JPH0125181B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0125181B2 JPH0125181B2 JP16896281A JP16896281A JPH0125181B2 JP H0125181 B2 JPH0125181 B2 JP H0125181B2 JP 16896281 A JP16896281 A JP 16896281A JP 16896281 A JP16896281 A JP 16896281A JP H0125181 B2 JPH0125181 B2 JP H0125181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- input
- image intensifier
- ray image
- input surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- DNYQQHLXYPAEMP-UHFFFAOYSA-N [I].[Cs] Chemical compound [I].[Cs] DNYQQHLXYPAEMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
この発明はX線像増倍管の入力面及びその製造
方法に関する。 一般にX線像増倍管例えばX線螢光増倍管は、
医療用を主に工業用非破検査などX線工業テレビ
を併用して広範囲に応用されている。この種のX
線螢光増倍管は第1図に示すように構成され、真
空容器である主としてガラスよりなる外囲器1の
入力側内部には入力面2が配設されている。一
方、外囲器1の出力側内部には、陽極3が配設さ
れると共に出力面4が形成され、更に外囲器1内
部の側壁に沿つて集束電極5が配設されている。
そして、使用時にX線発生器(図示せず)から放
射されたX線は被写体を透過して入力面2に達
し、入力面2から出た光電子が集束電極5により
集束され、陽極3により加速されて出力面4を励
起し、この出力面4には、輝度増強された光出力
像が再現される。 ところで入力面は球面状のAl基板6にCsIの入
力螢光体層7が蒸着により形成され、この入力螢
光体層7に光電面8が形成されている。この場
合、入力螢光体層7を高解像度化する手法は次の
、に分れる。 Al基板6表面に凹凸を形成して、高真空中
で蒸着する(Al2O3ブロツク)。 Al基板6は平滑なまま、入力螢光体層7自
体を光案内作用をもつ柱状結晶構造とする。 これらは基板自体は特に注目せず、の場合は
ブロツク化、では平滑度が重点であつた。とこ
ろが、特にの場合、Al基板6が平滑であると、
CsIの付着力(剥離の発生)とAlの圧延ロール筋
が螢光体層7に転写される場合がある。更に、こ
れらを解決して高解像度の蒸着膜を形成するに
は、Al基板6の表面処理をする必要がある。 尚、第1図中、9,10は出力面4を構成する
基板と出力螢光体層である。 この発明は上記事情に鑑みなされたもので、解
像度およびコントラストを向上したX線像増倍管
の入力面及びその製造方法を提供することを目的
とする。 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。この発明のX線螢光増倍管の入力
面は第2図に示すように構成され、球面状Al基
板11の表面(出力側の面)には、例えば略5%
NaOH液によるエツチングが施され、基板11
内の不純物12が融けずに表面に析出して残され
る。この場合、不純物12は例えばSi、Fe、Cu
などで平均粒径が1〜7μmの斑点状になつてお
り、色は黒色ないしは褐色である。このような不
純物12が残つたAl基板11表面には、CsI螢光
材料が真空中(10-3〜10-7Torr)で蒸着されて、
蒸着柱状入力螢光体層13が形成される。この場
合、CsI結晶柱が前記不純物12上に成長する訳
である。こうして形成された蒸着柱状入力螢光体
層13上には、光電面14が形成されている。 尚、Al基板11は、Alメーカーでの製造時よ
り下表の如き不純物(Si、Fe…)を含んでいる。
方法に関する。 一般にX線像増倍管例えばX線螢光増倍管は、
医療用を主に工業用非破検査などX線工業テレビ
を併用して広範囲に応用されている。この種のX
線螢光増倍管は第1図に示すように構成され、真
空容器である主としてガラスよりなる外囲器1の
入力側内部には入力面2が配設されている。一
方、外囲器1の出力側内部には、陽極3が配設さ
れると共に出力面4が形成され、更に外囲器1内
部の側壁に沿つて集束電極5が配設されている。
そして、使用時にX線発生器(図示せず)から放
射されたX線は被写体を透過して入力面2に達
し、入力面2から出た光電子が集束電極5により
集束され、陽極3により加速されて出力面4を励
起し、この出力面4には、輝度増強された光出力
像が再現される。 ところで入力面は球面状のAl基板6にCsIの入
力螢光体層7が蒸着により形成され、この入力螢
光体層7に光電面8が形成されている。この場
合、入力螢光体層7を高解像度化する手法は次の
、に分れる。 Al基板6表面に凹凸を形成して、高真空中
で蒸着する(Al2O3ブロツク)。 Al基板6は平滑なまま、入力螢光体層7自
体を光案内作用をもつ柱状結晶構造とする。 これらは基板自体は特に注目せず、の場合は
ブロツク化、では平滑度が重点であつた。とこ
ろが、特にの場合、Al基板6が平滑であると、
CsIの付着力(剥離の発生)とAlの圧延ロール筋
が螢光体層7に転写される場合がある。更に、こ
れらを解決して高解像度の蒸着膜を形成するに
は、Al基板6の表面処理をする必要がある。 尚、第1図中、9,10は出力面4を構成する
基板と出力螢光体層である。 この発明は上記事情に鑑みなされたもので、解
像度およびコントラストを向上したX線像増倍管
の入力面及びその製造方法を提供することを目的
とする。 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。この発明のX線螢光増倍管の入力
面は第2図に示すように構成され、球面状Al基
板11の表面(出力側の面)には、例えば略5%
NaOH液によるエツチングが施され、基板11
内の不純物12が融けずに表面に析出して残され
る。この場合、不純物12は例えばSi、Fe、Cu
などで平均粒径が1〜7μmの斑点状になつてお
り、色は黒色ないしは褐色である。このような不
純物12が残つたAl基板11表面には、CsI螢光
材料が真空中(10-3〜10-7Torr)で蒸着されて、
蒸着柱状入力螢光体層13が形成される。この場
合、CsI結晶柱が前記不純物12上に成長する訳
である。こうして形成された蒸着柱状入力螢光体
層13上には、光電面14が形成されている。 尚、Al基板11は、Alメーカーでの製造時よ
り下表の如き不純物(Si、Fe…)を含んでいる。
【表】
この発明のX線像増倍管の入力面及びその製造
方法は上記説明及び図示のように構成されAl基
板11表面には不純物のFe含有量によつて定まる
黒色ないしは褐色の不純物12が斑点状に析出
し、一部は付着状態で残つているため、入力螢光
体層13の基板11側へ向かう一部発光が吸収さ
れてコントラストが著しく向上する。尚、析出し
た不純物の色はFe含有量が多い程黒色を呈する。
又、不純物12の平均粒径が1〜7μmであり、
この斑点状の不純物12の上にCsI螢光材料が成
長するので、ライトカイドとしてのCsI結晶柱が
容易にできる。これによつて解像度が向上する。 尚、上記実施例において、Al基板11の表面
にエツチングを施す前に、真空処理又はアニール
を行なつてもよい。また、エツチング時間が長い
ほど表面に析出して残る不純物粒子の量は多く、
密度も高くなるので、黒化度も増し、CsI結晶柱
も高密度に形成される。 以上説明したようにこの発明によれば、解像
度、コントラストのよいX線像増倍管の入力面及
びその製造方法を提供することができる。
方法は上記説明及び図示のように構成されAl基
板11表面には不純物のFe含有量によつて定まる
黒色ないしは褐色の不純物12が斑点状に析出
し、一部は付着状態で残つているため、入力螢光
体層13の基板11側へ向かう一部発光が吸収さ
れてコントラストが著しく向上する。尚、析出し
た不純物の色はFe含有量が多い程黒色を呈する。
又、不純物12の平均粒径が1〜7μmであり、
この斑点状の不純物12の上にCsI螢光材料が成
長するので、ライトカイドとしてのCsI結晶柱が
容易にできる。これによつて解像度が向上する。 尚、上記実施例において、Al基板11の表面
にエツチングを施す前に、真空処理又はアニール
を行なつてもよい。また、エツチング時間が長い
ほど表面に析出して残る不純物粒子の量は多く、
密度も高くなるので、黒化度も増し、CsI結晶柱
も高密度に形成される。 以上説明したようにこの発明によれば、解像
度、コントラストのよいX線像増倍管の入力面及
びその製造方法を提供することができる。
第1図はX線像増倍管(X線螢光増倍管)を示
す概略構成図、第2図はこの発明の一実施例に係
る入力面を示す断面図である。 11……Al基板、12……不純物、13……
入力螢光体層(CsI結晶柱)、14……光電面。
す概略構成図、第2図はこの発明の一実施例に係
る入力面を示す断面図である。 11……Al基板、12……不純物、13……
入力螢光体層(CsI結晶柱)、14……光電面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アルミニウム(Al)基板の表面に形成され
た該基板内不純物の粒子と、その上に形成された
沃加セシウム(CsI)蛍光材料からなる蒸着柱状
入力蛍光面とを具備してなることを特徴とするX
線像増倍管の入力面。 2 前記不純物の平均粒径が1〜7μmである特
許請求の範囲第1項記載のX線像増倍管の入力
面。 3 アルミニウム(Al)基板に入力蛍光面を形
成するX線像増倍管の入力面の製造方法におい
て、前記入力蛍光面を形成する前に、前記アルミ
ニウム(Al)基板の表面に該基板内の不純物が
析出して残るようにエツチングを施すことを特徴
とするX線像増倍管の入力面の製造方法。 4 前記エツチングは略5%NaOH液で行なう
特許請求の範囲第3項記載のX線像増倍管の入力
面の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16896281A JPS5871536A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | X線像増倍管の入力面及びその製造方法 |
FR8217529A FR2515423B1 (fr) | 1981-10-22 | 1982-10-20 | Ecran d'entree pour tube amplificateur de brillance et procede pour la realisation d'un tel ecran |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16896281A JPS5871536A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | X線像増倍管の入力面及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5871536A JPS5871536A (ja) | 1983-04-28 |
JPH0125181B2 true JPH0125181B2 (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=15877782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16896281A Granted JPS5871536A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | X線像増倍管の入力面及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5871536A (ja) |
FR (1) | FR2515423B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8500981A (nl) * | 1985-04-03 | 1986-11-03 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis met een secundaire stralings absorberende luminescentielaag. |
FR2634562B1 (fr) * | 1988-07-22 | 1990-09-07 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un scintillateur et scintillateur ainsi obtenu |
BE1008070A3 (nl) * | 1994-02-09 | 1996-01-09 | Philips Electronics Nv | Beeldversterkerbuis. |
WO1997001861A2 (en) * | 1995-06-27 | 1997-01-16 | Philips Electronics N.V. | X-ray detector |
US6169360B1 (en) * | 1996-09-18 | 2001-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray image intensifier and method for manufacturing thereof |
DE10242006B4 (de) | 2002-09-11 | 2006-04-27 | Siemens Ag | Leuchtstoffplatte |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3852133A (en) * | 1972-05-17 | 1974-12-03 | Gen Electric | Method of manufacturing x-ray image intensifier input phosphor screen |
FR2259435B1 (ja) * | 1974-01-29 | 1978-06-16 | Thomson Csf | |
FR2384349A1 (fr) * | 1977-03-14 | 1978-10-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Intensificateur d'image |
JPS5478074A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Toshiba Corp | Production of input screen for image increasing tube |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP16896281A patent/JPS5871536A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-20 FR FR8217529A patent/FR2515423B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2515423B1 (fr) | 1985-10-25 |
JPS5871536A (ja) | 1983-04-28 |
FR2515423A1 (fr) | 1983-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4985633A (en) | Scintillator with alveolate structured substrate | |
US3693018A (en) | X-ray image intensifier tubes having the photo-cathode formed directly on the pick-up screen | |
JPH07503810A (ja) | 直接変換型x線光電陰極を有するx線顕微鏡 | |
US2586304A (en) | Protection of phosphors from attack by alkali vapors | |
US3795531A (en) | X-ray image intensifier tube and method of making same | |
JPH0125181B2 (ja) | ||
US3706885A (en) | Photocathode-phosphor imaging system for x-ray camera tubes | |
US4870473A (en) | X-ray image intensifier having a support ring that prevents implosion | |
JP2514952B2 (ja) | X線イメ−ジ管 | |
US3961182A (en) | Pick up screens for X-ray image intensifier tubes employing evaporated activated scintillator layer | |
US4362933A (en) | Multistage vacuum x-ray image intensifier | |
GB1417452A (en) | Image tube employing high field electron emission suppression | |
US5587621A (en) | Image intensifier tube | |
US3232781A (en) | Electron image intensifying devices | |
JPS63935A (ja) | 放射線螢光増倍管の製造方法及び該方法により製造される放射線螢光増倍管 | |
US2879406A (en) | Electron discharge tube structure | |
US3755865A (en) | Novel mesh-reinforced sec target for camera tubes | |
JP2809689B2 (ja) | X線像増倍管用入力面の製造方法 | |
JPH10223163A (ja) | 放射線イメージ管およびその製造方法 | |
JPS635853B2 (ja) | ||
JPH0139620B2 (ja) | ||
JPH0233840A (ja) | マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 | |
JPS58225548A (ja) | 近接形イメージ管 | |
JP2809657B2 (ja) | X線イメージ管及びその製造方法 | |
JPS5938699B2 (ja) | 螢光面 |