JP2996711B2 - X線イメージ管及びその製造方法 - Google Patents

X線イメージ管及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明はX線イメージ管及びその製造方法に係り、
特にその入力面の改良に関する。
(従来の技術) 一般にX線イメージ管は第8図に示すように構成さ
れ、真空外囲器1内の入力側に入力窓1aに対向して入力
面2が、出力側に陽極3及び出力面4がそれぞれ配設さ
れ、更に真空外囲器1の内部の側壁に沿って集束電極5
が設けられている。そして、入力面2は、基板6に入力
蛍光体層7と光電面8が順次積層形成されてなってい
る。
動作時にはX線管9からのX線が被写体10を通り、入
力窓1aと基板6を通過して入力蛍光体層7で光に変換さ
れる。この光は光電面8に達し、電子に変換される。こ
の電子は集束電極5と陽極3により集束・加速され、出
力面4において可視光像に変換される。このようにして
X線像は可視光像に変換されるが、この可視光像はTVカ
メラ、シネカメラ、スポットカメラ等により記録され、
医療診断が行なわれる。
このようなX線イメージ管の重要な特性の1つに解像
度がある。これは、どのくらい細かい物まで検出出来る
かという特性であり、この特性を決定する重要な要素の
1つに入力面がある。
(発明が解決しようとする課題) 従来の入力面2を拡大して示すと第9図のようにな
り、入力蛍光体層7は蛍光体の多数の柱状結晶7aの形で
設けられている。そして、この柱状結晶7aの内部でX線
11が光12に変換される。この光12はあらゆる方向に進む
が、柱状結晶7aの側面に臨界角Dよりも大きい角度で入
射した光13は、全反射する。このような光は、入力面2
の横方向には拡がらず、解像度を劣化させない。
ところが、臨界角Dよりも小さい角度で柱状結晶7aの
側面に入射した光14は、入力面2の横方向に拡がってし
まい、解像度を劣化させる原因となる。
この発明は、入力面の横方向に拡がった光を光電面に
到達する前に吸収あるいは反射して、高い解像度を得る
ことが出来るX線イメージ管及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、基板上に形成された蛍光体の多数の柱状
結晶からなる入力蛍光体層と、この入力蛍光体層上に直
接又は間接に形成された光電面とからなる入力面を備え
たX線イメージ管において、上記柱状結晶の側面から内
部にかけて複数の光非透過層が形成されてなるX線イメ
ージ管である。
又、この発明は、基板上に所定の蛍光体を蒸着して多
数の柱状結晶からなる入力蛍光体層を形成する工程と、
この工程の次に所定部材を蒸着して光非透過層を形成す
る工程と、この工程の次に上記光非透過層の表面をスパ
ッタリングして上記柱状結晶の先端付近の光非透過層を
除去する工程と、この工程の次に更に所定の蛍光体を蒸
着する工程とを具備し、上記の光非透過層を形成する工
程、上記のスパッタリングによる柱状結晶の先端付近の
光非透過層を除去する工程および上記の更に所定の蛍光
体を蒸着する工程を繰り返して、上記入力蛍光体層の側
面から内部にかけて複数の光非透過層を形成するX線イ
メージ管の製造方法である。
(作用) この発明によれば、入力面の横方向に拡がった光は光
電面に到達する前に吸収あるいは反射され、光電面に到
達することが出来ない。その結果、解像度の劣化を防止
することが出来、高い解像度を得ることが出来る。
(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に
説明するが、この発明は入力面を改善したもので、入力
面についてのみ説明することにする。
この発明によるX線イメージ管の入力面は、第1図に
示すように構成され、従来例(第9図)と同一箇所には
同一符号を付すことにすると、基板6に入力蛍光体層7
と光電面8が順次積層形成されてなっている。そして、
入力蛍光体層7は蛍光体の多数の柱状結晶7aの形で設け
られている。
ところで、柱状結晶7aの屈折率が例えば1.84とする
と、動作時に33゜以上の角度Aで柱状結晶7aの側面に達
した光は、全反射するので柱状結晶7aから外へ出ること
はなく、解像度を劣化させることはない。しかし、33゜
よりも小さい角度で柱状結晶7aの側面に達した光は、柱
状結晶7aの外へ出るので解像度を劣化させる。
そこで、この発明では、多数の柱状結晶7aからなる入
力蛍光体層7の側面から内部にかけて各柱状結晶7aの先
端付近に光電面8方向に傾斜させて複数の光非透過層15
が形成されている。
この場合、光非透過層15が形成されている箇所は、柱
状結晶7aの直径をBとすると、B×tan(33゜)よりも
大きい長さに亘った柱状結晶7aの部分16である。各光非
透過層15の柱状結晶7a内部の終端17は、その層より光電
面8に近い隣の層の柱状結晶7a側面部18よりも光電面8
に近くなるように配置する。このような配置にすると、
33゜よりも小さな角度で光電面8と反対の方向から光電
面8の方向へ向かう光19は光非透過層15に必ず到達し、
光電面8には達成しない。
尚、光非透過層15よりも光電面8に近い部分の柱状結
晶7aの中で、X線から変換された光は光非透過層15に到
達することなく光電面8に達してしまうので、光非透過
層15は出来るだけ光電面8に近い方が望ましい。
さて、このような光非透過層15は、例えば次のように
して形成される。
即ち、例えばCsIの柱状結晶7aは、第2図に示すよう
に蒸着源20からCsIを蒸発して形成する。この柱状結晶7
aの先端7a1は円錐形に近い形をしている(断面は2等辺
3角形に似た形状である)。
次に、第3図に示すようにCsIの蒸着を中断し、例え
ばアルミニウムを蒸着して光非透過層21を形成する。
次に、第4図に示すようにイオン粒子22などで表面を
スパッタリングする。この場合、イオン粒子22を角度C
を付けてぶつけると、第5図に示すように柱状結晶7aの
先端7a1付近の光非透過層21だけがスパッタリングされ
て除去される。
次に、第6図に示すように、更にCsIを蒸着して新し
い柱状結晶7a′を形成する。この工程により、柱状結晶
7aの中に光非透過層15が形成される。
更に、上記の光非透過層15の形成、スパッタリング、
CsIの蒸着を繰り返すことにより、第7図に示すように
複数の光非透過層15が形成される。
尚、この発明は上記の材質に限定されることはない。
[発明の効果] この発明によれば、入力蛍光体層の側面から内部にか
けて複数の光非透過層が形成されているので、入力面の
横方向に拡がった光が、光電面に到達する前に吸収ある
いは反射され、光電面に達することがない。
この結果、解像度の劣化を防止することが出来、高い
解像度を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係るX線イメージ管の入
力面を拡大して示す断面図、第2図乃至第7図はこの発
明の一実施例に係るX線イメージ管の製造方法を示す断
面図、第8図は従来のX線イメージ管の全体を示す概略
断面図、第9図は従来のX線イメージ管の入力面を拡大
して示す断面図である。 6……基板、7……入力蛍光体層、7a……柱状結晶、8
……光電面、15……光非透過層。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に形成された蛍光体の多数の柱状結
    晶からなる入力蛍光体層と、この入力蛍光体層上に直接
    または間接に形成された光電面とからなる入力面を備え
    たX線イメージ管において、 上記柱状結晶の側面から内部にかけて複数の光非透過層
    が形成されてなることを特徴とするX線イメージ管。
  2. 【請求項2】基板上に所定の蛍光体を蒸着して多数の柱
    状結晶からなる入力蛍光体層を形成する工程と、 この工程の次に、所定部材を蒸着して光非透過層を形成
    する工程と、 この工程の次に上記光非透過層の表面をスパッタリング
    して上記柱状結晶の先端付近の光非透過層を除去する工
    程と、 この工程の次に更に所定の蛍光体を蒸着する工程とを具
    備し、 上記の光非透過層を形成する工程、上記のスパッタリン
    グによる柱状結晶の先端付近の光非透過層を除去する工
    程および上記の更に所定の蛍光体を蒸着する工程を繰り
    返して、上記柱状結晶の側面から内部にかけて複数の光
    非透過層を形成することを特徴とするX線イメージ管の
    製造方法。
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