明絶縁基板上に光電変換素子が形成されて
なる光電変換部材の当該光電変換素子が形成された面と
反対側の面が、該透明絶縁基板より広い幅を有するガラ
ス基板に、当該ガラス基板と同程度の屈折率を有する接
着剤により接着されてなり、前記ガラス基板、前記接着
剤により形成された接着層、前記透明絶縁基板を順次透
過した光が、前記光電変換素子に入射してなることを特
徴とする。
なる光電変換部材の当該光電変換素子が形成された面と
反対側の面が、該透明絶縁基板より広い幅を有するガラ
ス基板に、当該ガラス基板と同程度の屈折率を有する接
着剤により接着されてなり、前記ガラス基板、前記接着
剤により形成された接着層、前記透明絶縁基板を順次透
過した光が、前記光電変換素子に入射してなることを特
徴とする。
以下、実施例により本考案を詳細に説明する。
第１図は、本考案の実施例を示す断面図である。
13は従来と同様に、アモルファスシリコンを用いた光電
変換素子12がガラスなどの透明絶縁基板１上に形成され
た光電変換部材。
変換素子12がガラスなどの透明絶縁基板１上に形成され
た光電変換部材。
２は光電変換部材と駆動用集積回路を実装するソーダガ
ラスからなるガラス基板。
ラスからなるガラス基板。
３は入射光、４はボンディングワイヤー、５は封止材、
６は光電変換素子12を駆動させるための集積回路、７は
ガラス基板２と光電変換部材13を接着している光学接着
剤よりなる接着層、８はガラス基板２上の配線パターン
である。光学接着剤の屈折率は、ガラスに対して0.9〜
1.1倍であり、ガラスと同程度の屈折率を有する。
６は光電変換素子12を駆動させるための集積回路、７は
ガラス基板２と光電変換部材13を接着している光学接着
剤よりなる接着層、８はガラス基板２上の配線パターン
である。光学接着剤の屈折率は、ガラスに対して0.9〜
1.1倍であり、ガラスと同程度の屈折率を有する。
本考案によると以下のような効果がある。
（ａ）密着型イメージセンサの低価格化を図るには、光
電変換部材のコストを下げる必要があり、そのため光電
変換素子の幅を狭くして１枚の透明絶縁基板上にできる
だけたくさんの光電変換部材を形成している。従って、
光電変換部材の形状は細いものとなっている。
電変換部材のコストを下げる必要があり、そのため光電
変換素子の幅を狭くして１枚の透明絶縁基板上にできる
だけたくさんの光電変換部材を形成している。従って、
光電変換部材の形状は細いものとなっている。
また、大きな原稿まで読むことのできる密着型イメージ
センサの光電変換部材の形状は必然的に細長いものとな
っている。
センサの光電変換部材の形状は必然的に細長いものとな
っている。
したがって、大きな原稿までよめる安価な密着型イメー
ジセンサを実現するには光電変換部材の形状は細長くな
り、強度的には弱いものにならざるを得ない。
ジセンサを実現するには光電変換部材の形状は細長くな
り、強度的には弱いものにならざるを得ない。
しかしながら、このような強度の弱い光電変換部材であ
っても本考案のように強度の強いガラス基板と組み合わ
せることによって密着型イメージセンサとして実用的な
強度を維持することが可能となった。
っても本考案のように強度の強いガラス基板と組み合わ
せることによって密着型イメージセンサとして実用的な
強度を維持することが可能となった。
したがって、本願考案の上記構成によると、大きな原稿
まで読める安価な密着型イメージセンサを実現すること
ができる。
まで読める安価な密着型イメージセンサを実現すること
ができる。
（ｂ）第１図に示すように、光電変換素子の入射面に
は、ゴミなどの付着物が付かない。仮に、ガラス基板に
ゴミ等の付着物が付いてしまった場合においても、光電
変換素子には、ガラス基板と接着層と透明絶縁基板とを
順次透過した光が入射する。したがって、ゴミと光電変
換素子との間の光学的距離が長くなるので、光が光電変
換素子に到達する時にはゴミの像がぼやける。
は、ゴミなどの付着物が付かない。仮に、ガラス基板に
ゴミ等の付着物が付いてしまった場合においても、光電
変換素子には、ガラス基板と接着層と透明絶縁基板とを
順次透過した光が入射する。したがって、ゴミと光電変
換素子との間の光学的距離が長くなるので、光が光電変
換素子に到達する時にはゴミの像がぼやける。
なぜなら、ロッドレンズと本考案の密着型イメージセン
サを組み合わせたときには、該入射面上では画像情報が
空間的に拡がっているためにそこにゴミがあってもその
影響が少ないからである。
サを組み合わせたときには、該入射面上では画像情報が
空間的に拡がっているためにそこにゴミがあってもその
影響が少ないからである。
したがって、本願考案の上記構成によると、ゴミの影響
の少ない高解像度の密着型イメージセンサを実現するこ
とができる。
の少ない高解像度の密着型イメージセンサを実現するこ
とができる。
（ｃ）第１図に示すように、光電変換部材13は、光学接
着剤７によって、ガラス基板２に接着されているため、
入射光３は屈折や乱反射の影響を受けずに、光電変換素
子の能動面に達することができるので、非常に感度がよ
くなり、ノイズも少なくなる。
着剤７によって、ガラス基板２に接着されているため、
入射光３は屈折や乱反射の影響を受けずに、光電変換素
子の能動面に達することができるので、非常に感度がよ
くなり、ノイズも少なくなる。
また、ガラス基板と、ガラス基板との同程度の屈折率を
有する接着層と透明絶縁基板とを順次透過した光が、透
明絶縁基板の接着剤と接着される面から入射するので、
光電変換素子に到達する入射光の光路をほぼ一直線上に
することができる。それにより像の歪みを防止すること
ができ、解像度が向上する。
有する接着層と透明絶縁基板とを順次透過した光が、透
明絶縁基板の接着剤と接着される面から入射するので、
光電変換素子に到達する入射光の光路をほぼ一直線上に
することができる。それにより像の歪みを防止すること
ができ、解像度が向上する。
（ｄ）光電変換素子を接着する基板に入射光の光路を確
保するための貫通孔を設ける構成や、光電変換素子上に
駆動用集積回路を実装し光電変換素子自体が大きくなっ
てしまうような構成の従来技術に比べて、信頼性を高く
することができ、コストも低くすることができる。
保するための貫通孔を設ける構成や、光電変換素子上に
駆動用集積回路を実装し光電変換素子自体が大きくなっ
てしまうような構成の従来技術に比べて、信頼性を高く
することができ、コストも低くすることができる。
（ｅ）透明絶縁基板上に多数個形成された光電変換素子
を切断する際に生じる切断面の欠けがあっても、接着剤
の作用により欠けの部分が補填されるため品質のばらつ
きを抑えることができ、光電変換部材の取り個数も多く
できコストを下げることもできる。
を切断する際に生じる切断面の欠けがあっても、接着剤
の作用により欠けの部分が補填されるため品質のばらつ
きを抑えることができ、光電変換部材の取り個数も多く
できコストを下げることもできる。
（ｆ）光電変換素子12は、ガラス基板２と封止剤５によ
って保護されているため、きわめて信頼性が高い。
って保護されているため、きわめて信頼性が高い。
（ｇ）原稿からの光が光電変換素子に到達するまでの光
路にゴミなどの付着物が付く可能性があるのは、ガラス
基板12だけなので、付着物の付く可能性が少ない。
路にゴミなどの付着物が付く可能性があるのは、ガラス
基板12だけなので、付着物の付く可能性が少ない。
〔考案の効果〕 本考案の密着型イメージセンサの実装構造は、「前記ガ
ラス基板は前記透明絶縁基板より広い幅を有してなり、
前記光電変換部材は前記光電変換素子が形成された面と
反対側の面で前記ガラス基板と接着され、前記光電変換
素子には前記ガラス基板と前記透明絶縁基板を介して光
が入射してなること」を特徴とするから、大きな原稿ま
で読め、高感度・高解像度・高信頼性の密着型イメージ
センサを低価格で実現することができる。
ラス基板は前記透明絶縁基板より広い幅を有してなり、
前記光電変換部材は前記光電変換素子が形成された面と
反対側の面で前記ガラス基板と接着され、前記光電変換
素子には前記ガラス基板と前記透明絶縁基板を介して光
が入射してなること」を特徴とするから、大きな原稿ま
で読め、高感度・高解像度・高信頼性の密着型イメージ
センサを低価格で実現することができる。
第１図は本考案の密着型イメージセンサの実装構造の実
施例を示す要部の断面図。 第２図、第３図、第４図は従来の密着型イメージセンサ
の実装構造の実施例を示す要部の断面図。 １……透明絶縁基板 ２、２′……ガラス基板 ３……入射光 ４……ボンディングワイヤー ５……封止剤 ６……光電変換素子駆動用集積回路 ７……光学接着剤よりなる接着層 ８……配線パターン電極 ９……セラミック基板 10……ガラスマスク 11……スペーサー 12……光電変換素子 13……光電変換部材
施例を示す要部の断面図。 第２図、第３図、第４図は従来の密着型イメージセンサ
の実装構造の実施例を示す要部の断面図。 １……透明絶縁基板 ２、２′……ガラス基板 ３……入射光 ４……ボンディングワイヤー ５……封止剤 ６……光電変換素子駆動用集積回路 ７……光学接着剤よりなる接着層 ８……配線パターン電極 ９……セラミック基板 10……ガラスマスク 11……スペーサー 12……光電変換素子 13……光電変換部材
Claims (1)
- 【請求項１】透明絶縁基板上に光電変換素子が形成され
てなる光電変換部材の当該光電変換素子が形成された面
と反対側の面が、該透明絶縁基板より広い幅を有するガ
ラス基板に、当該ガラス基板と同程度の屈折率を有する
接着剤により接着されてなり、前記ガラス基板、前記接
着剤により形成された接着層、前記透明絶縁基板を順次
透過した光が、前記光電変換素子に入射してなることを
特徴とするイメージセンサの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985082044U JPH0749806Y2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | イメージセンサの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985082044U JPH0749806Y2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | イメージセンサの実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199059U JPS61199059U (ja) | 1986-12-12 |
| JPH0749806Y2 true JPH0749806Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=30629404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985082044U Expired - Lifetime JPH0749806Y2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | イメージセンサの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749806Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558639B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 密着形光電変換素子ユニツト |
| JP4720120B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 半導体イメージセンサ・モジュール |
| JP2011077553A (ja) * | 2011-01-05 | 2011-04-14 | Sony Corp | 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法 |
| JP2011077555A (ja) * | 2011-01-05 | 2011-04-14 | Sony Corp | 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法 |
| JP2011077554A (ja) * | 2011-01-05 | 2011-04-14 | Sony Corp | 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948954A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Kyocera Corp | 密着型読み取り装置 |
| JPS6037194A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | 株式会社東芝 | ハイブリツド集積回路装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP1985082044U patent/JPH0749806Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61199059U (ja) | 1986-12-12 |
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