JPH0249125A - ストリーク管 - Google Patents
ストリーク管Info
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- JPH0249125A JPH0249125A JP20065888A JP20065888A JPH0249125A JP H0249125 A JPH0249125 A JP H0249125A JP 20065888 A JP20065888 A JP 20065888A JP 20065888 A JP20065888 A JP 20065888A JP H0249125 A JPH0249125 A JP H0249125A
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野１
本発明は、ピコ秒領域の超高速光現象を検出するための
ストリーク管に係り、特に、光電面で発生された電子を
、チャンネル毎に増倍して蛍光面に入射するためのマイ
クロチャンネルプレートが内蔵されたストリーク管に用
いるに好適な、バックグラウンド上昇やタロストーク発
生の少ないストリーク管に関するものである。 【従来の技術】 従来のストリーク管は、円筒状の高真空容器ににおける
一方の端面に光電面を形成して、その前面に正の高電圧
を加えられるメツシュ電極を設けると共に、他方の端面
を蛍光面とし、前記メツシュ電極と蛍光面の間に光電子
流の集束電極と加速電極及び偏向板等を配設したものと
なっている。 このストリーク管において、光電面にピコ秒領域で強度
が変化するレーザ光等をスリットを通して入射させると
同時に偏向板に掃引電圧を加えて、入射光の時間と強度
との関係を蛍光面上における位置と発光強度との関係に
変換し、時間の経過が縦軸方向の位置で表わされた輝度
情報像であるストリーク像を得て、これを写真に撮影す
るか、テレビジョンカメラでビデオ信号に変換して解析
している。 しかしながら、従来のメツシュ電極を用いたストリーク
管においては、光な面の全面から放出された光電子が蛍
光面に入射するため、バックグラウンドが上昇すると共
に、光電面を形成したガラス基板（入力面板）内におけ
る光の反射で、その入射点が拡大して時間分解能が劣化
する等の問題点を有していた。 特に、電子をチャンネル毎に増倍して蛍光面に入射する
ためのマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰと略する）
を内蔵したストリーク管において、掃引しない状態で有
効光電面の１点に強い光が入射すると、その入射点に対
応する出力蛍光面上の位置に出力光像が得られるが、そ
の位置以外にもその周辺が明るくなり、これがバックグ
ラウンド上昇やタロストークの原因となっていた。 このような問題点を解消するべく、出願人は既に特公昭
５８−５８００５で、第１１図及び第１２図に示す如く
、光の反射により発生するバックグラウンドを除去する
なめに、通常用いられているメツシュ電極の代わりに、
長手方向が掃引と垂直な方向に一致するスリット１４が
形成されたスリットアパーチャ電＠１２を使用すること
を提案している。第１１図において、８は透明基板であ
る入力面板、１０は該入力面板８上に形成された光電面
、１６はスリットアパーチャ電極１２で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、１８は、電子を
更に加速するためのアパーチャ電極（陽極）、２０は、
該アパーチャ電極１８を通過した電子を、図の上下方向
に高速で掃引するためのストリーク偏向板、２２は、光
電面１０で発生された電子を、微小チャンネル毎に増倍
して蛍光面２４に入射するためのＭＣＰ、２６は蛍光面
２４が形成される透明基板である出力面板である。 このような、メツシュ電極の代わりにスリットアパーチ
ャ電極１２を用いたストリーク管においては、第１３図
に示す如く、散乱光及び反射光によって放出された光電
子が、該スリットアパーチャ電極１２によって除かれ、
バックグラウンドやタロストークの減少についてその効
果が認められる。 しかしながら、このようなスリットアパーチャ電極１２
を用いた従来のＭＣＰ内蔵内蔵型スリーク管においても
、点状光を入射したときの出力蛍光面上の輝度分布は、
例えば第１４図に実線で示す如くであり、未だ充分な特
性とは言えず、測定精度を上げることができなかった。
ストリーク管に係り、特に、光電面で発生された電子を
、チャンネル毎に増倍して蛍光面に入射するためのマイ
クロチャンネルプレートが内蔵されたストリーク管に用
いるに好適な、バックグラウンド上昇やタロストーク発
生の少ないストリーク管に関するものである。 【従来の技術】 従来のストリーク管は、円筒状の高真空容器ににおける
一方の端面に光電面を形成して、その前面に正の高電圧
を加えられるメツシュ電極を設けると共に、他方の端面
を蛍光面とし、前記メツシュ電極と蛍光面の間に光電子
流の集束電極と加速電極及び偏向板等を配設したものと
なっている。 このストリーク管において、光電面にピコ秒領域で強度
が変化するレーザ光等をスリットを通して入射させると
同時に偏向板に掃引電圧を加えて、入射光の時間と強度
との関係を蛍光面上における位置と発光強度との関係に
変換し、時間の経過が縦軸方向の位置で表わされた輝度
情報像であるストリーク像を得て、これを写真に撮影す
るか、テレビジョンカメラでビデオ信号に変換して解析
している。 しかしながら、従来のメツシュ電極を用いたストリーク
管においては、光な面の全面から放出された光電子が蛍
光面に入射するため、バックグラウンドが上昇すると共
に、光電面を形成したガラス基板（入力面板）内におけ
る光の反射で、その入射点が拡大して時間分解能が劣化
する等の問題点を有していた。 特に、電子をチャンネル毎に増倍して蛍光面に入射する
ためのマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰと略する）
を内蔵したストリーク管において、掃引しない状態で有
効光電面の１点に強い光が入射すると、その入射点に対
応する出力蛍光面上の位置に出力光像が得られるが、そ
の位置以外にもその周辺が明るくなり、これがバックグ
ラウンド上昇やタロストークの原因となっていた。 このような問題点を解消するべく、出願人は既に特公昭
５８−５８００５で、第１１図及び第１２図に示す如く
、光の反射により発生するバックグラウンドを除去する
なめに、通常用いられているメツシュ電極の代わりに、
長手方向が掃引と垂直な方向に一致するスリット１４が
形成されたスリットアパーチャ電＠１２を使用すること
を提案している。第１１図において、８は透明基板であ
る入力面板、１０は該入力面板８上に形成された光電面
、１６はスリットアパーチャ電極１２で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、１８は、電子を
更に加速するためのアパーチャ電極（陽極）、２０は、
該アパーチャ電極１８を通過した電子を、図の上下方向
に高速で掃引するためのストリーク偏向板、２２は、光
電面１０で発生された電子を、微小チャンネル毎に増倍
して蛍光面２４に入射するためのＭＣＰ、２６は蛍光面
２４が形成される透明基板である出力面板である。 このような、メツシュ電極の代わりにスリットアパーチ
ャ電極１２を用いたストリーク管においては、第１３図
に示す如く、散乱光及び反射光によって放出された光電
子が、該スリットアパーチャ電極１２によって除かれ、
バックグラウンドやタロストークの減少についてその効
果が認められる。 しかしながら、このようなスリットアパーチャ電極１２
を用いた従来のＭＣＰ内蔵内蔵型スリーク管においても
、点状光を入射したときの出力蛍光面上の輝度分布は、
例えば第１４図に実線で示す如くであり、未だ充分な特
性とは言えず、測定精度を上げることができなかった。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、ストリーク管におけるバックグラウンド上昇やク
ロストーク発生を充分に抑えることを課題としている。
ので、ストリーク管におけるバックグラウンド上昇やク
ロストーク発生を充分に抑えることを課題としている。
本発明は、光電面１０で発生された電子を、チャンネル
毎に増倍して蛍光面３０に入射するためのマイクロチャ
ンネルプレート２２が内蔵されたストリーク管において
、第１図に示す如く、前記光電面１０の直後に、長手方
向が掃引と垂直な方向に一致するスリット４２が形成さ
れたスリットアパーチャ電極４０を配設すると共に、前
記マイクロチャンネルプレート２２に近接して面した蛍
光面３０の表面に、電子に対して低反射率の層３６を設
けることによって、前記目的を達成したものである。 又、前記電子に対して低反射率の層３６を、少なくとも
１層の軽元素層としたものである。 あるいは、前記電子に対して低反射率の層３６を、少な
くとも１層の多孔質層としたものである。
毎に増倍して蛍光面３０に入射するためのマイクロチャ
ンネルプレート２２が内蔵されたストリーク管において
、第１図に示す如く、前記光電面１０の直後に、長手方
向が掃引と垂直な方向に一致するスリット４２が形成さ
れたスリットアパーチャ電極４０を配設すると共に、前
記マイクロチャンネルプレート２２に近接して面した蛍
光面３０の表面に、電子に対して低反射率の層３６を設
けることによって、前記目的を達成したものである。 又、前記電子に対して低反射率の層３６を、少なくとも
１層の軽元素層としたものである。 あるいは、前記電子に対して低反射率の層３６を、少な
くとも１層の多孔質層としたものである。
本発明は、従来原因が不明であったＭＣＰ内蔵型ストリ
ーク管のバックグラウンド上昇やクロストーク発生の原
因について、発明者等が詳細な実験を行い、その原因を
明らかにして、対策を取つなものである。 即ち、発明者等が、ＭＣＰを内蔵したストリーク管につ
いて、バックグラウンド上昇・かどのような機構で発生
しているか追及した結果、第２図に示す如く、ＭＣＰ２
２からの増倍された信号電子群の一部が、蛍光面２４の
表面のメタルバック層２４Ｂで反射され、これが再びＭ
ＣＰ２２−蛍光面２４間の逆電界で蛍光面２４側に押し
返されて蛍光面２４に流入するためであることが分かっ
た。 ここで前記メタルバック層２４Ｂは、蛍光面２４から発
生する光が光電面１０にフィードバックして画像に無関
係な光電子流を生起し、画像を埋没してしまうのを防ぐ
ため、蛍光面２４を形成する蛍光体層２４Ａの表面に遮
光のため施されており、通常、電子透過性の良好なアル
ミニウム薄膜で形成されている。 即ち、電子の蛍光面２４による反射は散乱に近く、種々
の方向に反射するため、再び蛍光面２４に流入するとき
の位置は、元の信号電流の入射位置を中心に、かなり広
く分布し、第１４図に実線で示したような輝度分布が得
られることが分かった。 本発明は、上記のような発明者等の研究の結果に基づい
てなされたもので、第３図に示す如く、ＭＣＰ２２に近
接して面した蛍光面３０（蛍光体層３２とメタルバック
層３４を含む）の表面に、電子に対して低反射率の層３
６を設けることによって、前記蛍光面３０による入射電
子の反射及び蛍光面３０への再流入を抑え、バックグラ
ウンド上昇やタロストータの発生を抑えたものである。 なお、第４図に示す如く、第３図に示したような電子に
対して低反射率である層３６を蛍光面３０上に形成した
出力面を用い、加速電極として、スリットアパーチャ電
極でない、従来と同様のメツシュ電＃１１１を用いたＭ
ＣＰ内蔵型ストリーク管について、掃引していない状態
での出力面上の輝度分布を調べなところ、第５図に示す
ような輝度分布となり、第１４図に示した、スリットア
パーチャ電極のみを用いた従来のＭＣＰ内蔵型ストリー
ク管の場合と同程度の輝度分布であり、充分な特性とは
言えず、測定精度を充分に高めることはできなかった。 そこで、本発明では、前記蛍光面３０の表面に、電子に
対して低反射率の層３６を設けるだけでなく、長手方向
が掃引と垂直な方向に一致するスリット４２が形成され
たスリットアパーチャ電極４０を併用することによって
、バックグラウンドやタロストータを充分に小さくした
ものである。
ーク管のバックグラウンド上昇やクロストーク発生の原
因について、発明者等が詳細な実験を行い、その原因を
明らかにして、対策を取つなものである。 即ち、発明者等が、ＭＣＰを内蔵したストリーク管につ
いて、バックグラウンド上昇・かどのような機構で発生
しているか追及した結果、第２図に示す如く、ＭＣＰ２
２からの増倍された信号電子群の一部が、蛍光面２４の
表面のメタルバック層２４Ｂで反射され、これが再びＭ
ＣＰ２２−蛍光面２４間の逆電界で蛍光面２４側に押し
返されて蛍光面２４に流入するためであることが分かっ
た。 ここで前記メタルバック層２４Ｂは、蛍光面２４から発
生する光が光電面１０にフィードバックして画像に無関
係な光電子流を生起し、画像を埋没してしまうのを防ぐ
ため、蛍光面２４を形成する蛍光体層２４Ａの表面に遮
光のため施されており、通常、電子透過性の良好なアル
ミニウム薄膜で形成されている。 即ち、電子の蛍光面２４による反射は散乱に近く、種々
の方向に反射するため、再び蛍光面２４に流入するとき
の位置は、元の信号電流の入射位置を中心に、かなり広
く分布し、第１４図に実線で示したような輝度分布が得
られることが分かった。 本発明は、上記のような発明者等の研究の結果に基づい
てなされたもので、第３図に示す如く、ＭＣＰ２２に近
接して面した蛍光面３０（蛍光体層３２とメタルバック
層３４を含む）の表面に、電子に対して低反射率の層３
６を設けることによって、前記蛍光面３０による入射電
子の反射及び蛍光面３０への再流入を抑え、バックグラ
ウンド上昇やタロストータの発生を抑えたものである。 なお、第４図に示す如く、第３図に示したような電子に
対して低反射率である層３６を蛍光面３０上に形成した
出力面を用い、加速電極として、スリットアパーチャ電
極でない、従来と同様のメツシュ電＃１１１を用いたＭ
ＣＰ内蔵型ストリーク管について、掃引していない状態
での出力面上の輝度分布を調べなところ、第５図に示す
ような輝度分布となり、第１４図に示した、スリットア
パーチャ電極のみを用いた従来のＭＣＰ内蔵型ストリー
ク管の場合と同程度の輝度分布であり、充分な特性とは
言えず、測定精度を充分に高めることはできなかった。 そこで、本発明では、前記蛍光面３０の表面に、電子に
対して低反射率の層３６を設けるだけでなく、長手方向
が掃引と垂直な方向に一致するスリット４２が形成され
たスリットアパーチャ電極４０を併用することによって
、バックグラウンドやタロストータを充分に小さくした
ものである。
以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する
。 本発明の第１実施例は、第１図に示す如く、光電面１０
で発生された電子を、チャンネル毎に増倍して蛍光面３
０に入射するためのＭＣＰ２２が内蔵されたストリーク
管において、前記光電面１０の直後に、長手方向が掃引
と垂直な方向に一致するスリット４２が形成されたスリ
ットアパーチャ電極４０を配設すると共に、前記ＭＣＰ
２２に近接して面した蛍光面３０の表面に、電子に対し
て低反射率である軽元素の炭素（Ｃ）薄膜５０を形成し
たものである。 他の点については、前記従来例と同様であるので説明は
省略する。 加速電極としての前記スリットアパーチャ電極４０は、
導体板の中心に、例えば幅が３０μｍ、長さが６ＩＩＩ
のスリット４２を形成したものとされており、スリット
４２の長手方向は、ストリーク偏向板２０と平行に配置
されている。 又、本発明に係る蛍光面３０は、第６図に詳細に示す如
く、出力面板２６上に形成された蛍光体層３２と、アル
ミニウム薄膜からなるメタルバック層３４と、炭素薄Ｍ
５０から構成されている。 前記蛍光体ｒｆＩ３２は、例えば粒形が数μｌの蛍光体
を、遠心法等により数層重ねたものとされている。 前記アルミニウム薄膜のメタルバック層３４は、該蛍光
体層３２の上に、アルミニウムを３００オングストロ一
ム程度、真空蒸着したものとされている。 又、前記炭素薄膜５０は、該メタルバック層３４の上か
ら、炭素を、例えばスパッタリング法によって３００オ
ングストロ一ム程度形成したものとされている。 本実施例によるストリーク管の光電面１０上の１点に光
を入射した場合の、出力蛍光面３０上の輝度分布の例を
第７図に示す０図から明らかな如く、第１４図に示した
、スリットアパーチャ電極を用いるというだけの対策を
施したＭＣＰ内蔵ストリーク管の輝度分布に見られるバ
ックグラウンドや、第５図に示した、蛍光面に電子反射
率の小さい膜を形成するという対策だけを施したＭＣＰ
内蔵型ストリーク管の輝度分布に見られるバックグラウ
ンドに比べて、バックグラウンドが約１／４に減ってお
り、大きな改善が見られることが確認できた。 本実施例においては、スリット４２が形成されたスリッ
トアパーチャ電極４０を加速電極としていなので、メツ
シュ電極が不要であり、構成が簡略である。 本実施例においては、低反射率層３６を構成する軽元素
が炭素とされていたが、軽元素の種類はこれに限定され
ず、例えばベリリウムを用いることもできる。 次に、本発明の第２実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第８図に示す如く、加速電極と本発明に係
るスリットアパーチャ電極４０を別体とし、該スリット
アパーチャ電［ｉ４０の前面に、従来と同様のメツシュ
電＠１１を設けたものである。 本実施例においては、メツシュ電極１１による加速とス
リットアパーチャ電＃１４０によるバックグラウンド除
去が独立して行われる。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので説
明は省略する。 次に、本発明の第３実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第９図に示す如く、ＭＣＰ２２に対面した
蛍光面５２を、出力面板２６上に形成された蛍光体層３
２と、アルミニウム導膜のメタルバック層３４と、多孔
質層５４から構成したものである。 前記多孔質層５４は、まず不活性ガス中で例えばアルミ
ニウムを蒸着した後にガスを除去し、次に高真空度中で
アルミニウムを蒸着することによって、厚さ３００オン
グストロ一ム程度のアルミニウムの多孔質層が形成され
ている。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので、
説明は省略する。 本実施例においては、蛍光面５２の表面が、アルミニウ
ムの多孔質層５４とされ、その表面に高真空度中でアル
ミニウム蒸着が実施されているので、多孔質のアルミニ
ウムが、基体のアルミニウム薄！＜３４＞と強固に結び
付き、又、粒子相互の連結強度も増大して、容易に剥離
しなくなり、安定性が高まる。即ち、不活性ガス雰囲気
中で形成されたアルミニウムの蒸着層は、不活性ガスを
吸蔵しており、これがストリーク管の動作中途々に真空
中に放出して、ストリーク管の特性劣化をきたすことが
あるが、このようにしてアルミニウムを表面に蒸着する
ことによって、ガス放出が抑制され、好ましい結果が得
られる。 次に、本発明の第４実施例を詳細に説明する。 この実施例は、第１０図に示す如く、Ｍ ＣＰ ２２に
対面した蛍光面５６を、出力面板２６上に形成された蛍
光体層３２と、アルミニウム導膜のメタルバック層３４
と、その上に交互に重ねられた、炭素の多孔質層５８及
びアルミニウム薄膜６ｏで構成したものである。 前記多孔質層５８は、例えば炭素をスパッタリング法で
形成したものとされている。 又、前記アルミニウム薄ＩＩ！６０は、高真空中で蒸着
を行うことによって形成されており、最上表面は、アル
ミニウム薄膜６０となるようにされている。 本実施例においても、最上表面が蒸着によって形成され
たアルミニウム薄膜６０とされているので、多孔質層５
８からのガス放出が抑制され、好ましい結果が得られる
。 又、炭素は、光電面１０を構成するアルカリ金属を吸着
し易いため、高温時に多量に吸着されたアルカリ金属が
蛍光体（３２）にも損傷を与える恐れがあるが、このよ
うに、炭素の多孔質層５８の上にアルミニウム薄Ｍ６０
を重ねることによって、蛍光面５６を保護することがで
きる。
。 本発明の第１実施例は、第１図に示す如く、光電面１０
で発生された電子を、チャンネル毎に増倍して蛍光面３
０に入射するためのＭＣＰ２２が内蔵されたストリーク
管において、前記光電面１０の直後に、長手方向が掃引
と垂直な方向に一致するスリット４２が形成されたスリ
ットアパーチャ電極４０を配設すると共に、前記ＭＣＰ
２２に近接して面した蛍光面３０の表面に、電子に対し
て低反射率である軽元素の炭素（Ｃ）薄膜５０を形成し
たものである。 他の点については、前記従来例と同様であるので説明は
省略する。 加速電極としての前記スリットアパーチャ電極４０は、
導体板の中心に、例えば幅が３０μｍ、長さが６ＩＩＩ
のスリット４２を形成したものとされており、スリット
４２の長手方向は、ストリーク偏向板２０と平行に配置
されている。 又、本発明に係る蛍光面３０は、第６図に詳細に示す如
く、出力面板２６上に形成された蛍光体層３２と、アル
ミニウム薄膜からなるメタルバック層３４と、炭素薄Ｍ
５０から構成されている。 前記蛍光体ｒｆＩ３２は、例えば粒形が数μｌの蛍光体
を、遠心法等により数層重ねたものとされている。 前記アルミニウム薄膜のメタルバック層３４は、該蛍光
体層３２の上に、アルミニウムを３００オングストロ一
ム程度、真空蒸着したものとされている。 又、前記炭素薄膜５０は、該メタルバック層３４の上か
ら、炭素を、例えばスパッタリング法によって３００オ
ングストロ一ム程度形成したものとされている。 本実施例によるストリーク管の光電面１０上の１点に光
を入射した場合の、出力蛍光面３０上の輝度分布の例を
第７図に示す０図から明らかな如く、第１４図に示した
、スリットアパーチャ電極を用いるというだけの対策を
施したＭＣＰ内蔵ストリーク管の輝度分布に見られるバ
ックグラウンドや、第５図に示した、蛍光面に電子反射
率の小さい膜を形成するという対策だけを施したＭＣＰ
内蔵型ストリーク管の輝度分布に見られるバックグラウ
ンドに比べて、バックグラウンドが約１／４に減ってお
り、大きな改善が見られることが確認できた。 本実施例においては、スリット４２が形成されたスリッ
トアパーチャ電極４０を加速電極としていなので、メツ
シュ電極が不要であり、構成が簡略である。 本実施例においては、低反射率層３６を構成する軽元素
が炭素とされていたが、軽元素の種類はこれに限定され
ず、例えばベリリウムを用いることもできる。 次に、本発明の第２実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第８図に示す如く、加速電極と本発明に係
るスリットアパーチャ電極４０を別体とし、該スリット
アパーチャ電［ｉ４０の前面に、従来と同様のメツシュ
電＠１１を設けたものである。 本実施例においては、メツシュ電極１１による加速とス
リットアパーチャ電＃１４０によるバックグラウンド除
去が独立して行われる。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので説
明は省略する。 次に、本発明の第３実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第９図に示す如く、ＭＣＰ２２に対面した
蛍光面５２を、出力面板２６上に形成された蛍光体層３
２と、アルミニウム導膜のメタルバック層３４と、多孔
質層５４から構成したものである。 前記多孔質層５４は、まず不活性ガス中で例えばアルミ
ニウムを蒸着した後にガスを除去し、次に高真空度中で
アルミニウムを蒸着することによって、厚さ３００オン
グストロ一ム程度のアルミニウムの多孔質層が形成され
ている。 他の点については、前記第１実施例と同様であるので、
説明は省略する。 本実施例においては、蛍光面５２の表面が、アルミニウ
ムの多孔質層５４とされ、その表面に高真空度中でアル
ミニウム蒸着が実施されているので、多孔質のアルミニ
ウムが、基体のアルミニウム薄！＜３４＞と強固に結び
付き、又、粒子相互の連結強度も増大して、容易に剥離
しなくなり、安定性が高まる。即ち、不活性ガス雰囲気
中で形成されたアルミニウムの蒸着層は、不活性ガスを
吸蔵しており、これがストリーク管の動作中途々に真空
中に放出して、ストリーク管の特性劣化をきたすことが
あるが、このようにしてアルミニウムを表面に蒸着する
ことによって、ガス放出が抑制され、好ましい結果が得
られる。 次に、本発明の第４実施例を詳細に説明する。 この実施例は、第１０図に示す如く、Ｍ ＣＰ ２２に
対面した蛍光面５６を、出力面板２６上に形成された蛍
光体層３２と、アルミニウム導膜のメタルバック層３４
と、その上に交互に重ねられた、炭素の多孔質層５８及
びアルミニウム薄膜６ｏで構成したものである。 前記多孔質層５８は、例えば炭素をスパッタリング法で
形成したものとされている。 又、前記アルミニウム薄ＩＩ！６０は、高真空中で蒸着
を行うことによって形成されており、最上表面は、アル
ミニウム薄膜６０となるようにされている。 本実施例においても、最上表面が蒸着によって形成され
たアルミニウム薄膜６０とされているので、多孔質層５
８からのガス放出が抑制され、好ましい結果が得られる
。 又、炭素は、光電面１０を構成するアルカリ金属を吸着
し易いため、高温時に多量に吸着されたアルカリ金属が
蛍光体（３２）にも損傷を与える恐れがあるが、このよ
うに、炭素の多孔質層５８の上にアルミニウム薄Ｍ６０
を重ねることによって、蛍光面５６を保護することがで
きる。
第１図は、本発明に係るストリーク管の第１実施例の全
体構成を示す断面図、 第２図は、発明者等が発見した、ＭＣＰ内蔵型ストリー
ク管でバックグラウンドが上昇する機構を説明する断面
図、 第３図は、本発明に係るスートリーク管の蛍光面部の構
成を示す断面図、 第４図は、出力蛍光面上に電子に対して低反射率の層を
形成しただけのＭＣＰ内蔵型ストリーク管の比較例の構
成を示す断面図、 第５図は、第４図のストリーク管に点状光を入射したと
きの出力蛍光面上の輝度分布の例を示す線図、 第６図は、本発明の第１実施例の蛍光面部の構成を示す
断面図、 第７図は、第１実施例に点状光を入射したときの出力蛍
光面上の輝度分布の例を示す線図、第８図は、本発明の
第２実施例の加速電極部の構成を示す断面図、 第９図は、同じく第３実施例の蛍光面部の構成を示す断
面図、 第１０図は、同じく第４実施例の蛍光面部の構成を示す
断面図、 第１１図は、スリットアパーチャ電極のみを用いたＭＣ
Ｐ内蔵型ストリーク管の構成を示す縦断面図、 第１２図は、同じく横断面図、 第１３図は、前記スリットアパーチャ電極の作用を説明
するための断面図、 第１４図は、第１１図のストリーク管に点状光を入射し
た時の出力蛍光面上の輝度分布の例を示す線図である。 １０・・・光電面、 ２０・・・ストリーク偏向板、 ２２・・・マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）、３
０．５２．５６・・・蛍光面、 ３２・・・蛍光体層、 ３４・・・メタルバック層、 ３６・・・低反射率層、 ４０・・・スリットアパーチャ電極、 ４２・・・スリット、 ５０・・・炭素薄膜、 ５４．５８・・・多孔質層、 ６０・・・アルミニウム＊ Ｍ。 第１図
体構成を示す断面図、 第２図は、発明者等が発見した、ＭＣＰ内蔵型ストリー
ク管でバックグラウンドが上昇する機構を説明する断面
図、 第３図は、本発明に係るスートリーク管の蛍光面部の構
成を示す断面図、 第４図は、出力蛍光面上に電子に対して低反射率の層を
形成しただけのＭＣＰ内蔵型ストリーク管の比較例の構
成を示す断面図、 第５図は、第４図のストリーク管に点状光を入射したと
きの出力蛍光面上の輝度分布の例を示す線図、 第６図は、本発明の第１実施例の蛍光面部の構成を示す
断面図、 第７図は、第１実施例に点状光を入射したときの出力蛍
光面上の輝度分布の例を示す線図、第８図は、本発明の
第２実施例の加速電極部の構成を示す断面図、 第９図は、同じく第３実施例の蛍光面部の構成を示す断
面図、 第１０図は、同じく第４実施例の蛍光面部の構成を示す
断面図、 第１１図は、スリットアパーチャ電極のみを用いたＭＣ
Ｐ内蔵型ストリーク管の構成を示す縦断面図、 第１２図は、同じく横断面図、 第１３図は、前記スリットアパーチャ電極の作用を説明
するための断面図、 第１４図は、第１１図のストリーク管に点状光を入射し
た時の出力蛍光面上の輝度分布の例を示す線図である。 １０・・・光電面、 ２０・・・ストリーク偏向板、 ２２・・・マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）、３
０．５２．５６・・・蛍光面、 ３２・・・蛍光体層、 ３４・・・メタルバック層、 ３６・・・低反射率層、 ４０・・・スリットアパーチャ電極、 ４２・・・スリット、 ５０・・・炭素薄膜、 ５４．５８・・・多孔質層、 ６０・・・アルミニウム＊ Ｍ。 第１図
Claims (3)
- （１）光電面で発生された電子を、チャンネル毎に増倍
して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネルプレー
トが内蔵されたストリーク管において、 前記光電面の直後に、長手方向が掃引と垂直な方向に一
致するスリットが形成されたスリットアパーチャ電極を
配設すると共に、 前記マイクロチャンネルプレートに近接して面した蛍光
面の表面に、電子に対して低反射率の層を設けたことを
特徴とするストリーク管。 - （２）請求項１に記載のストリーク管において、前記電
子に対して低反射率の層が、少なくとも１層の軽元素層
であることを特徴とするストリーク管。 - （３）請求項１に記載のストリーク管において、前記電
子に対して低反射率の層が、少なくとも１層の多孔質層
とされていることを特徴とするストリーク管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200658A JP2553653B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | ストリーク管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200658A JP2553653B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | ストリーク管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249125A true JPH0249125A (ja) | 1990-02-19 |
| JP2553653B2 JP2553653B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=16428069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200658A Expired - Lifetime JP2553653B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | ストリーク管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553653B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101852859A (zh) * | 2010-06-21 | 2010-10-06 | 西安理工大学 | 一种基于磁镜的光子计数器及探测光子的方法 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200658A patent/JP2553653B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101852859A (zh) * | 2010-06-21 | 2010-10-06 | 西安理工大学 | 一种基于磁镜的光子计数器及探测光子的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2553653B2 (ja) | 1996-11-13 |
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