JPS6117186B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、フアクシミリ送信機の読取り系に
使用する原稿に対応し、原稿に密着して読取りを
行うことが可能な密着形イメージセンサに関する
ものである。

従来、フアクシミリ送信機の読取り系は、第１
図に示すようにIC技術等で製造されるMOSや
CCD等のイメージセンサ１を用い、原稿２をけ
い光灯３で照明し、その反射光をレンズ系４によ
つてイメージセンサ１上に縮小結像して光電変換
する方法をとつている。

この方法は、レンズ系４を使用するので、縮率
が大きい場合、原稿２からイメージセンサ１まで
の光路長が大きく、装置の小形化に不利であるこ
と、画面周辺部の分解能が悪いこと、および光量
が少なくなること、などの欠点を有していた。

そのため、第２図に示すように原稿２と１：１
に対応する大きさのイメージセンサ５を用い、け
い光灯３によつてイメージセンサ５を通して原稿
２を照明し、反射光を再びイメージセンサ５で受
光するものが提案されている。

第３図は上記イメージセンサ５の要部の側断面
図、第４図は第３図の要部の平面図を示してい
る。第３図、第４図において、光学的に透明な基
板６の上に透明窓１３の部分を除いて電気的に不
良導体の遮光層７を配置し、その上にCdS、
CdSe等の光電効果形の光電変換素子８を離散的
に配列し、不透明電極９および透明電極１２を対
向して設け、素子全体を透明保護層１１で覆つて
いる。原稿２の読取りは、第３図においてけい光
灯の光束１０により透明窓１３を通して原稿２を
照明し、原稿２からの反射光を光電変換素子８で
捕獲し、光電へ変換するものである。ここで、光
電変換素子８が原稿２からの反射光をレンズ等の
結像系を介さず直接捕獲するため、１ビツト内の
光電変換素子面の照度は透明窓１３に近い部分で
大きく、反対側で小さくなる。このため、光電変
換素子８の全体抵抗は、両電極９，１２が対向し
て設けてある関係より、照度の大きい低抵抗部と
照度の小さい高抵抗部が直列に挿入され、高抵抗
となり、出力は小さくなる。

次に原稿２と１：１に対応し、光電変換素子８
を帯状一様にした素子構成のイメージセンサを示
す。

第５図、第６図はこのイメージセンサの要部の
側断面図および平面図を示す。

第５図、第６図において、基板６の上に透明窓
１３部分を除いて遮光層７を配置し、その上に
CdS、CdSe等の光電効果形の光電変換素子８を
帯状に一様に設け、不透明電極９を梯子状に形成
し、素子全体を透明保護層１１で覆つている。原
稿２の読取りは、第５図においてけい光灯の光束
１０により、透明窓１３を通して原稿２を照明
し、原稿２からの反射光を光電変換素子８で補獲
し、光電変換するものである。ここで、１ビツト
内の光電変換素子面の照度は、上記した例と同様
に透明窓１３に近い部分で大きく、反対側で小さ
くなるが、電極が梯子状に設けてあるため、光電
変換素子８の全体抵抗は、照度の大きい低抵抗部
と照度の小さい高抵抗部が並列に挿入されるた
め、低抵抗となる。

このため、出力は大きくなるが、イメージセン
サの駆動において、マトリツクス配線が不可能で
あるため、電極の引出し数が多くなり、駆動回路
の規模が大きくなる。

この発明は、上述の点にかんがみなされたもの
で、各ビツトの光電変換素子を離散的に配列し、
電極を梯子状にすることにより、出力が大きくと
れ、かつマトリツクス配線を可能にしたものであ
る。以下、この発明について説明する。

第７図、第８図はこの発明の一実施例を示すイ
メージセンサの要部の側断面図および平面図であ
る。

第７図、第８図において、ガラス等の透明な基
板６の上に遮光層７を透明窓１３の部分を除いて
設置し、その上にCdS、Se等の光電効果形の光電
変換素子８を離散的に形成し、Al、InSn等の不
透明電極９を形成し、素子全体を透明保護層１１
で覆う。この透明保護層１１は原稿２からの反射
光を効率よく光電変換素子８に捕獲するために原
稿２と光電変換素子８との間隔をとり、かつ原稿
２との摩擦による光電変換素子８の劣化を防ぐ目
的で設けてある。この透明保護層１１の厚さは解
像度をとるために光電変換素子８のピツチ幅以内
が望ましく、透明高分子材料の塗布、Siワニスの
塗布、薄板ガラスのはりつけ等の方法によつて形
成することができる。

第９図は光電変換素子８と同一密度の線密度パ
ターンがイン・フエーズの場合の解像度特性曲線
Ｗの一例を示す図である。なお、遮光層７は導体
遮光層の上に電気的不良導体で被覆したものでも
よいことはもちろんである。また、光電変換素子
８と透明窓１３との間隔はセンサ出力を大きくと
るために光電変換素子８のピツチ幅の1/10以下が
よい。

次に動作について説明する。けい光灯等による
光束１０は透明窓１３を通して原稿２を照明す
る。光電変換素子８は原稿２からの反射光により
透明窓側で強く、それと反対側で弱く照明される
が、光電変換素子８の全体抵抗は不透明電極９が
梯子状であるため、低抵抗部と高抵抗部が並列に
挿入されるため低抵抗となる。従つてイメージセ
ンサの出力は大きくとれる。また、光電変換素子
８が離散的であることより、電極の一方を共通電
極とし、他方をマトリツクス配線できるため、電
極引出し数が小数で、センサ駆動回路が簡易とな
る。

第１０図、第１１図はこの発明の他の実施例を
示すイメージセンサの要部の側断面図および平面
図である。この実施例はガラス等の基板６の上に
遮光層７をスリツト状透明部１３′を設けるよう
に形成する。遮光材料にCr、Si等の導電性材料
を用いた場合、遮光層７の上にガラス等により絶
縁層１４を設け、その上にCdS、CdSe等の光電
変換素子８を離散的に形成し、不透明電極９を設
け、上側に引き出した不透明電極９によりスリツ
ト状透明部１３′を区画して、照明用の透明窓１
３を形成した後、透明保護層１１によつて素子全
体を覆つたものである。

この動作は、第７図、第８図に示した実施例と
同様である。この構成によれば、第７図、第８図
で示した効果の外に、遮光層７をスリツト状透明
部１３′で分離するために、上側に引き出した不
透明電極と下側に引き出した不透明電極とが遮光
層７との容量性結合を通して容量性結合するのを
断つことができる。

第１２図はこの発明のさらに他の実施例で、第
１０図における遮光層７の一方、すなわち、スリ
ツト状透明部１３′の光電変換素子８と反対側を
設けずにあけておき、電極１６を不透明な導電性
材料を用いて形成しこれと同じ材料で共通電極１
７を形成し、結果的に共通電極１７と遮光層７と
で形成されたスリツト状透明部１３′を、電極１
６で区画して照明用の透明窓１３を形成したもの
である。この構成によれば、遮光層７を取り除け
るので、電極１６と遮光層７間の容量の減少がは
かれる。

以上説明したように、この発明は透明な基板上
に光電効果形の光電変換素子を配列し、下方より
原稿を照明し、その反射光を光電変換素子を多数
配列して受光する形式において、光電変換素子を
離散的に配列し、電極を梯子状に形成したので、
出力が大きく、マトリツクス配線が可能であると
いう利点がある。これによつて、原稿に密着して
読取りを行うことが可能であり、したがつて小
形、簡易なフアクシミリ送信機が構成可能となる
効果が得られる。

また、スリツト状透明部を電極で区画して透明
窓を作成したものは、製造がきわめて容易であ
り、さらに、透明窓を共通電極と電極で区画して
作成したものは、さらに構成が簡易で、製造が容
易であり、遮光層がないので電極との容量が減少
でき周波数特性を向上できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来のフアクシミリ送信機の
読取り系の構成を示す斜視図、第３図、第４図は
第２図のイメージセンサの要部の側断面図および
その平面図、第５図、第６図は第２図のイメージ
センサの原稿と１：１に対応した状態の要部の側
断面図および平面図、第７図、第８図はこの発明
の一実施例を示すイメージセンサの要部の側断面
図および平面図、第９図は解像度特性を示す図、
第１０図、第１１図はこの発明の他の実施例を示
すイメージセンサの要部の側断面図および平面
図、第１２図はこの発明のさらに他の実施例を示
すイメージセンサの要部の側断面図である。 図中、２は原稿、６は基板、７は遮光層、８は
光電変換素子、９は不透明電極、１０は光束、１
１は透明保護層、１２は透明電極、１３は透明
窓、１３′はスリツト状透明部、１４は絶縁層、
１５，１６は電極、１７は共通電極である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光学的に透明な基板上に光学的に不透明で、
   かつ電気的に不良導体の材料により形成された遮
   光層と、この遮光層にあけた列状の照明用の透明
   窓と、この列状の各透明窓の近傍に離散的に作成
   された列状の光電変換素子と、各光電変換素子の
   前記列と平行しない両辺からそれぞれ引き出され
   た導電性電極と、前記光電変換素子、照明用の透
   明窓、および導電性電極のうち少なくとも前記光
   電変換素子をおおうとともにその厚さを少なくと
   も前記光電変換素子の相互の間隔より薄くした透
   明保護層とからなることを特徴とする密着形イメ
   ージセンサ。 ２ 光学的に透明な基板上に光学的に不透明で、
   かつ電気的に不良導体の材料により形成された遮
   光層と、この遮光層に連続的にあけたスリツト状
   透明部と、このスリツト状透明部の近傍に離散的
   に列状に作成された光電変換素子と、各光電変換
   素子の前記列と平行しない両辺からそれぞれ互に
   反対方向に引き出された導電性電極と、前記スリ
   ツト状透明部の片側からのびた前記導電性電極に
   より区画された前記スリツト状透明部上に形成さ
   れた照明用の透明窓と、前記光電変換素子、照明
   用の透明窓、および導電性電極のうち少なくとも
   前記光電変換素子をおおうとともにその厚さを少
   なくとも前記光電変換素子の相互の間隔より薄く
   した透明保護層とからなることを特徴とする密着
   形イメージセンサ。 ３ 光学的に透明な基板上に光学的に不透明で、
   かつ電気的に不良導体の材料により形成された遮
   光層と、この遮光層のエツジに対向して前記基板
   上に電気的良導体で、かつ光学的に不透明な材料
   からなる共通電極を被覆し前記遮光層との間スリ
   ツト状透明部を形成し、前記光学的に不透明で、
   電気的に不良導体の材料上で、かつ前記エツジの
   近傍に離散的に列状に作成された光電変換素子
   と、各光電変換素子の前記列と平行しない両辺か
   ら互に反対方向に引き出された導電性電極と、前
   記スリツト状透明部の片側からのび前記共通電極
   に接続された導電性電極により区画され前記スリ
   ツト状透明部上に形成された照明用の透明窓と、
   前記光電変換素子、照明用の透明窓、および導電
   性電極のうち少なくとも前記光電変換素子をおお
   うとともにその厚さを少なくとも前記光電変換素
   子の相互の間隔より薄くした透明保護層とからな
   ることを特徴とする密着形イメージセンサ。