JPS5948954A - 密着型読み取り装置 - Google Patents

密着型読み取り装置

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JPS5948954A
JPS5948954A JP57160218A JP16021882A JPS5948954A JP S5948954 A JPS5948954 A JP S5948954A JP 57160218 A JP57160218 A JP 57160218A JP 16021882 A JP16021882 A JP 16021882A JP S5948954 A JPS5948954 A JP S5948954A
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JP57160218A
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Hisashi Higuchi
永 樋口
Yasuo Nishiguchi
泰夫 西口
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Kyocera Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はファクシミリ装置の小ハリ化を目指し、原稿と
寸法的に1:1に対応させブこ光検知部を配置さぜた密
層型読み取り装置に関するものである。 近時、ファクシミリ川の密着型読み取り装置の開発か活
発化しており、この装置、にl;l j、t 44%か
ら−の反射光を集束性ロッド・レンズ・アレ4 fr辿
して検知スる型式の他、このアレイを(・Jjわり゛に
優れた光量伝達率、小型化を達成することか神々検討さ
れている。 例えは、第1図は集束性ロッド−レンズ・アレイを使わ
ない密峯f型読み取り系の柘或、を示す斜ネフ・1図で
あり、原稿1と寸法的に1=1に対に1−・さゼた光検
知部2が原稿1に密ず1され、けい光灯、光〕°1゜ダ
イオード等の発光源3が原a1を投光、し、反射光を光
検知部2で受光するものである。 第2図は第1図中、従来の光検知部2を1i−1−細に
示す要部断面図であり、第、3図は原稿1側からみた)
r検知部2の、す3“部組略図であり、同図中、X−X
′切彬1線に町って示される助1111図か釘1,2図
である。 図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源3(図示せ
ず)から尋光用窓4を通して入射光aか原稿1を投光し
、原稿1からの反!、1i)”C,Llか光重部材5の
一部でI)る光電変換部5′で受光される。 この光1に部組50UdS 、  (、’dsc等の他
、アモルファスシリコンでイ、組成され、光71.′敦
換部5′ζj光電部拐5のうち、下部電極6の土面−侶
・に相当する。また、7は#7059ガラス等から成る
透明基板であり、Or等の遮光性金属1膜をコートした
絶縁膜、もしくは絶縁性蒸着シリコンで形成した)fξ
先駆8が週明基板7上に導光用窓4を桟して成層される
。この遮光層8上にUr 、  Al 等から成る)部
電極6が真空蒸着によって形成され、−ト部?1.i極
6を包むようにして光電部材5が被板されている。 スズ 更に光電部相5の上には、インジウ辷「キ勺イドから成
る透明の上部鮨゛極9がコートされている。 そして原稿1との間隙を埋め、検知部を保欣する゛ため
に透明保設板】0がレンズボンド(屈折率がガラスに近
い透明な有機接着剤)11により原稿1と当接する程度
に接着されている。 かくして、送信中の原稿1がC方向へ移動されるととも
に、原稿1の読み取り信号が光電変換部5′で受光され
、上部電極9及び)部1
【1極6間の信号型)Eが、そ
れぞれ共通電極り一ド12及び個別電極リード13を通
して信号処理回路へ送られる。 上記の構成から成る密着型読み取り装置では光電変換部
5′に肥液して、光電麦換lit≦11′とはは同じサ
イズの等光用窓4が設けられ、通常、光孔′変((舒部
5′及び導光用窓4は一辺100μ■)前後の方形状に
形成されている。この場合、光’ci’、t l換部5
′と原稿10間隔は力、光用窓4から入射した光aを概
ね光11J健換部5′でら。)°シさ七るために100
μm前後必要となる。 ところが上述の!1゛4成ではTii+記の入用)い1
及び反射3’ebは、それぞオ′1原私1及び光電変釦
!ttも5′番こ対し傾斜していZまため、入射光8 
Etび反則光すの  −合計した光路長か1<<なり、
そのl;めに)1回路の途中で照度が減衰し、加えて、
原*#r+ 1の表1111の凹凸による光散乱角も大
きくなるためζ(、:3’シH+友換f3[55′での
受光強曳゛の低)、ず1^わぢん、=dLj取り111
号強度の低)となっていた。 更に前述の傾斜した投光路の1こめ、:Jit明保nつ
板10の表面で鎚rMI W−則されや1く、発光源:
4からの照明光束か直接、光電変換部5′に抽δAψさ
第1るため、これがノイズ成分となってい1こ。その1
こめに検知感度を飽和さゼる傾向か目立ち、91に、光
電変換部5′で受光される原セ)ilの両1迷イ、3号
の成分が小ざい場合、顕著であった。 以上の結果、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)
が低下して、十分な読み取りが出来ず。 末だ洒足しえるものではなかった。 本発明は上記の事情に艦み、ノイズ成分を少なくしつつ
、読み取り信号を高め、その結果、読み取り画像の鮮鋭
度(コントラスト比)を改善し、無駄のない照明と忠実
な画像の読み取りを可能とした密S′型読み取り装置を
提供することを目的どしている。 本発明は密着型読み取り装置において、発光源3からの
投光路が光電変換部5′から成る検知部を貫通している
ことを特徴とするものである。 以下、本発明の詳細な説明する。 第4図及び第5図は、それぞれ本発明蜜漬型読み取り装
置に関し、光検知部2の要部…1曲図及び要部a略図で
あり、第4図は、第5図中Y−Y′切助線によって示さ
れる断面比1である。抜たjf’、 2図及び第3図と
同一部分には同−享1号がイ」シである。 第4図及び第5図に示す通り、$$7 (I r> 9
ガラス等から成る透明基板7上に、(ンr等vI3J(
、、光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくにl絶り性
入44シリコンで形成した遮光に′18が方]じ状のも
(九ハ1窓4を残して成層さ第1、このモ光層す上にU
r 、  AC等から成る下部小極6か前記方形状のi
9X用窓4の周囲に形成される。そしてDi)記−ト部
η!極6を包むようにして前記方形状の2.(光ハJ窓
4を残してCd8.  リdie、アモルファスシリコ
ン等の〕“L1シ・部材5が被色され、3”(: ?(
j部キノj5の十にに1インジウムススオキサイドから
成る透明の1都t1・1極9がコートされている。史に
、原稿1とのIB! 1jli・を狸め、光検知部2を
保護するために、光検知h2の上面並びに導光用窓4上
に透明保WNk]4が被わχされる。 かくして、発光gA3から導光用窓4を介して原稿1を
投光する投光路か〕](検知部2を貫通することになる
。 尚、前記光電変換部5′は光′11・↑jb杓5のうぢ
。 導光用窓4の周囲に段重Jられた一F D’lj G(
’ 4:’Iち41の1面−帯に相当する。 透明基板7十の6屑に閃し、−ト部fb粕武0及び土部
電極9は主さして頁空蒸名により、またμ)・、光層8
、光亀部祠5及び透明保訟膜14は上とし7てグロー放
電により成膜される。 本発明の構成によれは、けい光く■、発光ダイオード等
の発光源3(図示せず)からの入射光aか。 光電変換部5′のほぼ具申に形成された導光用窓4を共
通して原稿1べ投光し、原稿1からの反射光すが導光用
窓4の周囲に設けられた光霜碧換部5′で検知される。 この光電変換部5′の一辺の大きさが100 /j m
前後の場合、導光用窓4の一辺の大きさは発光源3の光
度及び光電変換部5′の検知感度にもよるが約10〜6
0μtnか好適である。 従って入射光iの原稿1に対する入射角は、発光源3と
導光用窓4の間隔、及び発光源3σ〕任を一定にした場
合非鹿に小さくなり、付随して、原稿1と光電−換部5
 ’ (1)rJ隔カ5J来0) 10011111n
i」後より半分以1まて小さく出来、Ju明■」極9 
(1)厚み(約1μm)を加算しても約50−2μmと
なることか判明した。 前記の構成により、入射光a及び反I」光すの合計した
光路長は彷来よりも知くなり、そのために光、路の途中
での照ハ1−の渾衰かかfAり抑制され、加えて一原稿
1の表面の凹凸による光i’k RL J’l <)力
)t、(り小さくなるtこめ:ζ−光電蛮挽部5′での
ダ光強バし、すなわち読み取りイ11号強度の低1iJ
かなり防止されることとなった。 そして、nij述の」01す、入射角が小さくt一つた
ため、原稿1以外による鏡面反射か少な(f、Lす、た
とえ原稿1から光箱綬換部5′で受)IL′される1】
(分が小さくても、前記ノイズ成分が小さいため、角)
鋭な検知が可能となった。 更に、原稿1と光電変換g(Ss’、!−のlf4.l
隔か小さくなったため、連光IZi 8.1部箱極6、
光′V1.部祠5及び上部電極9の共通した成膜ム“綿
゛i技術(例えは、スパッタリング、真空蒸ネ、、クロ
ー放fj+L Q’l々)を使って、透明保n’!2j
ljL 10の代替として上V(S tj−1極9上に
透明保設膜14を被膜でき、透明保4′・J、板10を
+j設するための製造上の工程をイー」加する必要はな
くなった。 しかも、前記の入射角a及び反射角すは透明)、(板7
.透明電極9等々の積層を通過するため、各層のJll
F!折率により光進路が決まるか、本発明の如き入射角
が小さくなることで各層への光入剤角が小さく1λす、
光進路の方向が従来はど各層の屈折率の影響をうけない
ため、前記反射光すが概ね、光電変換部5′で受光され
るべく位ぢイ合わせの調整が容易となった。 本発明において光電変換部5′及び導光用窓4の形状は
第5図に限定されるものではなく、種々の形状を第6図
に例示する。 946図の(イli1円形の導光用窓1を示し、(ロ)
及び(/1)は導光用窓4の内側にも光電変換部5′を
設けた変形例である。 以上の通り、本発明の密私型読み取り装置は読み取り信
号強度か向上し、且つノ・イズ成分か小さくなったため
、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)か改善され
、卸駄のない照明ノ忠実な画像の読み取りか可能となっ
た。 更に、透明体Di板10の代替として透1す」保画膜1
4か被膜されるため、製造工程が合理化され、且つ各層
の屈折率の影響が小さくt−リ、光?l:rR換部5″
での導光に要する位置合わぜのill・rl 整hs 
”4−、易になるという利点も有することと1五つだ。
【図面の簡単な説明】
第1図はファクシミリ送他機の集束性ロッド・レンズ・
アレイを使わない密着型読み取り糸の)、11.W成を
示す斜視図、第2図及び第3図はそれぞれ第1図光検知
部の従来の構成を示す要部断面図及び要部概略図、第4
図及び第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す第1図光
検知部の要部断面図及び要部概略図、また第6図は木発
11J、iの他の実施例を示す要部概略図である。 1・・・原稿、2・・光検知部、4・・・心〕”C11
1窓、5・・・光電部材、5′・・・光電変換部、6・
・・上部1し極、8・・・遮光層、9・・・上部電極、
14・・・透明保し脱出願人  京都セラミックわト式
会ね

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光源が原稿を投光し、該原稿からの反射光を、原稿と
    寸法的に1:1に対応させた検知部で受光するようにま
    た密箱型読み取り装置において、前記発光源からの投光
    路が前記検知部を貫通していることを特徴とする密着型
    読み取り装置i′f。
JP57160218A 1982-09-13 1982-09-13 密着型読み取り装置 Granted JPS5948954A (ja)

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JPS5948954A true JPS5948954A (ja) 1984-03-21
JPH0415630B2 JPH0415630B2 (ja) 1992-03-18

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ID=15710278

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