JPS5949141A - Ｘ線螢光増倍管の入力面 - Google Patents
Ｘ線螢光増倍管の入力面Info
- Publication number
- JPS5949141A JPS5949141A JP16024082A JP16024082A JPS5949141A JP S5949141 A JPS5949141 A JP S5949141A JP 16024082 A JP16024082 A JP 16024082A JP 16024082 A JP16024082 A JP 16024082A JP S5949141 A JPS5949141 A JP S5949141A
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- Japan
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- csi
- peeled
- film
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明ＦｉＸ線螢光増倍管（以下ＩＡと略す）の入力
面の改良に関する。
面の改良に関する。
従来よシＩＡの入力面の螢う°Ｃ膜にＦｉＣｓＩが用い
られているが、画像の解像度やコントラストを向上させ
るためにＣｓＵの柱状結晶を個々に成長させる心安があ
る。すなわち第１図に示すように、ＡＱ等の全屈基板１
のＸ線入射側（入力側）とは反対の面に柱状ＣｓＩ結晶
２を個々に多数成長させる。しかし１ｆがもこのような
構造であると電子放出（１１１（出力（１１１ｊ ）に
配Ｗ】″すべき光電面３を柱状Ｃ８Ｉ結晶２の１戊長先
喘ｆｕｌｌ Ｋ形成しなければならず、光電面３．の作
成、が５１＋！ｊ造上相当に困か１６になる。
られているが、画像の解像度やコントラストを向上させ
るためにＣｓＵの柱状結晶を個々に成長させる心安があ
る。すなわち第１図に示すように、ＡＱ等の全屈基板１
のＸ線入射側（入力側）とは反対の面に柱状ＣｓＩ結晶
２を個々に多数成長させる。しかし１ｆがもこのような
構造であると電子放出（１１１（出力（１１１ｊ ）に
配Ｗ】″すべき光電面３を柱状Ｃ８Ｉ結晶２の１戊長先
喘ｆｕｌｌ Ｋ形成しなければならず、光電面３．の作
成、が５１＋！ｊ造上相当に困か１６になる。
この発ＥＪＪは上記に鉋７み、：）’ｒ： ’Ｉｔ、ｌ
’、 １ｌｌｌ （１） ？’ｊ ３′’１ヲ容Ｂにす
るとともに各柱状にｓｌ結品間のクロスト一り等をも改
善したＩＡの入力面を提（１１することを目的とする。
’、 １ｌｌｌ （１） ？’ｊ ３′’１ヲ容Ｂにす
るとともに各柱状にｓｌ結品間のクロスト一り等をも改
善したＩＡの入力面を提（１１することを目的とする。
以下、この発明の一実Ｍｌｉ ４９１１について図面を
参照し１よがら説明する。？ｉ１．２図に〉■・すよう
に、この発明によるｌＡの入力面ｆ、１、Ｘ討１１人射
仙に向かりて成長さぜられた多像の柱状Ｃｓ、Ｌ結晶４
より１よるＣｓＩ膜１０を有し、この各４１状Ｃｓｌ結
晶４の成長先端側から各結晶を包み込むようにＡ−（１
のメタライズ層５が形成さｆｌている。このメタライズ
層５は光の反射層としてＵ：５ ｆｉヒするもので、Ａ
ｆｆの他に例えばＣｒ 、 Ｍｇ 、 ’、Ｉ’ｉ 、
Ｚｒ等の全屈を用いることができる。柱状Ｃｓｌ結晶
４は後述のように型から成長させらＪするが、その型を
珀１自Ｉ した後の血、す／、（わち結−ｙ１成長側と
は反対の面にバリヤ肋６を介して光電面７が形成されて
いる。
参照し１よがら説明する。？ｉ１．２図に〉■・すよう
に、この発明によるｌＡの入力面ｆ、１、Ｘ討１１人射
仙に向かりて成長さぜられた多像の柱状Ｃｓ、Ｌ結晶４
より１よるＣｓＩ膜１０を有し、この各４１状Ｃｓｌ結
晶４の成長先端側から各結晶を包み込むようにＡ−（１
のメタライズ層５が形成さｆｌている。このメタライズ
層５は光の反射層としてＵ：５ ｆｉヒするもので、Ａ
ｆｆの他に例えばＣｒ 、 Ｍｇ 、 ’、Ｉ’ｉ 、
Ｚｒ等の全屈を用いることができる。柱状Ｃｓｌ結晶
４は後述のように型から成長させらＪするが、その型を
珀１自Ｉ した後の血、す／、（わち結−ｙ１成長側と
は反対の面にバリヤ肋６を介して光電面７が形成されて
いる。
このような栴造の入力面は例えば次のようにして作られ
る。ます罪３図に示すように、ＩＡの入力面に適した曲
面を有する型８の上ＶＣＡ空蒸着法によりＣｓｌ膜１０
を形成し、１ツ「望の熱処理を行ない発光効率を高める
。その恢にｓＬ膜］Ｏの上にｋＱを４００〜１５００
Ｘの厚さで蒸眉し、反射層として機能するメタライズ層
５を形成する。次にｅｓＩ膜１０を型８から余＋＋ ｒ
ｉｏｔ、する。
る。ます罪３図に示すように、ＩＡの入力面に適した曲
面を有する型８の上ＶＣＡ空蒸着法によりＣｓｌ膜１０
を形成し、１ツ「望の熱処理を行ない発光効率を高める
。その恢にｓＬ膜］Ｏの上にｋＱを４００〜１５００
Ｘの厚さで蒸眉し、反射層として機能するメタライズ層
５を形成する。次にｅｓＩ膜１０を型８から余＋＋ ｒ
ｉｏｔ、する。
この場合、熱応力を利用すれば型８からの剥離を容易に
行なうことができる。さらにンリコン系の剥離剤を型８
に塗布しておけばこの４１１ｃ＋＋ｒ ＆ユなお一層容
易に行なうことができる。このＣ５Ｉｎｔ＞”ｒ Ｉ
Ｏハ、ｍ８ カラ剥離すｔＬり＆、結Ｊ＆ ＪＪｙ、長
ｆｌｌｌｌとは反対の面、すブｘわち型８を剥離した面
にバリヤ層６が設けられ、その抜工Ａの管内に配置され
てこのバリヤ層６上に光電面７が作成される。型８から
剥離した面は滑らかでしかも連続面なので光電面７は幼
イ′よく作成できる。
行なうことができる。さらにンリコン系の剥離剤を型８
に塗布しておけばこの４１１ｃ＋＋ｒ ＆ユなお一層容
易に行なうことができる。このＣ５Ｉｎｔ＞”ｒ Ｉ
Ｏハ、ｍ８ カラ剥離すｔＬり＆、結Ｊ＆ ＪＪｙ、長
ｆｌｌｌｌとは反対の面、すブｘわち型８を剥離した面
にバリヤ層６が設けられ、その抜工Ａの管内に配置され
てこのバリヤ層６上に光電面７が作成される。型８から
剥離した面は滑らかでしかも連続面なので光電面７は幼
イ′よく作成できる。
なお、ＵｓＩ膜１０をＪ’： 窒？＋＜’、ン？、ｊ
するＩ！Ｊｒｊ、 ｇｌ ３図に示すように金Ｌ′１の
サポートリング（円環状金用板）９をＣｓＩ １ｌｙ７
． ］、 （＋ （７）９’ｊ４ ｇ［配！ｔｉ Ｌ／
テ真９４Ａ着を行７エいＣｓ月夙］（）と−リボ−１
リング９とを一体化さセテからＣ５１１１’ｉ 、１
（１摘−型Ｂより！１１１ ＰＪＩ＋するようにしても
よい。こうすると（へ月１１．’４’ｊ Ｊ （＋の機
誠的強吸が増す。さらにこの−〇ボートリング９はＩＡ
の７図極として利用−１４）ことができる。
するＩ！Ｊｒｊ、 ｇｌ ３図に示すように金Ｌ′１の
サポートリング（円環状金用板）９をＣｓＩ １ｌｙ７
． ］、 （＋ （７）９’ｊ４ ｇ［配！ｔｉ Ｌ／
テ真９４Ａ着を行７エいＣｓ月夙］（）と−リボ−１
リング９とを一体化さセテからＣ５１１１’ｉ 、１
（１摘−型Ｂより！１１１ ＰＪＩ＋するようにしても
よい。こうすると（へ月１１．’４’ｊ Ｊ （＋の機
誠的強吸が増す。さらにこの−〇ボートリング９はＩＡ
の７図極として利用−１４）ことができる。
このよりなｉｌ・１造の人ノ月１＋’＋はｆ：ｒ＜４図
に４１．＋式的に示すように柱状ＣｓＩ結晶４内でうｉ
、）“しした）′ｌ； ｉＪ：メタライズ層５で反射し
全で３’に ’山間７π、向かうため、光か効率良く元
ηＪ面７に伝えられ、ＪＡめ出力輝度が高＜１、【ると
ともに’−、各柱状Ｃｓｉ結晶４がメタライズ層５でそ
れぞれ包み込＋ｆｔているため、ｔ／ｉ＋Ｆ接する柱状
（、、：ｓｌ結晶４にｙｆ二が入ること１ヨク柱状Ｃｓ
Ｉ結晶４１ｉｆｔの光のクロスト−りが殆んど抑えられ
、画像のｊ宵像貼及びコントラストが向上する。さらに
従来のように金ス・１人井板を用いる必要がないため金
Ｊ３ｉ井４ｖ＆こよるＸ線吸収かプよくなり、Ｘ線利用
効率か高くなるとともに金Ａゾシ基板による散乱ｘ （
４＋の発生がブエくブエ９画像のコントラストが高まる
。
に４１．＋式的に示すように柱状ＣｓＩ結晶４内でうｉ
、）“しした）′ｌ； ｉＪ：メタライズ層５で反射し
全で３’に ’山間７π、向かうため、光か効率良く元
ηＪ面７に伝えられ、ＪＡめ出力輝度が高＜１、【ると
ともに’−、各柱状Ｃｓｉ結晶４がメタライズ層５でそ
れぞれ包み込＋ｆｔているため、ｔ／ｉ＋Ｆ接する柱状
（、、：ｓｌ結晶４にｙｆ二が入ること１ヨク柱状Ｃｓ
Ｉ結晶４１ｉｆｔの光のクロスト−りが殆んど抑えられ
、画像のｊ宵像貼及びコントラストが向上する。さらに
従来のように金ス・１人井板を用いる必要がないため金
Ｊ３ｉ井４ｖ＆こよるＸ線吸収かプよくなり、Ｘ線利用
効率か高くなるとともに金Ａゾシ基板による散乱ｘ （
４＋の発生がブエくブエ９画像のコントラストが高まる
。
以上、実施例について説明したように、この発明によれ
ば、光電面を効率よく作成できるとともにＩＡの出力輝
度を高め、かつ柱状ＣｓＩ結晶間のクロストークを１工
＜シて画像の解像力及びコントラストを向上させ、しか
もＸ線利用効率の増大を図９、散乱Ｘ線の発生をも抑え
ることができる。
ば、光電面を効率よく作成できるとともにＩＡの出力輝
度を高め、かつ柱状ＣｓＩ結晶間のクロストークを１工
＜シて画像の解像力及びコントラストを向上させ、しか
もＸ線利用効率の増大を図９、散乱Ｘ線の発生をも抑え
ることができる。
第１図は従来例の断面図、第２図はこの発明の一実施例
の断面図、第３図は製造工程を説明するための模式的な
断面図、第４図は動作を説明するための我式図である。 ］・・・金属基板 ２，４・・・柱状ＣｓＩ結晶
３．７・・・光電面 ５・・・メタライズ層６・・
・バリヤ層 ８・・・型
の断面図、第３図は製造工程を説明するための模式的な
断面図、第４図は動作を説明するための我式図である。 ］・・・金属基板 ２，４・・・柱状ＣｓＩ結晶
３．７・・・光電面 ５・・・メタライズ層６・・
・バリヤ層 ８・・・型
Claims (1)
- （１）所定の曲面を有する型よシＸ線入射卸に回かって
成長さぜられた多数の柱状Ｃ５ｌ結晶よυなるＣ５ｌ膜
と、前記各柱状ＣｓＩ結晶を成長先端側よシ包み込むよ
うに形成されたメタライズ層と、前記型を剥離した後の
Ｃ５Ｉｉす＼の成長側とは反対の面に形成された光電面
とを有して構成されるＸ糾螢光増倍管の入力面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16024082A JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16024082A JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949141A true JPS5949141A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH041987B2 JPH041987B2 (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=15710727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16024082A Granted JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949141A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625838A1 (fr) * | 1988-01-13 | 1989-07-13 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| US4992699A (en) * | 1989-09-05 | 1991-02-12 | Eastman Kodak Company | X-ray phosphor imaging screen and method of making same |
| US5166512A (en) * | 1990-10-18 | 1992-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging tube and method of manufacturing the same with columnar crystals and opaque light blocking means |
| GB2553517A (en) * | 2016-09-01 | 2018-03-14 | Scintacor Ltd | Caesium lodide (Csl) materials |
| GB2570058A (en) * | 2016-09-01 | 2019-07-10 | Scintacor Ltd | Caesium iodide (Csl) materials |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP16024082A patent/JPS5949141A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625838A1 (fr) * | 1988-01-13 | 1989-07-13 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| JPH01209637A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-08-23 | Thomson Csf | Ｘ線イメージ増倍管用の入力スクリーンシンチレータの製造方法 |
| US5298294A (en) * | 1988-01-13 | 1994-03-29 | Thomson-Csf | Input screen scintillator for an X-ray image intensifier tube and manufacturing process of this scintillator |
| US4992699A (en) * | 1989-09-05 | 1991-02-12 | Eastman Kodak Company | X-ray phosphor imaging screen and method of making same |
| US5166512A (en) * | 1990-10-18 | 1992-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging tube and method of manufacturing the same with columnar crystals and opaque light blocking means |
| GB2553517A (en) * | 2016-09-01 | 2018-03-14 | Scintacor Ltd | Caesium lodide (Csl) materials |
| GB2570058A (en) * | 2016-09-01 | 2019-07-10 | Scintacor Ltd | Caesium iodide (Csl) materials |
| GB2553517B (en) * | 2016-09-01 | 2019-12-11 | Scintacor Ltd | Caesium lodide (Csl) materials |
| GB2570058B (en) * | 2016-09-01 | 2020-02-12 | Scintacor Ltd | Caesium iodide (Csl) materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041987B2 (ja) | 1992-01-16 |
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