JPS63935A - 放射線螢光増倍管の製造方法及び該方法により製造される放射線螢光増倍管 - Google Patents
放射線螢光増倍管の製造方法及び該方法により製造される放射線螢光増倍管Info
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- JPS63935A JPS63935A JP62146821A JP14682187A JPS63935A JP S63935 A JPS63935 A JP S63935A JP 62146821 A JP62146821 A JP 62146821A JP 14682187 A JP14682187 A JP 14682187A JP S63935 A JPS63935 A JP S63935A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
-
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-
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- H01J2201/3426—Alkaline metal compounds, e.g. Na-K-Sb
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11二良1た1
本発明は、放射線蛍光増倍管の製造方法に係わる。本発
明は更に、こうして製造された放射線蛍光増倍管にも係
わる。
明は更に、こうして製造された放射線蛍光増倍管にも係
わる。
放射線蛍光増倍管もしくはI.I.R.は従来技術で周
知である。放射線蛍光増倍管は例えば医学的検査の目的
で、放射線像を可視像に変換する。
知である。放射線蛍光増倍管は例えば医学的検査の目的
で、放射線像を可視像に変換する。
第1図の縦断面図に概略的に示したIIRは、入射スク
リーンと、電子光学系と、監視用スクリーンとから構成
されており、これらの部材は真空囲障1内に収容されて
いる。
リーンと、電子光学系と、監視用スクリーンとから構成
されており、これらの部材は真空囲障1内に収容されて
いる。
入射スクリーンは、入射X線光子を可視光子に変換する
シンチレータ2と、可視光子を電子に変換する光電陰極
3とから構成されている。シンチレークと光電陰極との
間には一殻に導電性の下層が挿入されており、該下層は
光電陰極が電子を放出している間に光電陰極に電荷を再
供給する役割をもっている。この下層は第1図には図示
していない。
シンチレータ2と、可視光子を電子に変換する光電陰極
3とから構成されている。シンチレークと光電陰極との
間には一殻に導電性の下層が挿入されており、該下層は
光電陰極が電子を放出している間に光電陰極に電荷を再
供給する役割をもっている。この下層は第1図には図示
していない。
シンチレータは例えばナトリウム又はタリウムをドープ
されたヨウ化セシウムから構成され得る。
されたヨウ化セシウムから構成され得る。
光電陰極は例えばSbCsz、SbK3、SbKzCs
等の化学式で表されるアルカリアンチモン化合物がら構
成され得る。導電性の下層は例えば化学式Inz03の
酸化インジウムから構成され得る。
等の化学式で表されるアルカリアンチモン化合物がら構
成され得る。導電性の下層は例えば化学式Inz03の
酸化インジウムから構成され得る。
電子光学系は、,一般に3個の電極G, ,G2,G,
と、監視用スクリーン4を有する陽極八とから構成され
ている。
と、監視用スクリーン4を有する陽極八とから構成され
ている。
光電陰極3は一般に、管のアースに連結されている。電
極Gl,G2,G3及び陽極八の電位は、例えば30K
Vまで上げられる。従って、管内には管の長手方向軸に
沿って光電陰極に向かう電場Eが形成される。光電陰極
から放出された電子はこの電場をさかのぼり、例えば硫
化亜鉛のような陰極線発光材料から構成される監視用ス
クリーン4にぶつかり、こうして可視像が得られる。
極Gl,G2,G3及び陽極八の電位は、例えば30K
Vまで上げられる。従って、管内には管の長手方向軸に
沿って光電陰極に向かう電場Eが形成される。光電陰極
から放出された電子はこの電場をさかのぼり、例えば硫
化亜鉛のような陰極線発光材料から構成される監視用ス
クリーン4にぶつかり、こうして可視像が得られる。
本発明により解決しようとする問題は、X線の不在時で
も監視用スクリーンの妨害性寄生発光が11R内に生じ
るという点である。この寄生発光は、光電陰極の製造時
にアルカリ金属が不本意にIIRの電極に堆積されるこ
とに起因する。管内を占めている強い電場は、非常に正
電性であり従って非常にイオン化し易いこれらのアルカ
リ金属から電子を取り除く。これらの電子は電場をさか
のぼり、監視用スクリーンに街突し、寄生発光を生じる
。
も監視用スクリーンの妨害性寄生発光が11R内に生じ
るという点である。この寄生発光は、光電陰極の製造時
にアルカリ金属が不本意にIIRの電極に堆積されるこ
とに起因する。管内を占めている強い電場は、非常に正
電性であり従って非常にイオン化し易いこれらのアルカ
リ金属から電子を取り除く。これらの電子は電場をさか
のぼり、監視用スクリーンに街突し、寄生発光を生じる
。
この現象は、第1図のIIRのグリッドG,及び陽極^
の部分断面図である第2図に示してある。参照符号7は
グリッドG3に堆積されたアルカリ金属層を示しており
、該層は、グリッドG,と陽極八との間を占めており且
つグリッドG,に向かう電場Eの作用下で、該電場をさ
かのぼり且つ監視用スクリーン4に衝突する電子を放出
する6 ここで留意すべき点として、アルカリ金属は非常に反応
性であり、安定にするためには真空下で製造しなければ
ならないので、アルカリアンチモン化合物型の光電陰極
の製造はIIRの真空囲障内で実施される。これらの光
電陰極は、その構成要素を連続蒸発することにより製造
され得る。このため、アンチモンを収容している通常の
るつぼにより構成されるアンチモン発生器を管内に配置
し、例えばジュール効果によりるつぼを加熱することに
よりアンチモンを蒸発させる。アンチモン発生器5は第
1図に示すように、一般に電子の軌跡上で光電陰極の近
傍に配置されており、従って一殻には一旦光電陰極が形
成し終わったらこれを囲障から取り出す。アルカリ金属
は、第1図に示すように一般に陽極八の最近傍の電極G
,に配置されたアルカリ発生器6から蒸発される. −殻に、光電陰極が一旦形成し終わったら、アルカリ発
生器を真空囲障内に置く。既知のIIR製造方法による
と、光電陰極が一旦形成し終わったらアルカリ発生器を
電極G,から取り外し、真空囲障から除去する。
の部分断面図である第2図に示してある。参照符号7は
グリッドG3に堆積されたアルカリ金属層を示しており
、該層は、グリッドG,と陽極八との間を占めており且
つグリッドG,に向かう電場Eの作用下で、該電場をさ
かのぼり且つ監視用スクリーン4に衝突する電子を放出
する6 ここで留意すべき点として、アルカリ金属は非常に反応
性であり、安定にするためには真空下で製造しなければ
ならないので、アルカリアンチモン化合物型の光電陰極
の製造はIIRの真空囲障内で実施される。これらの光
電陰極は、その構成要素を連続蒸発することにより製造
され得る。このため、アンチモンを収容している通常の
るつぼにより構成されるアンチモン発生器を管内に配置
し、例えばジュール効果によりるつぼを加熱することに
よりアンチモンを蒸発させる。アンチモン発生器5は第
1図に示すように、一般に電子の軌跡上で光電陰極の近
傍に配置されており、従って一殻には一旦光電陰極が形
成し終わったらこれを囲障から取り出す。アルカリ金属
は、第1図に示すように一般に陽極八の最近傍の電極G
,に配置されたアルカリ発生器6から蒸発される. −殻に、光電陰極が一旦形成し終わったら、アルカリ発
生器を真空囲障内に置く。既知のIIR製造方法による
と、光電陰極が一旦形成し終わったらアルカリ発生器を
電極G,から取り外し、真空囲障から除去する。
アルカリ金属の蒸発は、蒸着しようとする金属のクロム
酸塩のシリコテルミー法又はアルミノテルミー法により
得られる。シリコテルミー法又はアルミノテルミー法は
、アルカリ発生器のジュール効果による加熱により行わ
れる。
酸塩のシリコテルミー法又はアルミノテルミー法により
得られる。シリコテルミー法又はアルミノテルミー法は
、アルカリ発生器のジュール効果による加熱により行わ
れる。
アルカリ発生器は、アンチモン発生器よりも指向性が著
しく劣っている。これは、シリコテルミー法又はアルミ
ノテルミー法を良好な条件下で実施するにはクロム酸塩
を収容した特殊なるつぼを使用しなければならないため
である。この型のるつぼは指向性が劣っているため、こ
れらのるつぼ6から離れている光電陰極の全表面にアル
カリ金属を非常に均一に堆積できるという利点がある。
しく劣っている。これは、シリコテルミー法又はアルミ
ノテルミー法を良好な条件下で実施するにはクロム酸塩
を収容した特殊なるつぼを使用しなければならないため
である。この型のるつぼは指向性が劣っているため、こ
れらのるつぼ6から離れている光電陰極の全表面にアル
カリ金属を非常に均一に堆積できるという利点がある。
他方、IIR管の全部品、特に電iG.,G2及びG3
にアルカリ金属が堆積されるので、監視用スクリーンの
寄生発光の問題が生じるといクう欠点もある。
にアルカリ金属が堆積されるので、監視用スクリーンの
寄生発光の問題が生じるといクう欠点もある。
【胆炎糺
この問題を解決するために本出願人が使用した解決方法
は、一mにアルミニウムから成る電極63を酸化物層で
被覆するものである。
は、一mにアルミニウムから成る電極63を酸化物層で
被覆するものである。
この解決方法は、監視用スクリーンの寄生発光を取り除
くが、この酸化物層に放電をもたらす。
くが、この酸化物層に放電をもたらす。
11RがX線を受け取ると、光電陰極から発生した電子
の一部は電極G,に落下する。電極G3が酸化物層に被
覆されているので、これらの電子は流れず、酸化物層に
放電が生じる。
の一部は電極G,に落下する。電極G3が酸化物層に被
覆されているので、これらの電子は流れず、酸化物層に
放電が生じる。
l匪Δi怯
本発明は、上記問題の解決方法として、既知の解決方法
の欠点を伴わない方法を提案するものである。
の欠点を伴わない方法を提案するものである。
本発明の目的は、特にアルカリアンチモン化合物から構
成される光電陰極と、数個のグリッドと、陽極とを備え
る放射線蛍光増倍管の製造方法を提供することにあり、
該方法は、陽極の最近傍のグリッドを増倍管に導入する
以前に、光電陰極の組成に含まれるアルカリ金属を酸化
する性質を有する導電材料層を該グリッドの少なくとも
一部に堆積することを特徴とする。
成される光電陰極と、数個のグリッドと、陽極とを備え
る放射線蛍光増倍管の製造方法を提供することにあり、
該方法は、陽極の最近傍のグリッドを増倍管に導入する
以前に、光電陰極の組成に含まれるアルカリ金属を酸化
する性質を有する導電材料層を該グリッドの少なくとも
一部に堆積することを特徴とする。
本発明の他の目的、特徴及び成果は、添付図面に示した
非限定的な具体例に関する以下の説明から明らかになろ
う。
非限定的な具体例に関する以下の説明から明らかになろ
う。
虹』」L脱劃一
各図面中、同一の符号は同一要素を示しているが、分か
り易くするために各要素の寸法及び割合は重視しなかっ
た。
り易くするために各要素の寸法及び割合は重視しなかっ
た。
第1図及び第2図については、本文の冒頭に説明した.
第3図は、第1図のIIRのグリッドG,と陽極八との
部分断面図であり、前述の寄生発光の問題に対する本発
明の解決方法を示している。
部分断面図であり、前述の寄生発光の問題に対する本発
明の解決方法を示している。
本発明によると、一最にアンチモン発生器が固定されて
いるグリッドG,をIIrlの真空囲障に導入する以前
に、アルカリ金属を酸化する性買を有する導電材料層を
該グリッドに堆積する。
いるグリッドG,をIIrlの真空囲障に導入する以前
に、アルカリ金属を酸化する性買を有する導電材料層を
該グリッドに堆積する。
寄生発光の問題は、寄生アルカリの金属性質に起因する
。本発明により提案される解決方法は、これらのアルカ
リ金属を酸化し、かつイオン性又は共有結合性化合物に
変換することの可能な材料とアルカリ金属とを化学的に
反応させるものである。こうしてアルカリ金属は固定さ
れ、もはや取り除くべき寄生発光を生じる電子を放出し
ない。
。本発明により提案される解決方法は、これらのアルカ
リ金属を酸化し、かつイオン性又は共有結合性化合物に
変換することの可能な材料とアルカリ金属とを化学的に
反応させるものである。こうしてアルカリ金属は固定さ
れ、もはや取り除くべき寄生発光を生じる電子を放出し
ない。
堆積物としてはより導電性のものを使用すべきであり、
電iG.を酸化物層で被覆する時に従来技術で現れた放
電現象を回避するようにする。
電iG.を酸化物層で被覆する時に従来技術で現れた放
電現象を回避するようにする。
本発明は、好ましくはIIRの電% c sをIIRに
導入する以前に該電極を被覆するために、セレン、テル
ル、硫黄、ヒ素、リン、アンチモン等の元素のいずれか
を使用することを提案するものである。
導入する以前に該電極を被覆するために、セレン、テル
ル、硫黄、ヒ素、リン、アンチモン等の元素のいずれか
を使用することを提案するものである。
これらの元素を単独で使用してもよいし、又、例えばP
bTe.CdTe.ZnTe、InTe, PbSe.
CdSe、ZnSe、TnSe.PbS, CdS.Z
nS.Zn3P2等の式を有する化合物として使用して
もよい。
bTe.CdTe.ZnTe、InTe, PbSe.
CdSe、ZnSe、TnSe.PbS, CdS.Z
nS.Zn3P2等の式を有する化合物として使用して
もよい。
第3図は、電極G,をIIRに導入する以前に例えばテ
ルルから成る層8で被覆した例を示している。
ルルから成る層8で被覆した例を示している。
電極G,の全体をテルルで被覆してもよいし、あるいは
第3図の場合のように、寄生発光現象を最も生じ易い電
極G,のゾーンのみを被覆してもよい。
第3図の場合のように、寄生発光現象を最も生じ易い電
極G,のゾーンのみを被覆してもよい。
これらのゾーンは経験によって決定され得る。また、コ
ンピュータプログラムを使用することにより、計算によ
ってこれらのゾーンを決定することもできる。寄生発光
現象を最も生じ易いゾーンは、一般に曲率半径が小さく
且つ電場が強い非常に屈曲したゾーンである。これらの
ゾーンはアルカリ発生器及び監視用スクリーンの近傍に
位置している。第3図では、電子を通過させるグリッド
G3のオリフィスの周囲が層8により被覆されている。
ンピュータプログラムを使用することにより、計算によ
ってこれらのゾーンを決定することもできる。寄生発光
現象を最も生じ易いゾーンは、一般に曲率半径が小さく
且つ電場が強い非常に屈曲したゾーンである。これらの
ゾーンはアルカリ発生器及び監視用スクリーンの近傍に
位置している。第3図では、電子を通過させるグリッド
G3のオリフィスの周囲が層8により被覆されている。
セシウムを蒸着する場合、光電陰極の製造時に寄生アル
カリが到達すると、テルル層8の表面には次の反応が生
じる。
カリが到達すると、テルル層8の表面には次の反応が生
じる。
ZCs+Te−+Cs2Te
従って、層8上にはアルカリ金属は見いだされず、これ
らのアルカリを含む化合物が見いだされる。
らのアルカリを含む化合物が見いだされる。
式Cs2Teで表されるよ各、なーこ也らの化合物が形
成されると、グリッドG7と陰極との間に電場が存在し
ているにも拘わらず、監視用スクリーンの寄生発光をも
たらす電子発生はもはや観察されない。
成されると、グリッドG7と陰極との間に電場が存在し
ているにも拘わらず、監視用スクリーンの寄生発光をも
たらす電子発生はもはや観察されない。
更に、導電性の高い層8が存在しているため、放電の問
題もない。層8にはこの層とアルカリ金属との化合物も
存在しているが、これらの化合物が導電性であるか否か
に拘わらず、層8が放電及び破壊の問題を生じないほど
に十分な導電性を有するという事実は変わらない。
題もない。層8にはこの層とアルカリ金属との化合物も
存在しているが、これらの化合物が導電性であるか否か
に拘わらず、層8が放電及び破壊の問題を生じないほど
に十分な導電性を有するという事実は変わらない。
ちなみに、セシウムを蒸発させ且つ層8がテルル鉛であ
る場合、反応は下式で示される。
る場合、反応は下式で示される。
2Cs+ PbTe →Cs2Te+ (Pb)Pb
Te 従って、テルル鉛の層8に溶解した状態で釦が形成され
る。
Te 従って、テルル鉛の層8に溶解した状態で釦が形成され
る。
一般にアルカリ発生器を担持しており且つ陽極の最近傍
の電%Gつの少なくとも一部に、アルカリを酸化する性
質を有する導電性材料層8を堆債する。
の電%Gつの少なくとも一部に、アルカリを酸化する性
質を有する導電性材料層8を堆債する。
監視用スクリーンの寄生発光をより完全に取り除くため
には、この層8をグリッドG2にも堆積する。
には、この層8をグリッドG2にも堆積する。
用心のためにグリッドG.もこの層8で被覆してもよい
し、また、より一般にはIIRの電極即ちグリッドの1
個又は陽極に電気的に連結されるべきIIRの全部品を
該層で被覆してもよい。
し、また、より一般にはIIRの電極即ちグリッドの1
個又は陽極に電気的に連結されるべきIIRの全部品を
該層で被覆してもよい。
層8を堆櫃するためには、各種の方法が使用可能である
。
。
これらの方法の一例として、堆積すべき生成物を収容し
ているるつぼをジュール効果により加熱し、層8で被覆
すべき表面にるつぼからの蒸気を凝縮させることにより
、層8を蒸着する方法が挙げられる。
ているるつぼをジュール効果により加熱し、層8で被覆
すべき表面にるつぼからの蒸気を凝縮させることにより
、層8を蒸着する方法が挙げられる。
別の方法としては、層8で被覆すべき部品を、堆積すべ
き生成物を含んでいる化学反応浴に浸漬させる方法もあ
る。
き生成物を含んでいる化学反応浴に浸漬させる方法もあ
る。
更に別の方法としては電解がある。この場合、被覆すべ
き部品は電解浴中を伸延する電極を構成する。
き部品は電解浴中を伸延する電極を構成する。
カソードスパッタリング又はプラズマを使用することに
より層8を堆積してもよい。
より層8を堆積してもよい。
以上に述べた層8を堆積するための全方法は周知である
ので、これらの方法は非限定的である。
ので、これらの方法は非限定的である。
以上説明したように、グリッドG,,G2,G3及び1
1Rの電極に電気的に連結された部品の全部に層8を堆
積してもよいし、あるいはこれらのグリッド及び部品の
一部のみに堆積しても支障ない。
1Rの電極に電気的に連結された部品の全部に層8を堆
積してもよいし、あるいはこれらのグリッド及び部品の
一部のみに堆積しても支障ない。
第1図はIIRの縦断面図、第2図及び第3図は第1図
のIIRのグリッドG,及び陽極^の断面図であり、従
来技術による既知の解決方法と、本発明により提案され
る解決方法とを示している。 1・・・・・・真空囲障、2・・・・・・シンチレータ
、3・・・・・・光電陰極、4・・・・・・監視用スク
リーン、5・・・・・・アンチモン発生器、6・・・・
・・るつぼ、7・・・・・・アルカリ金属層、8・・・
・・・導電材料層、^・・・・・・陽極、G.,G2,
G3・・・・・・グリッド。
のIIRのグリッドG,及び陽極^の断面図であり、従
来技術による既知の解決方法と、本発明により提案され
る解決方法とを示している。 1・・・・・・真空囲障、2・・・・・・シンチレータ
、3・・・・・・光電陰極、4・・・・・・監視用スク
リーン、5・・・・・・アンチモン発生器、6・・・・
・・るつぼ、7・・・・・・アルカリ金属層、8・・・
・・・導電材料層、^・・・・・・陽極、G.,G2,
G3・・・・・・グリッド。
Claims (12)
- (1)特にアルカリアンチモン化合物から構成される光
電陰極と、数個のグリッドと、陽極とを備える放射線蛍
光増倍管の製造方法であって、陽極の最近傍のグリッド
を増倍管に導入する以前に、光電陰極の組成に含まれる
アルカリ金属を酸化する性質を有する導電材料層を該グ
リッドの少なくとも一部に堆積することを特徴とする方
法。 - (2)陽極の最近傍のグリッドに隣接するグリッドを増
倍管に導入する以前に、光電陰極の組成に含まれるアル
カリ金属を酸化する性質を有する導電材料層を該グリッ
ドの少なくとも一部に堆積することを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 - (3)増倍管の他のグリッドを増倍管に導入する以前に
、光電陰極の組成に含まれるアルカリ金属を酸化する性
質を有する導電材料層を該グリッドの少なくとも一部に
堆積することを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項に記載の方法。 - (4)増倍管のグリッドの1個又は陽極に電気的に連結
すべき増倍管の全部品を増倍管に導入する以前に、光電
陰極の組成に含まれるアルカリ金属を酸化する性質を有
する導電材料層を該全部品の少なくとも一部に堆積する
ことを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の方法。 - (5)凝縮による堆積、化学浴中の浸漬による堆積、電
解による堆積、カソードスパッタリングによる堆積、プ
ラズマによる堆積のうちのいずれかの方法に従って前記
層を堆積することを特徴とする特許請求の範囲第1項か
ら第4項のいずれかに記載の方法。 - (6)特にアルカリアンチモン化合物から構成される光
電陰極と、数個のグリッドと、陽極とを備える放射線蛍
光増倍管であって、陽極の最近傍のグリッドの少なくと
も一部が、光電陰極の組成に含まれるアルカリ金属を酸
化する性質を有する導電材料層を有していることを特徴
とする増倍管。 - (7)陽極の最近傍のグリッドに隣接するグリッドの少
なくとも一部が、光電陰極の組成に含まれるアルカリ金
属を酸化する性質を有する導電材料層を有していること
を特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の増倍管。 - (8)増倍管の他のグリッドが、光電陰極の組成に含ま
れるアルカリ金属を酸化する性質を有する導電材料層を
少なくとも一部に有していることを特徴とする特許請求
の範囲第6項又は第7項に記載の増倍管。 - (9)増倍管のグリッドの1個又は陽極に電気的に連結
される増倍管の部品が、光電陰極の組成に含まれるアル
カリ金属を酸化する性質を有する導電材料層を少なくと
も一部に有していることを特徴とする特許請求の範囲第
8項に記載の増倍管。 - (10)前記材料がセレン、テルル、硫黄、ヒ素、リン
、アンチモンのいずれかの元素であることを特徴とする
特許請求の範囲第6項から第9項のいずれかに記載の増
倍管。 - (11)前記材料がセレン、テルル、硫黄、ヒ素、リン
、アンチモンのいずれかの元素を含む化合物であること
を特徴とする特許請求の範囲第6項から第9項のいずれ
かに記載の増倍管。 - (12)化合物がPbTe、CdTe、ZnTe、In
Te、PbSe、CdSe、ZnSe、InSe、Pb
S、CdS、ZnS、Zn_3P_2のいずれかである
ことを特徴とする特許請求の範囲第11項に記載の増倍
管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8608588A FR2600177B1 (fr) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | Procede de fabrication d'un intensificateur d'images radiologiques et intensificateur d'images radiologiques ainsi obtenu |
FR8608588 | 1986-06-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63935A true JPS63935A (ja) | 1988-01-05 |
JPH0821335B2 JPH0821335B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=9336316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62146821A Expired - Lifetime JPH0821335B2 (ja) | 1986-06-13 | 1987-06-12 | 放射線螢光増倍管の製造方法及び該方法により製造される放射線螢光増倍管 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4862006A (ja) |
EP (1) | EP0249547B1 (ja) |
JP (1) | JPH0821335B2 (ja) |
DE (1) | DE3761405D1 (ja) |
FR (1) | FR2600177B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4542307A (en) * | 1982-09-28 | 1985-09-17 | Fujitsu Limited | Double bootstrapped clock buffer circuit |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
FR2634057B1 (fr) * | 1988-07-08 | 1991-04-19 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un tube perfectionne intensificateur d'images radiologiques, tube intensificateur ainsi obtenu |
FR2650438B1 (fr) * | 1989-07-28 | 1996-07-05 | Thomson Tubes Electroniques | Procede de fabrication de tube perfectionne intensificateur d'image, tube intensificateur ainsi obtenu |
US5306907A (en) * | 1991-07-11 | 1994-04-26 | The University Of Connecticut | X-ray and gamma ray electron beam imaging tube having a sensor-target layer composed of a lead mixture |
FR2700889B1 (fr) † | 1993-01-22 | 1995-02-24 | Thomson Tubes Electroniques | Tube convertisseur d'images, et procédé de suppression des lueurs parasites dans ce tube. |
FR2782388B1 (fr) | 1998-08-11 | 2000-11-03 | Trixell Sas | Detecteur de rayonnement a l'etat solide a duree de vie accrue |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
FR1585625A (ja) * | 1968-07-02 | 1970-01-30 | Thomson Csf | |
FR2119203A5 (ja) * | 1970-12-23 | 1972-08-04 | Thomson Csf | |
IL41312A (en) * | 1972-01-21 | 1975-06-25 | Varian Associates | Image tube employing high field electron emission suppression |
DE2213493C3 (de) * | 1972-03-20 | 1980-02-28 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Elektronische Bildverstärkerröhre, bei der ein elektrisch leitendes TeU mit einer elektrisch isolierenden Schicht versehen ist, und Verfahren zur Herstellung dieser Schicht |
US4069121A (en) * | 1975-06-27 | 1978-01-17 | Thomson-Csf | Method for producing microscopic passages in a semiconductor body for electron-multiplication applications |
FR2335056A1 (fr) * | 1975-09-12 | 1977-07-08 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation d'information donnee sous forme d'energie rayonnee |
FR2345815A1 (fr) * | 1976-01-30 | 1977-10-21 | Thomson Csf | Nouveau detecteur solide de rayonnement ionisant |
FR2344132A1 (fr) * | 1976-03-09 | 1977-10-07 | Thomson Csf | Detecteur de rayonnement ionisant a semi-conducteur |
FR2351422A1 (fr) * | 1976-05-14 | 1977-12-09 | Thomson Csf | Dispositif detecteur, localisateur solide d'impacts de rayonnement ionisants |
FR2352346A1 (fr) * | 1976-05-18 | 1977-12-16 | Thomson Csf | Nouvel ensemble de prise de vues de scintigraphie |
FR2361790A1 (fr) * | 1976-08-10 | 1978-03-10 | Thomson Csf | Dispositif a elements semiconducteurs pour la visualisation d'un signal electrique |
FR2502842A1 (fr) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Thomson Csf | Cible de tube intensificateur d'image et tube intensificateur d'image a sortie video muni d'une telle cible |
US4475059A (en) * | 1982-06-01 | 1984-10-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Image intensifier tube with reduced veiling glare and method of making same |
JPS6056341A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-04-01 | Hamamatsu Photonics Kk | イメ−ジ管およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-13 FR FR8608588A patent/FR2600177B1/fr not_active Expired
-
1987
- 1987-06-05 EP EP87401281A patent/EP0249547B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 DE DE8787401281T patent/DE3761405D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-12 JP JP62146821A patent/JPH0821335B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-15 US US07/061,980 patent/US4862006A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4542307A (en) * | 1982-09-28 | 1985-09-17 | Fujitsu Limited | Double bootstrapped clock buffer circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0249547A2 (fr) | 1987-12-16 |
US4862006A (en) | 1989-08-29 |
EP0249547A3 (en) | 1988-01-13 |
EP0249547B1 (fr) | 1990-01-10 |
FR2600177A1 (fr) | 1987-12-18 |
DE3761405D1 (de) | 1990-02-15 |
FR2600177B1 (fr) | 1988-08-19 |
JPH0821335B2 (ja) | 1996-03-04 |
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