JPH05249299A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネルの製造方法Info
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- JPH05249299A JPH05249299A JP8319192A JP8319192A JPH05249299A JP H05249299 A JPH05249299 A JP H05249299A JP 8319192 A JP8319192 A JP 8319192A JP 8319192 A JP8319192 A JP 8319192A JP H05249299 A JPH05249299 A JP H05249299A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 幅の狭い精度の高い柱状結晶からなる輝尽性
蛍光体層を形成することができ、放射線画像の鮮鋭性が
優れ、しかも読み取り方向による鮮鋭性の変化が小さい
放射線画像変換パネルを製造することができる方法を提
供することにある。 【構成】 蒸気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性蛍光
体を気相堆積させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を
形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法に
おいて、前記蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面
の法線方向の回りに相対的に回転させながら、基板の被
蒸着面に輝尽性蛍光体層を気相堆積させることを特徴と
する。
蛍光体層を形成することができ、放射線画像の鮮鋭性が
優れ、しかも読み取り方向による鮮鋭性の変化が小さい
放射線画像変換パネルを製造することができる方法を提
供することにある。 【構成】 蒸気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性蛍光
体を気相堆積させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を
形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法に
おいて、前記蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面
の法線方向の回りに相対的に回転させながら、基板の被
蒸着面に輝尽性蛍光体層を気相堆積させることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸気流を用いて基板の
被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて少なくとも一
層の輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変
換パネルの製造方法に関するものである。
被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて少なくとも一
層の輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変
換パネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば医療の分野においては、病気の診
断にＸ線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射
して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であっ
た。
断にＸ線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射
して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であっ
た。
【０００３】しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルム
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
【０００４】例えば米国特許第 3,859,527号明細書、特
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されてもよいし、またはＣＲＴ等のディスプレイ
上に再生されてもよい。
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されてもよいし、またはＣＲＴ等のディスプレイ
上に再生されてもよい。
【０００５】このような放射線画像変換方法に用いられ
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルには、
前述の蛍光スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同
様に、放射線吸収率および光変換率（両者を含めて以下
「放射線感度」と称する）の高いことが必要であり、し
かも画像の鮮鋭性の高いことが要求される。
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルには、
前述の蛍光スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同
様に、放射線吸収率および光変換率（両者を含めて以下
「放射線感度」と称する）の高いことが必要であり、し
かも画像の鮮鋭性の高いことが要求される。
【０００６】ところで、輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換パネルにおける画像の鮮鋭性は、輝尽性蛍光体
の輝尽発光の広がりによって決定されるのではなく、輝
尽励起光の当該パネル内での広がりに依存して決定され
る。詳しく説明すると、放射線画像変換パネルに蓄積さ
れた放射線画像情報は時系列化されて取り出されるの
で、ある時間（ｔi ）に照射された輝尽励起光による輝
尽発光は、望ましくはすべて採光されその時間に輝尽励
起光が照射されていた当該パネル上のある画素（ｘi ，
ｙi ）からの出力として記録されるが、かりに輝尽励起
光が当該パネル内で散乱等により広がり、照射画素（ｘ
i ，ｙi ）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起して
しまうと、当該照射画素（ｘi ，ｙi ）からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
う。従って、ある時間（ｔi ）に照射された輝尽励起光
による輝尽発光が、その時間（ｔi ）に輝尽励起光が真
に照射されていた当該パネル上の画素（ｘi ，ｙi ）か
らの発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持
つものであろうと、得られる画像の鮮鋭性には影響がな
い。このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善
する技術として、例えば輝尽性蛍光体層が微細の柱状結
晶からなる放射線画像変換パネルおよびその製造方法が
提案されている (特開昭６１−１４２４９７号〜１４２
５００号、同６２−１０５０９８号公報参照) 。この技
術によれば、輝尽励起光は、微細の柱状結晶の光誘導効
果のため柱状結晶内で反射を繰り返しながら、柱状結晶
外に散逸することなく柱状結晶の底まで到達するため、
輝尽発光による画像の鮮鋭性をより増大することができ
る。特に蒸気流を用いて基板の被蒸着面に気相堆積させ
て層を形成させる場合は、従来において、輝尽性蛍光体
層を斜め蒸着法により形成することにより、蒸気流の方
向に着目して放射線画像の鮮鋭性を改善する手段が提案
されている（特願昭６３−１２９９９６号明細書参照）
。
画像変換パネルにおける画像の鮮鋭性は、輝尽性蛍光体
の輝尽発光の広がりによって決定されるのではなく、輝
尽励起光の当該パネル内での広がりに依存して決定され
る。詳しく説明すると、放射線画像変換パネルに蓄積さ
れた放射線画像情報は時系列化されて取り出されるの
で、ある時間（ｔi ）に照射された輝尽励起光による輝
尽発光は、望ましくはすべて採光されその時間に輝尽励
起光が照射されていた当該パネル上のある画素（ｘi ，
ｙi ）からの出力として記録されるが、かりに輝尽励起
光が当該パネル内で散乱等により広がり、照射画素（ｘ
i ，ｙi ）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起して
しまうと、当該照射画素（ｘi ，ｙi ）からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
う。従って、ある時間（ｔi ）に照射された輝尽励起光
による輝尽発光が、その時間（ｔi ）に輝尽励起光が真
に照射されていた当該パネル上の画素（ｘi ，ｙi ）か
らの発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持
つものであろうと、得られる画像の鮮鋭性には影響がな
い。このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善
する技術として、例えば輝尽性蛍光体層が微細の柱状結
晶からなる放射線画像変換パネルおよびその製造方法が
提案されている (特開昭６１−１４２４９７号〜１４２
５００号、同６２−１０５０９８号公報参照) 。この技
術によれば、輝尽励起光は、微細の柱状結晶の光誘導効
果のため柱状結晶内で反射を繰り返しながら、柱状結晶
外に散逸することなく柱状結晶の底まで到達するため、
輝尽発光による画像の鮮鋭性をより増大することができ
る。特に蒸気流を用いて基板の被蒸着面に気相堆積させ
て層を形成させる場合は、従来において、輝尽性蛍光体
層を斜め蒸着法により形成することにより、蒸気流の方
向に着目して放射線画像の鮮鋭性を改善する手段が提案
されている（特願昭６３−１２９９９６号明細書参照）
。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の技術で
は、輝尽性蛍光体の結晶が一方向につながりをもった板
状のものとなるため、放射線画像の読取り方向によって
鮮鋭性が大きく異なるという問題があった。すなわち、
蒸気流を基板面に対して斜めから入射させると、基板面
において蒸気流が到達しにくい「影」の部分ができ、そ
こが亀裂となって区画された結晶が形成されるため画像
の鮮鋭性が向上する。しかし、従来の蒸着法では、蒸気
流の流線方向が基板面に対して固定化されているため
「影」の部分が偏ってしまい、幅の狭い柱状ではなくて
方向によって幅が大きく異なる板状の結晶となってしま
い、読取り方向によって鮮鋭性がばらつく問題があっ
た。
は、輝尽性蛍光体の結晶が一方向につながりをもった板
状のものとなるため、放射線画像の読取り方向によって
鮮鋭性が大きく異なるという問題があった。すなわち、
蒸気流を基板面に対して斜めから入射させると、基板面
において蒸気流が到達しにくい「影」の部分ができ、そ
こが亀裂となって区画された結晶が形成されるため画像
の鮮鋭性が向上する。しかし、従来の蒸着法では、蒸気
流の流線方向が基板面に対して固定化されているため
「影」の部分が偏ってしまい、幅の狭い柱状ではなくて
方向によって幅が大きく異なる板状の結晶となってしま
い、読取り方向によって鮮鋭性がばらつく問題があっ
た。
【０００８】そこで、本発明の目的は、幅の狭い精度の
高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成することが
でき、放射線画像の鮮鋭性が向上し、しかも読取り方向
による鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。
高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成することが
でき、放射線画像の鮮鋭性が向上し、しかも読取り方向
による鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、蒸
気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積
させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する工程
を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、前記
蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面の法線方向の
回りに相対的に回転させながら、基板の被蒸着面に輝尽
性蛍光体を気相堆積させることを特徴とする。
気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積
させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する工程
を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、前記
蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面の法線方向の
回りに相対的に回転させながら、基板の被蒸着面に輝尽
性蛍光体を気相堆積させることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明では、輝尽性蛍光体を気相堆積させる際
に、蒸気流の流線方向を基板の被蒸着面の法線方向の回
りに相対的に回転させるので、結晶が板状に広がらずに
相互に明瞭に区画された微細な柱状の結晶となる。すな
わち、基板の被蒸着面に対して蒸気流の流線方向を斜め
に傾けると、結晶は流線方向の影響を受けて斜めに成長
しようとして、基板の被蒸着面において蒸気流が到達し
にくい「影」の部分ができ、この部分が亀裂となって蒸
気流の流線方向にある程度傾きながら伸びる区画された
結晶が形成される。従来はこの「影」の部分が固定化さ
れていたので結晶が板状に広がってしまい、微細な柱状
結晶が得られにくかったが、本発明ではこの「影」の部
分が偏らないように基板の被蒸着面の法線方向の回りに
蒸気流の流線方向を相対的に回転させるので、幅の狭い
微細な柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。従
って、放射線画像の鮮鋭性に優れ、しかも読取り方向に
よる鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルが得ら
れる。なお、蒸気流の流線方向とは、便宜上、蒸発源近
傍での蒸発量分布を考慮した上で蒸発源を点とみなし
て、この点と基板の被蒸着面の各点とを結ぶ方向をい
う。また、基板の被蒸着面の法線方向とは、被蒸着面を
平面あるいは曲率一定の曲面に近似した時の法線方向で
あり、被蒸着面の部分的なそりやうねり、あるいは凹凸
等は考慮に入れないものとする。
に、蒸気流の流線方向を基板の被蒸着面の法線方向の回
りに相対的に回転させるので、結晶が板状に広がらずに
相互に明瞭に区画された微細な柱状の結晶となる。すな
わち、基板の被蒸着面に対して蒸気流の流線方向を斜め
に傾けると、結晶は流線方向の影響を受けて斜めに成長
しようとして、基板の被蒸着面において蒸気流が到達し
にくい「影」の部分ができ、この部分が亀裂となって蒸
気流の流線方向にある程度傾きながら伸びる区画された
結晶が形成される。従来はこの「影」の部分が固定化さ
れていたので結晶が板状に広がってしまい、微細な柱状
結晶が得られにくかったが、本発明ではこの「影」の部
分が偏らないように基板の被蒸着面の法線方向の回りに
蒸気流の流線方向を相対的に回転させるので、幅の狭い
微細な柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。従
って、放射線画像の鮮鋭性に優れ、しかも読取り方向に
よる鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルが得ら
れる。なお、蒸気流の流線方向とは、便宜上、蒸発源近
傍での蒸発量分布を考慮した上で蒸発源を点とみなし
て、この点と基板の被蒸着面の各点とを結ぶ方向をい
う。また、基板の被蒸着面の法線方向とは、被蒸着面を
平面あるいは曲率一定の曲面に近似した時の法線方向で
あり、被蒸着面の部分的なそりやうねり、あるいは凹凸
等は考慮に入れないものとする。
【００１１】
【実施例】図１の実施例では、基板１が水平な姿勢で固
定配置され、この基板１の被蒸着面１Ａの下方側位置に
おいて輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２が公転できる
ように配置されている。蒸発源２を被蒸着面１Ａの中央
における法線方向Ｂを軸として公転させながら電子ビー
ム等の励起手段により蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成すると、当該蒸気流の流線方向Ａが基板１の法線方向
Ｂの回りに相対的に回転することとなる。従って、基板
１の被蒸着面１Ａにおいては、蒸気流が到達しにくい
「影」の部分が偏ることがなく、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。なお、前述のよ
うに蒸気流の流線方向Ａとは、便宜上、蒸発源２近傍で
の蒸発量分布を考慮した上で蒸発源２を点とみなしてこ
の点と基板１の被蒸着面１Ａの各点とを結ぶ方向をい
う。
定配置され、この基板１の被蒸着面１Ａの下方側位置に
おいて輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２が公転できる
ように配置されている。蒸発源２を被蒸着面１Ａの中央
における法線方向Ｂを軸として公転させながら電子ビー
ム等の励起手段により蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成すると、当該蒸気流の流線方向Ａが基板１の法線方向
Ｂの回りに相対的に回転することとなる。従って、基板
１の被蒸着面１Ａにおいては、蒸気流が到達しにくい
「影」の部分が偏ることがなく、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。なお、前述のよ
うに蒸気流の流線方向Ａとは、便宜上、蒸発源２近傍で
の蒸発量分布を考慮した上で蒸発源２を点とみなしてこ
の点と基板１の被蒸着面１Ａの各点とを結ぶ方向をい
う。
【００１２】図２の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる蒸発源２が固定配置され、この蒸発源２の上方側位
置において、水平面内において基板１がその中央におけ
る法線方向Ｂを中心にして自転できるように配置されて
いる。基板１を当該法線方向Ｂを軸として水平面内で自
転させながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源２
を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方
向Ａが基板１の中央における法線方向Ｂの回りに相対的
に回転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。
なる蒸発源２が固定配置され、この蒸発源２の上方側位
置において、水平面内において基板１がその中央におけ
る法線方向Ｂを中心にして自転できるように配置されて
いる。基板１を当該法線方向Ｂを軸として水平面内で自
転させながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源２
を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方
向Ａが基板１の中央における法線方向Ｂの回りに相対的
に回転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。
【００１３】図３の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる蒸発源２を固定し、この蒸発源２の上方側位置にお
いて、傾斜面内において基板１がその中央における法線
方向Ｂを中心にして自転できるように配置されている。
基板１を当該法線方向Ｂを軸として傾斜面内で自転させ
ながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源２を蒸発
させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方向Ａが
基板１の中央における法線方向Ｂの回りに相対的に回転
することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶から
なる輝尽性蛍光体層が得られる。
なる蒸発源２を固定し、この蒸発源２の上方側位置にお
いて、傾斜面内において基板１がその中央における法線
方向Ｂを中心にして自転できるように配置されている。
基板１を当該法線方向Ｂを軸として傾斜面内で自転させ
ながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源２を蒸発
させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方向Ａが
基板１の中央における法線方向Ｂの回りに相対的に回転
することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶から
なる輝尽性蛍光体層が得られる。
【００１４】図４の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる円環状の蒸発源２が水平な姿勢で固定配置されると
共に、円環状の蒸発源２の中央部に電子ビーム発生装置
３が配置され、この蒸発源２の上方側位置において、基
板１が水平な姿勢で固定配置されている。電子ビーム発
生装置３よりの電子ビーム３Ａの照射位置を、円環状の
蒸発源２の周に沿って順次またはランダムに移動させて
蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流
の流線方向Ａが基板１の法線方向Ｂの回りに相対的に回
転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶か
らなる輝尽性蛍光体層が得られる。
なる円環状の蒸発源２が水平な姿勢で固定配置されると
共に、円環状の蒸発源２の中央部に電子ビーム発生装置
３が配置され、この蒸発源２の上方側位置において、基
板１が水平な姿勢で固定配置されている。電子ビーム発
生装置３よりの電子ビーム３Ａの照射位置を、円環状の
蒸発源２の周に沿って順次またはランダムに移動させて
蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流
の流線方向Ａが基板１の法線方向Ｂの回りに相対的に回
転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶か
らなる輝尽性蛍光体層が得られる。
【００１５】本発明において、気相堆積させる際には、
蒸気流の流線方向Ａと、基板の被蒸着面の法線方向との
交角（鋭角）θ（図１参照）が０°より大きく８０°以
下であることが好ましく、５°以上７０°以下であるこ
とが特に好ましい。θが小さすぎると「影」の部分がで
きにくく、それを亀裂とする微細な柱状結晶も形成され
にくい。また、θが大きすぎると、蛍光体層の機械的強
度や基板に対する付着力が低下してしまい、きずや膜は
がれが発生しやすくなる。
蒸気流の流線方向Ａと、基板の被蒸着面の法線方向との
交角（鋭角）θ（図１参照）が０°より大きく８０°以
下であることが好ましく、５°以上７０°以下であるこ
とが特に好ましい。θが小さすぎると「影」の部分がで
きにくく、それを亀裂とする微細な柱状結晶も形成され
にくい。また、θが大きすぎると、蛍光体層の機械的強
度や基板に対する付着力が低下してしまい、きずや膜は
がれが発生しやすくなる。
【００１６】また、図５に示すように、蒸気流の流線方
向Ａを、基板１の被蒸着面１Ａの法線方向Ｂの回りに相
対的に回転させる際には、蒸発源２を始点とし当該法線
が被蒸着面１Ａと交差する各点を終点とする蒸気流ベク
トルの被蒸着面１Ａ上の各点における総和ベクトルＣと
被蒸着面１Ａの法線方向との交角φが０°以上３０°以
下であることが好ましく、０°以上１０°以下であるこ
とが特に好ましい。区画された各微細柱状結晶が、被蒸
着面１Ａ上の各点における蒸気流ベクトルの総和ベクト
ルＣの方向にある程度傾きながら成長するが、その成長
方向が被蒸着面１Ａの法線方向に近い（交角φが小さ
い）ほど蒸気流が「影」になることにより生ずる亀裂の
偏りが小さい。従って、当該総和ベクトルＣの方向が被
蒸着面１Ａの法線方向に近い（交角φが小さい）ほど、
放射線画像の読み取り方向による鮮鋭性の違いの小さい
放射線画像変換パネルを製造することが可能になる。
向Ａを、基板１の被蒸着面１Ａの法線方向Ｂの回りに相
対的に回転させる際には、蒸発源２を始点とし当該法線
が被蒸着面１Ａと交差する各点を終点とする蒸気流ベク
トルの被蒸着面１Ａ上の各点における総和ベクトルＣと
被蒸着面１Ａの法線方向との交角φが０°以上３０°以
下であることが好ましく、０°以上１０°以下であるこ
とが特に好ましい。区画された各微細柱状結晶が、被蒸
着面１Ａ上の各点における蒸気流ベクトルの総和ベクト
ルＣの方向にある程度傾きながら成長するが、その成長
方向が被蒸着面１Ａの法線方向に近い（交角φが小さ
い）ほど蒸気流が「影」になることにより生ずる亀裂の
偏りが小さい。従って、当該総和ベクトルＣの方向が被
蒸着面１Ａの法線方向に近い（交角φが小さい）ほど、
放射線画像の読み取り方向による鮮鋭性の違いの小さい
放射線画像変換パネルを製造することが可能になる。
【００１７】本発明においては、気相堆積法により輝尽
性蛍光体層を形成するが、気相堆積法としては、蒸着法
が好ましく用いられ、特に、電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱蒸着法が好ましく用いられる。蒸着法により輝尽性蛍
光体層を形成する場合には、蒸着を複数回行って多層構
成の輝尽性蛍光体層を形成してもよい。また、蒸着法に
おいては、蒸着時、必要に応じて基板を冷却または加熱
してもよい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱
処理（アニーリング）してもよい。また、蒸着法におい
ては、必要に応じてＯ2 ，Ｈ2 等のガスを導入して反応
性蒸着を行ってもよい。
性蛍光体層を形成するが、気相堆積法としては、蒸着法
が好ましく用いられ、特に、電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱蒸着法が好ましく用いられる。蒸着法により輝尽性蛍
光体層を形成する場合には、蒸着を複数回行って多層構
成の輝尽性蛍光体層を形成してもよい。また、蒸着法に
おいては、蒸着時、必要に応じて基板を冷却または加熱
してもよい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱
処理（アニーリング）してもよい。また、蒸着法におい
ては、必要に応じてＯ2 ，Ｈ2 等のガスを導入して反応
性蒸着を行ってもよい。
【００１８】気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成工
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は０．１〜５０
μｍ／分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコン
トロールが困難となる。ところで、蒸気流を基板面に対
して斜めから入射させることにより生ずる、蒸気流が到
達しにくい「影」の部分は、蒸気流の直進性が高い（回
り込みが少ない）ほど起こりやすいことは明らかであ
り、従って、亀裂によって区画された微細結晶を形成す
るには蒸着雰囲気圧力が低い（真空度が高い）ほど好ま
しい。具体的には、蒸着雰囲気圧力が５×１０-4Ｔｏｒ
ｒ以下であることが好ましく、５×１０-5Ｔｏｒｒ以下
であることがより好ましい。また、気相堆積法による輝
尽性蛍光体層の形成工程において、結晶の巨大化による
画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、基板の温度は
蒸発物質の融点より１００℃以上低いことが好ましい。
輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射線画像変換パ
ネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが、放射線吸収率の低下による放射線感度の低下を防
止する観点から、３０〜１０００μｍが好ましく、特に
５０〜５００μｍが好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚が
小さすぎるときは、放射線吸収率が低下するため、放射
線感度が悪くなり、また層厚が大きすぎる場合には輝尽
励起光の横方向への広がりが増大するため画像の鮮鋭性
が悪くなる。
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は０．１〜５０
μｍ／分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコン
トロールが困難となる。ところで、蒸気流を基板面に対
して斜めから入射させることにより生ずる、蒸気流が到
達しにくい「影」の部分は、蒸気流の直進性が高い（回
り込みが少ない）ほど起こりやすいことは明らかであ
り、従って、亀裂によって区画された微細結晶を形成す
るには蒸着雰囲気圧力が低い（真空度が高い）ほど好ま
しい。具体的には、蒸着雰囲気圧力が５×１０-4Ｔｏｒ
ｒ以下であることが好ましく、５×１０-5Ｔｏｒｒ以下
であることがより好ましい。また、気相堆積法による輝
尽性蛍光体層の形成工程において、結晶の巨大化による
画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、基板の温度は
蒸発物質の融点より１００℃以上低いことが好ましい。
輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射線画像変換パ
ネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが、放射線吸収率の低下による放射線感度の低下を防
止する観点から、３０〜１０００μｍが好ましく、特に
５０〜５００μｍが好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚が
小さすぎるときは、放射線吸収率が低下するため、放射
線感度が悪くなり、また層厚が大きすぎる場合には輝尽
励起光の横方向への広がりが増大するため画像の鮮鋭性
が悪くなる。
【００１９】図６および図７は、本発明の製造方法によ
り形成された輝尽性蛍光体層４の柱状結晶５を模式的に
示すものであり、柱状結晶５，５間にはほぼ均等にクラ
ック６が形成され、各柱状結晶５は独立した構造になっ
ている。従って、輝尽励起光や輝尽発光が各柱状結晶５
を鋭い指向性で進行するようになり、画像の鮮鋭性が向
上する。さらに、本発明の製造方法により形成された輝
尽蛍光体層の柱状結晶は、図７に示すａとｂの平均の大
きさが大きく異ならないので、放射線画像の読み取り方
向が、横方向（図７のＸ方向）であっても、縦方向（図
７のＹ方向）であっても、鮮鋭性がほぼ均しくなる。
り形成された輝尽性蛍光体層４の柱状結晶５を模式的に
示すものであり、柱状結晶５，５間にはほぼ均等にクラ
ック６が形成され、各柱状結晶５は独立した構造になっ
ている。従って、輝尽励起光や輝尽発光が各柱状結晶５
を鋭い指向性で進行するようになり、画像の鮮鋭性が向
上する。さらに、本発明の製造方法により形成された輝
尽蛍光体層の柱状結晶は、図７に示すａとｂの平均の大
きさが大きく異ならないので、放射線画像の読み取り方
向が、横方向（図７のＸ方向）であっても、縦方向（図
７のＹ方向）であっても、鮮鋭性がほぼ均しくなる。
【００２０】柱状結晶５による輝尽励起光の散乱を防止
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、ＭＴＦ
（画像の変調伝達関数）を良くするためには、柱状結晶
５の大きさは、縦幅ａおよび横幅ｂ（図７参照）がそれ
ぞれ１〜５０μｍ程度がよく、特に１〜３０μｍが好ま
しい。なお、図６、図７に示す柱状結晶形状は模式的に
書かれたものであるので、これらの形に限定されるもの
ではなく、また、蛍光体層全体にわたって一定の形ある
いは一定の大きさである必要もない。
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、ＭＴＦ
（画像の変調伝達関数）を良くするためには、柱状結晶
５の大きさは、縦幅ａおよび横幅ｂ（図７参照）がそれ
ぞれ１〜５０μｍ程度がよく、特に１〜３０μｍが好ま
しい。なお、図６、図７に示す柱状結晶形状は模式的に
書かれたものであるので、これらの形に限定されるもの
ではなく、また、蛍光体層全体にわたって一定の形ある
いは一定の大きさである必要もない。
【００２１】図８は、本発明の製造方法により製造され
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、７は保
護層、８はスペーサ、９は低屈折率層である。基板１の
材料としては、ガラス、セラミックス、各種高分子材
料、金属等が用いられる。具体的には、石英ガラス、化
学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナある
いはジルコニアの焼結板等のセラミクス、あるいはセル
ロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、鉄、ス
テンレス、銅、クロム等の金属シート等が挙げられる。
基板 の厚さは、その材質等によって異なるが、一般的
には１００μｍ〜５ｍｍが好ましく、取扱いの便利性か
ら、特に２００μｍ〜２ｍｍが好ましい。これらの基板
の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との付
着性を向上させる目的で粗面としてもよい。また基板の
大部分を滑面とし、周縁部のみを付着性を向上させる目
的で粗面としてもよい。この場合、粗面とした周縁部は
実質的に画像として用いない部分に止める方が、画質の
均一化の点で好ましい。
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、７は保
護層、８はスペーサ、９は低屈折率層である。基板１の
材料としては、ガラス、セラミックス、各種高分子材
料、金属等が用いられる。具体的には、石英ガラス、化
学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナある
いはジルコニアの焼結板等のセラミクス、あるいはセル
ロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、鉄、ス
テンレス、銅、クロム等の金属シート等が挙げられる。
基板 の厚さは、その材質等によって異なるが、一般的
には１００μｍ〜５ｍｍが好ましく、取扱いの便利性か
ら、特に２００μｍ〜２ｍｍが好ましい。これらの基板
の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との付
着性を向上させる目的で粗面としてもよい。また基板の
大部分を滑面とし、周縁部のみを付着性を向上させる目
的で粗面としてもよい。この場合、粗面とした周縁部は
実質的に画像として用いない部分に止める方が、画質の
均一化の点で好ましい。
【００２２】保護層７は、輝尽性蛍光体層４を物理的に
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層７は、図８のように低屈折率層９を介して輝
尽性蛍光体層４に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層７は、図８のように低屈折率層９を介して輝
尽性蛍光体層４に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
【００２３】保護層７を低屈折率層９を介して設ける場
合、当該保護層７の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層７は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は８０％以上が好ましい。そのような材料として
は、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板
ガラスや、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラ
スは３３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の
光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長において
も高い光透過率を示す。さらに、保護層７の表面に、Ｍ
ｇＦ2 等の反射防止層を設けると、輝尽励起光および輝
尽発光を効率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さ
くする効果もあり好ましい。保護層の厚さは、５０〜５
０００μｍが好ましく、１００〜３０００μｍがより好
ましい。
合、当該保護層７の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層７は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は８０％以上が好ましい。そのような材料として
は、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板
ガラスや、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラ
スは３３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の
光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長において
も高い光透過率を示す。さらに、保護層７の表面に、Ｍ
ｇＦ2 等の反射防止層を設けると、輝尽励起光および輝
尽発光を効率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さ
くする効果もあり好ましい。保護層の厚さは、５０〜５
０００μｍが好ましく、１００〜３０００μｍがより好
ましい。
【００２４】保護層７を輝尽性蛍光体層４上に直接設け
る場合、当該保護層７の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層６は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等の無機物質を積層して形成してもよい。この
場合には、保護層７の層厚は、０．１〜１００μｍが好
ましく、１〜５０μｍがより好ましい。
る場合、当該保護層７の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層６は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等の無機物質を積層して形成してもよい。この
場合には、保護層７の層厚は、０．１〜１００μｍが好
ましく、１〜５０μｍがより好ましい。
【００２５】低屈折率層９は、放射線画像の鮮鋭性をさ
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、ＣａＦ2 （屈折率１．２３〜１．２
６）、Ｎａ3 ＡｌＦ6 （屈折率１．３５）、ＭｇＦ
2 （屈折率１．３８）、ＳｉＯ2（屈折率１．４６）等
からなる層；エタノール （屈折率１．３６）、メタノ
ール （屈折率１．３３）、ジエチルエーテル （屈折
率１．３５）等の液体からなる層；空気、窒素、アルゴ
ン等の気体からなる層；真空層等のように屈折率が実質
的に１である層；等から選択される。特に、気体層また
は真空層が好ましい。この場合、低屈折率層９の厚さ
は、通常０．０５〜３ｍｍである。
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、ＣａＦ2 （屈折率１．２３〜１．２
６）、Ｎａ3 ＡｌＦ6 （屈折率１．３５）、ＭｇＦ
2 （屈折率１．３８）、ＳｉＯ2（屈折率１．４６）等
からなる層；エタノール （屈折率１．３６）、メタノ
ール （屈折率１．３３）、ジエチルエーテル （屈折
率１．３５）等の液体からなる層；空気、窒素、アルゴ
ン等の気体からなる層；真空層等のように屈折率が実質
的に１である層；等から選択される。特に、気体層また
は真空層が好ましい。この場合、低屈折率層９の厚さ
は、通常０．０５〜３ｍｍである。
【００２６】低屈折率層９は、輝尽性蛍光体層４と密着
していることが好ましく、従って、低屈折率層９が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層９をＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｉＯ2 等を用いて保護層７の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層４と低屈折率層９は例えば接着剤等により
密着させればよい。
していることが好ましく、従って、低屈折率層９が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層９をＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｉＯ2 等を用いて保護層７の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層４と低屈折率層９は例えば接着剤等により
密着させればよい。
【００２７】保護層７を輝尽性蛍光体層４に対して距離
をおいて配設する場合には、基板１と保護層７との間
に、輝尽性蛍光体層４を取囲むスペーサ８が設けられ
る。スペーサ８としては、輝尽性蛍光体層４を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等を用いることができ、厚さは輝尽性蛍光体層
の厚さ以上であることが好ましい。
をおいて配設する場合には、基板１と保護層７との間
に、輝尽性蛍光体層４を取囲むスペーサ８が設けられ
る。スペーサ８としては、輝尽性蛍光体層４を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等を用いることができ、厚さは輝尽性蛍光体層
の厚さ以上であることが好ましい。
【００２８】本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、光的刺激（輝尽励起）により輝尽発光を示
す蛍光体が好ましく、波長が５００ｎｍ以上１μｍ以下
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体が特に好ま
しい。
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、光的刺激（輝尽励起）により輝尽発光を示
す蛍光体が好ましく、波長が５００ｎｍ以上１μｍ以下
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体が特に好ま
しい。
【００２９】輝尽性蛍光体層 を構成する輝尽性蛍光体
としては、以下のものを用いることができる。 （１）特開昭４８−８０４８７号公報に記載のＢａＳＯ
4 ：Ａx (ただし、Ａは、Ｄｙ，Ｔｂ，Ｔｍの少なくと
も１種を表し、ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満たす
数を表す。）で表される蛍光体。 （２）特開昭４８−８０４８９号公報に記載のＳｒＳＯ
4 ：Ａx （ただし、Ａは、Ｄｙ，Ｔｂ, Ｔｍの少なくと
も１種を表し、ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満たす
数を表す。）で表されている蛍光体。 （３）特開昭５１−２９８８９号公報に記載のＮａ2 Ｓ
Ｏ4 ，ＣａＳＯ4 , ＢａＳＯ4 等にＭｎ，Ｄｙ，Ｔｂの
少なくとも１種を添加した蛍光体。 （４）特開昭５２−３０４８７号公報に記載のＢｅＯ，
ＬｉＦ，ＭｇＳＯ4 , ＣａＦ2 等の蛍光体。 （５）特開昭５３−３９２７７号公報に記載のＬｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体。
としては、以下のものを用いることができる。 （１）特開昭４８−８０４８７号公報に記載のＢａＳＯ
4 ：Ａx (ただし、Ａは、Ｄｙ，Ｔｂ，Ｔｍの少なくと
も１種を表し、ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満たす
数を表す。）で表される蛍光体。 （２）特開昭４８−８０４８９号公報に記載のＳｒＳＯ
4 ：Ａx （ただし、Ａは、Ｄｙ，Ｔｂ, Ｔｍの少なくと
も１種を表し、ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満たす
数を表す。）で表されている蛍光体。 （３）特開昭５１−２９８８９号公報に記載のＮａ2 Ｓ
Ｏ4 ，ＣａＳＯ4 , ＢａＳＯ4 等にＭｎ，Ｄｙ，Ｔｂの
少なくとも１種を添加した蛍光体。 （４）特開昭５２−３０４８７号公報に記載のＢｅＯ，
ＬｉＦ，ＭｇＳＯ4 , ＣａＦ2 等の蛍光体。 （５）特開昭５３−３９２７７号公報に記載のＬｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体。
【００３０】（６）特開昭５４−４７８８３号公報に記
載のＬｉ2 Ｏ・（Ｂ2 Ｏ2 ) x ：Ｃｕ（ただし、ｘは２
＜ｘ≦３を満たす数を表す。）、Ｌｉ2 Ｏ・（Ｂ
2 Ｏ2 ) x ：Ｃｕ，Ａｇ（ただし、ｘは２＜ｘ≦３を満
たす数を表す。）等の蛍光体。 （７）米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載の
ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2 Ｏ2
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、 (Ｚｎ，Ｃｄ) Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（ただ
し、Ｘはハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （８）特開昭５５−１２１４２号公報に記載のＺｎＳ：
Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体。 （９）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＢａ
Ｏ・ｘＡｌ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ただし、ｘは０．８≦ｘ≦10
を満たす数を表す。) で表されるアルミン酸バリウム蛍
光体。 （１０）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＭ
I Ｏ・ｘＳｉＯ2 ：Ａ（ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ, Ｂａを表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，Ｂｉ，Ｍｎの少なくとも１種を
表し、ｘは、０．５≦ｘ＜２．５を満たす数を表す。)
で表されるアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。
載のＬｉ2 Ｏ・（Ｂ2 Ｏ2 ) x ：Ｃｕ（ただし、ｘは２
＜ｘ≦３を満たす数を表す。）、Ｌｉ2 Ｏ・（Ｂ
2 Ｏ2 ) x ：Ｃｕ，Ａｇ（ただし、ｘは２＜ｘ≦３を満
たす数を表す。）等の蛍光体。 （７）米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載の
ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2 Ｏ2
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、 (Ｚｎ，Ｃｄ) Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（ただ
し、Ｘはハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （８）特開昭５５−１２１４２号公報に記載のＺｎＳ：
Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体。 （９）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＢａ
Ｏ・ｘＡｌ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ただし、ｘは０．８≦ｘ≦10
を満たす数を表す。) で表されるアルミン酸バリウム蛍
光体。 （１０）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＭ
I Ｏ・ｘＳｉＯ2 ：Ａ（ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ, Ｂａを表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，Ｂｉ，Ｍｎの少なくとも１種を
表し、ｘは、０．５≦ｘ＜２．５を満たす数を表す。)
で表されるアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。
【００３１】（１１）同５５−１２１４２号公報に記載
の一般式が（Ｂａ1-x-y Ｍｇx Ｃａy）ＦＸ：ｅＥｕ2+
（ただし、Ｘは、Ｂｒ，Ｃｌの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙ，ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠
０、１０-6≦ｅ≦５×１０-2を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 （１２）同５５− １２１４２号公報に記載の一般式が
ＬｎＯＸ：ｘＡ（ただし、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｌ
ｕの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒの少なく
とも１種を表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂの少なくとも１種を
表し、ｘは、０＜ｘ＜０．１を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 （１３）特開昭５５−１２１４５号公報に記載の一般式
が （Ｂａ1-x （ＭI ）x ) ＦＸ：ｙＡ（ただし、ＭI
は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を
表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、
Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、０
≦ｘ≦０．６、０≦ｙ≦０．２を満たす数を表す。) で
表される蛍光体。 （１４）特開昭５５−８４３８９号公報に記載の一般式
がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡ（ただし、Ｘは、Ｃｌ，Ｂ
ｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇ
ｄ，Ｓｍ，Ｚｒの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、０
＜ｘ≦２×１０-1、０＜ｙ≦５×１０-2を満たす数を表
す。) で表される蛍光体。 （１５）特開昭５５−１６００７８号公報に記載の一般
式が ＭI ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ（ただし、ＭI は、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を
表し、Ａは、ＢｅＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｂａ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｉｎ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 , ＧｅＯ2 ，Ｓ
ｎＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｈＯ2 の少なくと
も１種を表し、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｇｄの少な
くとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも
１種を表し、ｘ，ｙは、５×１０-5≦ｘ≦０．５、０＜
ｙ≦０．２を満たす数を表す。) で表される希土類元素
付活２価金属フルオロハライド蛍光体。
の一般式が（Ｂａ1-x-y Ｍｇx Ｃａy）ＦＸ：ｅＥｕ2+
（ただし、Ｘは、Ｂｒ，Ｃｌの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙ，ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠
０、１０-6≦ｅ≦５×１０-2を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 （１２）同５５− １２１４２号公報に記載の一般式が
ＬｎＯＸ：ｘＡ（ただし、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｌ
ｕの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒの少なく
とも１種を表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂの少なくとも１種を
表し、ｘは、０＜ｘ＜０．１を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 （１３）特開昭５５−１２１４５号公報に記載の一般式
が （Ｂａ1-x （ＭI ）x ) ＦＸ：ｙＡ（ただし、ＭI
は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を
表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、
Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、０
≦ｘ≦０．６、０≦ｙ≦０．２を満たす数を表す。) で
表される蛍光体。 （１４）特開昭５５−８４３８９号公報に記載の一般式
がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡ（ただし、Ｘは、Ｃｌ，Ｂ
ｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇ
ｄ，Ｓｍ，Ｚｒの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、０
＜ｘ≦２×１０-1、０＜ｙ≦５×１０-2を満たす数を表
す。) で表される蛍光体。 （１５）特開昭５５−１６００７８号公報に記載の一般
式が ＭI ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ（ただし、ＭI は、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を
表し、Ａは、ＢｅＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｂａ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｉｎ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 , ＧｅＯ2 ，Ｓ
ｎＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｈＯ2 の少なくと
も１種を表し、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｇｄの少な
くとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも
１種を表し、ｘ，ｙは、５×１０-5≦ｘ≦０．５、０＜
ｙ≦０．２を満たす数を表す。) で表される希土類元素
付活２価金属フルオロハライド蛍光体。
【００３２】（１６）同５５−１６００７８号公報に記
載の一般式がＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、Ｃｄ
Ｓ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ，Ｘ、ＣｄＳ：Ａ，Ｘ（ただし、Ａ
は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎのいずれかを表し、Ｘは、
ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （１７）特開昭５９− ３８２７８号公報に記載の 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ＮＸ2 ：ｙＡ 一般式〔ＩＩ〕 Ｍ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ｙＡ （式中、Ｍ，Ｎは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｍｎ，Ｓｎの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。 （１８）特開昭５９−１５５４８７号公報に記載の 一般式〔ＩＩＩ〕 ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ 一般式〔ＩＶ〕 ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ，
ｙＳｍ （式中、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕの少なくとも１
種を表し、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種の
アルカリ土類金属を表し、Ｘ，Ｘ’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ
の少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、１×１０-4＜ｘ＜
３×１０-1、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1を満たす数を
表し、ｎ／ｍは、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1を満
たす数を表す。) で表される蛍光体。 （１９）特開平２−５８５９３号公報に記載の一般式 ａＢａＸ2 ・（１−ａ）ＢａＹ2 ：ｂＥｕ2+ （式中、Ｘ，Ｙは、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少
なくとも１種を表し、Ｘ≠Ｙであり、ａ，ｂは、０＜ａ
＜１、１０-5＜ｂ＜１０-1を満たす数を表す。）で表さ
れる蛍光体。 （２０）特開昭６１−７２０８７号公報に記載の一般式 ＭI Ｘ・ａＭIIＸ' 2 ・ｂＭIII Ｘ''3 ：ｃＡ （ただし、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｎｉの少な
くとも１種の２価の金属を表し、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎの少なくとも１種の３価の金属を表し、Ｘ，
Ｘ' , Ｘ''は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種の
ハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓ
ｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの少なくとも１
種の金属を表し、ａ，ｂ，ｃは、０≦ａ＜０．５、０≦
ｂ＜０．５、０＜ｃ≦０．２を満たす数を表す。) で表
されるアルカリハライド蛍光体。
載の一般式がＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、Ｃｄ
Ｓ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ，Ｘ、ＣｄＳ：Ａ，Ｘ（ただし、Ａ
は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎのいずれかを表し、Ｘは、
ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （１７）特開昭５９− ３８２７８号公報に記載の 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ＮＸ2 ：ｙＡ 一般式〔ＩＩ〕 Ｍ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ｙＡ （式中、Ｍ，Ｎは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｍｎ，Ｓｎの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。 （１８）特開昭５９−１５５４８７号公報に記載の 一般式〔ＩＩＩ〕 ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ 一般式〔ＩＶ〕 ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ，
ｙＳｍ （式中、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕの少なくとも１
種を表し、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種の
アルカリ土類金属を表し、Ｘ，Ｘ’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ
の少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、１×１０-4＜ｘ＜
３×１０-1、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1を満たす数を
表し、ｎ／ｍは、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1を満
たす数を表す。) で表される蛍光体。 （１９）特開平２−５８５９３号公報に記載の一般式 ａＢａＸ2 ・（１−ａ）ＢａＹ2 ：ｂＥｕ2+ （式中、Ｘ，Ｙは、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少
なくとも１種を表し、Ｘ≠Ｙであり、ａ，ｂは、０＜ａ
＜１、１０-5＜ｂ＜１０-1を満たす数を表す。）で表さ
れる蛍光体。 （２０）特開昭６１−７２０８７号公報に記載の一般式 ＭI Ｘ・ａＭIIＸ' 2 ・ｂＭIII Ｘ''3 ：ｃＡ （ただし、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｎｉの少な
くとも１種の２価の金属を表し、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎの少なくとも１種の３価の金属を表し、Ｘ，
Ｘ' , Ｘ''は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種の
ハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓ
ｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの少なくとも１
種の金属を表し、ａ，ｂ，ｃは、０≦ａ＜０．５、０≦
ｂ＜０．５、０＜ｃ≦０．２を満たす数を表す。) で表
されるアルカリハライド蛍光体。
【００３３】本発明においては、アルカリハライド蛍光
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。
【００３４】図９は本発明の方法により製造された放射
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の一例の概略を示し、10は放射線発生装置、11は被写
体、12は放射線画像変換パネル、13は輝尽励起光源、14
は放射線画像変換パネル12より放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、15は光電変換装置14で検出された
信号を画像として再生する再生装置、16は再生装置15に
より再生された画像を表示する表示装置、17は輝尽励起
光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフ
ィルターである。この放射線画像変換装置においては、
放射線発生装置10からの放射線は被写体11を通して放射
線画像変換パネル12に入射する。この入射した放射線は
放射線画像変換パネル12の輝尽性蛍光体層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源13からの輝
尽励起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射さ
れる輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量
に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の
光電変換装置14で光電変換し、再生装置15によって画像
として再生し、表示装置16によって表示することによ
り、被写体11の放射線透過像を観察することができる。
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の一例の概略を示し、10は放射線発生装置、11は被写
体、12は放射線画像変換パネル、13は輝尽励起光源、14
は放射線画像変換パネル12より放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、15は光電変換装置14で検出された
信号を画像として再生する再生装置、16は再生装置15に
より再生された画像を表示する表示装置、17は輝尽励起
光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフ
ィルターである。この放射線画像変換装置においては、
放射線発生装置10からの放射線は被写体11を通して放射
線画像変換パネル12に入射する。この入射した放射線は
放射線画像変換パネル12の輝尽性蛍光体層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源13からの輝
尽励起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射さ
れる輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量
に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の
光電変換装置14で光電変換し、再生装置15によって画像
として再生し、表示装置16によって表示することによ
り、被写体11の放射線透過像を観察することができる。
【００３５】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 〔実施例１〕図１に示すように、厚さが０．５ｍｍ、大
きさが１００ｍｍ×１００ｍｍで、表面が平滑なアルミ
ニウム板からなり、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧
力下で２５０℃の温度に加熱された基板１を水平な姿勢
で固定配置し、この基板１の被蒸着面１Ａの下方側にお
いて輝尽性蛍光体材料（ＲｂＢｒ：１×１０-4Ｔｌ）か
らなる蒸発源２を、基板１の被蒸着面１Ａの法線方向を
軸として公転できるように配置した。蒸発源２を被蒸着
面１Ａの法線方向を軸として水平面内で公転させなが
ら、電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、蒸気流の流線方向Ａと、基板の被蒸着面中
央部分での法線方向との交角（鋭角）θは４５°に設定
した。得られた輝尽性蛍光体層を電子顕微鏡により観察
したところ、縦幅ａの平均が７μｍ、横幅ｂの平均が１
１μｍ、膜厚が２５０μｍの微細な柱状結晶から構成さ
れていることが確認できた。この輝尽性蛍光体層上に、
乾燥した窒素ガスからなる低屈折率層を介してガラス板
からなる保護層を設けて、放射線画像変換パネル１を製
造した。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 〔実施例１〕図１に示すように、厚さが０．５ｍｍ、大
きさが１００ｍｍ×１００ｍｍで、表面が平滑なアルミ
ニウム板からなり、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧
力下で２５０℃の温度に加熱された基板１を水平な姿勢
で固定配置し、この基板１の被蒸着面１Ａの下方側にお
いて輝尽性蛍光体材料（ＲｂＢｒ：１×１０-4Ｔｌ）か
らなる蒸発源２を、基板１の被蒸着面１Ａの法線方向を
軸として公転できるように配置した。蒸発源２を被蒸着
面１Ａの法線方向を軸として水平面内で公転させなが
ら、電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、蒸気流の流線方向Ａと、基板の被蒸着面中
央部分での法線方向との交角（鋭角）θは４５°に設定
した。得られた輝尽性蛍光体層を電子顕微鏡により観察
したところ、縦幅ａの平均が７μｍ、横幅ｂの平均が１
１μｍ、膜厚が２５０μｍの微細な柱状結晶から構成さ
れていることが確認できた。この輝尽性蛍光体層上に、
乾燥した窒素ガスからなる低屈折率層を介してガラス板
からなる保護層を設けて、放射線画像変換パネル１を製
造した。
【００３６】〔実施例２〕図２に示すように、実施例１
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配置
し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と同
様の基板１を水平面内においてその中央における法線方
向Ｂを中心にして自転できるように配置した。基板１を
当該法線方向Ｂを軸として水平面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４５°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が７μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル２を製造した。
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配置
し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と同
様の基板１を水平面内においてその中央における法線方
向Ｂを中心にして自転できるように配置した。基板１を
当該法線方向Ｂを軸として水平面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４５°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が７μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル２を製造した。
【００３７】〔実施例３〕図３に示すように、実施例１
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配置
し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と同
様の基板１を傾斜面内においてその中央における法線方
向Ｂを中心にして自転できるように配置した。基板１を
当該法線方向Ｂを軸として傾斜面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４０°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が８μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル３を製造した。
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配置
し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と同
様の基板１を傾斜面内においてその中央における法線方
向Ｂを中心にして自転できるように配置した。基板１を
当該法線方向Ｂを軸として傾斜面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４０°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が８μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル３を製造した。
【００３８】〔実施例４〕図４に示すように、実施例１
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる円環状の蒸発源２を
水平な姿勢で固定配置すると共に、円環状の蒸発源２の
中央部に電子ビーム発生装置３を配置し、この蒸発源２
の上方側位置において、実施例１と同様の基板１を水平
な姿勢で固定配置した。電子ビーム発生装置３よりの電
子ビーム３Ａの照射位置を、円環状の蒸発源２の周に沿
って順次に移動させて蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４０°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が８μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル４を製造した。
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる円環状の蒸発源２を
水平な姿勢で固定配置すると共に、円環状の蒸発源２の
中央部に電子ビーム発生装置３を配置し、この蒸発源２
の上方側位置において、実施例１と同様の基板１を水平
な姿勢で固定配置した。電子ビーム発生装置３よりの電
子ビーム３Ａの照射位置を、円環状の蒸発源２の周に沿
って順次に移動させて蒸発源２を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板１の被蒸着面１Ａに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは４０°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａ
の平均が８μｍ、横幅ｂの平均が１１μｍ、膜厚が２５
０μｍの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネ
ル４を製造した。
【００３９】〔比較例１〕図１０に示すように、実施例
１と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配
置し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と
同様の基板１を交角θが４０°となる傾斜面内において
自転できないように固定配置した。電子ビームにより蒸
発源２を蒸発させて蒸気流を形成し、基板１の被蒸着面
１Ａに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａの平均
が６μｍ、横幅ｂの平均が２６μｍ、膜厚が２５０μｍ
の幅広い板状結晶から構成されていることが確認でき
た。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネルａ
を製造した。
１と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配
置し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と
同様の基板１を交角θが４０°となる傾斜面内において
自転できないように固定配置した。電子ビームにより蒸
発源２を蒸発させて蒸気流を形成し、基板１の被蒸着面
１Ａに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅ａの平均
が６μｍ、横幅ｂの平均が２６μｍ、膜厚が２５０μｍ
の幅広い板状結晶から構成されていることが確認でき
た。以下実施例１と同様にして放射線画像変換パネルａ
を製造した。
【００４０】〔比較例２〕図１１に示すように、実施例
１と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配
置し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と
同様の基板１を水平面内においてその中央における法線
方向Ｂを中心にして自転できるように配置した。ただ
し、蒸発源２は基板１の被蒸着面１Ａの中央における法
線方向の直下に配置した。基板１を当該法線方向Ｂを軸
として水平面内で自転させながら、電子ビームにより蒸
発源２を蒸発させて蒸気流を形成し、基板１の被蒸着面
１Ａに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、柱状結晶にな
っていないことが確認できた。以下実施例１と同様にし
て放射線画像変換パネルｂを製造した。
１と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源２を固定配
置し、この蒸発源２の上方側位置において、実施例１と
同様の基板１を水平面内においてその中央における法線
方向Ｂを中心にして自転できるように配置した。ただ
し、蒸発源２は基板１の被蒸着面１Ａの中央における法
線方向の直下に配置した。基板１を当該法線方向Ｂを軸
として水平面内で自転させながら、電子ビームにより蒸
発源２を蒸発させて蒸気流を形成し、基板１の被蒸着面
１Ａに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、柱状結晶にな
っていないことが確認できた。以下実施例１と同様にし
て放射線画像変換パネルｂを製造した。
【００４１】評価 以上のようにして製造した放射線画像変換パネル１〜４
と比較用の放射線画像変換パネルａ，ｂをそれぞれ用い
て、図９に示す構成の放射線画像変換装置を用いて、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べた。
と比較用の放射線画像変換パネルａ，ｂをそれぞれ用い
て、図９に示す構成の放射線画像変換装置を用いて、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べた。
【００４２】鮮鋭性 放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付けた後、
管電圧８０ｋＶP-P のＸ線を１０ｍＲ（管球からパネル
までの距離：１．５ｍ）照射した後、半導体レーザ光
（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走
査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層
から放射される輝尽発光として読取り、光検出器 (光電
子増倍管) で光電変換して画像信号を得た。この信号値
により、画像の変調伝達関数 (ＭＴＦ）を調べ、放射線
画像の鮮鋭性を相対値で評価した。なお、ＭＴＦは、空
間周波数が３サイクル／ｍｍの時の値である。以上の結
果を後記表１に示した。
管電圧８０ｋＶP-P のＸ線を１０ｍＲ（管球からパネル
までの距離：１．５ｍ）照射した後、半導体レーザ光
（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走
査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層
から放射される輝尽発光として読取り、光検出器 (光電
子増倍管) で光電変換して画像信号を得た。この信号値
により、画像の変調伝達関数 (ＭＴＦ）を調べ、放射線
画像の鮮鋭性を相対値で評価した。なお、ＭＴＦは、空
間周波数が３サイクル／ｍｍの時の値である。以上の結
果を後記表１に示した。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１から明らかなように、本発明の製造方
法によれば、放射線画像の鮮鋭性が優れ、しかも鮮鋭性
が読取り方向によってあまり変化せず、画質の均一性の
点でも良好な放射線画像変換パネルが得られる。
法によれば、放射線画像の鮮鋭性が優れ、しかも鮮鋭性
が読取り方向によってあまり変化せず、画質の均一性の
点でも良好な放射線画像変換パネルが得られる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、幅の狭い精度の高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光
体層を形成することができ、放射線画像の鮮鋭性が優
れ、しかも読取り方向による鮮鋭性の変化が小さいため
画質の均一性の点でも良好な放射線画像変換パネルを製
造することができる。
れば、幅の狭い精度の高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光
体層を形成することができ、放射線画像の鮮鋭性が優
れ、しかも読取り方向による鮮鋭性の変化が小さいため
画質の均一性の点でも良好な放射線画像変換パネルを製
造することができる。
【図１】輝尽性蛍光体層の製造例を示す図である。
【図２】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。
【図３】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。
【図４】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。
【図５】蒸気流ベクトルの総和ベクトルと被蒸着面の法
線方向との交角φの説明図である。
線方向との交角φの説明図である。
【図６】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した断面図である。
した断面図である。
【図７】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した斜視図である。
した斜視図である。
【図８】放射線画像変換パネルの具体的構成例を示した
断面図である。
断面図である。
【図９】放射線画像変換装置の一例の概略を示した説明
図である。
図である。
【図１０】比較例１の説明図である。
【図１１】比較例２の説明図である。
１ 基板 ２ 蒸発源 ３ 電子ビーム発生装置 ４ 輝尽性蛍
光体層 ５ 柱状結晶 ６ クラック ７ 保護層 ８ スペーサ ９ 低屈折率層 １０ 放射線発
生装置 １１ 被写体 １２ 放射線画
像変換パネル １３ 輝尽励起光源 １４ 光電変換
装置 １５ 再生装置 １６ 表示装置 １７ フィルター
光体層 ５ 柱状結晶 ６ クラック ７ 保護層 ８ スペーサ ９ 低屈折率層 １０ 放射線発
生装置 １１ 被写体 １２ 放射線画
像変換パネル １３ 輝尽励起光源 １４ 光電変換
装置 １５ 再生装置 １６ 表示装置 １７ フィルター
Claims (1)
- 【請求項１】 蒸気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性
蛍光体を気相堆積させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体
層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方
法において、 前記蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面の法線方
向の回りに相対的に回転させながら、基板の被蒸着面に
輝尽性蛍光体を気相堆積させることを特徴とする放射線
画像変換パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04083191A JP3130633B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249299A true JPH05249299A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3130633B2 JP3130633B2 (ja) | 2001-01-31 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JP3130633B2 (ja) |
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