JPS593853A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS593853A JPS593853A JP11353882A JP11353882A JPS593853A JP S593853 A JPS593853 A JP S593853A JP 11353882 A JP11353882 A JP 11353882A JP 11353882 A JP11353882 A JP 11353882A JP S593853 A JPS593853 A JP S593853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- tube
- pickup tube
- ceramic tube
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管の性能の改善に係るものである。
撮像管には電磁集束、電磁偏向型、電磁集束。
静電側゛向型、静電集束、電磁偏向型、静電集束。
静電偏向型の各種のものが考えられるが、本発明はとの
全てのものに適用されるものである。ここでは電磁集束
、静電偏向型撮像管を例にとって以下に詳しく説明する
〇 第１図に電磁集束、静電偏向型撮像管の一例の概略図を
示し、第２図にそのフェイスプレート部を示す。
全てのものに適用されるものである。ここでは電磁集束
、静電偏向型撮像管を例にとって以下に詳しく説明する
〇 第１図に電磁集束、静電偏向型撮像管の一例の概略図を
示し、第２図にそのフェイスプレート部を示す。
第１図において１は電子銃部、２は集束部、３は偏向部
、４はメツシュ電極、５はフェイスプレート、６は容器
であるガラス管あるいはセラミック管、６ａはその端部
である。前記フェイスプレート６は第２図に示すごとく
内面に透明電極９゜光導電膜１０が蒸着されている。こ
の撮像管の動作を概説すると、電子銃部１から出射され
た電子ビーム７は図に示すごとく集束部２．偏向部３に
よって集束、偏向されてメツシュ電極４を通りフェイス
プレート６上の光導電膜１０を走査し、光導電膜１０に
入射する光（図示せずンの量に応じた電子ビーム量がフ
ェイスプレート５上の透明電極９を通じ、これと電気的
に接続された信号電極８から取り出され、残りの電子ビ
ームはメツシュ電極４の方へもどされる。
、４はメツシュ電極、５はフェイスプレート、６は容器
であるガラス管あるいはセラミック管、６ａはその端部
である。前記フェイスプレート６は第２図に示すごとく
内面に透明電極９゜光導電膜１０が蒸着されている。こ
の撮像管の動作を概説すると、電子銃部１から出射され
た電子ビーム７は図に示すごとく集束部２．偏向部３に
よって集束、偏向されてメツシュ電極４を通りフェイス
プレート６上の光導電膜１０を走査し、光導電膜１０に
入射する光（図示せずンの量に応じた電子ビーム量がフ
ェイスプレート５上の透明電極９を通じ、これと電気的
に接続された信号電極８から取り出され、残りの電子ビ
ームはメツシュ電極４の方へもどされる。
また第１図の電子ビーム７は第２図の光導電膜１０上の
走査面１１を走査する。このとき信号電極８には通常数
１０ボルトの電位が与えられるので透明電極９及び走査
面１１外の光導電膜１ｏ上の電位は前記信号電極８電位
と同じ数１０ボルトになっているが、前記走査面１１内
の部分は、電子ビーム７が走査するので、光導電膜１０
に入射する前記光（図示せず）の量によって異なるが、
通常平均数ボルトの電位となる。光導電膜１ｏ上を走査
する電子ビーム７はメソシュ電極４の電位（通常数１０
０ボルトから１０００数１００ボルト）から減速されて
前記光導電膜１０に垂直に入射する。もし、この垂直入
射が前記走査面１１内で部分的に損なわれると信号出力
の不均衡１画面歪９色むらが生じ撮像管の性能を著しく
害することが知られている。
走査面１１を走査する。このとき信号電極８には通常数
１０ボルトの電位が与えられるので透明電極９及び走査
面１１外の光導電膜１ｏ上の電位は前記信号電極８電位
と同じ数１０ボルトになっているが、前記走査面１１内
の部分は、電子ビーム７が走査するので、光導電膜１０
に入射する前記光（図示せず）の量によって異なるが、
通常平均数ボルトの電位となる。光導電膜１ｏ上を走査
する電子ビーム７はメソシュ電極４の電位（通常数１０
０ボルトから１０００数１００ボルト）から減速されて
前記光導電膜１０に垂直に入射する。もし、この垂直入
射が前記走査面１１内で部分的に損なわれると信号出力
の不均衡１画面歪９色むらが生じ撮像管の性能を著しく
害することが知られている。
しかし、前述の撮像管の動作では走査面１１の内外での
光導電膜１００面電位が異なるため第３図ａに示すごと
く面電位差による電界が前記走査面１１の内外の境界附
近に強く作用し前記電子ビーム７の軌道が曲げられるた
め走査に不均一が生じ前述のごとく撮像管の性能を損な
う。
光導電膜１００面電位が異なるため第３図ａに示すごと
く面電位差による電界が前記走査面１１の内外の境界附
近に強く作用し前記電子ビーム７の軌道が曲げられるた
め走査に不均一が生じ前述のごとく撮像管の性能を損な
う。
本発明は以上述べたように、光導電膜上で電子ビーム走
査面の内外の電位差が異なることによって生じる撮像管
特性の劣化を防ぎ、良好な性能の撮像管を提供するもの
である。
査面の内外の電位差が異なることによって生じる撮像管
特性の劣化を防ぎ、良好な性能の撮像管を提供するもの
である。
第４図に本発明の実施例である電磁集束・静電偏向型撮
像管の主要部を示す。第１図と同一部分は同一番号を付
して説明する。第４図で図示していないところは第１図
と同じである。
像管の主要部を示す。第１図と同一部分は同一番号を付
して説明する。第４図で図示していないところは第１図
と同じである。
この、図において、３は静電偏向部、４はメツシュ電極
、６はフェイスプレート、６はガラス管あるいはセラミ
ック管、６ａはガラス管あるいはセラミック管６の端部
、７は電子ビーム、８は信号電極、９．１０はフェイス
プレート上にそれぞれ蒸着した透明電極および光導電膜
、１２はガラス管あるいはセラミック管の端部６ａの内
壁面に蒸着、または塗布、または耐着させた円筒電極で
ある。
、６はフェイスプレート、６はガラス管あるいはセラミ
ック管、６ａはガラス管あるいはセラミック管６の端部
、７は電子ビーム、８は信号電極、９．１０はフェイス
プレート上にそれぞれ蒸着した透明電極および光導電膜
、１２はガラス管あるいはセラミック管の端部６ａの内
壁面に蒸着、または塗布、または耐着させた円筒電極で
ある。
円筒電極は、前記透明電極９、前記信号電極と電気的に
接続され同電位になっている。ここで前記ガラス管ある
いはセラミ・ツク管の端部６ａの内壁径はＤ［ａ）、前
記メツシュ電極４と前記フェイスプレート５の間隔をＬ
ＣｒＩｒＩｎ〕、前記円筒電極１２の長さは！〔籠〕と
する。
接続され同電位になっている。ここで前記ガラス管ある
いはセラミ・ツク管の端部６ａの内壁径はＤ［ａ）、前
記メツシュ電極４と前記フェイスプレート５の間隔をＬ
ＣｒＩｒＩｎ〕、前記円筒電極１２の長さは！〔籠〕と
する。
前記円筒電極１２は従来の撮像管の構成においては用い
られていない本発明の要であって、これを第４図のよう
に構成することによって第３図すに示すごとく、第３図
ａに示した走査面外の形状が等節約に折シ曲けられたよ
うになり、前述の走査面１１内外の前記光導電膜１０面
電位差による電界が弱くなシ、電子ビームの軌道にＩ旦
とんど悪影響を与えないようにすることができる。
られていない本発明の要であって、これを第４図のよう
に構成することによって第３図すに示すごとく、第３図
ａに示した走査面外の形状が等節約に折シ曲けられたよ
うになり、前述の走査面１１内外の前記光導電膜１０面
電位差による電界が弱くなシ、電子ビームの軌道にＩ旦
とんど悪影響を与えないようにすることができる。
この様子をさらに定量的に調べるためにコンビーータに
よるシュミレーション計算を行なった。
よるシュミレーション計算を行なった。
その結果を第５図、第６図に示す。この計算はＤ＝１３
ｍｍ、Ｌ＝３１１１１１１の場合であり、１１ ＝ Ｏ
ａｎ（従来例）のものを第５図に、β＝ １ 、 ｆ５
ｗｎ（本発明の実施例）のものを第６図に示す。走査面
１１内外の電界の強さがよくわかるように等電界線Ａを
示し、電子ビーム７の軌道Ｂの曲りがよくわかるように
光導電膜１０に入射する電子ビーム７の軌道だけでなく
もとシピームの軌道をも示した。
ｍｍ、Ｌ＝３１１１１１１の場合であり、１１ ＝ Ｏ
ａｎ（従来例）のものを第５図に、β＝ １ 、 ｆ５
ｗｎ（本発明の実施例）のものを第６図に示す。走査面
１１内外の電界の強さがよくわかるように等電界線Ａを
示し、電子ビーム７の軌道Ｂの曲りがよくわかるように
光導電膜１０に入射する電子ビーム７の軌道だけでなく
もとシピームの軌道をも示した。
第５図から明らかなように電子ビーム７が光導電膜１０
に垂直入射する走査面範囲は円筒電極１２を用いた場合
に著しく改善されていることが解る。
に垂直入射する走査面範囲は円筒電極１２を用いた場合
に著しく改善されていることが解る。
Ｃはメツシュ電極４、Ｄはフェイスプレート６の内面で
ある。
ある。
また第６図はＤ ／ Ｌ ＝ ４．３３の最適条件の場
合であるが、３−２くＤ／しく５−３であれば実用上撮
像管の特性に影響を与えないことがわかった。第６図の
は円筒電極部である。
合であるが、３−２くＤ／しく５−３であれば実用上撮
像管の特性に影響を与えないことがわかった。第６図の
は円筒電極部である。
以上の説明でも明らかなように、本発明は簡単な構成で
撮像管の特性を損う原因を取シ除き、性能を改善するこ
とができる。
撮像管の特性を損う原因を取シ除き、性能を改善するこ
とができる。
同撮像管のフェースプレート部、第３図ａ、ｂは従来の
撮像管および本発明の詳細な説明のだめの図、第４図は
本発明の一実施例における撮像管の要部の断側面図、第
６図は従来の撮像管における電子ビームの軌跡を示す図
、第６図は本発明の一実施例における撮像管の電子ビー
ムの軌跡を示す図である。 １・・・・・・電子銃部、２・・・・・・集束部、３・
・・・・・偏向部、４・・・・・・メツシュ電極、５・
・・・・・フェイスプレート、６・・・・・・ガラス管
あるいはセラミック管、６ａ・・・・・・ガラス管ある
いはセラミック管の端部、７・・・・・・電子ビーム、
８・・・・・・信号電極、９・・・・・・透明電極、１
ｏ・・・・・・光導電膜、１１・・・・・・走査面の範
囲、１２・・・・・・円筒電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ａ ｂ 第３図 質子ビ°−ム 第４図 第５図
撮像管および本発明の詳細な説明のだめの図、第４図は
本発明の一実施例における撮像管の要部の断側面図、第
６図は従来の撮像管における電子ビームの軌跡を示す図
、第６図は本発明の一実施例における撮像管の電子ビー
ムの軌跡を示す図である。 １・・・・・・電子銃部、２・・・・・・集束部、３・
・・・・・偏向部、４・・・・・・メツシュ電極、５・
・・・・・フェイスプレート、６・・・・・・ガラス管
あるいはセラミック管、６ａ・・・・・・ガラス管ある
いはセラミック管の端部、７・・・・・・電子ビーム、
８・・・・・・信号電極、９・・・・・・透明電極、１
ｏ・・・・・・光導電膜、１１・・・・・・走査面の範
囲、１２・・・・・・円筒電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ａ ｂ 第３図 質子ビ°−ム 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）電子銃部、集束部、偏向部、メソシュ電極および
容器であるガラス管あるいはセラミック管の端面に透明
電極と光導電膜を蒸着したフェイスプレートを設け、前
記ガラス管あるいはセラミック管の端部内壁面に導電体
を設けた円筒電極を設け、仁の円筒電極と前記透明電極
とを電気的に接続し同電位としたことを特徴とする撮像
管。 - （２）ガラス管あるいはセラミック管の端部内壁径ヲＤ
［Ｍ）、メツシュ電極と７エイスプレートの間隔をＬ（
＋＋＋＋＋＋）、円筒電極を前記ガラス管あるいはセラ
ミック管の内壁端より形成して設け、その長さ撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353882A JPS593853A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353882A JPS593853A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593853A true JPS593853A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14614854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11353882A Pending JPS593853A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593853A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116554U (ja) * | 1992-02-17 | 1992-10-19 | 北日本電線株式会社 | 雪庇の生成防止装置 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11353882A patent/JPS593853A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116554U (ja) * | 1992-02-17 | 1992-10-19 | 北日本電線株式会社 | 雪庇の生成防止装置 |
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