JPH0230586B2 - - Google Patents
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- JPH0230586B2 JPH0230586B2 JP57164028A JP16402882A JPH0230586B2 JP H0230586 B2 JPH0230586 B2 JP H0230586B2 JP 57164028 A JP57164028 A JP 57164028A JP 16402882 A JP16402882 A JP 16402882A JP H0230586 B2 JPH0230586 B2 JP H0230586B2
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- transparent substrate
- electrode
- image sensor
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばフアクシミリ用送信原稿と
寸法的に１対１に対応させて、複数個の光電変換
素子を透明基板に配列し、その上に置いた原稿を
透明基板の下方より照明し、反射光を光電変換素
子列で捕獲して光電変換する密着形イメージセン
サに関するものである。
寸法的に１対１に対応させて、複数個の光電変換
素子を透明基板に配列し、その上に置いた原稿を
透明基板の下方より照明し、反射光を光電変換素
子列で捕獲して光電変換する密着形イメージセン
サに関するものである。
従来の密着形イメージセンサによる原稿の読み
取り方法を第１図に示す。密着形イメージセンサ
１０の上に原稿１を置き、けい光灯等からの照明
光２を密着形イメージセンサ１０の内部の透明窓
１９を通して原稿１を照明し、その反射光を光電
変換素子１４で捕獲して読み取るものである。
取り方法を第１図に示す。密着形イメージセンサ
１０の上に原稿１を置き、けい光灯等からの照明
光２を密着形イメージセンサ１０の内部の透明窓
１９を通して原稿１を照明し、その反射光を光電
変換素子１４で捕獲して読み取るものである。
第２図ａに上記従来の密着形イメージセンサ１
０の平面拡大図を、第２図ｂに断面拡大図を示
す。
０の平面拡大図を、第２図ｂに断面拡大図を示
す。
ガラス等の透明基板１１の上に原稿１の照明す
る領域を制限する光学的に不透明な遮光層１２を
形成し、その上に電気的に不良導体の絶縁層１３
でおおい、その上に光電変換素子１４，個別電極
１５，共通電極１６を形成し、接着材１７により
全体または一部に透明保護層１８を接着した構成
になつている。
る領域を制限する光学的に不透明な遮光層１２を
形成し、その上に電気的に不良導体の絶縁層１３
でおおい、その上に光電変換素子１４，個別電極
１５，共通電極１６を形成し、接着材１７により
全体または一部に透明保護層１８を接着した構成
になつている。
ここで、遮光層１２によつて形成される透明窓
１９の面積は、密着形イメージセンサ１０の分解
能とSN比を左右する要因であるため、一定面積
に形成しなければならない（「直接読み取り・密
着形イメージセンサ素子構成の検討」電子通信学
会研究会資料ED81―35」参照）。また、遮光層１
２は光電変換素子１４にCdS等を用いた場合、遮
光層１２，光電変換素子１４を形成した後に600
℃前後で熱処理しなければならないため、耐熱性
があり、かつ光学的に不透明でなければならな
い。
１９の面積は、密着形イメージセンサ１０の分解
能とSN比を左右する要因であるため、一定面積
に形成しなければならない（「直接読み取り・密
着形イメージセンサ素子構成の検討」電子通信学
会研究会資料ED81―35」参照）。また、遮光層１
２は光電変換素子１４にCdS等を用いた場合、遮
光層１２，光電変換素子１４を形成した後に600
℃前後で熱処理しなければならないため、耐熱性
があり、かつ光学的に不透明でなければならな
い。
このため、遮光層１２の材料にはCr等の金属
膜薄が用いられていた。従つて、遮光層１２と光
電変換素子１４，個別電極１５，共通電極１６を
電気的に分離する絶縁層１３が不可欠であるが、
SiO2等をスパツタ法等で遮光層１２上に形成す
るため、時間がかかるばかりか、絶縁層１３に生
ずるピンホール等により遮光層１２との絶縁が保
てず、歩留りが悪かつた。また、各電極１５，１
６と遮光層１２間の浮遊容量により駆動特性が劣
化する等の欠点があつた。
膜薄が用いられていた。従つて、遮光層１２と光
電変換素子１４，個別電極１５，共通電極１６を
電気的に分離する絶縁層１３が不可欠であるが、
SiO2等をスパツタ法等で遮光層１２上に形成す
るため、時間がかかるばかりか、絶縁層１３に生
ずるピンホール等により遮光層１２との絶縁が保
てず、歩留りが悪かつた。また、各電極１５，１
６と遮光層１２間の浮遊容量により駆動特性が劣
化する等の欠点があつた。
この発明は、これらの欠点を解決するために、
光電変換素子の下側に下部電極を設け、各光電変
換素子に対応させて引出電極を前記透明基板上に
直接設け、光電変換素子の上部に透明な上部電極
を設け、この上部電極を透明基板上に直接設けた
それぞれの引出電極に接続し、各上部電極及び引
出電極の上側に、光電変換素子の上側及び透明窓
を除いて電気的に不良導体で、不透明な上部遮光
層を設けた構成としたものである。以下図面につ
いてこの発明を詳細に説明する。
光電変換素子の下側に下部電極を設け、各光電変
換素子に対応させて引出電極を前記透明基板上に
直接設け、光電変換素子の上部に透明な上部電極
を設け、この上部電極を透明基板上に直接設けた
それぞれの引出電極に接続し、各上部電極及び引
出電極の上側に、光電変換素子の上側及び透明窓
を除いて電気的に不良導体で、不透明な上部遮光
層を設けた構成としたものである。以下図面につ
いてこの発明を詳細に説明する。
第３図ａ，ｂはこの発明の一実施例を示すもの
で、第３図ａが密着形イメージセンサ２０の平面
拡大図、第３図ｂがその断面拡大図を示してい
る。
で、第３図ａが密着形イメージセンサ２０の平面
拡大図、第３図ｂがその断面拡大図を示してい
る。
これらの図において、ガラス等の透明基板２１
の上にスリツト状の透明窓２２を除いて光学的に
不透明な導電材料、例えばCrにより下部電極２
３，引出電極２４を形成し、下部電極２３の透明
窓２２側に離散的に光電変換素子２５を形成す
る。光電変換素子２５の材料としては、入射する
光量によつて抵抗値が変化するものであればよ
く、例えばCdS，CdSeが用いられる。つぎに、
光電変換素子２５の透明窓２２側の一部から、少
なくとも下部電極２３の透明窓２２側の端部まで
をおおうようにSiO2等により絶縁膜２６を形成
した後、光電変換素子２５の上側にITO等により
透明な上部電極２７を形成し、対向する引出電極
２４とを結線する。そして、透明窓２２を除い
て、光学的に不透明な不透明薄膜によつて、少な
くとも引出電極２４間の透明なすき間部分をおお
うように、上部遮光層２８を形成した後、透明保
護層２９を接着材３０によつて接着した構成にな
つている。
の上にスリツト状の透明窓２２を除いて光学的に
不透明な導電材料、例えばCrにより下部電極２
３，引出電極２４を形成し、下部電極２３の透明
窓２２側に離散的に光電変換素子２５を形成す
る。光電変換素子２５の材料としては、入射する
光量によつて抵抗値が変化するものであればよ
く、例えばCdS，CdSeが用いられる。つぎに、
光電変換素子２５の透明窓２２側の一部から、少
なくとも下部電極２３の透明窓２２側の端部まで
をおおうようにSiO2等により絶縁膜２６を形成
した後、光電変換素子２５の上側にITO等により
透明な上部電極２７を形成し、対向する引出電極
２４とを結線する。そして、透明窓２２を除い
て、光学的に不透明な不透明薄膜によつて、少な
くとも引出電極２４間の透明なすき間部分をおお
うように、上部遮光層２８を形成した後、透明保
護層２９を接着材３０によつて接着した構成にな
つている。
ここで、上部遮光層２８に用いる不透明薄膜と
してはBT樹脂（「成型や加工が楽な高耐熱性樹
脂」日経エレクトロニクス，1978.9.18号参照）
等が用いられ、接着材３０としてはレンズボン
ド、透明保護層２９としてはガラス薄板が用いら
れる。
してはBT樹脂（「成型や加工が楽な高耐熱性樹
脂」日経エレクトロニクス，1978.9.18号参照）
等が用いられ、接着材３０としてはレンズボン
ド、透明保護層２９としてはガラス薄板が用いら
れる。
このような構造になつていることから、光電変
換素子２５に光導電特性をもたせるために、熱処
理が必要な場合であつても、上部遮光層２８を設
ける前の透明基板２１上に下部電極２３，光電変
換素子２５を形成した段階で熱処理ができる。従
来の密着形イメージセンサの遮光層１２（第２
図）は、光学的に不透明で、絶縁物であり、かつ
耐熱性が要求されていたため、金属薄膜と絶縁膜
の二層で構成されたが、この発明の密着形イメー
ジセンサの上部遮光層２８は不透明で絶縁物であ
ればよいため高分子材料、樹脂等による単一膜で
よく構成が簡易になる。また、絶縁膜２６の面積
が従来のものに比較し、格段に小さくなるため、
ピンホール等による不良も激減する。
換素子２５に光導電特性をもたせるために、熱処
理が必要な場合であつても、上部遮光層２８を設
ける前の透明基板２１上に下部電極２３，光電変
換素子２５を形成した段階で熱処理ができる。従
来の密着形イメージセンサの遮光層１２（第２
図）は、光学的に不透明で、絶縁物であり、かつ
耐熱性が要求されていたため、金属薄膜と絶縁膜
の二層で構成されたが、この発明の密着形イメー
ジセンサの上部遮光層２８は不透明で絶縁物であ
ればよいため高分子材料、樹脂等による単一膜で
よく構成が簡易になる。また、絶縁膜２６の面積
が従来のものに比較し、格段に小さくなるため、
ピンホール等による不良も激減する。
さらに上部遮光層２８が絶縁物で構成されるた
め、浮遊容量が減少し、密着形イメージセンサの
駆動特性もよくなるという効果がある。
め、浮遊容量が減少し、密着形イメージセンサの
駆動特性もよくなるという効果がある。
なお、以上は説明の都合上、光電変換素子２５
を光導電モードで動作するものとして述べたが、
光電変換素子２５がａ―Si等を用い、蓄積モード
で動作するものについてもこの発明は同様の効果
が得られる。
を光導電モードで動作するものとして述べたが、
光電変換素子２５がａ―Si等を用い、蓄積モード
で動作するものについてもこの発明は同様の効果
が得られる。
以上説明したように、この発明の密着形イメー
ジセンサは、透明基板上に、電気信号取出用の下
部電極と、前記下部電極上に形成した光電変換素
子より電気信号を取り出す上部電極を設け、この
上部電極を透明基板上に直接設けたそれぞれの引
出電極に接続し、前記上部電極及び引出電極の上
面に、光電変換素子の上側および透明窓を除いて
光学的に不透明で、かつ電気的に不良導体の上部
遮光層で被つた構成としたため、構成が簡易にな
り、かつ耐熱性が要求される従来のような遮光膜
を用いないでよいため、駆動特性が向上し、また
入射光は透明窓で制限されて原稿の読み取り部分
のみ照明されるので、解像度がきわめて向上する
利点がある。
ジセンサは、透明基板上に、電気信号取出用の下
部電極と、前記下部電極上に形成した光電変換素
子より電気信号を取り出す上部電極を設け、この
上部電極を透明基板上に直接設けたそれぞれの引
出電極に接続し、前記上部電極及び引出電極の上
面に、光電変換素子の上側および透明窓を除いて
光学的に不透明で、かつ電気的に不良導体の上部
遮光層で被つた構成としたため、構成が簡易にな
り、かつ耐熱性が要求される従来のような遮光膜
を用いないでよいため、駆動特性が向上し、また
入射光は透明窓で制限されて原稿の読み取り部分
のみ照明されるので、解像度がきわめて向上する
利点がある。
第１図は従来の密着形イメージセンサによる原
稿の読み取り方法を説明するための側断面略図、
第２図ａ，ｂは従来の密着形イメージセンサの部
分平面拡大図およびその断面拡大図、第３図ａ，
ｂはこの発明の一実施例を示すもので、第３図ａ
は平面拡大図、第３図ｂはその断面拡大図であ
る。 図中、２０は密着形イメージセンサ、２１は透
明基板、２２は透明窓、２３は下部電極、２４は
引出電極、２５は光電変換素子、２６は絶縁膜、
２７は上部電極、２８は上部遮光層、２９は透明
保護層、３０は接着剤である。
稿の読み取り方法を説明するための側断面略図、
第２図ａ，ｂは従来の密着形イメージセンサの部
分平面拡大図およびその断面拡大図、第３図ａ，
ｂはこの発明の一実施例を示すもので、第３図ａ
は平面拡大図、第３図ｂはその断面拡大図であ
る。 図中、２０は密着形イメージセンサ、２１は透
明基板、２２は透明窓、２３は下部電極、２４は
引出電極、２５は光電変換素子、２６は絶縁膜、
２７は上部電極、２８は上部遮光層、２９は透明
保護層、３０は接着剤である。
Claims (1)
- １ 原稿を光学的に透明な透明基板の下方より照
明し、反射光を光電変換素子列で捕獲して光電変
換する密着形イメージセンサにおいて、前記透明
基板上に電気信号取出用の共通の下部電極を設
け、これらの下部電極上に光電変換素子をそれぞ
れ形成し、これらの光電変換素子に対応させて引
出電極を前記透明基板上に直接設け、前記各光電
変換素子より電気信号より取り出す透明な上部電
極を設け、前記各上部電極を前記透明基板上に直
接設けた前記それぞれの引出電極に接続し、前記
各上部電極及び引出電極の上側に、前記各光電変
換素子の上側及び透明窓を除いて光学的に不透明
で、かつ電気的に不良導体の上部遮光層を設けた
ことを特徴とする密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164028A JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164028A JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954373A JPS5954373A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0230586B2 true JPH0230586B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=15785426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164028A Granted JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0568858U (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-17 | 株式会社吉野工業所 | 傘形弁体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5291314A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Image pick-up device |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP57164028A patent/JPS5954373A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5291314A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Image pick-up device |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0568858U (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-17 | 株式会社吉野工業所 | 傘形弁体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954373A (ja) | 1984-03-29 |
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