JPS6243046A - X線イメ−ジ管の入力面 - Google Patents
X線イメ−ジ管の入力面Info
- Publication number
- JPS6243046A JPS6243046A JP18049885A JP18049885A JPS6243046A JP S6243046 A JPS6243046 A JP S6243046A JP 18049885 A JP18049885 A JP 18049885A JP 18049885 A JP18049885 A JP 18049885A JP S6243046 A JPS6243046 A JP S6243046A
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- Japan
- Prior art keywords
- columnar crystals
- substrate
- ray
- crystals
- image tube
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野]
この発明は、X線イメージ管の入力面に関する。
(発明の技術的背景とその問題点〕
X線イメージ管を使用した被写体観察システムは、第4
図に示すように、X線管(1)の前面にX線イメージ管
■が設置され、被写体■を透過した変調X線の入射によ
りこのX線イメージ管■に1創られる出力像を、たとえ
ば比像カメラで躍像してモニタテレビに再生できるよう
に構成されている。
図に示すように、X線管(1)の前面にX線イメージ管
■が設置され、被写体■を透過した変調X線の入射によ
りこのX線イメージ管■に1創られる出力像を、たとえ
ば比像カメラで躍像してモニタテレビに再生できるよう
に構成されている。
すなわち、X線イメージ管■は、一端部に入力面←)、
他喘部にこの入力面6)に対向して出力面■を有し、変
調されたX線を入力面6)で光学像に、ざらにこの光学
像を光電子像(、二変換し、この光電子像を集束7JI
速しで出力面0に輝度増強された出、す(粂か得られる
。そしてこの出力像をlカメラにより顕像するよう(こ
なつ℃いる。
他喘部にこの入力面6)に対向して出力面■を有し、変
調されたX線を入力面6)で光学像に、ざらにこの光学
像を光電子像(、二変換し、この光電子像を集束7JI
速しで出力面0に輝度増強された出、す(粂か得られる
。そしてこの出力像をlカメラにより顕像するよう(こ
なつ℃いる。
ところで従来のX線イメージ管(2)の入力面O)【よ
、第5図に示されるように、球面状に形成された7ノル
ミニウム基板偉)の凹面によ′う化ナトリウム賦活よう
化セシウム蛍光体の柱状晶ωからなる蛍光体層(8)か
形成され、この蛍光体層(8)上に酸化アルミニウム層
と酸化インジウム層からなる中間層(9)を介して光電
面(1Φが形成された構造に4^つでいる。
、第5図に示されるように、球面状に形成された7ノル
ミニウム基板偉)の凹面によ′う化ナトリウム賦活よう
化セシウム蛍光体の柱状晶ωからなる蛍光体層(8)か
形成され、この蛍光体層(8)上に酸化アルミニウム層
と酸化インジウム層からなる中間層(9)を介して光電
面(1Φが形成された構造に4^つでいる。
ところで、被写体(3)のX線被曝を少くするためには
、被写体透過X線を1u失なく蛍光体層(8)に入Q=
Jさせてその吸収部を多くすることが要語される。
、被写体透過X線を1u失なく蛍光体層(8)に入Q=
Jさせてその吸収部を多くすることが要語される。
ぞの点X線源側に設けられるアルミニウム阜仮(6)は
、X線吸収が少ない方がよい。しかし従来の入力面は、
その構成上省略すること(よできない。また蛍光体層(
8)については、X線吸収♀を多くするためには蛍光体
の+1状晶ωを長くした方がよいが、)I状晶ωか艮く
なると、光の■折回数が増加し、柱状晶ω側面から他の
柱状晶■に伝播する光の早が増加し、解像度を低下させ
る。そのため+1状晶をあまり長くすることはできない
。200JiIn程度が限度である。また従来の蛍光体
層(8)は、基板(6)の凹面に蛍光体を蒸着しで形成
するため、+1状晶■か基板(6)の凹面側で基板(6
)の中心軸と交差する方向を向くように配向し、その向
きがX線の入射方向と交差するので、柱状晶■が長くな
ると、入力面Ω)の周辺部で【よ、同−経路上のX線で
隣接する複数の柱状晶■が発光するようになり、解像度
を低下させる。さらにまた中間層(9)は、酸化アルミ
ニウムや酸化インジウムの蒸右層のため、層内に光の反
則点を多数もら、解像度を低下させるなどの問題点があ
る。
、X線吸収が少ない方がよい。しかし従来の入力面は、
その構成上省略すること(よできない。また蛍光体層(
8)については、X線吸収♀を多くするためには蛍光体
の+1状晶ωを長くした方がよいが、)I状晶ωか艮く
なると、光の■折回数が増加し、柱状晶ω側面から他の
柱状晶■に伝播する光の早が増加し、解像度を低下させ
る。そのため+1状晶をあまり長くすることはできない
。200JiIn程度が限度である。また従来の蛍光体
層(8)は、基板(6)の凹面に蛍光体を蒸着しで形成
するため、+1状晶■か基板(6)の凹面側で基板(6
)の中心軸と交差する方向を向くように配向し、その向
きがX線の入射方向と交差するので、柱状晶■が長くな
ると、入力面Ω)の周辺部で【よ、同−経路上のX線で
隣接する複数の柱状晶■が発光するようになり、解像度
を低下させる。さらにまた中間層(9)は、酸化アルミ
ニウムや酸化インジウムの蒸右層のため、層内に光の反
則点を多数もら、解像度を低下させるなどの問題点があ
る。
(発明の目的)
この発明は、X線発光蛍光体層のX線吸収♀を多くして
、なおかつ解像度を低下させないX線イメージ管の入力
面を構成することにある。
、なおかつ解像度を低下させないX線イメージ管の入力
面を構成することにある。
(発明の概要〕
暴仮面に形成されたX線発光蛍光体層を+14成づる並
列した多数の柱状晶間に光吸収層を介在させることによ
り、柱状晶を長くしても、柱状晶の側面を透過して隣接
柱状晶に入射覆る光の量が少くなるように構成した。
列した多数の柱状晶間に光吸収層を介在させることによ
り、柱状晶を長くしても、柱状晶の側面を透過して隣接
柱状晶に入射覆る光の量が少くなるように構成した。
(発明の実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
第1図にこの発明の一実施例である入力面を、また第2
図にその一部を拡大して示す。この入力面は、着色透過
カラスからなる厚さ約120埒lの球面状の置板Cのを
有し、この基板CΦの凸面にX線発光蛍冗体層■が、ま
た7、を仮C中の凹面にアンチ[ン・セシウム(SbC
s)、アンチモン・セシウム・カリウム(SbCsK)
、アンチ[ン・セシウム・カリウム・フトリウム(S
bCsKNa)などからなる光電面(2のかCLJられ
ている。
図にその一部を拡大して示す。この入力面は、着色透過
カラスからなる厚さ約120埒lの球面状の置板Cのを
有し、この基板CΦの凸面にX線発光蛍冗体層■が、ま
た7、を仮C中の凹面にアンチ[ン・セシウム(SbC
s)、アンチモン・セシウム・カリウム(SbCsK)
、アンチ[ン・セシウム・カリウム・フトリウム(S
bCsKNa)などからなる光電面(2のかCLJられ
ている。
上記蛍光体層QOは、よう化ナシリウム賦活よう化セシ
ウム蛍光体の並列した多数の柱状晶(24)からなり、
各柱状晶(24)は、基板C中の凸面側において、この
基板CΦの中心軸と交差するように上記中心軸に対して
傾斜している。また各柱状晶(24)間には、カーボン
などからなる光吸収層(25)が、さらにまた各柱状晶
(24)の先端には、連続面からなるアルミニウム膜(
26)か設けられている。
ウム蛍光体の並列した多数の柱状晶(24)からなり、
各柱状晶(24)は、基板C中の凸面側において、この
基板CΦの中心軸と交差するように上記中心軸に対して
傾斜している。また各柱状晶(24)間には、カーボン
などからなる光吸収層(25)が、さらにまた各柱状晶
(24)の先端には、連続面からなるアルミニウム膜(
26)か設けられている。
この入力面はつぎのように製作される。
第3図に示すように、まずよう化ナトリウム賦活よう化
セシウム蛍光体の蒸発源(28)およびこの蒸発源(2
8)士にフィルタ(29)が股間されたベルジャ(30
)内に、上記フィルタ(29)を介して凸面が蒸発源(
28)と対向するように基板QΦが股間される。
セシウム蛍光体の蒸発源(28)およびこの蒸発源(2
8)士にフィルタ(29)が股間されたベルジャ(30
)内に、上記フィルタ(29)を介して凸面が蒸発源(
28)と対向するように基板QΦが股間される。
この基板CΦの凸面に蛍光体を均一に蒸着するために、
フィルタ(29)には、周辺部になる程広面偵の開孔が
形成され、これらフィルタ(29)および基板(イ)は
、回転されるようになっている。
フィルタ(29)には、周辺部になる程広面偵の開孔が
形成され、これらフィルタ(29)および基板(イ)は
、回転されるようになっている。
蒸着は、ベルジャ(30)内の真空度を不活性ガスのも
とで1XIO−2〜’l XIO4Torrにし、基板
Q中を200’C以下たとえば100’Cにh口熱し、
かつこの基板Qのとフィルタ(29)を回転しながらお
こなわれる。蒸発源(28)を加熱してこの蒸発源(2
8)中の蛍光体を蒸着することにより、重板CΦの凸面
には、直径約10J1fn、艮ざ400〜500.u+
の柱状晶(24)が多数並列し、かつ基板Qφの凸面側
前方においてその中心軸と交差づるように上記中心軸に
対して傾斜して形成される。
とで1XIO−2〜’l XIO4Torrにし、基板
Q中を200’C以下たとえば100’Cにh口熱し、
かつこの基板Qのとフィルタ(29)を回転しながらお
こなわれる。蒸発源(28)を加熱してこの蒸発源(2
8)中の蛍光体を蒸着することにより、重板CΦの凸面
には、直径約10J1fn、艮ざ400〜500.u+
の柱状晶(24)が多数並列し、かつ基板Qφの凸面側
前方においてその中心軸と交差づるように上記中心軸に
対して傾斜して形成される。
つぎにこの多数の柱状晶(24)の並列形成された基板
CΦを除湿された人気中に取り出し、その柱状晶(24
)にたとえば低硝化度のニトロセルローズの有機溶媒液
たとえばアセトン溶液を塗布して柱状晶(24)間にニ
トロセルローズを浸透させる。しかるのちたとえば真空
中で有機溶媒を蒸発させて柱状晶(24)間にニトロセ
ルローズを残存させる。その後、この基板(イ)を不活
性ガスまたは真空中で200〜300’Cに昇温しでベ
ーキングし、炭化膜からなる光吸収層(25)を柱状晶
(24)間に形成する。
CΦを除湿された人気中に取り出し、その柱状晶(24
)にたとえば低硝化度のニトロセルローズの有機溶媒液
たとえばアセトン溶液を塗布して柱状晶(24)間にニ
トロセルローズを浸透させる。しかるのちたとえば真空
中で有機溶媒を蒸発させて柱状晶(24)間にニトロセ
ルローズを残存させる。その後、この基板(イ)を不活
性ガスまたは真空中で200〜300’Cに昇温しでベ
ーキングし、炭化膜からなる光吸収層(25)を柱状晶
(24)間に形成する。
さらにその後この柱状晶(24)にアルミニウムを真空
蒸着する。
蒸着する。
光電面■の形成は、上記X線発光蛍光体層(20h1形
成された基板CのをX線イメージ管の外囲器内に他の電
極とともに取り付け、排気、ガス出しをおこなったのら
、上記外囲器に取り付けられた光電物質発生器を加熱し
て光電1勿?またとえば5bC5KNaを蒸析すること
により形成される。
成された基板CのをX線イメージ管の外囲器内に他の電
極とともに取り付け、排気、ガス出しをおこなったのら
、上記外囲器に取り付けられた光電物質発生器を加熱し
て光電1勿?またとえば5bC5KNaを蒸析すること
により形成される。
上記のよう13入力而を構成すると、X線発光蛍光体の
+F状晶(24)を長くしてXI♀吸収早を人にしても
、解像度の低下が少く、被写体の被曝を少くするパノ9
■と覆ることが′Cさる。−ス41わら、この入力面は
、X線発光蛍光体層QOを構成−qる柱状晶(24)間
に光吸収層(25)か設けられているので、+↑状晶(
24)の側面から隣接柱状晶に入q・1する光の甲を減
少づることができ、I1状品(24)を長くしてX、腺
吸収量をふやしても、解像度の低下を防止することかで
きる。また柱状晶(24)は、)J板C■の凸面に形成
され、その凸面の前方においてこのり仮CΦの中心軸と
交差するように中心軸に対して傾斜し、X線の放射方面
と同じ向きに形成されているのC1従来の入力面のよう
に同一経路のX線が隣接する複数の柱状晶に入射するこ
とが少く、したがって解像度の低下を防止することがで
きる。また各柱状晶(24)の先端に設けられたアルミ
ニウム膜(26)は、光電面e21に対して反対方向に
伝播する光を反射し、光電面(221に到達する光の量
をふやす効果がある。ざらに着色光透過ガラスからなる
基板CΦは、第2図に矢印(32)で示すように、基板
[相]中を斜めに横切る光をその長い経路により減衰さ
せ、基板CΦ中を光が通るとき生ずる光の拡散による解
像度低下を減少させる。また安定なガラス部材であるた
め、高感度りり光電面抵抗の小さい光電面を容易に形成
することができる。さらにまたこの入力面は、従来の入
力面のようにX線入射側に基板をもたないので、被写体
を透過したX線を損失なくX線発光蛍光体層(120に
入射させることができ、したがって少いX線量で蛍光体
層(21)を所要に発光させることができる。
+F状晶(24)を長くしてXI♀吸収早を人にしても
、解像度の低下が少く、被写体の被曝を少くするパノ9
■と覆ることが′Cさる。−ス41わら、この入力面は
、X線発光蛍光体層QOを構成−qる柱状晶(24)間
に光吸収層(25)か設けられているので、+↑状晶(
24)の側面から隣接柱状晶に入q・1する光の甲を減
少づることができ、I1状品(24)を長くしてX、腺
吸収量をふやしても、解像度の低下を防止することかで
きる。また柱状晶(24)は、)J板C■の凸面に形成
され、その凸面の前方においてこのり仮CΦの中心軸と
交差するように中心軸に対して傾斜し、X線の放射方面
と同じ向きに形成されているのC1従来の入力面のよう
に同一経路のX線が隣接する複数の柱状晶に入射するこ
とが少く、したがって解像度の低下を防止することがで
きる。また各柱状晶(24)の先端に設けられたアルミ
ニウム膜(26)は、光電面e21に対して反対方向に
伝播する光を反射し、光電面(221に到達する光の量
をふやす効果がある。ざらに着色光透過ガラスからなる
基板CΦは、第2図に矢印(32)で示すように、基板
[相]中を斜めに横切る光をその長い経路により減衰さ
せ、基板CΦ中を光が通るとき生ずる光の拡散による解
像度低下を減少させる。また安定なガラス部材であるた
め、高感度りり光電面抵抗の小さい光電面を容易に形成
することができる。さらにまたこの入力面は、従来の入
力面のようにX線入射側に基板をもたないので、被写体
を透過したX線を損失なくX線発光蛍光体層(120に
入射させることができ、したがって少いX線量で蛍光体
層(21)を所要に発光させることができる。
つぎに他の実施例について述べる。
上記実施例では、基板に並列形成された柱状晶にニトロ
セルローズ溶液を塗イ5したのち、これを炭化して光吸
収層を形成したが、この光吸収層は、カーボン懸濁液中
に柱状晶が形成された基板を浸漬するなど伯の方法で形
成してもよい。
セルローズ溶液を塗イ5したのち、これを炭化して光吸
収層を形成したが、この光吸収層は、カーボン懸濁液中
に柱状晶が形成された基板を浸漬するなど伯の方法で形
成してもよい。
基板面に形成されたX線発光蛍光体層を構成する並列し
た多数の柱状晶間に光吸収層を介在させることにより、
柱状晶側面から隣接柱状晶に入射する光の量を減少させ
るようにしたので、柱状晶長くしてX線の吸収量をふや
すように構成しても、解像度の低下を防止することがで
き、したがって被写体の被曝を少くし、カリ解像度のよ
い高性能X線イメージ管と覆ることができる。
た多数の柱状晶間に光吸収層を介在させることにより、
柱状晶側面から隣接柱状晶に入射する光の量を減少させ
るようにしたので、柱状晶長くしてX線の吸収量をふや
すように構成しても、解像度の低下を防止することがで
き、したがって被写体の被曝を少くし、カリ解像度のよ
い高性能X線イメージ管と覆ることができる。
第1図はこの発明の一実施例であるX線イメージ管の入
力面の一部を示す断面図、第2図1よその一部を拡大し
て示す断面図、第3図は基体にX線発光蛍光体層を形成
する装置の図、第4図はX線イメージ管を使用した被写
体I2察システムの図、第5図は従来のX線イメージ管
の入力面の一部を示す図である。
力面の一部を示す断面図、第2図1よその一部を拡大し
て示す断面図、第3図は基体にX線発光蛍光体層を形成
する装置の図、第4図はX線イメージ管を使用した被写
体I2察システムの図、第5図は従来のX線イメージ管
の入力面の一部を示す図である。
Claims (6)
- (1)基板面に並列した多数の柱状晶からなるX線発光
蛍光体層が設けられ、その柱状晶間に光吸収層が介在す
ることを特徴とするX線イメージ管の入力面。 - (2)光吸収層はカーボン層からなることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のX線イメージ管の入力面。 - (3)基板は球面状をなし、その凸面に柱状晶からなる
X線発光蛍光体層が設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のX線イメージ管の入力面。 - (4)X線発光蛍光体層の柱状晶は球面状基板の凹面側
においてこの基板の中心軸と交差するように上記中心軸
に対して傾斜していることを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載のX線イメージ管の入力面。 - (5)X線発光蛍光体層は各柱状晶の先端部を覆う連続
したアルミニウム膜を有することを特徴とする特許請求
の範囲第3項または第4項記載のX線イメージ管の入力
面。 - (6)基板は着色光透過ガラスからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第3項記載のX線イメージ管の入力面
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18049885A JPS6243046A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | X線イメ−ジ管の入力面 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18049885A JPS6243046A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | X線イメ−ジ管の入力面 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243046A true JPS6243046A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16084291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18049885A Pending JPS6243046A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | X線イメ−ジ管の入力面 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6243046A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338926A (en) * | 1991-05-24 | 1994-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging tube having a light-absorbing property |
CN1051871C (zh) * | 1992-05-23 | 2000-04-26 | 东芝株式会社 | X射线图像管及其制造方法 |
JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層,変換層,x線情報の読出装置及びx線カセット |
KR100436087B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2004-06-12 | 한상효 | 탄소나노튜브를 이용한 방사선 광캐소드와 이를 이용한방사선 검출장치 및 방사선 이미지 측정장치 |
JP2008064131A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Daiwa Kasei Ind Co Ltd | 部品結合構造 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18049885A patent/JPS6243046A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338926A (en) * | 1991-05-24 | 1994-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging tube having a light-absorbing property |
US5445846A (en) * | 1991-05-24 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray imaging tube |
CN1051871C (zh) * | 1992-05-23 | 2000-04-26 | 东芝株式会社 | X射线图像管及其制造方法 |
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KR100436087B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2004-06-12 | 한상효 | 탄소나노튜브를 이용한 방사선 광캐소드와 이를 이용한방사선 검출장치 및 방사선 이미지 측정장치 |
JP2008064131A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Daiwa Kasei Ind Co Ltd | 部品結合構造 |
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