JPS6056341A - イメ−ジ管およびその製造方法 - Google Patents

イメ−ジ管およびその製造方法

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JPS6056341A
JPS6056341A JP16394083A JP16394083A JPS6056341A JP S6056341 A JPS6056341 A JP S6056341A JP 16394083 A JP16394083 A JP 16394083A JP 16394083 A JP16394083 A JP 16394083A JP S6056341 A JPS6056341 A JP S6056341A
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JP
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lid
opening
image tube
partition wall
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JP16394083A
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Yoshiji Suzuki
鈴木 義二
Katsuyuki Kinoshita
勝之 木下
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    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
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    • H01J9/125Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes of secondary emission electrodes
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 る用途に好J5こ利用できるイメージ管およびその製造
方法に関する。
まず従来のイメージ管の構成および本発明で解決しよう
とする問題を第1図を参照して節単に説明する。
第1図は従来のイメージ管の構成を示す縦断面図、およ
び光電面と光学像の関係を示す略図である。
イメージ管の真空気密容器3の一端面は解析しようとす
る光学像を入射する窓1、他体:面は処理された光学像
を出射する窓2を形成している。
この真空気密容器3の管軸に沿って入射窓1と出射窓2
との間に順次光電面4,集束電極6,アバーチャ電極7
,マイクロチャンネルプレート8。
螢光面9が配設されでいる。そして光電面4に対して集
束電極6,アパーチャ電極7にこの順序でよりiFl:
い電圧を加え、さらにマイクI’1チャンネルプレ−1
・8の入力電極8aにアバ−チャ電極7と同一の電位を
与え、マイクロチャン不ルブレ−1−8の出力電極8b
には、入力電極8+3より高い電位を与える。さらに螢
光面9には、マイクロチャンネルプレート8の出力電極
8bより高い電位を与えておく。
図示されていない装置で入射窓1を経て光電面4に光学
像4aが投影されたとする。光電面4は前記光学像に対
応した電子像を放出し、放出された電子は集束電極6に
より加速集束され、アバ−チャ電極7を通過し、マイク
ロチャンネルブレート8を経て螢光面9の方向へ走行す
る。その電子像が螢光面9に結像する。
マイク1コチヤンネルプレート8はガラス細管の内壁に
酸化鉛による二次電子放出面を形成し、前記ガラス細管
を約100万本束ねたもので、各ガラス細管の内iイは
15μm,長さはO. ’l rτ目エビ乙全体のi子
は25mmである。
前記マイクロチャンネルプレート8により、入射した電
7ーシ1増倍して出射される。増倍率目入力電砿8aと
出力電極8b間の電位差に依存し、人力心棒8aと出力
電極8b間の電位差を1. 3 k Vから1. 9 
k. Vに変化させると、増倍率は10”〜3XIO“
倍に変化ずろ。
このようなイメージ管は通雷次のような方法ご製造さ1
9,ている。
まず、−貞空気密容器3の側壁を構成するガラス円筒、
真空気密容器3の一つの底面を構成し5光コj!。
(glを入射し2かつ光電面の基板となる第1のガラス
円板、真空気密容器3の他の底面を構成し、光学像を出
’IJ i’る窓および螢光面の基板となる第2のガラ
ス円板等の容器部祠、およびメ7 :−二電極5。
集束電極6,アパーチャ電極7,マイ))じチャン不ル
プレートを構成する電極部側を用7ひする。次に111
記ガラス円筒内に電極部+aを組立て取りイ=11:す
る。このとき、光電面基板と対向する適宜の位置に例え
ばアンチモン小片をタングステンコイルに収容し7゛ζ
アンチモン蒸発源を設置する。
同時に第2のガラス円板の一面に螢光体を塗布する。次
に前記ガラス円筒の底面の適当な側に第1のガラス円板
と第2のガラス円板を気密に封着する。
次に気密容器の側壁に枝管を設4J、この中に一j′ル
カリ金属源を収容する。
次に気密容器に設りられたこのtJI気管を通して排気
する。
次に前記タングステンコイルに通電してアンチモンを光
電面基板」二に蒸着し、続いて枝管からアルカリ金属を
徐々に容器内に送り込むと同時に光電面の感度を監視し
、最高感度またはこれを多少越したとき中止する。この
後枝管を切り堆る。
この後排気管を切り取ってイメージ管が完成する前述の
製造方法の説明によって理解できるように、アルカリ金
属か気密容器内に送り込まれたときに各電極に、微小な
がらアルカリ金属が付着することは避ジノられない。
前記工程で製造されたイメージ管を動作さ・已ると前記
アルカリ金属が原因し゛と、入射光がなくても螢光面か
発光すると言う不都合が生じる。
特にマイクロチャンネルプレー18に高電圧を加えた動
作をするときに著しく光る。
このような発光はイメージ像のハックグラウンドとなり
S/N比を低下すると共にダイナミ・ツクレンジを狭く
する。
本願発明者は、いわゆるイメージ部と呼んでいる光電面
、集束電極、アパーチャ陽極からなる部分に電圧を印加
させず、マイクロチャンネルプL/−ト螢光面の部分り
どげに電圧を印加しただけで、入射光がなくても螢光面
が発光することを見出した。すなわち前記不本意の発光
の原因はマイクロチャンネルプレー1・にあることを発
見した。
また、アルカリ光電面を作成しない′て、同構造の管を
排気し、封し切って電圧を印加したところ、ハックグラ
ウンド上背、かないことも見出した。
これらより、このハックグラウンド上の発生)ノ■構ば
、次のように嵩えられる。
二次電子増倍を行うマイクロチャンネルプレー+−のチ
ャンネルの内面に、光電面作成過程−乙アルカリ金属が
付着して表面の仕事函数が低下する。
動作時にマイクロチャンネルプレー1−に市川を印加し
た時、内面の微視的に不均一な場所に高電界が発生し、
この2つの仕事函数低下と高電界発4Lが競合して、マ
イクロチャンネルプ:/l・内面より電子が電界放出現
象により放出さ相7る。
この電界放出現象により放出された電子がマ・rクロチ
ャンネルプレー1〜内で増倍され、これらが螢光面に入
射して、前記不;4:′意なハックグラウンドを発生さ
せる。
本発明の第1の目的はこの不7′¥、怠な発光を生しさ
せないイメージ管を提供することにある。
前記主目的を達成するために本発明によるイメージ管は
、光電面から放出された光電子をマイクロ壬ヤンネルプ
レートを用いて増倍して極微弱な光像を観察するイメー
ジ管において、光電面とマイクロチャンネルプレー1・
の間にある光電子のクロスオーバ点またはその近傍に配
置され管軸を含む開口を有する隔壁と、前記開口を閉鎖
する位置と開放する位置間を移動可能な蓋と、前記蓋を
前記開放位訝に移動させる手段とを含分光電面製造中は
前記蓋を閉鎖位置に保ち富時は開放させて電子の通過経
路を形成するように構成されている。
本発明のさらに他の目的は、前記イメージ管の製造方法
を提供することにある。
前記他の目的を達成するために本発明による・fメージ
管のMlf1方法は、光電面から放出された光電子をマ
イクロチャンネルプレートを用いて増倍して極微弱な光
像を観察するイメージ管の製造方法において、排気され
て真空が形成される容器内に形成される少なくとも光電
面が形成される面と集束電極を含む第1の空間と、少な
くともマイクロチャンネルプレ−1・と螢光面を含む第
2の空間を管軸に開口を持つ隔壁で前記開口が光電子の
クロスオーバ点またはその近傍に配置さ4する位置で分
離し、前記開1−1部に製造工程では閉しているIを設
けて置く組立工程と、前記第1および第2の空間の排気
を行う工程と、前記第1の空間に連通ずる枝管から光電
面を形成する金属を/η人して充電面を形成する工程と
、前記枝管を1JJiIji L2て、内部を加熱しな
がら排気し、光電面形成に寄与しなかった光電面形成用
の祠料をj)1出ず乙ET14″J+と、JJi気終了
後に前記蓋を開口部から離脱さ−Uる工程とから構成さ
れている。
ずなわぢ製造工程においては前記第1の空間C,二光電
面形成用アルカリ金属蒸気を充1、い:JさUろが 7
(S2の空間のマイクロチャンネルプレー目にはアルカ
リ金属蒸気が至らないように配慮する。
動作時には最小の開口で光電面を(,7−yる第1の空
間と、マイクロチャンネルプレー1−を有する第2の空
間とを接続することしコより、動1′「時にも、−)′
ルカリ金属の移動が起こり難くする。
その結果使用中においてもマイクl:Jチャン不ルプレ
ートか残留アルカリ土類金属によってlη染されないよ
うにする。
また逆にマ・1′クロチャンネルブL−−l・の近傍で
、イオン化または気密容器内壁へ電子が衝突することに
よって発光が生した場合にもその光が光電i栢に到達し
ないようにして、不本意な発光を極力防止する。
以下、図面等を参照して本発明をさらに訂′シク説明す
る。
第2図は本発明のイメージ管の製造過程の状態を示す断
面図である。第1図に示したイメージ管と共通の部分は
同一の符号を(=t してある。
まず、このイメージ管の構成を説明する。
本発明によるイメージ管は、光電面4、ツノシブ−電極
5、集束電極6、アパーチャ電極゛lの含まれる真空気
密容器3内の空間と、マイクロチャン、!−。
ルプレート8、螢光面9の含まれる真空気密容器3内の
空間を隔壁30で分別する。
この隔壁30には開口83が設りられており、この開l
」13には蓋14が対応させられている。
第3図(八)に蓋14が開口13を閉している状態、第
3図(B)に蓋14が開I」13を開いている状態を示
しである。
蓋14ば隔壁30にピン15で回転可能に枢支されてお
り、製造過程においては第2図および、第3図(A)に
示す閉じ状態に保たれ、完成1& kl: FAABO
3設けられている板ばね16により扶の伺けられて固定
される。この開口13の中心は管軸に一致させられ、管
軸方向の位置は光電子ビームの集束されたクロスオーバ
点11またはその近傍に位置させられている。
次に前記イメージ管の製造方法を間柱に第2図を参照し
て説明する。
光電面4、メツシュ電極5、集束電極6、アパーチャ電
極7の含まれるべき空間(以下第1の空間という)に図
示しない真空ポンプに連通ずる排気管19を設けておく
またマイクロチャンネルプレート8、螢光面9の含まれ
る真空気密容器3内の空間(以下第2の空間と言う)に
も同様に排気管20を設けておく。
これら、り空間は、!!!!!造過程において前記蓋1
4がiiI記隔壁の開[]13を閉しろことにより分舗
され−(いる。
1:1記第1の空間には一1ルカリ金屈を収容」“る枝
η17および、アンチモン蒸発源を収容する枝管18か
接続されζいる。
まず、容器内の前記各空間を所定のf4空にJJI気す
る。
次に、アンチモン蒸発源を収容する枝管18より外部か
ら磁力を作用させてイメージ管の内R1(・\取り出し
て 通電加熱し、アユ/チモンを光電面基板1上に蔑着
する。
θくに枝管17よりアルカリ金属を蒸発して、光電面凸
板1−Hのアンチモンと化合させる。
同時に光電面の光電感度を監視し、最高感度を多少越し
たときアルカリ金属を収容した枝管1))を切り改75
゜ またアンチモン蒸発源を収容した枝管17も切り取る。
さらに容器を加熱して、光電面を安定化する。
このとき過剰なアルカリ金属は容器3り゛(−・、1)
1出される。この後に排気管19.20か切り取られ、
イメージ管は完成する。
完成後にイメージ管の上下を第2図の逆にずB(正電の
使用姿勢にする)と、M 14 +a、 (i(、Bに
(すJく磁力で、開口13の下側になり、板L;fね1
6により蓋14の先端か捕捉され固定されろ。なお第3
図(B)は使用状態と天、地を逆にして示しである。
第4図はイメージ管の隔壁と五の第2の構成を示す説明
図である。
M14は隔壁30の外周よりに没りられた支持1セ41
にバイメタル42を介して固定されている。
イメージ管が室温であるときは蓋14は第、1[ツ1(
C)に示J−ように開1コ13を覆ってはいない。
アルカリ土類を送り込む時には・rノーノ管内が約20
0°Cに加熱されるのでバイメタル42 i:i第4図
(B)に示すように湾曲させられて、開口13を覆う状
態に保たれる。
このような構成でも、アルカリ金属の第2の空間への侵
入を妨げることができる。
第50はイメージ管の隔壁と菌の第3の構成を示す説明
図である。
蓋13は隔壁30に設けられた軸50に回転可fIヒに
支持されている回転軸51の一端に固定されている。
回転軸51の他端には、強磁性H料からなイ)11■部
52が固定され、製造過程では第5図(八)(L&)に
示す位置に保たれ開口13を閉じている。
製造終了後に外から前記頭部に磁力を作用させるとかイ
メージ管の姿勢を変えることにより、第5図(C)に示
すよ・:)に開口13の開放4妨げない位置に板ばね5
3により保持される。
第6図はイメージ管の隔壁と蓋の第4の構成を示す説明
図である。
第6図(A> (B)は製造状態、第6図(C)([)
)は使用状態を示している。
製造状態では蓋14は、ばね61により隔壁30の開口
13に1甲しつけられている。
60は蓋14を受け入れる枠であって、製造終了後蓋1
4を受け入れる。なお、ばね61は先・端61aが曲げ
起こされており蓋1,4の肩のOF分に当接して蓋14
の移動を阻止する役割を牙たず。
本発明によるイメージ管は前記のように構成され、製造
されるものであるから、光電面形成時にマイクロチャン
ネルプレートに一?ルカリ金属か送り込まれることはな
くなる。
また使用時に、マイクロチャンネルプレー1・8の発光
は隔壁30により、光電面に到達しにくいので、前述し
た不要な発光の問題は解仄される。
次に本発明の製造方法によって製造されたイメージ管と
従来の製造方法によって製造された形状が近時するイメ
ージ管の螢光面」二での像を比較試験した結果について
述べる。
光電面4に光を入射することなく、マイクI−zチャン
ネルプレート8の入出力電極8a、8b間に1゜3〜l
、 9 k Vの電圧を加えて螢光面9に入射する電子
流(いわゆる暗電流)を測定ずろ。
第7図(B)は前述した工程により製造された本発明に
係るイメージ管の暗電流特性を示すグラフ、同図(△)
LSI略同−の外形をもつイメージ管を第1の空間と第
2の空間を遮断しないで製造したイメージ管(以−丁従
来の・イメージ管)の喧電流+t、lr性を示すグラフ
である。
第7図(A)のグラフから従来のイメージ管ではマイク
ロチャンネルプレー1−8の入出力′電極3a。
8b間に!、、4 k Vの電圧を印加し7だ場合の暗
?li流は5X10”10Δ、1.9 k Vを印加す
ると、2×10−”Aの暗電流が流れていることが理1
す7できる。
なお暗電流が10 ”/\になると、螢光面全体に多数
の輝n5+が現れる。また暗電流が2>”10−’△で
は螢光面全体の発光が飽和レヘルに達L2て、信号光が
光電面に入射しても表示できなくなる。
これに対して第7図1)に示す本発明に、Lる前記イメ
ージ管の暗電流はマイクロチセンネルプレー1−8の入
出力電ti8a、Bb間に1,7kVの電圧を印加した
場合で2X l O−” A、同Uバ1゜9kVの電圧
を印加した場合に2X10−IOA程度で従来のイメー
ジ管に比較して暗電流が著しく減少していることがわか
る。
以」二は最も典型的なイメージ管について説明したが本
発明は他の形態のイメージ管にも同様に通用できるもの
である。
前述の螢光面9の代わりにCCr、)(チャージカップ
ル ト デバ・イス)、PSD(ポジうヨン センシテ
ィブ デバイス)のような2次元半導体電子検出素子を
用いた装置においても4本発明はS/N比を向上さV゛
ることができるという点で全く同様の効果を発揮できる
ものである。
さらに、CCDやPSDの内部の接合がアルカリ金属に
よって汚染され、性能をlr4な)、ことを防止できる
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のイメージ管の構成を示すIij tlj
i面図、および光電面と光学像の関係を示す略図ごある
。 第2図は本発明のイメージ管の製造過程の状態ヲ示す断
面図である。 第3図は前記第2図に示したイメージ管の隔壁と藍の関
係を示す説明図である。 第4図はイメージ管の隔壁と蓋の第2の構成を示す説明
図である。 第5図はイメージ管の隔壁と蓋の第3の構成を示す説明
口である。 第6図はイメージ管の隔壁と蓋の第4の構成を示す図で
ある。 第7図は本発明によるイメージ管と従来の相当品との動
作特性を比較したグラフである。 l・・・光学(3′、を人、!I・Jする窓 2・・・
出射窓3・・・直空気密容器 4・・・光電面5・・・
メノンユ電極 6・・・集束電極7・・・アパーヂャ電
極 8・・・マイクロチャンネルプレー1・9・・・螢光面
 11・・・クロスオーバ点13・・・隔壁に設けられ
た開口 14・・・蓋 16・・・ばね 17・・・アルカリ金属を収容する枝管18・アンチモ
ン友発源を収容する枝管19・・・光電面側(第1の空
間)の排気管20・・・螢光面側(第2の空間)の排気
管30・・・隔壁 42・・バイメタル 52・・・強磁性片 60・・・枠 61・・・ばね 特許出願人 浜松ボ(−ニクス株式会社代理人 弁理士
 井 ) ロ 壽 オ?図 2′41閃 (8)(C) 3′5m (B) (C) (A) (C) (B) (D)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11光電面から放出された光電子をマイクロチャンネ
    ルプレー1−を用いて増倍して極−微弱な光像を観察す
    るイメージ管において、光電面と前記マイクロチャンネ
    ルプレートの間にある光電子のクロスオーバ点またはそ
    の近傍に配置され管軸を含む開口を有する隔壁と、前記
    開口を閉鎖する位)δと開放する位置間を移動可能な蓋
    と、前記蓋を前記開放位置に移動させる手段とを含み光
    電面製造中は前記蓋を閉鎖位置に保ち常時ば開放させ゛
    ζ電子の通過経路を形成するように構成したことを特徴
    とするイメージ管。 (2)前記蓋は前記隔壁に回転可能に枢支されており、
    光電面製造中は重力により、前記開口を閉鎖する位置に
    あり、終了後に容器の姿勢を変えることにより移動させ
    られ、前記隔壁に設置1られたばねで固定される特許請
    求の範囲第1項記載のイメージ管。 (3)前記蓋は前記隔壁にバイメタルを介して支持され
    ており、前記バイメタルは光電面形成時の温度では前記
    蓋を前記開口部にもたらし、常温で副開口部から退避さ
    せるように設けられている特許請求の範囲第1項記載の
    イメー・ブ管。 (4)前記蓋は前記隔壁に摺動可能に設けられ、前記隔
    壁に設けたばねにより開口部に押しつけられ、終了後に
    容器の姿勢を変えることにより開口部から退避させられ
    たとき前記ばねにより、退避位置に保持される特許請求
    の範囲第1項記載のイメージ管。 (5)光電面から放出された光電子をマイクロチャンネ
    ルプレートを用いて増倍して極微弱な光像を観察するイ
    メージ管の製造方法において、排気されて真空が形成さ
    れる容器内に形成される少゛すくとも光電面が形成され
    る面と集束電極を含む第1の空間と、少なくともマイク
    ロチャンネルプレートと螢光面を含む第2の空間を管軸
    に開口を待つ隔壁で前記開口が光電子のクロスオーツ\
    点またはその近傍に配置される位置で分離し、前記開口
    部に製造工程では閉じている蓋を設けて置く組立工程と
    、前記第1およi第2の空間の排気を行う工程と、前記
    第1の空間に連通する枝管から光電面を形成する金属を
    導入して光電面を形成する工程と、前記枝管を切断して
    、内部を加熱しながら排気し、充電面形成1.こ寄与し
    なかった光電面形成用の材料を排出する工程と、排気終
    了後に前記蓋を開口部から離脱さゼる工程とから構成し
    たごとを特徴とするイメージ管の製造方法。
JP16394083A 1982-11-24 1983-09-06 イメ−ジ管およびその製造方法 Pending JPS6056341A (ja)

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US06/551,835 US4595375A (en) 1982-11-24 1983-11-15 Imaging and streaking tubes, and methods for fabricating the imaging and streaking tubes
GB08410837A GB2149200B (en) 1983-09-06 1984-04-27 Imaging and streaking tubes
US06/824,692 US4698544A (en) 1982-11-24 1986-01-30 Imaging and streaking tubes including a lid for covering an aperture in a wall separating the tube envelope into spaces during fabrication thereof

Applications Claiming Priority (1)

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JP16394083A JPS6056341A (ja) 1983-09-06 1983-09-06 イメ−ジ管およびその製造方法

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