JPS6054149A - Ｘ線イメ−ジ インテンシフアイア - Google Patents
Ｘ線イメ−ジ インテンシフアイアInfo
- Publication number
- JPS6054149A JPS6054149A JP16105683A JP16105683A JPS6054149A JP S6054149 A JPS6054149 A JP S6054149A JP 16105683 A JP16105683 A JP 16105683A JP 16105683 A JP16105683 A JP 16105683A JP S6054149 A JPS6054149 A JP S6054149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- screen
- rays
- incident
- ray
- photoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
- H01J2231/5001—Photons
- H01J2231/50031—High energy photons
- H01J2231/50036—X-rays
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、Ｘ線テレビに使＋ １４されるＸ線イメージ
インテンシファイアの分野で利用される。
インテンシファイアの分野で利用される。
本発明はＸ線イメージ インテンシファイアの改良に関
する。
する。
（ロ）従来技術
従来よシ、Ｘ線イメージ インテンシファイアどは、Ｘ
線像を高輝度の可視像に変換する像変換器であり、Ｘ線
を第１の螢光体（通常０８Ｉ ）で、一旦光に変換し、
光電子放出面で電子に変換し、静電界により加速し、運
動エネルギーを付加し第２の螢光体（通常ＺｎＣｄ５
）で高輝度の可視像が得られる。
線像を高輝度の可視像に変換する像変換器であり、Ｘ線
を第１の螢光体（通常０８Ｉ ）で、一旦光に変換し、
光電子放出面で電子に変換し、静電界により加速し、運
動エネルギーを付加し第２の螢光体（通常ＺｎＣｄ５
）で高輝度の可視像が得られる。
そこで、従来から存在するＸ線イメージ インテンシフ
ァイアを第１図に例示する。被写体を通過したＸ線は、
外囲器１０の入射窓】２を通り、Ｃ６■基板１４を通過
して、ＯｓＩ螢光体１６に吸収され、さらにその反対側
に形成されている光電面１８にて、光電子に変換される
構造となっている。このＣ８Ｉ層１６はＸ線量子検出効
率を高めたシ、輝度向上をねらって、厚膜化する動向に
ちるが、単に厚膜化するだけでは、ＯｓＩ層１層中６中
光拡散量が多くなシ、その結果解像度が低下したシ、ま
たＱｓＩ自身の自己吸収の結果、期待する程に輝度が得
られなかったりする。このように要求される高Ｘ線量子
検出効率と高解像度とはＣｓＩ層で達成する場合は、前
者はＣ８Ｉの厚膜化、後者はその薄膜化という相反する
要求事項となり、適当な厚みにおいて両者の妥協点を見
出さなければならなかった。
ァイアを第１図に例示する。被写体を通過したＸ線は、
外囲器１０の入射窓】２を通り、Ｃ６■基板１４を通過
して、ＯｓＩ螢光体１６に吸収され、さらにその反対側
に形成されている光電面１８にて、光電子に変換される
構造となっている。このＣ８Ｉ層１６はＸ線量子検出効
率を高めたシ、輝度向上をねらって、厚膜化する動向に
ちるが、単に厚膜化するだけでは、ＯｓＩ層１層中６中
光拡散量が多くなシ、その結果解像度が低下したシ、ま
たＱｓＩ自身の自己吸収の結果、期待する程に輝度が得
られなかったりする。このように要求される高Ｘ線量子
検出効率と高解像度とはＣｓＩ層で達成する場合は、前
者はＣ８Ｉの厚膜化、後者はその薄膜化という相反する
要求事項となり、適当な厚みにおいて両者の妥協点を見
出さなければならなかった。
（ハ） 目的
本発明の目的は、高いＸ線量子検出効率を持ち、かつ高
い解像度を有するという両者の特性が同時に達成できる
、Ｘ線イメージ インテンシファイアを提供することで
ある。
い解像度を有するという両者の特性が同時に達成できる
、Ｘ線イメージ インテンシファイアを提供することで
ある。
に）構成
前記の目的は、光電子放出面と対向する側に十分な距離
間の外囲器を介してＸ線入射窓を配置することにより達
成され、その場合電子レンズの電極に蒸着膜を被着させ
ることが好捷しい。
間の外囲器を介してＸ線入射窓を配置することにより達
成され、その場合電子レンズの電極に蒸着膜を被着させ
ることが好捷しい。
従来の構造で、高Ｘ線量子検出効率と高解像度が相反す
る事象になったのは、光電面層がＸ線によるＣ８工での
発光に対して透過形になっているためである。つ捷り、
Ｘ線が入射する側から順番に入射窓→Ｃ８■基板→Ｃｓ
Ｉ→光電面となっている構成によるためである。従って
、その構成を変え入射窓→光電面→ＣｓＩ→Ｃ８■基板
という順序、つまり光電面層がＸ線によるＳｓＩでの発
光に対して反射形になるようにすれば、前記の目的は達
成できる。
る事象になったのは、光電面層がＸ線によるＣ８工での
発光に対して透過形になっているためである。つ捷り、
Ｘ線が入射する側から順番に入射窓→Ｃ８■基板→Ｃｓ
Ｉ→光電面となっている構成によるためである。従って
、その構成を変え入射窓→光電面→ＣｓＩ→Ｃ８■基板
という順序、つまり光電面層がＸ線によるＳｓＩでの発
光に対して反射形になるようにすれば、前記の目的は達
成できる。
０）実施例
本発明の好適な実施例を第２図について説明する。
第２図は概略縦断面図である。本発明によればする側の
外囲器１０を介して部分に設け、Ｘ線が従来とは逆に光
電面１８から入射するように構成されている。
外囲器１０を介して部分に設け、Ｘ線が従来とは逆に光
電面１８から入射するように構成されている。
ＣｓＩ層中でのＸ線吸収量は吸収されるまでの距離Ｘに
対して、はぼμｅ−μＸに比例する。ここでμは０ｓＩ
ＯＸ線吸収係数である。つまり、Ｘ線の入射面に近い程
、その吸収量が多く、発光量が大きいことを意味し、第
３図に図示する通りである。
対して、はぼμｅ−μＸに比例する。ここでμは０ｓＩ
ＯＸ線吸収係数である。つまり、Ｘ線の入射面に近い程
、その吸収量が多く、発光量が大きいことを意味し、第
３図に図示する通りである。
従来例では、Ｘ線の入射面と反対側に光電面１８が配置
されているため、Ｘ線の入射面側で発光した光は、第４
図（ａ）に示すようにその量が多いにもかかわらず、光
電面１８まで到達する距離が長く、その間の光吸収によ
シ光電面刺激量は少なくなり、かつ途中の光散乱による
光の拡がりが大きいので、これを防ぐには、第４図（ｂ
）のように、ａｓＩ層を薄ぐずればよいが、その場合、
Ｘ線吸収総量が少なくなるだめ、十分な輝度が得られな
いと共にＸ線量の検出効率が低い。繰返すように屏度と
解像度の要求は相反する。
されているため、Ｘ線の入射面側で発光した光は、第４
図（ａ）に示すようにその量が多いにもかかわらず、光
電面１８まで到達する距離が長く、その間の光吸収によ
シ光電面刺激量は少なくなり、かつ途中の光散乱による
光の拡がりが大きいので、これを防ぐには、第４図（ｂ
）のように、ａｓＩ層を薄ぐずればよいが、その場合、
Ｘ線吸収総量が少なくなるだめ、十分な輝度が得られな
いと共にＸ線量の検出効率が低い。繰返すように屏度と
解像度の要求は相反する。
本発明によれば、光電面１８′側からＸ線が入射するた
め、第５図に示すようにＸ線の入射面側ＣｓＩで発光し
た光は、光電面１８′壕での距離が短いため光電面刺激
量が多く、かつ光散乱による広がりも少い。Ｘ線の入射
面に近い所、つまり光電面１８に近い所での発光量が大
きいだめ、この効果は特に有効である。その結果、高輝
度で高解像度の各特性が同時達成できる。本発明によれ
ば０８１層１６′を厚くしても、入射面１８′から深い
所でのＸ線吸収は、発光が少ないため、少ないので、光
電面１８にカえる影響は少ない。つまりＣｓＩ層１６′
を厚くしても、従来では生じたぼけが広がることはない
。
め、第５図に示すようにＸ線の入射面側ＣｓＩで発光し
た光は、光電面１８′壕での距離が短いため光電面刺激
量が多く、かつ光散乱による広がりも少い。Ｘ線の入射
面に近い所、つまり光電面１８に近い所での発光量が大
きいだめ、この効果は特に有効である。その結果、高輝
度で高解像度の各特性が同時達成できる。本発明によれ
ば０８１層１６′を厚くしても、入射面１８′から深い
所でのＸ線吸収は、発光が少ないため、少ないので、光
電面１８にカえる影響は少ない。つまりＣｓＩ層１６′
を厚くしても、従来では生じたぼけが広がることはない
。
第２図に示す実施例のように、Ｘ線入・射窓１２′とＣ
ｓＩ層１６′までの距離あ；十分となる。この場合、入
射窓月での散乱−線の影響をＣ１４層１６′はあオり受
けなくてすむ。従って高コントラストな画質が得られる
。
ｓＩ層１６′までの距離あ；十分となる。この場合、入
射窓月での散乱−線の影響をＣ１４層１６′はあオり受
けなくてすむ。従って高コントラストな画質が得られる
。
なお、本発明によれば、Ｘ線がＣ８Ｉ層１６′に到達す
るまでに電子レンズ系を横切るが、電子レンズを構成す
る電極がその途中に介在する場合、それによる吸収が問
題となる。これを解決するためにほぼ一様な吸収をもつ
電極を設けるか、他方電子レンズの都合上、電極を２つ
に分離する８裸がある場合には、はぼ一様な吸収をもつ
絶縁層に薄く蒸着膜を被着させて、電極での吸収による
「影」を極力除去する。
るまでに電子レンズ系を横切るが、電子レンズを構成す
る電極がその途中に介在する場合、それによる吸収が問
題となる。これを解決するためにほぼ一様な吸収をもつ
電極を設けるか、他方電子レンズの都合上、電極を２つ
に分離する８裸がある場合には、はぼ一様な吸収をもつ
絶縁層に薄く蒸着膜を被着させて、電極での吸収による
「影」を極力除去する。
さらに、第２図では従来例と同様にＣｓＩ層１６の結晶
成長用としてＣｓＩ基板１４を設けている。従来方式で
は、Ｘ線を透過させる必要が、その基板にあったが、本
発明ではその必要がないので、外周器に直接ＯｓＩを設
けてもよいし、また強度的に十分な厚みを有する基板を
使用して、電子レンズ像の歪などを少なくできる。
成長用としてＣｓＩ基板１４を設けている。従来方式で
は、Ｘ線を透過させる必要が、その基板にあったが、本
発明ではその必要がないので、外周器に直接ＯｓＩを設
けてもよいし、また強度的に十分な厚みを有する基板を
使用して、電子レンズ像の歪などを少なくできる。
（へ）効果
本発明は、高輝度・高解像度及び高Ｘ線量子検出効率の
各特性が同時に達成され、その場合入射窓拐におけるＸ
線散乱による影響を少なくできるという作用効果を奏す
る。
各特性が同時に達成され、その場合入射窓拐におけるＸ
線散乱による影響を少なくできるという作用効果を奏す
る。
第１図は従来例の断面図、第２図は本発明の１実施例を
示した断面図、第３図はＣｓＩの発光量特性図、第４図
は従来例による輝度特性図、第５図は本発明による輝度
特性図である。 ある０ 第１図 第３図 第４図 第２図 Ｘ １４′ 第５図
示した断面図、第３図はＣｓＩの発光量特性図、第４図
は従来例による輝度特性図、第５図は本発明による輝度
特性図である。 ある０ 第１図 第３図 第４図 第２図 Ｘ １４′ 第５図
Claims (2)
- （１）Ｘ線像が光電面に結像して光電子として変換放出
され、これを静電界で加速する手段を有するＸ線イメー
ジ インテンシファイアにおいて、光電子放出面と対向
する側に十分な距離間の外囲器を介してＸ線入射窓が配
置されていることを特徴とする、Ｘ線イメージ インテ
ンシファイア。 - （２）Ｘ線が入射窓からＯ’ＳＩ層に到達する間に介在
する電子レンズの電極が蒸着ｉにより被着されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＸ線イメ
ージ インテンシファイア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16105683A JPS6054149A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | Ｘ線イメ−ジ インテンシフアイア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16105683A JPS6054149A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | Ｘ線イメ−ジ インテンシフアイア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054149A true JPS6054149A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15727773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16105683A Pending JPS6054149A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | Ｘ線イメ−ジ インテンシフアイア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054149A (ja) |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP16105683A patent/JPS6054149A/ja active Pending
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