JPH04154030A - Ｘ線イメージ管及びその製造方法 - Google Patents

Ｘ線イメージ管及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はＸ線イメージ管及びその製造方法に係り、特
にその入力面の改良に関する。
（従来の技術） 一般にＸ線イメージ管は第８図に示すように構成され、
真空外囲器１内の入力側に入力窓１ａに対向して入力面
２が、出力側に陽極３及び出力面４がそれぞれ配設され
、更に真空外囲器１の内部の側壁に沿って集束電極５が
設けられている。そして、入力面２は、基板６に入力蛍
光体層７と光電面８が順次積層形成されてなっている。
動作時にはＸ線管９からのＸ線が被写体１０を通り、入
力窓１ａと基板６を通過して入力蛍光体層７で光に変換
される。この光は光電面８に達し、電子に変換される。
この電子は集束電極５と陽極３により集束・加速され、
出力面４において可視光像に変換される。このようにし
てＸ線像は可視光像に変換されるか、この可視光像はＴ
Ｖ右カメラシネカメラ、スポットカメラ等により記録さ
れ、医療診断か行なわれる。
このようなＸ線イメージ管の重要な特性の１つに解像度
かある。これは、どのくらい細かい物まで検出出来るか
という特性であり、この特性を決定する重要な要素の１
つに入力面がある。
（発明か解決しようとする課題） 従来の入力面２を拡大して示すと第９図のようになり、
入力蛍光体層７は蛍光体の多数の柱状結晶７ａの形で設
けられている。そして、この柱状結晶７ａの内部でＸ線
１１が光１２に変換される。
この先１２はあらゆる方間に進むが、柱状結晶７ａの表
面に臨界角りよりも大きい角度で入射した光１３は、全
反射する。このような光は、入力面２の横方向には拡が
らず、解像度を劣化させない。
ところか、臨界角りよりも小さい角度で柱状結晶７ａの
表面に入射した光１４は、入力面２の横方向に拡がって
しまい、解像度を劣化させる原因となる。
この発明は、入力面の横方向に拡かった光を光電面に到
達する前に吸収あるいは反射して、高い解像度を得るこ
とか出来るＸ線イメージ管及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、基板上に形成された蛍光体の多数の柱状結
晶からなる入力蛍光体層と、この入力蛍光体層上に直接
又は間接に形成された光電面とからなる入力面を備えた
Ｘ線イメージ管において、上記柱状結晶の表面から内部
にかけて複数の光非透過層か形成されてなるＸ線イメー
ジ管である〇又、この発明は、基板上に所定の蛍光体を
蒸着して多数の柱状結晶からなる入力蛍光体層を形成す
る工程と、この工程の次に所定部材を蒸着して光非透過
層を形成する工程と、この工程の次に上記光非透過層の
表面をスパッタリングして上記柱状結晶の先端付近の光
非透過層を除去する工程と、この工程の次に更に所定の
蛍光体を蒸着する工程とを具備し、上記各工程を繰り返
して、上記柱状結晶の表面から内部にかけて複数の光非
透過層を形成するＸ線イメージ管の製造方法である。
（作用） この発明によれば、入力面の横方向に拡かった光は充電
面に到達する前に吸収あるいは反射され、光電面に到達
することか出来ない。その結果、解像度の劣化を防止す
ることが出来、高い解像度を得ることが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明するが、この発明は入力面を改善したもので、入力面
についてのみ説明することにする。
この発明によるＸ線イメージ管の入力面は、第１図に示
すように構成され、従来例（第９図）と同一箇所には同
一符号を付すことにすると、基板６に入力蛍光体層７と
光電面８が順次積層形成されてなっている。そして、入
力蛍光体層７は蛍光体の多数の柱状結晶７ａの形で設け
られている。
ところで、柱状結晶７ａの屈折率が例えば１．８４とす
ると、動作時に３３°以上の角度Ａで柱状結晶７ａの表
面に達した光は、全反射するので柱状結晶７ａから外へ
出ることはなく、解像度を劣化させることはない。しか
し、３３°よりも小さい角度で柱状結晶７ａの表面に達
した光は、柱状結晶７ａの外へ出るので解像度を劣化さ
せる。
そこで、この発明では、柱状結晶７ａの表面から内部に
かけ、光電面８方向に傾斜させて、複数の光非透過層１
５が形成されている。
この場合、光非透過層１５が形成されている箇所は、柱
状結晶７ａの直径をＢとすると、ＢＸｔａｎ　（３３”
　）よりも大きい長さに亘った柱状結晶７ａの部分１６
である。各先非透過層１５の柱状結晶７ａ内邪の終端１
７は、その層より光電面８に近い隣の層の柱状結晶７ａ
表面近傍部１８よりも光電面８に近くなるように配置す
る。
このような配置にすると、３３″よりも小さな角度で充
電面８と反対の方向から光電面８の方向へ向かう光１９
は光非透過層１５に必ず到達し、光電面８には到達しな
い。
尚、光非透過層１５よりも光電面８に近い部分の柱状結
晶７ａの中で、Ｘ線から変換された光は光非透過層１５
に到達することなく光電面８に達してしまうので、光非
透過層１５は出来るたけ光電面８に近い方が望ましい。
さて、このような光非透過層１５は、例えば次のように
して形成される。
即ち、例えばＣｓｌの柱状結晶７ａは、第２図に示すよ
うに蒸着源２０からＣｓｌを蒸発して形成する。この柱
状結晶７ａの先端７ａ、は円錐形に近い形をしている（
断面は２等辺３角形に似た形状である）。
次に、第３図に示すようにＣｓＩの蒸着を中断し、例え
ばアルミニウムを蒸着して光非透過層２１を形成する。
次に、第４図に示すようにイオン粒子２２などで表面を
スパッタリングする。この場合、イオン粒子２２を角度
Ｃを付けてぶつけると、第５図に示すように柱状結晶７
ａの先端７ａ、付近の光非透過層２またけかスパッタリ
ングさ・れて除去される。
次に、第６図に示すように、更にＣｓｌを蒸着して新し
い柱状結晶７ａ’　を形成する。この工程により、柱状
結晶７ａの中に光非透過層１５か形成される。
更に、上記の光非透過層１５の形成、スパッタリング、
Ｃｓｌの蒸着を繰り返すことにより、第７図に示すよう
に複数の光非透過層１５か形成される。
尚、この発明は上記の材質に限定されることはない。
［発明の効果コ この発明によれば、入力蛍光体層の柱状結晶の表面から
内部にかけて複数の先非透過層が形成されているので、
入力面の横方向に拡がった光か、光電面に到達する前に
吸収あるいは反射され、光電面に達することかない。
この結果、解像度の劣化を防止することか出来、高い解
像度を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係るＸ線イメージ管の入
力面を拡大して示す断面図、第２図乃至第７図はこの発
明の一実施例に係るＸ線イメージ管の製造方法を示す断
面図、第８図は従来のＸ線イメージ管の全体を示す概略
断面図、第９図は従来のＸ線イメージ管の入力面を拡大
して示す断面図である。 ６・・・基板、７・・・入力蛍光体層、７ａ・・・柱状
結晶、８・・・光電面、１５・・・光非透過層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第 図 第 図 第６図 箪 図 箪 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に形成された蛍光体の多数の柱状結晶から
    なる入力蛍光体層と、この入力蛍光体層上に直接又は間
    接に形成された光電面とからなる入力面を備えたＸ線イ
    メージ管において、 上記柱状結晶の表面から内部にかけて複数の光非透過層
    が形成されてなることを特徴とするＸ線イメージ管。
  2. （２）基板上に所定の蛍光体を蒸着して多数の柱状結晶
    からなる入力蛍光体層を形成する工程と、この工程の次
    に所定部材を蒸着して光非透過層を形成する工程と、 この工程の次に上記光非透過層の表面をスパッタリング
    して上記柱状結晶の先端付近の光非透過層を除去する工
    程と、 この工程の次に更に所定の蛍光体を蒸着する工程と を具備し、必要に応じ上記各工程を繰り返して、上記柱
    状結晶の表面から内部にかけて複数の光非透過層を形成
    することを特徴とするＸ線イメージ管の製造方法。
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