JPS5846181B2 - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS5846181B2 JPS5846181B2 JP54102259A JP10225979A JPS5846181B2 JP S5846181 B2 JPS5846181 B2 JP S5846181B2 JP 54102259 A JP54102259 A JP 54102259A JP 10225979 A JP10225979 A JP 10225979A JP S5846181 B2 JPS5846181 B2 JP S5846181B2
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- JP
- Japan
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- transparent
- light
- image sensor
- original
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ファクシミリ送信機の読み取り系に使用する
原稿に対応し、原稿に密着して読み取りを行うことが可
能なイメージセンサに関するものである。
原稿に対応し、原稿に密着して読み取りを行うことが可
能なイメージセンサに関するものである。
従来、ファクシミリ送信機の読み取り系は第１図に示す
ようにＩＣ技術等で製造されるＭＯＳやＣＣＤ等のイメ
ージセンサ１を用い、原稿２をけい光灯で照明しその反
射光をレンズ系４によってイメージセンサ１上σこ縮小
結像して光電変換する方法をとっている。
ようにＩＣ技術等で製造されるＭＯＳやＣＣＤ等のイメ
ージセンサ１を用い、原稿２をけい光灯で照明しその反
射光をレンズ系４によってイメージセンサ１上σこ縮小
結像して光電変換する方法をとっている。
この方法は、レンズ系を使用するので縮率が大きい場合
、原稿からセンサまでの光路長が大きく装置の小形化に
不利であること、両所周辺部の分解能が悪いこと及び光
量が少なくなることなどの欠点を有していた。
、原稿からセンサまでの光路長が大きく装置の小形化に
不利であること、両所周辺部の分解能が悪いこと及び光
量が少なくなることなどの欠点を有していた。
そのため第２図に示すように原稿と１：２に対応する大
きさのイメージセンサ５を用い、けい光灯３によってイ
メージセンサ５を通して原稿を照明し、反射光を再びセ
ンサ５で受光するものが提案されている。
きさのイメージセンサ５を用い、けい光灯３によってイ
メージセンサ５を通して原稿を照明し、反射光を再びセ
ンサ５で受光するものが提案されている。
第３図はこのセンサの側筋図、第４図に足前拡大図を示
しているが、透明基板６の上に透明窓１３を除いて遮光
層７を配列し、その上にＣｄＳ等の光電変換素子列８を
設け、不透明電極９および透明電極１２１こよって外部
回路と接続されるものである。
しているが、透明基板６の上に透明窓１３を除いて遮光
層７を配列し、その上にＣｄＳ等の光電変換素子列８を
設け、不透明電極９および透明電極１２１こよって外部
回路と接続されるものである。
第３図においてけい光灯からの光束１０は透明窓１３を
通り原稿２に達する。
通り原稿２に達する。
原稿２からの反射光は光電変換素子８で捕獲され光電変
換される。
換される。
この場合光電変換素子上には原稿との摩擦による劣化や
光電変換材料の経年劣化を防ぐために透明保護層１１を
設けている。
光電変換材料の経年劣化を防ぐために透明保護層１１を
設けている。
そして原稿を均一に照明するため透明保護層の厚さは、
ある程度厚くしている。
ある程度厚くしている。
このため透明窓を通った光束は原稿に達するまでに拡散
するので原稿にはぼけた透明窓が投影されることになり
原稿からの反射光も拡散して分解能を劣化させる欠点が
ある。
するので原稿にはぼけた透明窓が投影されることになり
原稿からの反射光も拡散して分解能を劣化させる欠点が
ある。
本発明はこれらの欠点を除去するため各ビット毎に原稿
照明用の透明窓を透明保護層の上部にもうけ照明光束の
拡散を押えることにより分解能の向上をはかったもので
、以下図面について詳細に説明する。
照明用の透明窓を透明保護層の上部にもうけ照明光束の
拡散を押えることにより分解能の向上をはかったもので
、以下図面について詳細に説明する。
第５図は本発明のイメージセンサの実施例を示す。
ガラス等の透明基板６上に遮光層７とＳ ｎ０２等の光
を透過する透明電極１２とを基板のほぼ中央において互
に接して配列せしめると共に、前記の遮光層γ上にＣｂ
Ｓ 、 Ｓｅ等の光導電材料を用いた光電変換素子８の
列を形成し、前記の光電変換素子８の一方の側に前記の
透明電極１２を、他方の側Ａｔ、ＩｎＳｎ等の不透明電
極９を形成する。
を透過する透明電極１２とを基板のほぼ中央において互
に接して配列せしめると共に、前記の遮光層γ上にＣｂ
Ｓ 、 Ｓｅ等の光導電材料を用いた光電変換素子８の
列を形成し、前記の光電変換素子８の一方の側に前記の
透明電極１２を、他方の側Ａｔ、ＩｎＳｎ等の不透明電
極９を形成する。
しかして原稿２に接する側に透明保護層１１を設け、こ
の上部に透明窓１３をはさんで遮光層１４を設ける。
の上部に透明窓１３をはさんで遮光層１４を設ける。
なお前記の透明窓１３は光電変換素子８の上方に位置す
る。
る。
次に動作について説明する。
照明光束１０は透明窓１３を通して斜め下方より原稿２
を照明する。
を照明する。
照明光束１０は透明窓１３のみ通過し、原稿２を照明す
る。
る。
すなわち透明窓が原稿に密着しているので照明光束はは
けることなく完全に透明窓で制限される。
けることなく完全に透明窓で制限される。
したがって照明される面積は制限されているので、原稿
からの反射光には隣接する素子へ拡散する成分が少なく
なり分解能を向上することができる。
からの反射光には隣接する素子へ拡散する成分が少なく
なり分解能を向上することができる。
第６図は本発明の他の実施例を示すもので透明窓１３を
光電変換素子８列の上方に設け、光電変換素子列の両側
にも透明窓１３を設け、これを通して照明を行う場合で
ある。
光電変換素子８列の上方に設け、光電変換素子列の両側
にも透明窓１３を設け、これを通して照明を行う場合で
ある。
この場合の電極は両側とも透明電極１２となる。
これは第５図に示した実施例では、照明を斜めから行う
必要があるが、原稿からの反射光は鏡面方向（照明角と
法線をはさんで対称の方向）に強い反射を行うため、１
ビツトの光電変換素子内で光量のむらを生じやすい。
必要があるが、原稿からの反射光は鏡面方向（照明角と
法線をはさんで対称の方向）に強い反射を行うため、１
ビツトの光電変換素子内で光量のむらを生じやすい。
この実施例では両側から照明しているため均一の反射光
が得られやすい。
が得られやすい。
また、第５図、第６図の実施例では透明保護層１１の上
部の遮光材料による透明窓は蒸着等の技術によって形成
することができる。
部の遮光材料による透明窓は蒸着等の技術によって形成
することができる。
また上記の方法によって、透明窓を形成する代りに、透
明保護層として厚さ１〜１０μ程度のものとし、この上
に写真技術あるいは蒸着技術により透明窓を形成した薄
いガラス板を接着しても同様の効果が期待できる。
明保護層として厚さ１〜１０μ程度のものとし、この上
に写真技術あるいは蒸着技術により透明窓を形成した薄
いガラス板を接着しても同様の効果が期待できる。
以上説明したように、本発明によれば透明基板上に光電
変換素子列を配列し、下方より原稿を照明し、反射光を
光電変換素子列で受光する形式において、透明保護層上
部に原稿と密着して照明窓をもうけ照明光をその透明窓
のみを通して原稿を照明するため、光のひろがりが小さ
く分解能が従来のものより向上できる利点がある。
変換素子列を配列し、下方より原稿を照明し、反射光を
光電変換素子列で受光する形式において、透明保護層上
部に原稿と密着して照明窓をもうけ照明光をその透明窓
のみを通して原稿を照明するため、光のひろがりが小さ
く分解能が従来のものより向上できる利点がある。
これによって原稿に密着して読み取りを行うことが可能
で小形、簡単なファクシミ＋）送信機が構成可能となる
効果を有する。
で小形、簡単なファクシミ＋）送信機が構成可能となる
効果を有する。
第１図乃至第４図は従来例、第５図は本発明のセンサ、
第６図は本発明の他の実施例を示す。 １・・・・・・イメージセンサ、２・・・・・・原稿、
３・・・・・・けい光灯、４・・・・・・レンズ系、５
・・・・イメージセンサ、６・・・・・・透明基板、７
・・・・・・遮光層、８・・・・・・光電変換素子列、
９・・・・・・不透明電極、１０・・・・・・光束、１
１・・・・・・透明保護層、１２・・・・・・透明電極
、１３・・・・・・透明窓、１４・・・・・遮光層。
第６図は本発明の他の実施例を示す。 １・・・・・・イメージセンサ、２・・・・・・原稿、
３・・・・・・けい光灯、４・・・・・・レンズ系、５
・・・・イメージセンサ、６・・・・・・透明基板、７
・・・・・・遮光層、８・・・・・・光電変換素子列、
９・・・・・・不透明電極、１０・・・・・・光束、１
１・・・・・・透明保護層、１２・・・・・・透明電極
、１３・・・・・・透明窓、１４・・・・・遮光層。
Claims (1)
- １ 透明基板上に、透明電極及び遮光層とを互に隣接し
て配列し、前記の遮光層上に光電変換素子を設け、前記
の透明電極及び光電変換素子上に透明保護層を介して、
遮光層に囲まれた透明窓を有する保護層を設けたことを
特徴とする密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102259A JPS5846181B2 (ja) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102259A JPS5846181B2 (ja) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5627562A JPS5627562A (en) | 1981-03-17 |
| JPS5846181B2 true JPS5846181B2 (ja) | 1983-10-14 |
Family
ID=14322586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54102259A Expired JPS5846181B2 (ja) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846181B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201068A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Contact type image sensor |
| JPS59117277A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS6046166A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報読取装置 |
| JPS60111568A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報読取装置 |
| JPH064885B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1994-01-19 | 住友特殊金属株式会社 | 希土類・ボロン・鉄系永久磁石用合金粉末の製造方法 |
| JPH064884B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1994-01-19 | 住友特殊金属株式会社 | 希土類合金粉末の製造方法 |
| JPH0288706A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置 |
| JP4926882B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1979
- 1979-08-13 JP JP54102259A patent/JPS5846181B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5627562A (en) | 1981-03-17 |
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