JP2543895B2 - Ｘ線イメ―ジ管及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線イメ―ジ管及びその製造方法Info
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- JP2543895B2 JP2543895B2 JP62181432A JP18143287A JP2543895B2 JP 2543895 B2 JP2543895 B2 JP 2543895B2 JP 62181432 A JP62181432 A JP 62181432A JP 18143287 A JP18143287 A JP 18143287A JP 2543895 B2 JP2543895 B2 JP 2543895B2
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はＸ線イメージ管及びその製造方法に係り、
特にその入力面の改良に関する。
特にその入力面の改良に関する。
（従来の技術） 一般に、Ｘ線イメージ管の出力輝度は、Ｘ線イメージ
管の糸巻歪、Ｘ線の強度分布等によって、周辺の輝度が
低くなり、輝度分布の不均一を招くのが通例である。そ
して、周辺の輝度を上げるために、真空外囲器内の入力
側に設けられた入力蛍光面の厚さの分布を変える、真空
外囲器の入力窓材の厚さに差を付ける、入力蛍光面の周
辺輝度を上げる、入力基板の黒化度に差を付ける、出力
面の光透過率に差を付ける等各種の方法が試みられ、効
果を上げている。しかし、その再現性や工程面での難し
さで、苦労しているのが現状である。
管の糸巻歪、Ｘ線の強度分布等によって、周辺の輝度が
低くなり、輝度分布の不均一を招くのが通例である。そ
して、周辺の輝度を上げるために、真空外囲器内の入力
側に設けられた入力蛍光面の厚さの分布を変える、真空
外囲器の入力窓材の厚さに差を付ける、入力蛍光面の周
辺輝度を上げる、入力基板の黒化度に差を付ける、出力
面の光透過率に差を付ける等各種の方法が試みられ、効
果を上げている。しかし、その再現性や工程面での難し
さで、苦労しているのが現状である。
（発明が解決しようとする問題点） 上記従来技術における入力基板の黒化度に差を付ける
方法は、黒化材がカーボンの蒸着であり、カーボンは黒
化のための効果は大きいが、入力基板への付着強度が弱
く、入力蛍光体の剥離や管内異物発生の原因となること
が考えられる。
方法は、黒化材がカーボンの蒸着であり、カーボンは黒
化のための効果は大きいが、入力基板への付着強度が弱
く、入力蛍光体の剥離や管内異物発生の原因となること
が考えられる。
この発明は、入力基板に金属蒸着膜を形成することに
より、上記従来の問題点を解決したＸ線イメージ管を提
供することを目的とする。
より、上記従来の問題点を解決したＸ線イメージ管を提
供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、Ｘ線入射側に配置されたアルミニウム製
の入力基板上に、入力蛍光面及び光電面を積層して形成
されてなるＸ線イメージ管において、入力基板と入力蛍
光面との間に膜厚が中心部で厚く周辺部に向かって徐々
に薄くなっている金属薄膜が形成されて、入力蛍光面が
形成された面の光反射率が、中心部から周辺部に向かっ
て徐々に高くなる分布を有しているＸ線イメージ管であ
る。
の入力基板上に、入力蛍光面及び光電面を積層して形成
されてなるＸ線イメージ管において、入力基板と入力蛍
光面との間に膜厚が中心部で厚く周辺部に向かって徐々
に薄くなっている金属薄膜が形成されて、入力蛍光面が
形成された面の光反射率が、中心部から周辺部に向かっ
て徐々に高くなる分布を有しているＸ線イメージ管であ
る。
又、この発明は、Ｘ線入射側に配置されたアルミニウ
ム製の入力基板上に、膜厚が中心部で厚く周辺部に向か
って徐々に薄くなっている金属薄膜を形成し、この金属
薄膜の上に入力蛍光面及び光電面を積層して形成するＸ
線イメージ管の製造方法において、入力基板を薄膜形成
装置内に収容し、金属薄膜の材料発生源と入力基板との
間に入力基板面上の単位面積当たりの付着量が中心部か
ら周辺部にかけて徐々に少なくなるような開口を持つマ
スクを配置し、このマスクを回転、又は入力基板を回
転、若しくはこれら双方を回転させながら金属薄膜を形
成するＸ線イメージ管の製造方法である。
ム製の入力基板上に、膜厚が中心部で厚く周辺部に向か
って徐々に薄くなっている金属薄膜を形成し、この金属
薄膜の上に入力蛍光面及び光電面を積層して形成するＸ
線イメージ管の製造方法において、入力基板を薄膜形成
装置内に収容し、金属薄膜の材料発生源と入力基板との
間に入力基板面上の単位面積当たりの付着量が中心部か
ら周辺部にかけて徐々に少なくなるような開口を持つマ
スクを配置し、このマスクを回転、又は入力基板を回
転、若しくはこれら双方を回転させながら金属薄膜を形
成するＸ線イメージ管の製造方法である。
（作用） 周知のように、蒸着やスパッタリング、その他公知の
成膜方法で形成した金属薄膜は、その厚さが非常に薄い
場合は光吸収作用を示す。例えば、入力蛍光面が形成さ
れる側の面の光反射率が80％であるアルミニウム製基板
面上に、アルミニウムの薄膜を形成した場合、その膜厚
によってこの入力蛍光面が形成される面の光反射率は、
第８図のようになる。
成膜方法で形成した金属薄膜は、その厚さが非常に薄い
場合は光吸収作用を示す。例えば、入力蛍光面が形成さ
れる側の面の光反射率が80％であるアルミニウム製基板
面上に、アルミニウムの薄膜を形成した場合、その膜厚
によってこの入力蛍光面が形成される面の光反射率は、
第８図のようになる。
同図に示すアルミニウム薄膜を形成したこの面の光反
射率は、一般的にＸ線イメージ管の入力蛍光面に使用さ
れるCsI蛍光体の発光波長に相当する約420nmの波長λの
光による測定結果である。同図から判るように、アルミ
ニウム薄膜の厚さが非常に薄いと、光吸収性を示すいわ
ゆる島状膜のような不連続膜であって、その膜厚の増加
と共に光反射率が低下し、およそ1500オングストローム
で最低の約20％になる。そして、これよりも膜厚が増加
すると、この金属薄膜自身による光反射が増加し、高い
反射率になる。
射率は、一般的にＸ線イメージ管の入力蛍光面に使用さ
れるCsI蛍光体の発光波長に相当する約420nmの波長λの
光による測定結果である。同図から判るように、アルミ
ニウム薄膜の厚さが非常に薄いと、光吸収性を示すいわ
ゆる島状膜のような不連続膜であって、その膜厚の増加
と共に光反射率が低下し、およそ1500オングストローム
で最低の約20％になる。そして、これよりも膜厚が増加
すると、この金属薄膜自身による光反射が増加し、高い
反射率になる。
この発明は、このような金属薄膜の光学的性質を利用
している。従って、この発明によれば、入力基板と入力
蛍光面との間に付着した金属薄膜により、入力蛍光面が
形成される面の光反射率が、中心部から周辺部に向かっ
て徐々に高くなる分布を有しているので、中心部と周辺
部との出力輝度差を少なくすることが出来る。
している。従って、この発明によれば、入力基板と入力
蛍光面との間に付着した金属薄膜により、入力蛍光面が
形成される面の光反射率が、中心部から周辺部に向かっ
て徐々に高くなる分布を有しているので、中心部と周辺
部との出力輝度差を少なくすることが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
この発明によるＸ線イメージ管例えばＸ線蛍光増倍管
は、第１図及び第２図に示すように構成され、第１図は
入力面を拡大して示す断面図であり、第２図はＸ線蛍光
増倍管の全体を示す概略構成図である。
は、第１図及び第２図に示すように構成され、第１図は
入力面を拡大して示す断面図であり、第２図はＸ線蛍光
増倍管の全体を示す概略構成図である。
即ち、主としてガラスよりなる真空外囲器１の入力側
内部には、入力面２が配設され、出力側内部には、陽極
３が配設されると共に、出力面４が配設されている。更
に、真空外囲器１内の側壁に沿って集束電極５が配設さ
れている。
内部には、入力面２が配設され、出力側内部には、陽極
３が配設されると共に、出力面４が配設されている。更
に、真空外囲器１内の側壁に沿って集束電極５が配設さ
れている。
上記入力面２は第１図に示すように構成され、アルミ
ニウムからなる入力基板６の出力側には、金属蒸着膜７
が形成され（詳しくは後述）、この金属蒸着膜７上には
入力蛍光面８、保護膜９、光電面10が順次積層して形成
されている。
ニウムからなる入力基板６の出力側には、金属蒸着膜７
が形成され（詳しくは後述）、この金属蒸着膜７上には
入力蛍光面８、保護膜９、光電面10が順次積層して形成
されている。
動作時には、Ｘ線蛍光増倍管に入射したＸ線は、入力
面２の入力蛍光面８で光像に変換され、光電面10によっ
て電子像となり、集束電極５と陽極３により集束・加速
され、出力面４に可視像として外部に取出される。
面２の入力蛍光面８で光像に変換され、光電面10によっ
て電子像となり、集束電極５と陽極３により集束・加速
され、出力面４に可視像として外部に取出される。
この時、入力蛍光面８の発光強度に応じた輝度が、出
力面４に再現されることになる。従って、入力蛍光面８
の発光分布を一様にすることにより、出力面４の輝度も
一様となる。そして、入力蛍光面８の発光強度は、入力
蛍光面８の厚さによっても違いはあるが、入力基板６の
反射分が30〜40％寄与している。
力面４に再現されることになる。従って、入力蛍光面８
の発光分布を一様にすることにより、出力面４の輝度も
一様となる。そして、入力蛍光面８の発光強度は、入力
蛍光面８の厚さによっても違いはあるが、入力基板６の
反射分が30〜40％寄与している。
そこで、この発明では、この反射分の分布を任意に変
えることにより、輝度の一様化を図っており、既述のよ
うに入力基板６の出力側つまり入力基板６と入力蛍光面
８との間には、金属蒸着膜７が形成されている。この金
属蒸着膜７はアルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、
金、銀、その他の蒸着可能な金属及びその合金からなっ
ており、入力基板６の光反射率が、中心部が低く周辺部
に向って徐々に高くなるように、金属蒸着膜７の厚さ
は、中心部が厚く周辺部に向って徐々に薄くなるように
形成されている。
えることにより、輝度の一様化を図っており、既述のよ
うに入力基板６の出力側つまり入力基板６と入力蛍光面
８との間には、金属蒸着膜７が形成されている。この金
属蒸着膜７はアルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、
金、銀、その他の蒸着可能な金属及びその合金からなっ
ており、入力基板６の光反射率が、中心部が低く周辺部
に向って徐々に高くなるように、金属蒸着膜７の厚さ
は、中心部が厚く周辺部に向って徐々に薄くなるように
形成されている。
このような金属蒸着膜７の形成に当たっては、第３図
に示すような真空蒸着装置が用いられる。この真空蒸着
装置は、図示のように構成され、ガラス製ベルジャ11内
の上方には被蒸着物を支持する支持具17が配設され、モ
ーター14により回転自在になっている。更に、ベルジャ
11内の下方には、支持具17に対向して蒸着コイル13が設
けられ、この蒸着コイル13と上記支持具17との間には、
蒸着マスク12が配設されている。又、ベルジャ11の外に
は、光源である投光器15と光電管16とが配設されてい
る。
に示すような真空蒸着装置が用いられる。この真空蒸着
装置は、図示のように構成され、ガラス製ベルジャ11内
の上方には被蒸着物を支持する支持具17が配設され、モ
ーター14により回転自在になっている。更に、ベルジャ
11内の下方には、支持具17に対向して蒸着コイル13が設
けられ、この蒸着コイル13と上記支持具17との間には、
蒸着マスク12が配設されている。又、ベルジャ11の外に
は、光源である投光器15と光電管16とが配設されてい
る。
このような真空蒸着装置を使用して、蒸着を行なうに
は、支持具17に入力基板６を取付け、蒸着コイル13に通
電し金属ソース（図示せず）を蒸着する。入力基板６は
モーター14により回転し、金属蒸着膜７が対称になるよ
うにする。この場合、金属蒸着膜７の分布は、蒸着マス
ク12によって決まる。又、反射率の変化は、投光器15よ
りの光を入力基板６に照射して、その反射光を光電管16
によってモニターし、中心部の反射率を決める。
は、支持具17に入力基板６を取付け、蒸着コイル13に通
電し金属ソース（図示せず）を蒸着する。入力基板６は
モーター14により回転し、金属蒸着膜７が対称になるよ
うにする。この場合、金属蒸着膜７の分布は、蒸着マス
ク12によって決まる。又、反射率の変化は、投光器15よ
りの光を入力基板６に照射して、その反射光を光電管16
によってモニターし、中心部の反射率を決める。
全体の反射率分布、即ち、入力蛍光面が付着される入
力基板面及びその面上の金属薄膜を含む面の反射率分布
は、マスク12の開口形状によって左右される。そこで、
マスク12の開口部12aの形状は、例えば第４図（ａ）の
ようにする。これは入力基板面上の単位面積当たりの金
属薄膜の付着量が、中心部から周辺部にかけて徐々に少
なくなるような開口形状である。それによって、金属薄
膜の膜厚分布は同図（ｂ）に示すように入力面の中心部
が最も厚く、周辺部にかけて徐々に薄くなる分布が得ら
れる。
力基板面及びその面上の金属薄膜を含む面の反射率分布
は、マスク12の開口形状によって左右される。そこで、
マスク12の開口部12aの形状は、例えば第４図（ａ）の
ようにする。これは入力基板面上の単位面積当たりの金
属薄膜の付着量が、中心部から周辺部にかけて徐々に少
なくなるような開口形状である。それによって、金属薄
膜の膜厚分布は同図（ｂ）に示すように入力面の中心部
が最も厚く、周辺部にかけて徐々に薄くなる分布が得ら
れる。
従って、入力蛍光面が形成される面の光反射率は、中
心部から周辺部に向かって徐々に緩やかに高くなる分布
になり、出力輝度差が少なくなる。
心部から周辺部に向かって徐々に緩やかに高くなる分布
になり、出力輝度差が少なくなる。
金属薄膜のこのような膜厚分布を得るためのマスクの
開口形状は、第５図に示すように＋字型であっても良い
し、第６図に示すような形状、あるいは第７図に示すよ
うな菱形であっても良い。又、上記実施例のような金属
薄膜の膜厚分布となるように入力基板を回転させること
に限らず、マスクを回転させても良く、あるいは又、入
力基板とマスクの両方を回転させて成膜しても良い。
開口形状は、第５図に示すように＋字型であっても良い
し、第６図に示すような形状、あるいは第７図に示すよ
うな菱形であっても良い。又、上記実施例のような金属
薄膜の膜厚分布となるように入力基板を回転させること
に限らず、マスクを回転させても良く、あるいは又、入
力基板とマスクの両方を回転させて成膜しても良い。
［発明の効果］ この発明によれば、入力基板６と入力蛍光面８との間
に金属蒸着膜７を形成することにより、入力基板６の光
反射率が、中心部が低く周辺部に向って徐々に高くなる
ように構成しているので、中心部と周辺部の出力輝度差
が通常40％の場合においても、この発明では20％以下に
なった。
に金属蒸着膜７を形成することにより、入力基板６の光
反射率が、中心部が低く周辺部に向って徐々に高くなる
ように構成しているので、中心部と周辺部の出力輝度差
が通常40％の場合においても、この発明では20％以下に
なった。
第１図はこの発明の一実施例に係るＸ線イメージ管にお
ける入力面を拡大してを示す概略構成図、第２図はこの
発明のＸ線イメージ管の全体を示す概略構成図、第３図
はこの発明の一実施例に係るＸ線イメージ管の製造方法
に用いる真空蒸着装置を示す概略構成図、第４図
（ａ）、（ｂ）は第３図の真空蒸着装置に用いる蒸着マ
スクの一実施例を示す平面図と特性曲線図、第５図乃至
第７図は蒸着マスクの他の実施例を示す平面図、第８図
は金属蒸着膜の厚さとそれを形成した面の光反射率の一
般的な関係を示す特性図である。 １……真空外囲器、２……入力面、６……入力基板、７
……金属蒸着膜、８……入力蛍光面、10……光電面、12
……蒸着マスク。
ける入力面を拡大してを示す概略構成図、第２図はこの
発明のＸ線イメージ管の全体を示す概略構成図、第３図
はこの発明の一実施例に係るＸ線イメージ管の製造方法
に用いる真空蒸着装置を示す概略構成図、第４図
（ａ）、（ｂ）は第３図の真空蒸着装置に用いる蒸着マ
スクの一実施例を示す平面図と特性曲線図、第５図乃至
第７図は蒸着マスクの他の実施例を示す平面図、第８図
は金属蒸着膜の厚さとそれを形成した面の光反射率の一
般的な関係を示す特性図である。 １……真空外囲器、２……入力面、６……入力基板、７
……金属蒸着膜、８……入力蛍光面、10……光電面、12
……蒸着マスク。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線入射側に配置されたアルミニウム製の
入力基板上に、入力蛍光面及び光電面を積層して形成さ
れてなるＸ線イメージ管において、 上記入力基板と入力蛍光面との間に膜厚が中心部で厚く
周辺部に向かって徐々に薄くなっている金属薄膜が形成
されて、上記入力蛍光面が形成された面の光反射率が、
中心部から周辺部に向かって徐々に高くなる分布を有し
ていることを特徴とするＸ線イメージ管。 - 【請求項２】上記金属薄膜は、アルミニウム、ニッケ
ル、クロム、鉄、金、又は銀からなる特許請求の範囲第
１項記載のＸ線イメージ管。 - 【請求項３】Ｘ線入射側に配置されたアルミニウム製の
入力基板上に、膜厚が中心部で厚く周辺部に向かって徐
々に薄くなっている金属薄膜を形成し、この金属薄膜の
上に入力蛍光面及び光電面を積層して形成するＸ線イメ
ージ管の製造方法において、 上記入力基板を薄膜形成装置内に収容し、上記金属薄膜
の材料発生源と上記入力基板との間に上記入力基板面上
の単位面積当たりの付着量が中心部から周辺部にかけて
徐々に少なくなるような開口を持つマスクを配置し、こ
のマスクを回転、又は上記入力基板を回転、若しくはこ
れら双方を回転させながら上記金属薄膜を形成すること
を特徴とするＸ線イメージ管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181432A JP2543895B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Ｘ線イメ―ジ管及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181432A JP2543895B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Ｘ線イメ―ジ管及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424343A JPS6424343A (en) | 1989-01-26 |
| JP2543895B2 true JP2543895B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16100671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181432A Expired - Fee Related JP2543895B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Ｘ線イメ―ジ管及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543895B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2683388A1 (fr) * | 1991-10-31 | 1993-05-07 | Thomson Tubes Electroniques | Tube intensificateur d'image radiologique a resolution amelioree. |
-
1987
- 1987-07-21 JP JP62181432A patent/JP2543895B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424343A (en) | 1989-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |