JPH041987B2 - - Google Patents
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- JPH041987B2 JPH041987B2 JP16024082A JP16024082A JPH041987B2 JP H041987 B2 JPH041987 B2 JP H041987B2 JP 16024082 A JP16024082 A JP 16024082A JP 16024082 A JP16024082 A JP 16024082A JP H041987 B2 JPH041987 B2 JP H041987B2
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- JP
- Japan
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- columnar
- photocathode
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- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＸ線螢光増倍管（以下IAと略す）
の入力面の改良に関する。
の入力面の改良に関する。
従来よりIAの入力面の螢光膜にはCSＩが用い
られているが、画像の解像度やコントラストを向
上させるためにCSＩの柱状結晶を個々に成長させ
る必要がある。すなわち第１図に示すように、
Al等の金属基板１のＸ線入射側（入力側）とは
反対の面に柱状CSＩ結晶２を個々に多数成長させ
る。しかしながらこのような構造であると電子放
出側（出力側）に配置すべき光電面３を柱状CSＩ
結晶２の成長先端側に形成しなければならず、光
電面３の作成が製造上相当に困難になる。
られているが、画像の解像度やコントラストを向
上させるためにCSＩの柱状結晶を個々に成長させ
る必要がある。すなわち第１図に示すように、
Al等の金属基板１のＸ線入射側（入力側）とは
反対の面に柱状CSＩ結晶２を個々に多数成長させ
る。しかしながらこのような構造であると電子放
出側（出力側）に配置すべき光電面３を柱状CSＩ
結晶２の成長先端側に形成しなければならず、光
電面３の作成が製造上相当に困難になる。
この発明は上記に鑑み、光電面の製造を容易に
するとともに各柱状CSＩ結晶間のクロストーク等
をも改善したIAの入力面を提供することを目的
としている。
するとともに各柱状CSＩ結晶間のクロストーク等
をも改善したIAの入力面を提供することを目的
としている。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。第２図に示すように、この発
明によるIAの入力面はＸ線入射側に向かつて成
長させられた多数の柱状CSＩ結晶４よりなるCSＩ
膜１０を有し、この各柱状CSＩ結晶４の成長先端
側から各結晶を包み込むようにAlのメタライズ
層５が形成されている。このメタライズ層５は光
の反射層として機能するもので、Alの他の例え
ばCr、Mg、Ti、Zr等の金属を用いることができ
る。柱状CSＩ結晶４は後述のように型から成長さ
せられるが、その型を剥離した後の面、すなわち
結晶成長側とは反対の面にバリヤ層６を介して光
電面７が形成されている。
しながら説明する。第２図に示すように、この発
明によるIAの入力面はＸ線入射側に向かつて成
長させられた多数の柱状CSＩ結晶４よりなるCSＩ
膜１０を有し、この各柱状CSＩ結晶４の成長先端
側から各結晶を包み込むようにAlのメタライズ
層５が形成されている。このメタライズ層５は光
の反射層として機能するもので、Alの他の例え
ばCr、Mg、Ti、Zr等の金属を用いることができ
る。柱状CSＩ結晶４は後述のように型から成長さ
せられるが、その型を剥離した後の面、すなわち
結晶成長側とは反対の面にバリヤ層６を介して光
電面７が形成されている。
このような構造の入力面は例えば次のようにし
て作られる。まず第３図に示すように、IAの入
力面に適した曲面を有する型８の上に真空蒸着法
によりCSＩ膜１０を形成し、所望の熱処理を行な
い発光効率を高める。その後CSＩ膜１０の上に
Alを400〜1500Åの厚さで蒸着し、反射層として
機能するメタライズ層５を形成する。次にCSＩ膜
１０を型８から剥離する。この場合、熱応力を利
用すれば型８からの剥離を容易に行なうことがで
きる。さらにシリコン系の剥離剤を８に塗布して
おけばこの剥離はなお一層容易に行なうことがで
きる。このCSＩ膜１０は、型８から剥離された
後、結晶成長側とは反対の面、すなわち型８を剥
離した面にバリヤ層６が設けられ、その後IAの
管内に配置されてこのバリヤ層６上に光電面７が
作成される。型８から剥離した面は滑らかでしか
も連続面なので光電面７は効率よく作成できる。
て作られる。まず第３図に示すように、IAの入
力面に適した曲面を有する型８の上に真空蒸着法
によりCSＩ膜１０を形成し、所望の熱処理を行な
い発光効率を高める。その後CSＩ膜１０の上に
Alを400〜1500Åの厚さで蒸着し、反射層として
機能するメタライズ層５を形成する。次にCSＩ膜
１０を型８から剥離する。この場合、熱応力を利
用すれば型８からの剥離を容易に行なうことがで
きる。さらにシリコン系の剥離剤を８に塗布して
おけばこの剥離はなお一層容易に行なうことがで
きる。このCSＩ膜１０は、型８から剥離された
後、結晶成長側とは反対の面、すなわち型８を剥
離した面にバリヤ層６が設けられ、その後IAの
管内に配置されてこのバリヤ層６上に光電面７が
作成される。型８から剥離した面は滑らかでしか
も連続面なので光電面７は効率よく作成できる。
なお、CSＩ膜１０を真空蒸着する際、第３図に
示すように金属のサポートリング（円環状金属
板）９をCSＩ膜１０の端部に配置して真空蒸着を
行ないCSＩ膜１０とサポートリング９とを一体化
させてからCSＩ膜１０を型８より剥離するように
してもよい。こうするとCSＩ膜１０の機械的強度
が増す。さらにこのサポートリング９はIAの電
極として利用することができる。
示すように金属のサポートリング（円環状金属
板）９をCSＩ膜１０の端部に配置して真空蒸着を
行ないCSＩ膜１０とサポートリング９とを一体化
させてからCSＩ膜１０を型８より剥離するように
してもよい。こうするとCSＩ膜１０の機械的強度
が増す。さらにこのサポートリング９はIAの電
極として利用することができる。
このような構想の入力面は第４図に模式的に示
すように柱状CSＩ結晶４内で発光した光はメタラ
イズ層５で反射して全て光電面７に向かうため、
光が効率良く光電面７に伝えられ、IAの出力輝
度が高くなるとともに、各柱状CSＩ結晶４がメタ
ライズ層５でそれぞれ包み込まれているため、隣
接する柱状CSＩ結晶４に光が入ることなく柱状CS
Ｉ結晶４間の光のストロークが殆んど抑えられ、
画像の解像度及びコントラストが向上する。さら
に従来のように金属基板を用いる必要がないため
金属基板によるＸ線吸収がなくなり、Ｘ線利用効
率が高くなるとともに金属基板による錯乱Ｘ線の
発生がなくなり画像のコントラストが高まる。
すように柱状CSＩ結晶４内で発光した光はメタラ
イズ層５で反射して全て光電面７に向かうため、
光が効率良く光電面７に伝えられ、IAの出力輝
度が高くなるとともに、各柱状CSＩ結晶４がメタ
ライズ層５でそれぞれ包み込まれているため、隣
接する柱状CSＩ結晶４に光が入ることなく柱状CS
Ｉ結晶４間の光のストロークが殆んど抑えられ、
画像の解像度及びコントラストが向上する。さら
に従来のように金属基板を用いる必要がないため
金属基板によるＸ線吸収がなくなり、Ｘ線利用効
率が高くなるとともに金属基板による錯乱Ｘ線の
発生がなくなり画像のコントラストが高まる。
以上、実施例について説明したように、この発
明によれば、光電面を効率よく作成できるととも
にIAの出力輝度を高め、かつ柱状CSＩ結晶間の
クロストークをなくして画像の解像力及びコント
ラストを向上させ、しかもＸ線利用効率の増大を
図り、錯乱Ｘ線の発生をも抑えることができる。
明によれば、光電面を効率よく作成できるととも
にIAの出力輝度を高め、かつ柱状CSＩ結晶間の
クロストークをなくして画像の解像力及びコント
ラストを向上させ、しかもＸ線利用効率の増大を
図り、錯乱Ｘ線の発生をも抑えることができる。
第１図は従来の断面図、第２図はこの発明の一
実施例の断面図、第３図は製造工程を説明するた
めの模式的な断面図、第４図は動作を説明するた
めの模式図である。 １……金属基板、２，４……柱状CSＩ結晶、
３，７……光電面、５……メタライズ層、６……
バリヤ層、８……型、９……サポートリング、１
０……CSＩ膜。
実施例の断面図、第３図は製造工程を説明するた
めの模式的な断面図、第４図は動作を説明するた
めの模式図である。 １……金属基板、２，４……柱状CSＩ結晶、
３，７……光電面、５……メタライズ層、６……
バリヤ層、８……型、９……サポートリング、１
０……CSＩ膜。
Claims (1)
- １ 所定の曲面を有する型よりＸ線入射側に向か
つて成長させられた多数の柱状CSＩ結晶よりなる
CSＩ膜と、前記各柱状CSＩ結晶を成長先端側より
包み込むように形成されたメタライズ層と、前記
型を剥離した後のCSＩ膜の成長側とは反対の面に
形成された光電面とを有して構成されるＸ線螢光
増倍管の入力面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16024082A JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16024082A JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949141A JPS5949141A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH041987B2 true JPH041987B2 (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=15710727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16024082A Granted JPS5949141A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | Ｘ線螢光増倍管の入力面 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949141A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625838B1 (fr) * | 1988-01-13 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| US4992699A (en) * | 1989-09-05 | 1991-02-12 | Eastman Kodak Company | X-ray phosphor imaging screen and method of making same |
| JP2996711B2 (ja) * | 1990-10-18 | 2000-01-11 | 株式会社東芝 | Ｘ線イメージ管及びその製造方法 |
| GB2553517B (en) * | 2016-09-01 | 2019-12-11 | Scintacor Ltd | Caesium lodide (Csl) materials |
| GB2570058B (en) * | 2016-09-01 | 2020-02-12 | Scintacor Ltd | Caesium iodide (Csl) materials |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP16024082A patent/JPS5949141A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5949141A (ja) | 1984-03-21 |
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