JPH0487242A - X線イメージインテンシファイア - Google Patents
X線イメージインテンシファイアInfo
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- JPH0487242A JPH0487242A JP20320390A JP20320390A JPH0487242A JP H0487242 A JPH0487242 A JP H0487242A JP 20320390 A JP20320390 A JP 20320390A JP 20320390 A JP20320390 A JP 20320390A JP H0487242 A JPH0487242 A JP H0487242A
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- Japan
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- ray
- fluorescent layer
- light
- substrate
- input surface
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、X線イメージインテンシファイアに関し、
とくにそのX線入力面の改良に関する。
とくにそのX線入力面の改良に関する。
X線イメージインテンシファイアは通常、第3図のよう
な構造となっている。すなわち、X線イメージインテン
シファイア1は入力面2と出力蛍光面3とを有し、入力
面2にX線が入射するとそれに応じて一旦光が発生し、
この光に応じて電子か発生し、この電子が電極群によっ
て集束され、出力蛍光面3に結像し、入射したX線像が
輝度増強された光学像として出力される。 このX線イメージインテンシファイアにおいて、入力面
2は、従来ては、第4図のように構成されている。アル
ミニウム基板26をプレス成形して湾曲させ、その裏面
(X線入射側の反対側の面)に、X線を光に変換する蛍
光層である柱状構造のCsI結晶層22を真空蒸着し、
つぎに透明導電膜(たとえばITOなどからなる)24
を設け、さらにその上に光を電子に変換する光電面(た
とえばsbとアルカリ金属化合物などからなる)25を
付ける。 この場合、アルミニウム基板26はCsI結晶層22よ
りもX線発生源側に存在しているため、X線吸収の関係
から薄いほどよいが、強度の関係から限界があり、通常
0.5mm 〜1.5mm程度としている。
な構造となっている。すなわち、X線イメージインテン
シファイア1は入力面2と出力蛍光面3とを有し、入力
面2にX線が入射するとそれに応じて一旦光が発生し、
この光に応じて電子か発生し、この電子が電極群によっ
て集束され、出力蛍光面3に結像し、入射したX線像が
輝度増強された光学像として出力される。 このX線イメージインテンシファイアにおいて、入力面
2は、従来ては、第4図のように構成されている。アル
ミニウム基板26をプレス成形して湾曲させ、その裏面
(X線入射側の反対側の面)に、X線を光に変換する蛍
光層である柱状構造のCsI結晶層22を真空蒸着し、
つぎに透明導電膜(たとえばITOなどからなる)24
を設け、さらにその上に光を電子に変換する光電面(た
とえばsbとアルカリ金属化合物などからなる)25を
付ける。 この場合、アルミニウム基板26はCsI結晶層22よ
りもX線発生源側に存在しているため、X線吸収の関係
から薄いほどよいが、強度の関係から限界があり、通常
0.5mm 〜1.5mm程度としている。
しかしながら、従来の入力面では、アルミニウム基板2
6はCsI結晶層22等の保持体であるが故に、その強
度の関係からあまり薄くできず、そのためX線吸収や散
乱の問題が生じ、X線イメージインテンシファイアとし
ての性能、たとえば輝度、解像度、コントラストなどを
向上できないという問題があった。 また、CsI結晶層22を柱状構造としたのは、光がX
線入射方向に沿って進行し、拡散しないようにするため
であり、そのため、柱状の結晶構造の方向は、X線入射
方向と同方向にする必要がある。ところが、従来のよう
にアルミニウム基板26の凹面側に形成する場合、凹面
側からみて柱状結晶の方向が拡散するように形成しなけ
ればならず、その工程が難しいものとなる。 さらに、透明導電膜24及びその上の光電面25は、柱
状結晶構造のCsI結晶層22の上に形成されるので、
その結晶層22の表面が平坦でないことの影響を受け、
X線イメージインテンシファイアとして解像度が悪くな
る原因となっている。 この発明は上記に鑑み、入力面の保持体によるX線吸収
や散乱の問題などを解消し、輝度、解像度、コントラス
トなどの性能向上を図ることができる、X線イメージイ
ンテンシファイアを提供することを目的とする。
6はCsI結晶層22等の保持体であるが故に、その強
度の関係からあまり薄くできず、そのためX線吸収や散
乱の問題が生じ、X線イメージインテンシファイアとし
ての性能、たとえば輝度、解像度、コントラストなどを
向上できないという問題があった。 また、CsI結晶層22を柱状構造としたのは、光がX
線入射方向に沿って進行し、拡散しないようにするため
であり、そのため、柱状の結晶構造の方向は、X線入射
方向と同方向にする必要がある。ところが、従来のよう
にアルミニウム基板26の凹面側に形成する場合、凹面
側からみて柱状結晶の方向が拡散するように形成しなけ
ればならず、その工程が難しいものとなる。 さらに、透明導電膜24及びその上の光電面25は、柱
状結晶構造のCsI結晶層22の上に形成されるので、
その結晶層22の表面が平坦でないことの影響を受け、
X線イメージインテンシファイアとして解像度が悪くな
る原因となっている。 この発明は上記に鑑み、入力面の保持体によるX線吸収
や散乱の問題などを解消し、輝度、解像度、コントラス
トなどの性能向上を図ることができる、X線イメージイ
ンテンシファイアを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段1
上記の目的を達成するため、この発明によるX線イメー
ジインテンシファイアにおいては、透明基板と、その基
板のX線入射側に形成された、X線を光に変換する蛍光
層と、該蛍光層の上に設けられた反射膜と、上記基板の
反対側に形成された透明導電膜と、その上に設けられた
光電面とを有する入力面が備えられている。 【作 用】 入力面に入射したX線は反射膜を経て蛍光層に入射し、
光に変換される。この光は透明基板及び透明導電膜を通
って光電面に導かれ、電子に変換される。 ここて、透明基板が蛍光層等の保持体となっており、反
射膜は単に蛍光層で生じた光を反射した外部に放射させ
ないためのものにすぎない。そこて、反射膜をアルミニ
ウム膜で形成するにしても、従来のように強度を考えて
厚くする必要かないので、きわめて薄くできる。 このように、蛍光層よりもX線発生源側にはこの薄い反
射膜しか存在しないため、入射したX線が光に変換され
る前に吸収されたり散乱したりすることを極端に少なく
することができる。 したがって、入力面におけるX線吸収や散乱などの問題
を改善できるため、X線イメージインテンシファイアの
輝度、解像度、コントラスト等を向上させることができ
る。
ジインテンシファイアにおいては、透明基板と、その基
板のX線入射側に形成された、X線を光に変換する蛍光
層と、該蛍光層の上に設けられた反射膜と、上記基板の
反対側に形成された透明導電膜と、その上に設けられた
光電面とを有する入力面が備えられている。 【作 用】 入力面に入射したX線は反射膜を経て蛍光層に入射し、
光に変換される。この光は透明基板及び透明導電膜を通
って光電面に導かれ、電子に変換される。 ここて、透明基板が蛍光層等の保持体となっており、反
射膜は単に蛍光層で生じた光を反射した外部に放射させ
ないためのものにすぎない。そこて、反射膜をアルミニ
ウム膜で形成するにしても、従来のように強度を考えて
厚くする必要かないので、きわめて薄くできる。 このように、蛍光層よりもX線発生源側にはこの薄い反
射膜しか存在しないため、入射したX線が光に変換され
る前に吸収されたり散乱したりすることを極端に少なく
することができる。 したがって、入力面におけるX線吸収や散乱などの問題
を改善できるため、X線イメージインテンシファイアの
輝度、解像度、コントラスト等を向上させることができ
る。
以下、この発明の一実施例について図面を祭照しながら
詳細に説明する。第1図には、この発明の一実施例にか
かるX線イメージインテンシファイアの入力面の構造が
示されている。この第1図に示された入力面2では、透
明基板21はたとえばガラスやファイバプレートなどの
光透過性の材料で形成されており、適当な湾曲形状とさ
れている。この透明基板21の凸面側(X線入射側)に
は、真空蒸着により、X線を光に変換する蛍光層である
CsI結晶層22が柱状構造に形成されている。柱状構
造としたのは、光かX線入射方向に沿って進行し、拡散
しないようにするためである。 そのため、柱状の結晶構造の方向は、X線入射方向と同
方向にするり・要があり、想定されるX線焦点位置と等
しい位置に蒸着源を配置することによってこれが容易に
達成でき、とくに周辺の解像度を向上させることに効果
がある。 このCsI結晶層22の表面にアルミニウム膜23は設
けられている。このアルミニウム膜23はX線入射側に
戻って外部に放射しようとする光を反射して反対方向に
向かわせるためだけのものである。そこでX線の吸収を
防ぐためにたとえば数千オングストローム−数マイクロ
メータ程度になるべく薄く蒸着する。材質も光の反射及
びX線の吸収の点で適当なものであればアルミニウムだ
けに限らない。このようにアルミニウム膜23を従来に
比較して数十分の1から数万分の1にまで薄くできるた
め、このアルミニウム膜23によるX線吸収や散乱か極
端に少なくなり、X線効率か飛躍的に高くなる。 また、透明基板21の凹面側にはたとえばITOやI
n203などの透明導電膜24が形成され、その上にた
とえばsbとアルカリ金属化合物でなる光電面25が形
成されている。この場合、透明基板21の凹面側の表面
を十分に研磨して平滑な状態としておけば、理想的な光
電面25の形成が可能で、解像度が上がる。 なお、製造にあたっては、まず透明基板21に透明導電
膜24を形成した上で、CsI結晶層22を蒸着し、つ
ぎにアルミニウム膜23を付け、この状態でX線イメー
ジインテンシファイアの外囲器の中に封入した後、従来
と同様に光電面25を形成することが望ましいと考えら
れるが、透明導電膜24は光電面25の形成前ならばい
つでもよく、他の順序で各工程を行ってもよい。 第2図は他の実施例にがかるX線イメージインテンシフ
ァイアを示すものである。この実施例では、透明基板2
1のX線入射側も凹面に形成されている。このX線入射
側の凹面に柱状結晶構造のCsI結晶層22とその上の
アルミニウム膜23が形成される点、及び反対側の凹面
に透明導電膜24と光電面25が形成される点は第1図
の実施例と同様である。このようにX線入射側の面が凹
面となっているため、糸巻状の幾何歪のない出力光学像
を得ることができる。
詳細に説明する。第1図には、この発明の一実施例にか
かるX線イメージインテンシファイアの入力面の構造が
示されている。この第1図に示された入力面2では、透
明基板21はたとえばガラスやファイバプレートなどの
光透過性の材料で形成されており、適当な湾曲形状とさ
れている。この透明基板21の凸面側(X線入射側)に
は、真空蒸着により、X線を光に変換する蛍光層である
CsI結晶層22が柱状構造に形成されている。柱状構
造としたのは、光かX線入射方向に沿って進行し、拡散
しないようにするためである。 そのため、柱状の結晶構造の方向は、X線入射方向と同
方向にするり・要があり、想定されるX線焦点位置と等
しい位置に蒸着源を配置することによってこれが容易に
達成でき、とくに周辺の解像度を向上させることに効果
がある。 このCsI結晶層22の表面にアルミニウム膜23は設
けられている。このアルミニウム膜23はX線入射側に
戻って外部に放射しようとする光を反射して反対方向に
向かわせるためだけのものである。そこでX線の吸収を
防ぐためにたとえば数千オングストローム−数マイクロ
メータ程度になるべく薄く蒸着する。材質も光の反射及
びX線の吸収の点で適当なものであればアルミニウムだ
けに限らない。このようにアルミニウム膜23を従来に
比較して数十分の1から数万分の1にまで薄くできるた
め、このアルミニウム膜23によるX線吸収や散乱か極
端に少なくなり、X線効率か飛躍的に高くなる。 また、透明基板21の凹面側にはたとえばITOやI
n203などの透明導電膜24が形成され、その上にた
とえばsbとアルカリ金属化合物でなる光電面25が形
成されている。この場合、透明基板21の凹面側の表面
を十分に研磨して平滑な状態としておけば、理想的な光
電面25の形成が可能で、解像度が上がる。 なお、製造にあたっては、まず透明基板21に透明導電
膜24を形成した上で、CsI結晶層22を蒸着し、つ
ぎにアルミニウム膜23を付け、この状態でX線イメー
ジインテンシファイアの外囲器の中に封入した後、従来
と同様に光電面25を形成することが望ましいと考えら
れるが、透明導電膜24は光電面25の形成前ならばい
つでもよく、他の順序で各工程を行ってもよい。 第2図は他の実施例にがかるX線イメージインテンシフ
ァイアを示すものである。この実施例では、透明基板2
1のX線入射側も凹面に形成されている。このX線入射
側の凹面に柱状結晶構造のCsI結晶層22とその上の
アルミニウム膜23が形成される点、及び反対側の凹面
に透明導電膜24と光電面25が形成される点は第1図
の実施例と同様である。このようにX線入射側の面が凹
面となっているため、糸巻状の幾何歪のない出力光学像
を得ることができる。
この発明のX線イメージインテンシファイアによれば、
入力面におけるX線吸収や散乱などの問題を改善できる
ため、輝度、解像度、コントラスト等のX線イメージイ
ンテンシファイアとしての性能を向上させることができ
、とくに医療誇断の分野で大きな貢献をすることができ
る。また、入力面でのX線吸収や散乱などが抑えられる
ため、従来と同一の画像情報を得るとすると、少ない線
量で済むことになり、人体に対するX線被曝量を減少さ
せることができる。
入力面におけるX線吸収や散乱などの問題を改善できる
ため、輝度、解像度、コントラスト等のX線イメージイ
ンテンシファイアとしての性能を向上させることができ
、とくに医療誇断の分野で大きな貢献をすることができ
る。また、入力面でのX線吸収や散乱などが抑えられる
ため、従来と同一の画像情報を得るとすると、少ない線
量で済むことになり、人体に対するX線被曝量を減少さ
せることができる。
第1図はこの発明の一実施例にかかるX線イメージイン
テンシファイアの入力面を示す一部拡大断面図、第2図
は他の実施例にかかるX線イメージインテンシファイア
を示す断面図、第3図は通常のX線イメージインテンシ
ファイアを示す断面図、第4図は従来例にかかる入力面
を示す一部拡大断面図である。 1・・・X線イメージインテンシファイア、2・・・入
力面、3・・出力蛍光面、21・・・透明基板、22・
・・CsI結晶層、23・・・アルミニウム膜、24−
゛−透明導電膜、25・・・光電面、26・・・アルミ
ニウム基板。 婁2目 出力受光面
テンシファイアの入力面を示す一部拡大断面図、第2図
は他の実施例にかかるX線イメージインテンシファイア
を示す断面図、第3図は通常のX線イメージインテンシ
ファイアを示す断面図、第4図は従来例にかかる入力面
を示す一部拡大断面図である。 1・・・X線イメージインテンシファイア、2・・・入
力面、3・・出力蛍光面、21・・・透明基板、22・
・・CsI結晶層、23・・・アルミニウム膜、24−
゛−透明導電膜、25・・・光電面、26・・・アルミ
ニウム基板。 婁2目 出力受光面
Claims (1)
- (1)透明基板と、その基板のX線入射側に形成された
、X線を光に変換する蛍光層と、該蛍光層の上に設けら
れた反射膜と、上記基板の反対側に形成された透明導電
膜と、その上に設けられた光電面とを有する入力面を備
えることを特徴とするX線イメージインテンシフアイア
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20320390A JPH0487242A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線イメージインテンシファイア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20320390A JPH0487242A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線イメージインテンシファイア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487242A true JPH0487242A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16470177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20320390A Pending JPH0487242A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | X線イメージインテンシファイア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0487242A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020060639A (ko) * | 2002-05-22 | 2002-07-18 | 남상희 | 형광모듈을 포함하여 구성되는 디지털 엑스레이 검출기판 |
KR100621417B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2006-09-13 | 남상희 | 엘시디 엑스레이 이미지 디텍터 기판 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP20320390A patent/JPH0487242A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020060639A (ko) * | 2002-05-22 | 2002-07-18 | 남상희 | 형광모듈을 포함하여 구성되는 디지털 엑스레이 검출기판 |
KR100621417B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2006-09-13 | 남상희 | 엘시디 엑스레이 이미지 디텍터 기판 |
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