JPH0143421B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はイメージ管や螢光板のような放射線励
起螢光面およびその製造方法に関する。 イメージ管のうちよく知られているＸ線螢光増
倍管の構成について第１図を参照して説明する。
Ｘ線螢光増倍管は真空外囲器１と、この外囲器１
内に配設された入力面３と、出力螢光面４と加速
電極５とがあり、さらに外囲器１の筒状部分の内
面に集束電極６が形成されている。入力面はＸ線
７を透過しやすい基板例えばアルミニウム基板８
上に螢光体層９を形成した螢光面１０がありその
上に光電面１１が形成されたものである。この様
なＸ線螢光増倍管は次の様に動作し、使用され
る。Ｘ線７が被写体１２に照射され、この被写体
１２のＸ線吸収能により二次元的に変調されたＸ
線像がＸ線螢光増倍管の外囲器１の前面を透過
し、入力面３に入る。ここで基板８を透過したＸ
線は螢光体層９を発光させた光に変換される。発
光した光は光電面１１より光電子１４を放出す
る。光電子１４は集束電極６によつて集束されな
がら加速電極５によつて25〜30kVに加速されて
出力螢光面４で再び可視光に変換され像を結ぶ。
この像は入力面の螢光体層９で得られる光像より
格段に明るい像として出力螢光面４で得られる。 さて、今日よく知られているＸ線螢光増倍管の
入力螢光面とその製造方法の１つは、特開昭52−
136560号公報に開示されるようにあらかじめ基板
面に細かい溝を形成しておき、その上に沃化セシ
ウム（CsI）螢光体を蒸着して細かい亀裂による
ライトガイド（光案内）作用をもつ螢光面をつく
る技術である。このほかに、特開昭50−109662号
公報に開示されるように、基板上に直径20〜70μ
ｍの細かいガラス球の層を付着し、その上に螢光
体層を形成し、ガラス球相互の隙間から延びる微
小チヤンネル（隙間）によりライトガイド作用を
得る技術も公知である。また特公昭55−19029号
公報にもこれと同様の亀裂をもつ螢光面について
開示されている。このような基板面上に微細な溝
や凹凸を形成することは、製造上きわめて煩雑で
あり好ましくなく、しかもこれは発光層とならず
効率がよくない。一方、CsIのようなアルカリハ
ライド蛍光体の蒸着による層は、基板に垂直に延
びる平均約2μｍ以下の直径の針状結晶構造とし
て形成され易いことも知られている。この針状結
晶構造自体は、いくらかライト・ガイド作用を呈
することも知られているが、単なるこのような針
状結晶だけでは解像度を充分高めるのには、あま
り役立たない。やはり積極的に微細な隙間で隔て
られた島状もしくは柱状の結晶塊構造とすること
が必要であつた。このため上記３つの公知刊行物
に開示されたものでは、螢光体層に基板に対して
垂直に延びる亀裂により、数本ないし数十本の針
状結晶を１つの20〜100μｍ直径の島状もしくは
柱状に束ねてライトガイド作用をもつＸ線螢光増
倍管の入力螢光面を得ているものである。他方、
特開昭53−23266号公報には高真空度のもとでCsI
を蒸着した２層の螢光体層を、350℃30分程度熱
処理して柱状結晶に成長させ、ライトガイド作用
をもたせる技術が開示されている。これは適当な
太さの柱状結晶を安定的に得るための温度等の条
件設定が微妙な点に、なお改良を要する。また、
異なる活性剤を含むCsIの複数層となした螢光面
は特開昭52−23254号公報に、またさらにこれは
出力螢光面に関するものであるが特開昭53−
23265号公報に開示されるように多孔質螢光体層
と緻密質螢光体層との複合層構造にすることも知
られている。しかしこれはZnS螢光体の場合であ
り、750℃の熱処理をくり返して行ないこのよう
な層を得るもので、CsIのような螢光体の相当厚
い蒸着層の形成にはそのまま適用できない。 さらにライトガイド作用をもたせる公知技術と
して、特開昭55−165553号がある。この発明は
ZnCdS蛍光体粒子を沈澱法や遠心力法によつて
薄層に形成し、その上に柱状の集束体を蒸着させ
るものである。しかし、ZnCdS蛍光体粒子の上
に形成されたCsI層は熱膨張係数の違いによりCsI
層と剥れ易い欠点を有する。さらに本発明者らが
特願昭55−80146号（特開昭57−7051号公報）に
おいて提案した発明は、好適には表面が平らな基
板に結晶粒子の大きさが平均15μｍ以下の粒状の
第１の螢光体層と、この個々の結晶粒子を種とし
て互いに光学的に分離された柱状結晶の第２の螢
光体層とからなる新規な螢光面である。この螢光
体面は解像度が大幅に改善される。しかし個々に
隣接した柱状結晶の表面部分すなわちその上に光
電面を形成する頂上面部では空間的に分離されて
形成されているため、光電面がところどころ分離
されて被着される場合があり、この場合は動作中
に光電面にわたつて電子の供給が充分には行なわ
れず、出力像にゆがみを起してしまう。したがつ
て第１および第２のCsI蒸着螢光層の蒸着条件を
厳密に制御してこの問題の発生を防止する必要が
ある。一方、このような光電面の部分的な分離の
問題を解決する１つの解決策として特開昭49−
76462号公報に示されるように、0.1〜25μｍとい
う厚い酸化インジウム膜をCsI螢光膜の表面に形
成する考え方もある。しかしながら実際問題とし
て、ピツチが15μｍ以下で隣接する柱状結晶の結
晶相互間に例えば1μｍというように小さい空間
がある場合に、酸化インジウム膜でCsI螢光面の
全面に電子の供給を行なわせるような膜にするこ
とは発明者らの実験によればほとんど不可能であ
る。さらに酸化インジウム膜が厚いとこの膜中に
インジウム金属が残留するため光透過率が悪く感
度の低下をきたす。また仮りに電子の供給が全面
に行われたにしても、螢光膜の表面の凹凸がはげ
しいためこの表面に形成される光電面は感度のよ
いものが得にくい。 この発明は以上のような従来公知の技術では達
成しえないすぐれた解像度、光電感度をもち、か
つ電子の供給不足による出力像のゆがみが生じな
い改良された入力螢光面を提供するものである。
そしてその特徴とするところは、特願昭55−
80146号において本発明者らが提案した入力螢光
面の第２の蒸着螢光層上に高真空度のもとで平均
的な厚さが１〜30μｍの高密度の第３のCsI蒸着
螢光層を形成する点にある。このような高真空度
のもとでCsIを蒸着すると、互いにわずかな空隙
で分離された第２蒸着CsI螢光層の柱状結晶の上
面に、表面が連続的で前記空隙を埋める如く比較
的平滑な第３の蒸着螢光体層が形成される。なお
この第３の蒸着層が平均30μｍ以上の厚さになる
と逆に解像度の低下をきたし、また1μｍ以下と
いうように極く薄いと第２蒸着層による表面凹凸
がそのまま残り、感度不足、出力像のゆがみが解
消されない。 また、このようにして形成した第３の蒸着螢光
層上に、厚さ5000Å以下、好ましくは約2000〜
2500Å程度の酸化インジウム膜を直接または200
〜1000Åの厚さ、好ましくは約400Å程度の酸化
アルミナ層を介して被着形成し、その後この上に
光電面を形成してもよく、これによつて出力像の
ゆがみがなく、高感度、高解像度の入力螢光面を
得ることができる。 次にこの発明の実施例を図面を参照して説明す
る。なお同一部分は同一符号であらわす。 本発明の放射線励起螢光面は第２図に好適な例
として断面を図式的に示すように、基板８の平担
な表面上に、螢光体の蒸着による平均15μｍ以下
の大きさの結晶粒子がほぼ１〜２層敷きつめられ
た第１蒸着層２１と、この層２１の結晶粒子の１
つ１つもしくは複数の粒子の突起面上に結晶成長
され、基板８に対して垂直方向に第１層２１の厚
さの約10倍以上に蒸着されて例えば平均7μｍの
ピツチで密に並ぶ柱状結晶塊のアルカリハライド
螢光体の第２蒸着層２２と、さらにこの層２２の
上にこの層２２よりも緻密な蒸着結晶構造をもつ
CsIのようなアルカリハライド螢光体の第３の蒸
着層２３とを有してなる。これら第１蒸着層２
１、第２蒸着層２２および第３蒸着層２３により
全体の厚さが100〜400μｍの螢光体層９が構成さ
れている。そしてとくに最も厚い第２蒸着層２２
を構成する柱状結晶塊の１つ１つがライトガイド
作用を呈するものである。また第３の蒸着層２３
は、全面にわたる平均厚さが30μｍ以下、1μｍ以
上が好ましく、これは第１あるいは第２蒸着層２
１，２２のようなライトガイド作用はほとんどな
く、第２蒸着層の表面を連続的かつより平滑にす
るものである。そして第１蒸着層、第２蒸着層お
よび第３蒸着層はわずかではあるが互いに境界を
もつて一体的に結着されており、これらのすべて
の層がＸ線、ガンマ線のような放射線の励起によ
り発光して高い変換能率を有し、また主として第
１および第２蒸着層により螢光体層の横方向への
光の拡散が防止される。つまり、かかる螢光面に
Ｘ線を照射して螢光体を発光させると光の大部分
はフアイバーオプテイツクスの原理で柱状結晶塊
の中を全反射をくり返しながら、横方向に殆んど
拡散することなく、基板に対して垂直方向に取り
出されるので、解像度の大巾な向上をもたらす。
さらにこの発明によれば螢光面の厚さを充分厚く
出来るため輝度、量子ノイズ特性ともに著しく向
上する。さらに第３蒸着層によつて表面が連続的
かつかなり滑らかになるので、この上に形成され
る光電面１１も連続的かつ平滑度の比較的よい状
態で形成でき、管動作時の螢光面全面、とくに螢
光面中央部への電子供給が不足することなく、像
ゆがみや、表面の凹凸による光電変換感度の低下
が防止できる。 以下、第１表に本実施例と先行技術（特願昭55
−80146号）との性能の比較表を示す。

【表】 尚、実験に用いた前記２種類の蛍光面の全体の
膜厚は270μｍであり、３層蒸着蛍光面の第３層
のCsI：Na蒸着蛍光体層の膜厚は10μｍを適用し
た。この比較結果から明らかなように、本発明に
係る放射線励起蛍光面を使用した場合、優れた解
像度特性をほぼ維持しながら光電感度の向上は約
30％および出力像のゆがみ発生はほとんど無くな
る効果を有する。 第３図はこの発明の他の実施例であり、第３の
蒸着層２３の上に、直接または200〜1000Åの厚
さの酸化アルミニウムの透明保護膜１５を介して
5000Å以下の厚さの酸化インジウムの導電性保護
膜１６を形成し、その上に光電面１１を形成した
ものである。これによつて光電面への電子の供給
はさらに完壁となり、像ゆがみは起らず、高感
度、高解像度の入力螢光面が得られる。 次にこの発明の好ましい製造方法にしたがつて
さらに詳しく説明する。 第４図は基板上に雰囲気中もしくは高真空中で
螢光体層を蒸着形成する装置の概略図で真空槽３
０および真空槽基板３１とこの一部に設けられた
排気口３２を有する。真空槽３０の内部には蒸発
源を収容、加熱するためのボート３３があり、ボ
ートの中には蒸着物３４が充填されている。ボー
ト３３の開口端上部に基板８があり、螢光体はこ
の表面に蒸着され螢光体層９を形成する。基板８
の上部を略覆うような形で基板加熱用ヒーター３
７が配設されている。膜厚制御用の測定子（図示
せず）が基板と並設されている。真空槽基板３１
を貫通してガスを導入するための管３８および真
空計４０が取付けられており、ガス導入管３８に
は微少量の気体流入を制御できるバリアブルリー
クバルブ３９が取付けられている。 さて第４図の装置で例えばＸ線螢光増倍管の入
力螢光面に使用される沃化セシウムを蒸着して螢
光面を形成する好ましい方法について述べる。真
空槽３０内の圧力を１×10^-7Torrまで排気し、
基板加熱用ヒーター３７を300〜500℃に加熱して
基板８表面を清浄する。次いで基板加熱用ヒータ
ー３７を100℃に設定し、バリアブルバルブ３９
を開いて真空槽３０内にアルゴンガスを導入し圧
力を５×10^-8Torrに保持した状態で、ボート３
３に通電し、ボートの中に充電されている螢光体
３４たとえば沃化セシウムを蒸発させる。沃化セ
シウムの結晶粒子が基板８上に粒状のあたかも砂
利を敷詰めたかのようにほぼ１〜２層程度蒸着出
来たら蒸着を止める。このように第１の蒸着層が
形成される。 次にバリアブルバルブ３９をわずかに閉めて真
空槽３０内の真空度を８×10^-4Torrにし、かつ
基板加熱ヒータ３７を100℃に設定した後、再び
ボート３３に通電して螢光体３４を膜厚が約
250μｍになるまで蒸着する。この蒸着により第
１の蒸着層の各突起部分を種として互に分離され
た平均ピツチ15μｍ以下の柱状塊よりなる第２の
蒸着層が形成される。 なお、基板８上に蒸着したこれら螢光体層は、
その各柱状結晶塊が互いに微細な空隙によつて隔
絶されているので柱状塊の各々の結晶はフアイバ
ーオプテイツクスのように結晶の横方向へ光をほ
とんど通さず基板と垂直方向へ選択的に光を通す
ライトガイド作用をもつている。しかも第１およ
び第２の蒸着螢光体層の膜厚を400μｍ程度迄厚
くしても良好なフアイバーオプテイツクス作用が
得られた。 また、前記した第１の蒸着層を形成する条件と
して基板温度は20〜150℃、H₂Oを含まない雰囲
気で真空度は１×10^-3〜１×10^-2Torrで、沃化
セシウム螢光体を蒸着した場合、多孔性蒸気層の
結晶粒子の平均的な大きさは7μｍ程度（最小1.5μ
ｍ、最大20μｍ程度）で、各結晶粒子による隣接
する突起のピツチは平均15μｍ以下のものが得ら
れる。また蒸着材料としては沃化セシウムに限定
されるものではなく、他のアルカリハライドを選
定することが出来る。 さらにまた前記第２のアルカリハライド螢光体
蒸着層を形成する条件としては、基板温度20〜
150℃H₂Oを含まず、かつ螢光体と化学的に反応
しないガス雰囲気で真空度１×10^-4〜１×
10^-2Torrで各々の温度、真空度において最適な
蒸着速度を選定することにより第１の蒸着層の突
起を種として400μｍ程度の膜厚迄良好なフアイ
バーオプテイツクス作用を有する平均ピツチ15μ
ｍ以下の柱状結晶塊を得ることが出来る。従つ
て、第１のアルカリハライド蛍光体蒸着層と第２
のアルカリハライド蛍光体蒸着層は同じ雰囲気で
実施してもよい。膜厚を400μｍよりさらに厚く
することが出来る螢光体の透過率は100％でない
ため輝度が逆に低下してくる。本雰囲気蒸着に使
用する導入ガスはアルゴンに限定されるものでは
なく第１、第２蒸着物質と化学的に反応しないガ
スであり、たとえば不活性ガス全般その他N₂ガ
ス、N₂＋H₂混合ガス等でもよい。 さて、以上のように第１および第２蒸着層２
１，２２を形成したのち、蒸着装置のバリアブル
バルブ３９を完全に閉めて、真空槽３０内の圧力
を１×10^-5Torr以下、好ましくは１×10^-2Torr
以下の高真空度にする。そして基板８の温度を基
板加熱用ヒーター３７により100〜350℃の範囲に
設定して、ボート３３の中の沃化セシウム蒸着物
３４を蒸発させる。この真空度のもとでの第３蒸
着層２３の形成は、平均的な層厚が１〜30μｍ好
ましくは約15μｍとなるようにする。一般的には
この第３蒸着層２３を5μｍ以下のように比較的
薄く形成したい場合は基板８の温度を例えば300
℃程度に高く設定し、逆に30μｍのように厚くし
たい場合には温度を例えば100℃のように低く設
定する方が望ましい。このようにして全層厚が
100〜400μｍとなるように螢光体層を形成する。 また第３図に示すように第３の蒸着層２３の上
に保護膜１５，１６を被着させるには、上述の実
施例の如く第１〜３の蒸着層を形成したのち基板
を真空槽３０内からとり出し、別の真空装置を用
いて、第３蒸着層２３の上に直接あるいは200〜
1000Åの厚さに酸化アルミニウムの保護膜１５を
介して5000Å以下の厚さの酸化インジウムの保護
膜１６を順次被着形成する。 そしてこのように形成した入力螢光面をもつ基
板を、例えばＸ線螢光増倍管に組み込み、光電面
を被着形成する。 なお、以上の本発明実施例では、第１、第２お
よび第３の蒸着層共に一つのボートに充填した沃
化セシウムを用いたが、各々の蒸着物質が異なる
場合、ボートは複数個用いれば良い訳である。 第５図に沃化セシウムを用い基板温度100℃、
真空度５×10^-3Torrアルゴン雰囲気中で蒸気し
た第１の蒸着層の走査形電子顕微鏡写真（倍率
1000倍）を示す。隣接する突起のピツチは平均で
約7μｍである。螢光体結晶粒子は約1.5μｍ〜20μ
ｍの大きさで分布し、平均約7μｍである。この
粒子がほぼ１〜２層に敷きつめられた状態となつ
ている。また第６図および第７図は、第５図で示
す第１の蒸着層の上に第２の蒸着層として沃化セ
シウム螢光体を基板温度100℃、真空度８×
10^-4Torrアルゴン雰囲気中で膜厚230μｍまで蒸
着したものの走査形電子顕微鏡写真（倍率は第６
図のものが300倍、第７図のものが1000倍）で、
螢光体柱状塊が表面迄きれいに成長していること
がわかる。この場合の螢光体柱状結晶塊の直径は
平均約7μｍ（２〜20μｍ直径の範囲で分布してい
る）で、隣接するもの同志互に密接もしくは極め
てわずかな隙間を保つて近接しあいながら比較的
高密度に並んでいることがわかる。しかも既述し
た公知刊行物にみるような数本ないし数十本を束
ねたような太い柱状もしくは島状に形成する無数
の亀裂のようなものはほとんど認められない。 さらに第８図に同じく沃化セシウムを用いて第
３の蒸着層を被着した螢光面（倍率3000倍）を示
す。これから第７図にみられる第２蒸着層を構成
している各柱状結晶間の微細な空隙がこの第３蒸
着層で埋められて連続的で比較的平滑になつた表
面状態が認められる。 すなわち、高真空のもとで真空蒸着することに
より30μｍ以下のようなうすい厚さであつても実
質的に第２蒸着層表面に対し、連続的で比較的平
滑になつた表面状態が得られる。 また第９図に沃化セシウムを前記実施例あるい
は従来公知の方法で形成した各種入力螢光面の解
像度を示す空間周波数特性（MTF）の実測値を
示したが、図中の曲線５１は平担な基板面に単に
CsI蒸着層を膜厚150μｍとした従来構造のもの
で、曲線５２は特開昭52−136560号公報に示され
る酸化アルミニウムモザイクパターンを基板にし
た蒸着螢光面で、膜厚180μｍの場合であり、曲
線５３は本発明らが先に出願した特願昭55−
80146号に記載した方法すなわち第３の蒸着層が
ない場合に特性であり、曲線５４が本発明による
入力螢光面の特性である。この結果から本発明の
螢光面は上記先願の場合の特性５３にくらべて解
像度はほとんど遜色がなく、従来公知のものと比
べると格段に改善されていることがわかる。また
像のゆがみもなく、光電感度もすぐれた蛍光面を
得ることができた。また第１蒸着層と第２蒸着層
及び第３蒸着層はいずれもアルカリハライドであ
るので密着性もよく剥離の問題はない。 以上のように本発明による螢光面は、螢光体層
が蒸着される基板好ましくは平担な基板面を用い
てその上に平均結晶粒子径が15μｍ以下のアルカ
リハライド螢光体結晶を全体の螢光体層の厚さの
10分の１以下の厚さに敷きつめられた第１の蒸着
層と、その上に全体の厚さが約100〜400μｍとな
るまで成長させられた柱状結晶塊からなる第２の
蒸着層およびさらに１〜30μｍの厚さに密に蒸着
された第３の蒸着層とを有してなるため、製作が
容易で、しかも平均直径15μｍ以下となる各柱状
結晶塊によるライトガイド作用および表面の連続
性、平滑性により解像度、輝度、量子ノイズ特
性、像のゆがみ特性のすぐれた螢光面である。そ
して本発明製造方法により、能率よく安定に特性
のよい螢光面をつくることができる。すなわち平
担な表面をもつ基板上に１×10^-3−１×
10^-2Torrの非反応性ガス雰囲気中で粒状で微細
な突起を有する第１の蒸着層を形成する工程と、
この第１の蒸着層の上に１×10^-4〜１×
10^-2Torrの非反応性ガス雰囲気中で螢光体を蒸
着して直径が平均15μｍ以下の柱状結晶塊を基板
に垂直方向に約100μｍ以上成長させると共に隣
接する結晶間に微細なすき間を有して各柱状結晶
塊がフアイバーオプテイツクス作用を有する第２
の蒸着層を形成する工程と、このあと真空度を１
×10^-5Torr、好ましくは１×10^-6Torr以下に高
めて高真空度のもとで第３の蒸着層を第２の層よ
りも充分薄く形成する工程とを具備し、解像度、
輝度、量子ノイズの優れ像ゆがみのない螢光面
を、能率よく安定に再現できるものである。しか
も同じ螢光体材料を用いれば、以上の工程を単一
の蒸着装置の中で単に雰囲気を制御することによ
り連続的に形成でき、きわめて能率よく且つ容易
に製造できる。またすべての蒸着層が放射線励起
で発光するので変換効率もすぐれている。 なお本発明はＸ線螢光増倍管入力螢光面に用い
てとくにすぐれた解像度を実現できるものである
が、これに限定されるものではなく、蒸着法によ
つて製造する放射線励起の螢光面に適用出来るこ
とは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来および本発明の実施例を説明する
ために用いるＸ線螢光増倍管の概略構成図、第２
図は本発明の一実施例の螢光面の概略縦断面図、
第３図は本発明の他の実施例を示す断面図、第４
図は本発明の製造方法を説明する蒸着装置概略構
成図、第５図ないし第８図は各々本発明の途中工
程である第１ないし第３の蒸着膜の平面、一部切
断斜視図および平面図を示す走査形電子顕微鏡写
真、第９図は従来および本発明による螢光面の解
像度特性を示す空間周波数特性図である。 ３……入力面、１０……螢光面、８……基板、
９……螢光体層、２１……第１蒸着層、２２……
第２蒸着層、２３……第３蒸着層、１５……酸化
アルミニウム膜、１６……酸化インジウム膜、１
１……光電面。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 蛍光体層が蒸着される基板と、この基板面上
   に蒸着された蛍光体層とを具備する放射線励起蛍
   光面において、上記蛍光体層は、結晶粒子の平均
   的大きさが15μｍ以下の蛍光体結晶として上記基
   板面上に全蛍光体層厚の10分の１以下の厚さで敷
   きつめられた第１の蒸着層、この第１蒸着層の蛍
   光体結晶粒の上に基板に対してほぼ垂直方向に成
   長させられた柱状結晶塊からなる第２蒸着層、お
   よびこの第２蒸着層の上に厚さ30μｍ以下でか
   つ、各柱状結晶塊の先端部相互間の隙間を埋める
   如く薄く連続層状に蒸着された第３蒸着層を有し
   てなりいずれの層もアルカリハライド蛍光体材料
   からなることを特徴とする放射線励起蛍光面。 ２ 第３蒸着層の上に、直接または厚さ200〜
   1000Åの酸化アルミニウム蒸着膜を介して厚さ
   5000Å以下の酸化インジウム蒸着膜からなる保護
   膜を形成してなる特許請求の範囲第１項または第
   ２項記載の放射線励起蛍光面。 ３ 蒸着装置内に蛍光体層が蒸着される基板を配
   置し、１×10^-3〜１×10^-2Torrの真空度のもと
   で蛍光体を蒸着して結晶粒子の平均的な大きさが
   15μｍ以下の第１蒸着層を形成し、次に１×10^-4
   〜１×10^-2Torrの真空度のもとで上記第１蒸着
   層上にこの第１蒸着層の厚さの10倍以上の厚さに
   なるようにアルカリハライド蛍光体を蒸着して第
   ２の蒸着層を形成し、さらに１×10^-5Torr以下
   の高真空度のもとで前記第２蒸着層上に厚さ30μ
   ｍ以下のアルカリハライド蛍光体を前記第２蒸着
   層を構成する各柱状結晶塊の先端部相互間の〓間
   を埋める如く薄く連続層状に蒸着して第３の蒸着
   層を形成することを特徴とする放射線励起蛍光面
   の製造方法。 ４ 第１蒸着層乃至第３蒸着層の形成条件とし
   て、同じ蛍光体を用いかつ、単一の蒸着装置の中
   でその雰囲気を制御することにより連続的に蒸着
   を行うことを特徴とする特許請求の範囲第３項記
   載の放射線励起蛍光面の製造方法。