JPH10223163A - 放射線イメージ管およびその製造方法 - Google Patents
放射線イメージ管およびその製造方法Info
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- JPH10223163A JPH10223163A JP30565497A JP30565497A JPH10223163A JP H10223163 A JPH10223163 A JP H10223163A JP 30565497 A JP30565497 A JP 30565497A JP 30565497 A JP30565497 A JP 30565497A JP H10223163 A JPH10223163 A JP H10223163A
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- phosphor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 解像度の高い放射線イメージ管およびその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 基板１９面上に形成された放射線励起蛍
光体層２０を有する入力部を具備した放射線イメージ管
において、蛍光体層２０は、この蛍光体層２０の厚さの
３分の１以下の厚さで基板１９面上に形成された柱状結
晶からなる第１蛍光体層２０Ａと、この第１蛍光体層２
０Ａ上に形成された柱状結晶からなる第２蛍光体層２０
Ｂとを有し、第２蛍光体層２０Ｂの柱状結晶の平均直径
を第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶の平均直径よりも大き
くしている。
造方法を提供すること。 【解決手段】 基板１９面上に形成された放射線励起蛍
光体層２０を有する入力部を具備した放射線イメージ管
において、蛍光体層２０は、この蛍光体層２０の厚さの
３分の１以下の厚さで基板１９面上に形成された柱状結
晶からなる第１蛍光体層２０Ａと、この第１蛍光体層２
０Ａ上に形成された柱状結晶からなる第２蛍光体層２０
Ｂとを有し、第２蛍光体層２０Ｂの柱状結晶の平均直径
を第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶の平均直径よりも大き
くしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線やγ線などの
放射線を可視光に変換する放射線イメージ管およびその
製造方法に関する。
放射線を可視光に変換する放射線イメージ管およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射線イメージ管の１つにＸ線イメージ
管があり、Ｘ線イメージ管は医療用や工業用などの各種
装置に利用されている。
管があり、Ｘ線イメージ管は医療用や工業用などの各種
装置に利用されている。
【０００３】例えば、Ｘ線イメージ管の場合、外部から
入力するＸ線像を光電子像に変換する入力部や、入力部
で変換された光電子像を加速集束する電極、そして、光
電子像を可視光像に変換する出力部などを真空外囲器内
に配置した構造になっている。また、入力部は、蛍光体
層と光電層とを、Ｘ線透過率の良いアルミニウムまたは
アルミニウム合金などの金属で構成された基板面上に形
成した構造になっている。
入力するＸ線像を光電子像に変換する入力部や、入力部
で変換された光電子像を加速集束する電極、そして、光
電子像を可視光像に変換する出力部などを真空外囲器内
に配置した構造になっている。また、入力部は、蛍光体
層と光電層とを、Ｘ線透過率の良いアルミニウムまたは
アルミニウム合金などの金属で構成された基板面上に形
成した構造になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｘ線イメー
ジ管の入力部を構成する蛍光体層を基板面上に形成する
方法は、これまでにもいくつかの方法が提案されてい
る。その１つは、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム付活ヨウ化
セシウム）の柱状結晶からなる蛍光体層を所定の圧力の
もとで基板面上に蒸着法で形成する方法である。しか
し、このように単なる蒸着だけで蛍光体層を形成した場
合は、基板面近傍の結晶に乱れが生じ、Ｘ線で発生した
光を結晶内に導く良好なライトガイド効果が得にくくな
る。このため、解像度が低下する。
ジ管の入力部を構成する蛍光体層を基板面上に形成する
方法は、これまでにもいくつかの方法が提案されてい
る。その１つは、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム付活ヨウ化
セシウム）の柱状結晶からなる蛍光体層を所定の圧力の
もとで基板面上に蒸着法で形成する方法である。しか
し、このように単なる蒸着だけで蛍光体層を形成した場
合は、基板面近傍の結晶に乱れが生じ、Ｘ線で発生した
光を結晶内に導く良好なライトガイド効果が得にくくな
る。このため、解像度が低下する。
【０００５】もう１つの方法は、１５μｍ以下の１〜２
層の結晶粒子を基板面上に敷きつめ、この上に柱状結晶
を形成する方法である（特開昭５７−７０５１号公報参
照）。この方法の場合、基板面近傍の結晶の乱れはある
程度改善される。しかし、十分な解像度が得られなくな
る。
層の結晶粒子を基板面上に敷きつめ、この上に柱状結晶
を形成する方法である（特開昭５７−７０５１号公報参
照）。この方法の場合、基板面近傍の結晶の乱れはある
程度改善される。しかし、十分な解像度が得られなくな
る。
【０００６】もう１つの方法は、結晶直径が大きく、乱
れのない第１蛍光体層を基板面上に形成し、その後、第
１蛍光体層よりも結晶直径が小さい第２蛍光体層を第１
蛍光体層上に形成する方法である（特開昭５９−１７７
８３７号公報参照）。この方法によれば基板面近傍の結
晶の乱れは少ない。しかし、結晶サイズが大きいため十
分な解像度が得られない。
れのない第１蛍光体層を基板面上に形成し、その後、第
１蛍光体層よりも結晶直径が小さい第２蛍光体層を第１
蛍光体層上に形成する方法である（特開昭５９−１７７
８３７号公報参照）。この方法によれば基板面近傍の結
晶の乱れは少ない。しかし、結晶サイズが大きいため十
分な解像度が得られない。
【０００７】また、基板の温度を室温よりも低く保ち、
この状態でＣｓＩを蒸着することによって結晶サイズが
サブミクロンの蛍光体層を形成する方法がある（特開平
６−３６６８７号公報には）。しかし、この方法の場
合、輝度が十分でないため、Ｘ線イメージ管などに使用
することは困難である。
この状態でＣｓＩを蒸着することによって結晶サイズが
サブミクロンの蛍光体層を形成する方法がある（特開平
６−３６６８７号公報には）。しかし、この方法の場
合、輝度が十分でないため、Ｘ線イメージ管などに使用
することは困難である。
【０００８】また、基板面に、ＣｓＩ：Ｎａの柱状結晶
の蛍光体層を蒸着法で形成する場合、蒸着時の圧力は通
常０．４Ｐａ程度にしている。このような条件の場合、
基板面との接触面積が大きい蛍光体層が形成される。こ
のため、基板面に染みやむらなどの汚れ、あるいは圧延
ロールすじの傷などがあると、これらが出力画像にノイ
ズ成分となって現れ、画質が低下する。
の蛍光体層を蒸着法で形成する場合、蒸着時の圧力は通
常０．４Ｐａ程度にしている。このような条件の場合、
基板面との接触面積が大きい蛍光体層が形成される。こ
のため、基板面に染みやむらなどの汚れ、あるいは圧延
ロールすじの傷などがあると、これらが出力画像にノイ
ズ成分となって現れ、画質が低下する。
【０００９】上記したように従来の放射線イメージ管
は、入力部を構成する蛍光体層の結晶が基板面近傍で乱
れ、ライトガイド効果が低下している。この結果、良好
な解像度が得られていない。また、解像度を向上するた
めに低い基板温度で蛍光体層を蒸着させた場合、結晶サ
イズは小さくなるものの、十分な輝度が得られなくな
る。また、基板面に汚れや傷などがあると、それが出力
画像に現れ、画質が低下する。
は、入力部を構成する蛍光体層の結晶が基板面近傍で乱
れ、ライトガイド効果が低下している。この結果、良好
な解像度が得られていない。また、解像度を向上するた
めに低い基板温度で蛍光体層を蒸着させた場合、結晶サ
イズは小さくなるものの、十分な輝度が得られなくな
る。また、基板面に汚れや傷などがあると、それが出力
画像に現れ、画質が低下する。
【００１０】この発明は、上記した欠点を解決するもの
で、解像度を向上させ、あるいは、画質の低下を防止し
た放射線イメージ管およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
で、解像度を向上させ、あるいは、画質の低下を防止し
た放射線イメージ管およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板面上に
形成された放射線励起蛍光体層を有する入力部を具備し
た放射線イメージ管において、前記蛍光体層は、この蛍
光体層の厚さの３分の１以下の厚さで前記基板面上に形
成された柱状結晶の第１蛍光体層と、この第１蛍光体層
上に形成された柱状結晶の第２蛍光体層とを有し、前記
第２蛍光体層の柱状結晶の平均直径が前記第１蛍光体層
の柱状結晶の平均直径よりも大きいことを特徴としてい
る。
形成された放射線励起蛍光体層を有する入力部を具備し
た放射線イメージ管において、前記蛍光体層は、この蛍
光体層の厚さの３分の１以下の厚さで前記基板面上に形
成された柱状結晶の第１蛍光体層と、この第１蛍光体層
上に形成された柱状結晶の第２蛍光体層とを有し、前記
第２蛍光体層の柱状結晶の平均直径が前記第１蛍光体層
の柱状結晶の平均直径よりも大きいことを特徴としてい
る。
【００１２】また、この発明は、蛍光体層を基板面上に
形成し入力部を構成する放射線イメージ管の製造方法に
おいて、前記蛍光体層を、前記基板を１３０℃以下の温
度に維持しながら蛍光体を蒸着して第１蛍光体層を形成
し、その後、前記基板を第１蛍光体層の蒸着時よりも高
い温度に維持し、前記第１蛍光体層上に蛍光体を蒸着し
て第２蛍光体層を形成することによって、構成したこと
を特徴としている。
形成し入力部を構成する放射線イメージ管の製造方法に
おいて、前記蛍光体層を、前記基板を１３０℃以下の温
度に維持しながら蛍光体を蒸着して第１蛍光体層を形成
し、その後、前記基板を第１蛍光体層の蒸着時よりも高
い温度に維持し、前記第１蛍光体層上に蛍光体を蒸着し
て第２蛍光体層を形成することによって、構成したこと
を特徴としている。
【００１３】また、この発明は、基板面上に形成された
放射線励起蛍光体層を有する入力部を具備した放射線イ
メージ管において、前記蛍光体層は、この蛍光体層の厚
さの３分の１以下の厚さの第１蛍光体層と、この第１蛍
光体層上に形成された第２蛍光体層とを有し、前記第１
蛍光体層の柱状結晶間の隙間の平均幅が前記第２蛍光体
層の柱状結晶間の隙間の平均幅よりも大きいことを特徴
としている。
放射線励起蛍光体層を有する入力部を具備した放射線イ
メージ管において、前記蛍光体層は、この蛍光体層の厚
さの３分の１以下の厚さの第１蛍光体層と、この第１蛍
光体層上に形成された第２蛍光体層とを有し、前記第１
蛍光体層の柱状結晶間の隙間の平均幅が前記第２蛍光体
層の柱状結晶間の隙間の平均幅よりも大きいことを特徴
としている。
【００１４】また、この発明は、蛍光体層を基板面上に
形成し入力部を構成する放射線イメージ管の製造方法に
おいて、前記蛍光体層を、蒸着時の圧力を０．８Ｐａ以
上、温度を１５０℃以下に維持しながら第１蛍光体層を
形成し、その後、前記第１蛍光体層の形成時よりも低い
圧力と高い温度に維持し、前記第１蛍光体層上に蛍光体
を蒸着して第２蛍光体層を形成することによって、構成
したことを特徴としている。
形成し入力部を構成する放射線イメージ管の製造方法に
おいて、前記蛍光体層を、蒸着時の圧力を０．８Ｐａ以
上、温度を１５０℃以下に維持しながら第１蛍光体層を
形成し、その後、前記第１蛍光体層の形成時よりも低い
圧力と高い温度に維持し、前記第１蛍光体層上に蛍光体
を蒸着して第２蛍光体層を形成することによって、構成
したことを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
を参照して説明する。符号１１は、Ｘ線イメージ管を構
成する真空外囲器で、真空外囲器１１内の一端に放射線
励起の入力部１２が設けられている。入力部１２は、被
写体１３を透過したＸ線１４を光電子１５に変換して出
力している。入力部１２から出力された光電子１５は集
束電極１６や加速電極１７で加速、集束され、真空外囲
器１１内の他端に設けられた出力部１８に入力される。
そして、出力部１８において、光電子１５は出力像例え
ば可視光像に変換される。
を参照して説明する。符号１１は、Ｘ線イメージ管を構
成する真空外囲器で、真空外囲器１１内の一端に放射線
励起の入力部１２が設けられている。入力部１２は、被
写体１３を透過したＸ線１４を光電子１５に変換して出
力している。入力部１２から出力された光電子１５は集
束電極１６や加速電極１７で加速、集束され、真空外囲
器１１内の他端に設けられた出力部１８に入力される。
そして、出力部１８において、光電子１５は出力像例え
ば可視光像に変換される。
【００１６】なお、入力部１２は、円１０内に拡大して
示すように、例えば、Ｘ線１４を透過しやすい基板１９
面上に蛍光体層２０を形成し、その上に光電層２１を形
成した構造になっている。
示すように、例えば、Ｘ線１４を透過しやすい基板１９
面上に蛍光体層２０を形成し、その上に光電層２１を形
成した構造になっている。
【００１７】ここで、基板１９面上に蛍光体層２０を形
成する方法について図２を参照して説明する。図２は、
基板１９と蛍光体層２０の一部を断面にした図で、図１
に対応する部分には同一の符号を付している。符号１９
は基板で、基板１９面上に形成される蛍光体層２０は、
第１蛍光体層２０Ａと、この第１蛍光体層２０Ａ上に形
成される第２蛍光体層２０Ｂとから構成されている。な
お、第１蛍光体層２０Ａおよび第２蛍光体層２０Ｂはい
ずれも蛍光体の柱状結晶層として形成されている。
成する方法について図２を参照して説明する。図２は、
基板１９と蛍光体層２０の一部を断面にした図で、図１
に対応する部分には同一の符号を付している。符号１９
は基板で、基板１９面上に形成される蛍光体層２０は、
第１蛍光体層２０Ａと、この第１蛍光体層２０Ａ上に形
成される第２蛍光体層２０Ｂとから構成されている。な
お、第１蛍光体層２０Ａおよび第２蛍光体層２０Ｂはい
ずれも蛍光体の柱状結晶層として形成されている。
【００１８】そして、第１蛍光体層２０Ａは、Ａｌまた
はＡｌ合金などで構成された基板１９の表面を５０℃に
保ち、例えば０．５Ｐａの圧力のもとで、蛍光体Ｃｓ
Ｉ：Ｎａを基板１９面上に蒸着し、平均直径が例えば１
μｍの柱状結晶として厚さ１０μｍに形成している。ま
た、第２蛍光体層２０Ｂは、基板１９や第１蛍光体層２
０Ａを１５０℃の温度に保ち、例えば０．５Ｐａの圧力
のもとで、蛍光体ＣｓＩ：Ｎａを第１蛍光体層２０Ａ上
に厚さ４００μｍに蒸着して形成している。
はＡｌ合金などで構成された基板１９の表面を５０℃に
保ち、例えば０．５Ｐａの圧力のもとで、蛍光体Ｃｓ
Ｉ：Ｎａを基板１９面上に蒸着し、平均直径が例えば１
μｍの柱状結晶として厚さ１０μｍに形成している。ま
た、第２蛍光体層２０Ｂは、基板１９や第１蛍光体層２
０Ａを１５０℃の温度に保ち、例えば０．５Ｐａの圧力
のもとで、蛍光体ＣｓＩ：Ｎａを第１蛍光体層２０Ａ上
に厚さ４００μｍに蒸着して形成している。
【００１９】なお、基板１９面上に蛍光体層２０が形成
されると、蛍光体層２０上に光電層が形成され、入力部
１２（図１）が構成される。このようにして構成された
入力部１２は、他の電極１６、１７などとともに、その
後、組み立てられる真空外囲器１１（図１）の所定位置
に配置される。
されると、蛍光体層２０上に光電層が形成され、入力部
１２（図１）が構成される。このようにして構成された
入力部１２は、他の電極１６、１７などとともに、その
後、組み立てられる真空外囲器１１（図１）の所定位置
に配置される。
【００２０】なお、上記した方法で形成した蛍光面２０
の一部断面を電子顕微鏡写真で示すと、図３および図４
のようになる。図３では、蛍光面２０の厚さ方向の全体
が示され、下端の黒色部分が基板１９で、横方向に延び
る細い白い線状の部分が第１蛍光体層２０Ａを示してい
る。また、第１蛍光体層２０Ａの上方部分が第２蛍光体
層２０Ａである。
の一部断面を電子顕微鏡写真で示すと、図３および図４
のようになる。図３では、蛍光面２０の厚さ方向の全体
が示され、下端の黒色部分が基板１９で、横方向に延び
る細い白い線状の部分が第１蛍光体層２０Ａを示してい
る。また、第１蛍光体層２０Ａの上方部分が第２蛍光体
層２０Ａである。
【００２１】また図４は、図３の基板１９に近い部分を
拡大した電子顕微鏡写真で、下端の黒色部分が基板１９
である。また、基板１９上で少し明るくなって横方向に
広がる部分が第１蛍光体層２０Ａで、第１蛍光体層２０
Ａの上方で、第１蛍光体層２０Ａよりも少し暗く、一部
に白い縦縞が混じった部分が第２蛍光体層２０Ｂを示し
ている。
拡大した電子顕微鏡写真で、下端の黒色部分が基板１９
である。また、基板１９上で少し明るくなって横方向に
広がる部分が第１蛍光体層２０Ａで、第１蛍光体層２０
Ａの上方で、第１蛍光体層２０Ａよりも少し暗く、一部
に白い縦縞が混じった部分が第２蛍光体層２０Ｂを示し
ている。
【００２２】なお、上記した実施の形態では、第１蛍光
体層２０Ａを形成した後、温度を上げて第２蛍光体層２
０Ｂを第１蛍光体層２０Ａ上に形成している。しかし、
第２蛍光体層２０Ｂを形成する前に、第１蛍光体層２０
Ａが形成された基板１９を真空中またはガス雰囲気中で
例えば２５０℃で５時間ほど加熱することもできる。加
熱することによって第１蛍光体層２０Ａの結晶配向が
（２００）面に整えられ、解像度が向上し安定化し、ま
た、輝度が向上する。この場合、第１蛍光体層２０Ａの
膜厚が厚いほど効果が大きくなる。
体層２０Ａを形成した後、温度を上げて第２蛍光体層２
０Ｂを第１蛍光体層２０Ａ上に形成している。しかし、
第２蛍光体層２０Ｂを形成する前に、第１蛍光体層２０
Ａが形成された基板１９を真空中またはガス雰囲気中で
例えば２５０℃で５時間ほど加熱することもできる。加
熱することによって第１蛍光体層２０Ａの結晶配向が
（２００）面に整えられ、解像度が向上し安定化し、ま
た、輝度が向上する。この場合、第１蛍光体層２０Ａの
膜厚が厚いほど効果が大きくなる。
【００２３】また、第１蛍光体層２０Ａの膜厚は薄いほ
ど輝度は高くなり、厚くなるにつれ輝度が低下する。し
たがって、第１蛍光体層２０Ａの膜厚分布を、入力部の
中心を最も厚くし、周辺部ヘいくほど薄くすれば、輝度
の一様性を向上させることができる。
ど輝度は高くなり、厚くなるにつれ輝度が低下する。し
たがって、第１蛍光体層２０Ａの膜厚分布を、入力部の
中心を最も厚くし、周辺部ヘいくほど薄くすれば、輝度
の一様性を向上させることができる。
【００２４】また、第１蛍光体層２０Ａおよび第２蛍光
体層２０Ｂのどちらか一方または両方に、光吸収物質あ
るいは光反射物質を含有したアルカリハライド蛍光体材
料を使用し、また、第１蛍光体層２０Ａおよび第２蛍光
体層２０Ｂを成膜した後に酸素雰囲気中で加熱すれば、
解像度をより向上させることができる。
体層２０Ｂのどちらか一方または両方に、光吸収物質あ
るいは光反射物質を含有したアルカリハライド蛍光体材
料を使用し、また、第１蛍光体層２０Ａおよび第２蛍光
体層２０Ｂを成膜した後に酸素雰囲気中で加熱すれば、
解像度をより向上させることができる。
【００２５】上記した実施の形態では、入力部を構成す
る蛍光体層は、第１蛍光体層と第２蛍光体層から構成さ
れ、また、基板側の第１蛍光体層の柱状結晶の平均直径
が例えば３μｍ以下と第２蛍光体層よりも小さくなって
いる。このため、基板に近い部分の柱状結晶の平均直径
が小さく、また、結晶の乱れもない。これによって、全
体のライトガイド効果が向上する。特に、基板近傍にお
けるライトガイド効果が向上し、解像度が向上する。
る蛍光体層は、第１蛍光体層と第２蛍光体層から構成さ
れ、また、基板側の第１蛍光体層の柱状結晶の平均直径
が例えば３μｍ以下と第２蛍光体層よりも小さくなって
いる。このため、基板に近い部分の柱状結晶の平均直径
が小さく、また、結晶の乱れもない。これによって、全
体のライトガイド効果が向上する。特に、基板近傍にお
けるライトガイド効果が向上し、解像度が向上する。
【００２６】また、第１蛍光体層を形成した後で第２蛍
光体層を形成する前に、第１蛍光体層を真空中またはガ
ス雰囲気中で２００〜４５０℃の温度で熱処理してい
る。この場合、結晶配向が揃い、解像度の向上や安定化
が図られ、輝度が向上する。
光体層を形成する前に、第１蛍光体層を真空中またはガ
ス雰囲気中で２００〜４５０℃の温度で熱処理してい
る。この場合、結晶配向が揃い、解像度の向上や安定化
が図られ、輝度が向上する。
【００２７】なお、第１蛍光体層の厚さを蛍光体層全体
の３分の１以下にしている。これは、第１蛍光体層が厚
くなると輝度が低下するためで、第１蛍光体層の厚さを
制限し輝度の低下を抑えている。
の３分の１以下にしている。これは、第１蛍光体層が厚
くなると輝度が低下するためで、第１蛍光体層の厚さを
制限し輝度の低下を抑えている。
【００２８】次に、本発明の他の実施形態について、そ
の蛍光体層の形成方法を中心に同じく図２を参照して説
明する。
の蛍光体層の形成方法を中心に同じく図２を参照して説
明する。
【００２９】第１蛍光体層２０Ａは、基板１９面を例え
ば１００℃に保ち、１．０Ｐａの圧力のもとで、蛍光体
ＣｓＩ：Ｎａを基板１９面に蒸着して形成している。こ
のとき、第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶の平均直径は３
μｍ、膜厚は１０μｍ、また、膜の密度は２．５ｇ／ｃ
ｍ3 になっている。
ば１００℃に保ち、１．０Ｐａの圧力のもとで、蛍光体
ＣｓＩ：Ｎａを基板１９面に蒸着して形成している。こ
のとき、第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶の平均直径は３
μｍ、膜厚は１０μｍ、また、膜の密度は２．５ｇ／ｃ
ｍ3 になっている。
【００３０】また、第２蛍光体層２０Ｂは、基板１９と
第１蛍光体層２０Ａを例えば１５０℃の温度に保ち、
０．４Ｐａの圧力のもとで、蛍光体ＣｓＩ：Ｎａを第１
蛍光体層２０Ａ上に蒸着して形成している。このとき、
第２蛍光体層２０Ｂの柱状結晶の平均直径は７μｍ、膜
厚は４００μｍ、また、膜の密度は４．０ｇ／ｃｍ3 に
なっている。
第１蛍光体層２０Ａを例えば１５０℃の温度に保ち、
０．４Ｐａの圧力のもとで、蛍光体ＣｓＩ：Ｎａを第１
蛍光体層２０Ａ上に蒸着して形成している。このとき、
第２蛍光体層２０Ｂの柱状結晶の平均直径は７μｍ、膜
厚は４００μｍ、また、膜の密度は４．０ｇ／ｃｍ3 に
なっている。
【００３１】なお、基板１９面上に蛍光体層２０を形成
した後、蛍光体層２０上に光電層２１を形成し、入力部
１２（図１）が構成される。このようにして構成された
入力部１２は他の電極１６、１７などとともに、その
後、組み立てられる真空外囲器１１（図１）の所定位置
に配置される。
した後、蛍光体層２０上に光電層２１を形成し、入力部
１２（図１）が構成される。このようにして構成された
入力部１２は他の電極１６、１７などとともに、その
後、組み立てられる真空外囲器１１（図１）の所定位置
に配置される。
【００３２】この実施形態では、第２蛍光体層２０Ｂを
形成する際に、第１蛍光体層２０Ａの形成時よりも低い
圧力と高い温度に維持し、第１蛍光体層２０Ａ上に蛍光
体を蒸着して形成している。このとき、第１蛍光体層２
０Ａの柱状結晶間に生じる隙間の平均幅が第２蛍光体層
２０Ｂの柱状結晶間の隙間の平均幅よりも大きくなる。
したがって、第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶間に生じる
隙間によって、第１蛍光体層２０Ａと基板１９面との接
触面積が少なくなり、基板１９面の汚れや傷などがあっ
ても出力画像に現れにくくなり、画質の低下が防止され
る。
形成する際に、第１蛍光体層２０Ａの形成時よりも低い
圧力と高い温度に維持し、第１蛍光体層２０Ａ上に蛍光
体を蒸着して形成している。このとき、第１蛍光体層２
０Ａの柱状結晶間に生じる隙間の平均幅が第２蛍光体層
２０Ｂの柱状結晶間の隙間の平均幅よりも大きくなる。
したがって、第１蛍光体層２０Ａの柱状結晶間に生じる
隙間によって、第１蛍光体層２０Ａと基板１９面との接
触面積が少なくなり、基板１９面の汚れや傷などがあっ
ても出力画像に現れにくくなり、画質の低下が防止され
る。
【００３３】なお、上記した各実施形態では、蛍光体層
や光電層が基板面上に形成され、このような構成の入力
部が真空外囲器内に組み込まれた構造になっている。し
かし、真空外囲器の前面に位置する入力窓を基板として
利用し、入力窓に蛍光体層や光電層を形成した構造にす
ることもできる。また、この発明はＸ線イメージ管以外
にも適用することができる。
や光電層が基板面上に形成され、このような構成の入力
部が真空外囲器内に組み込まれた構造になっている。し
かし、真空外囲器の前面に位置する入力窓を基板として
利用し、入力窓に蛍光体層や光電層を形成した構造にす
ることもできる。また、この発明はＸ線イメージ管以外
にも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、解像度が向上し、あ
るいは、画質の低下を防止した放射線イメージ管および
その製造方法を実現できる。
るいは、画質の低下を防止した放射線イメージ管および
その製造方法を実現できる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するためのＸ線イメ
ージ管の概略構成図である。
ージ管の概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態を説明する図で、蛍光体層
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
【図３】本発明の蛍光体層の電子顕微鏡写真である。
【図４】本発明の蛍光体層の電子顕微鏡写真である。
１１…真空外囲器 １２…入力部 １３…被写体 １４…Ｘ線 １５…光電子 １６…集束電極 １７…加速電極 １８…出力部 １９…基板 ２０…蛍光体層 ２０Ａ…第１蛍光体層 ２０Ｂ…第２蛍光体層 ２１…光電層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板面上に形成された放射線励起蛍光体
層を有する入力部を具備した放射線イメージ管におい
て、前記蛍光体層は、この蛍光体層の厚さの３分の１以
下の厚さで前記基板面上に形成された柱状結晶の第１蛍
光体層と、この第１蛍光体層上に形成された柱状結晶の
第２蛍光体層とを有し、前記第２蛍光体層の柱状結晶の
平均直径が前記第１蛍光体層の柱状結晶の平均直径より
も大きいことを特徴とする放射線イメージ管。 - 【請求項２】 第１蛍光体層の柱状結晶の平均直径が３
μｍ以下である請求項１記載の放射線イメージ管。 - 【請求項３】 蛍光体層を基板面上に形成し入力部を構
成する放射線イメージ管の製造方法において、前記蛍光
体層を、前記基板を１３０℃以下の温度に維持しながら
蛍光体を蒸着して第１蛍光体層を形成し、その後、前記
基板を第１蛍光体層の蒸着時よりも高い温度に維持し、
前記第１蛍光体層上に蛍光体を蒸着して第２蛍光体層を
形成することによって、構成したことを特徴とする放射
線イメージ管の製造方法。 - 【請求項４】 第１蛍光体層の柱状結晶の平均直径が３
μｍ以下である請求項３記載の放射線イメージ管の製造
方法。 - 【請求項５】 第１蛍光体層を形成した後で第２蛍光体
層を形成する前に、前記第１蛍光体層を真空中またはガ
ス雰囲気中で２００〜４５０℃の温度で熱処理し結晶配
向を揃える請求項３記載の放射線イメージ管の製造方
法。 - 【請求項６】 第１蛍光体層の膜厚は入力部の中心部分
が最も厚く、周辺部へいくほど薄くなつている請求項１
記載の放射線イメージ管。 - 【請求項７】 第１蛍光体層および第２蛍光体層の少な
くとも一方が、アルカリハライド蛍光体材料、あるい
は、前記各蛍光体層から発生した光を吸収または反射す
る物質を含有するアルカリハライド蛍光体材料を使用し
ている請求項１記載の放射線イメージ管。 - 【請求項８】 基板面上に形成された放射線励起蛍光体
層を有する入力部を具備した放射線イメージ管におい
て、前記蛍光体層は、この蛍光体層の厚さの３分の１以
下の厚さの第１蛍光体層と、この第１蛍光体層上に形成
された第２蛍光体層とを有し、前記第１蛍光体層の柱状
結晶間の隙間の平均幅が前記第２蛍光体層の柱状結晶間
の隙間の平均幅よりも大きいことを特徴とするＸ線イメ
ージ管。 - 【請求項９】 蛍光体層を基板面上に形成し入力部を構
成する放射線イメージ管の製造方法において、前記蛍光
体層を、蒸着時の圧力を０．８Ｐａ以上、温度を１５０
℃以下に維持しながら蛍光体を前記基板面に蒸着して第
１蛍光体層を形成し、その後、前記第１蛍光体層の形成
時よりも低い圧力と高い温度に維持し、前記第１蛍光体
層上に蛍光体を蒸着して第２蛍光体層を形成することに
よって、構成したことを特徴とする放射線イメージ管の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30565497A JPH10223163A (ja) | 1996-12-06 | 1997-11-07 | 放射線イメージ管およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-327064 | 1996-12-06 | ||
| JP32706496 | 1996-12-06 | ||
| JP30565497A JPH10223163A (ja) | 1996-12-06 | 1997-11-07 | 放射線イメージ管およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223163A true JPH10223163A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=26564394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30565497A Pending JPH10223163A (ja) | 1996-12-06 | 1997-11-07 | 放射線イメージ管およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223163A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| JPWO2011148700A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2013-07-25 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2014235921A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社東芝 | イメージ管およびその製造方法 |
| US10386505B2 (en) | 2016-07-08 | 2019-08-20 | Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Scintillator, scintillator panel, radiation detector and method of manufacturing scintillator |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30565497A patent/JPH10223163A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| JPWO2011148700A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2013-07-25 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2015108636A (ja) * | 2010-05-26 | 2015-06-11 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP5799953B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2015-10-28 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2014235921A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社東芝 | イメージ管およびその製造方法 |
| US10386505B2 (en) | 2016-07-08 | 2019-08-20 | Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Scintillator, scintillator panel, radiation detector and method of manufacturing scintillator |
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