JPS60134463A - 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 - Google Patents
密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法Info
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- JPS60134463A JPS60134463A JP58241840A JP24184083A JPS60134463A JP S60134463 A JPS60134463 A JP S60134463A JP 58241840 A JP58241840 A JP 58241840A JP 24184083 A JP24184083 A JP 24184083A JP S60134463 A JPS60134463 A JP S60134463A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は一次元ζニ配列された光検出素子と、これを駆
動テるためのＩＣとを同じ基板上に具備した密着型イメ
ージセンチ及びその製造方法に関する。
動テるためのＩＣとを同じ基板上に具備した密着型イメ
ージセンチ及びその製造方法に関する。
密着型イメージセンサは例えば、１京稿と同一幅で光検
出素子を所望の解像度で１次元に並べ、原稿（二近接さ
せて用いる画像情報読取用のイメージセンチであり、こ
れを使用すると画像読取装置をＴＪＸ型にできるため近
年開発が盛んになっている。
出素子を所望の解像度で１次元に並べ、原稿（二近接さ
せて用いる画像情報読取用のイメージセンチであり、こ
れを使用すると画像読取装置をＴＪＸ型にできるため近
年開発が盛んになっている。
密着型イメージセンサにおいては、十分な解像度を得る
ために大面積基板上への高密度配線技術が要求される。
ために大面積基板上への高密度配線技術が要求される。
これは光検出素子の使用数が高解像度化の要求に伴なっ
て非常に多くなってきていることと、外部との配線数を
減らすため（二基板上に多数のＩＣｉ実装することに起
因する。例えばＡ４チイズで８１Ｉ！ｌｌ素／器の解像
度をもつ密着型イメージセンサでは、２１６１１ｊ１幅
に光検出素子が１７２８個（二もなり、これらの光検出
素子を駆動するため数十個のＩＣを実装することで外部
との配線数を数本としている。また配線の高密度化（＝
伴ない、ＩＣの実装部の多層化が要求されてきているの
が現状である。
て非常に多くなってきていることと、外部との配線数を
減らすため（二基板上に多数のＩＣｉ実装することに起
因する。例えばＡ４チイズで８１Ｉ！ｌｌ素／器の解像
度をもつ密着型イメージセンサでは、２１６１１ｊ１幅
に光検出素子が１７２８個（二もなり、これらの光検出
素子を駆動するため数十個のＩＣを実装することで外部
との配線数を数本としている。また配線の高密度化（＝
伴ない、ＩＣの実装部の多層化が要求されてきているの
が現状である。
光検出素子としては、近年アモルファスシリコンを用い
ることが提案されている。アモルファスシリコンは比較
的安定な膜ではあるが、光電導性をもつＣｄ８などの他
の薄膜に比べ光電導度が小さいために湿度や空気中の酸
素イオンなどに電気的な影響を受けやすく、また光学的
情報を扱うので汚れに対しても敏感である。そこで現在
、主に透光性の薄板が光検出素子の保護（＝使われてお
り、透明接着剤で光検出素子上に接着されている。
ることが提案されている。アモルファスシリコンは比較
的安定な膜ではあるが、光電導性をもつＣｄ８などの他
の薄膜に比べ光電導度が小さいために湿度や空気中の酸
素イオンなどに電気的な影響を受けやすく、また光学的
情報を扱うので汚れに対しても敏感である。そこで現在
、主に透光性の薄板が光検出素子の保護（＝使われてお
り、透明接着剤で光検出素子上に接着されている。
第１図は光検出素子としてアモルファスシリコンを用ｌ
／？だ従来の密着型イメージセンチの一例である。第１
１Ｋｆａ＋は平面図、第１図（ｂｌは第１図（ａ）Ｅお
けるＡ−Ａ’線で切った断面を矢印方向（二見た断面図
を示し、第１図（二おいて（１）は絶縁性基板例えはア
ルミナ基板、（２）は絶縁性基板（１）上（ニクロムを
用いて形成された個別電極、（３）は個別電極（２）の
端部を覆うように形成されたアモルファスシリコンから
なる光検出素子、（４）は光検出系子（３）上（二形成
されたＩＴＯ薄膜からなる共通電極、（５）は光検出素
子（３）上に透明接着剤（６）例えばシリコーン樹脂で
接着されているガラス板、（７）は光検出素子（３）？
：駆動させるため（二実装した駆動用ＩＣ（８１と外部
とを結ぶ配線、（９）は共通電極（４）と外部とを結ぶ
配線、（ｌαは駆動部の各配線間を結ぶジャンパー線で
ある。
／？だ従来の密着型イメージセンチの一例である。第１
１Ｋｆａ＋は平面図、第１図（ｂｌは第１図（ａ）Ｅお
けるＡ−Ａ’線で切った断面を矢印方向（二見た断面図
を示し、第１図（二おいて（１）は絶縁性基板例えはア
ルミナ基板、（２）は絶縁性基板（１）上（ニクロムを
用いて形成された個別電極、（３）は個別電極（２）の
端部を覆うように形成されたアモルファスシリコンから
なる光検出素子、（４）は光検出系子（３）上（二形成
されたＩＴＯ薄膜からなる共通電極、（５）は光検出素
子（３）上に透明接着剤（６）例えばシリコーン樹脂で
接着されているガラス板、（７）は光検出素子（３）？
：駆動させるため（二実装した駆動用ＩＣ（８１と外部
とを結ぶ配線、（９）は共通電極（４）と外部とを結ぶ
配線、（ｌαは駆動部の各配線間を結ぶジャンパー線で
ある。
この密着型イメージセンサでは、原稿からの画像情報は
第１図（ｂｌｉ二示す矢印の方向から入射する。
第１図（ｂｌｉ二示す矢印の方向から入射する。
光検出素子（３）は共通電極（４）により常（二重圧が
印加され、駆動用ｌＣｆ８）で選択されるごとに蓄えた
屯荷量を画像情報として外部ζユ時系列（二送り出す。
印加され、駆動用ｌＣｆ８）で選択されるごとに蓄えた
屯荷量を画像情報として外部ζユ時系列（二送り出す。
またガラス板（５）と透明接着剤（６）は光検出系子（
３）を外部の環境から保護する。
３）を外部の環境から保護する。
上述の密着型イメージセンサは、配線（７）とジャンパ
ー線叫とでマトリックス配線部を形成しているが、ジャ
ンパー線は多層配線のコンタクトホールと比較し広いポ
ンディングパッドを必要としまたジャンパー線どうしが
接触しないようＣニジャンパー線を配置する必要から配
線の高密度化を妨げる。そこで高密度配線ではマトリッ
クス配線部の多層配線が望まれるが、絶縁層やコンタク
トホールや導体の第２１ｆｆｉなどの形成という工程が
増加することから、全工程の簡略化が必要１二なってく
る。
ー線叫とでマトリックス配線部を形成しているが、ジャ
ンパー線は多層配線のコンタクトホールと比較し広いポ
ンディングパッドを必要としまたジャンパー線どうしが
接触しないようＣニジャンパー線を配置する必要から配
線の高密度化を妨げる。そこで高密度配線ではマトリッ
クス配線部の多層配線が望まれるが、絶縁層やコンタク
トホールや導体の第２１ｆｆｉなどの形成という工程が
増加することから、全工程の簡略化が必要１二なってく
る。
また上述の密着型イメージセンチは、光検出素子の保護
にガラス板とシリコーン系樹脂が用いられているが、さ
らに耐湿性の良い保護膜が望まれる。
にガラス板とシリコーン系樹脂が用いられているが、さ
らに耐湿性の良い保護膜が望まれる。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、光検出素子を安全に保護することの可能な配
線部が多層の密着型イメージセンサと完成するまでの全
工程を簡略化できる密着型イメージセンチとその製造方
法の提供を目的とする。
たもので、光検出素子を安全に保護することの可能な配
線部が多層の密着型イメージセンサと完成するまでの全
工程を簡略化できる密着型イメージセンチとその製造方
法の提供を目的とする。
すなわち本発明は、透光性絶縁基板上に、１次元に形成
されたアモルファスシリコンによる光検出系子と配線の
高密度化に対応して多層に形成された配線部とを有する
密着型イメージセンサにおいて、光検出素子の保護膜と
配線部の絶縁膜をポリイミド樹脂膜としてなることを特
徴とする。また本発明は、この密着型イメージセンチの
製造方法において、光検出素子の保護膜と配線部の絶縁
膜をポリイミド樹脂で同時に形成することを特徴とする
。
されたアモルファスシリコンによる光検出系子と配線の
高密度化に対応して多層に形成された配線部とを有する
密着型イメージセンサにおいて、光検出素子の保護膜と
配線部の絶縁膜をポリイミド樹脂膜としてなることを特
徴とする。また本発明は、この密着型イメージセンチの
製造方法において、光検出素子の保護膜と配線部の絶縁
膜をポリイミド樹脂で同時に形成することを特徴とする
。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す図である。第２図（ａ
ｌは平面図、第２１（ｂｌは第２図（ａｌにおけるＢ−
Ｂ’線で切った断面を矢印方向（−見た断面図を示して
いる。第２図（二示すように、透光性絶縁基板（イ）上
にこの一辺（２Ｂに沿って第１の電極１２２１例えは共
通電極が設けられ、この第１の電極Ｉ２２１及び透光性
絶縁基板■上１：は第ｌの電ｉｔ２りを覆うよう（−ア
モルファスシリコンからなる光検出素子（２四が設けら
れている。光検出素子−は例えばＡ４判大の原稿（＝対
応して約２２０朋の長さに形成されている。
ｌは平面図、第２１（ｂｌは第２図（ａｌにおけるＢ−
Ｂ’線で切った断面を矢印方向（−見た断面図を示して
いる。第２図（二示すように、透光性絶縁基板（イ）上
にこの一辺（２Ｂに沿って第１の電極１２２１例えは共
通電極が設けられ、この第１の電極Ｉ２２１及び透光性
絶縁基板■上１：は第ｌの電ｉｔ２りを覆うよう（−ア
モルファスシリコンからなる光検出素子（２四が設けら
れている。光検出素子−は例えばＡ４判大の原稿（＝対
応して約２２０朋の長さに形成されている。
光検出素子（ハ）及び透光性絶縁基板（２０）上には、
その一端が光検出素子（２３）上に位置するように第２
の電極（２）例えば個別電極が設けられている。第２の
電極（Ｉ！ａは８本／ｆｉの密度で１７２８本形成され
ている。
その一端が光検出素子（２３）上に位置するように第２
の電極（２）例えば個別電極が設けられている。第２の
電極（Ｉ！ａは８本／ｆｉの密度で１７２８本形成され
ている。
光検出素子（２漕及び第２の電極（２４上（−は更に保
護膜（２５）が設けられている。透光性絶縁基板シ０）
上に形成された第２の電極Ｑａの他端は、配線Ｃ２６）
によって透光性絶縁基板（２１に塔載された光検出素子
駆動用■ｃａｎの周囲シニ設けられた入力用ポンディン
グパッド（２８に接続されている。光検出素子Ｃ２橡を
設けた部分とは反対側の透光性絶縁基板（２０）の領域
には、一端が出力用ポンディングパッド（２９）と接続
された第１層の配線部が設けられている。第２図中、６
υとに功は各々駆動用ＩＣしｂと配線−〇）、第１Ｊ＠
の配線ＧＯ）とを接続するポンディングワイヤ、關は工
ｄをマウントするダイバットである。第１層の配線（３
０１Ｙ設けた基板上には、第１層の配線部を覆うように
絶縁膜（ロ）が形成され、この絶縁膜（３４４上（二は
第２層の配線ｃ３５１が形成されている。第１層の配線
（ト）と第２層の配線（３ωの所定のものは、絶縁膜４
３４１に設けられたコンタクトホールｆ３Ｇ＋ ’＆介
して接続されている。
護膜（２５）が設けられている。透光性絶縁基板シ０）
上に形成された第２の電極Ｑａの他端は、配線Ｃ２６）
によって透光性絶縁基板（２１に塔載された光検出素子
駆動用■ｃａｎの周囲シニ設けられた入力用ポンディン
グパッド（２８に接続されている。光検出素子Ｃ２橡を
設けた部分とは反対側の透光性絶縁基板（２０）の領域
には、一端が出力用ポンディングパッド（２９）と接続
された第１層の配線部が設けられている。第２図中、６
υとに功は各々駆動用ＩＣしｂと配線−〇）、第１Ｊ＠
の配線ＧＯ）とを接続するポンディングワイヤ、關は工
ｄをマウントするダイバットである。第１層の配線（３
０１Ｙ設けた基板上には、第１層の配線部を覆うように
絶縁膜（ロ）が形成され、この絶縁膜（３４４上（二は
第２層の配線ｃ３５１が形成されている。第１層の配線
（ト）と第２層の配線（３ωの所定のものは、絶縁膜４
３４１に設けられたコンタクトホールｆ３Ｇ＋ ’＆介
して接続されている。
この実施例では、原稿からの画像情報は第２図（ｂｌに
示す矢印の方向から透光性絶縁裁板（４）及び第１の電
ａｎを透過して光検出素子（ハ）に入射する。
示す矢印の方向から透光性絶縁裁板（４）及び第１の電
ａｎを透過して光検出素子（ハ）に入射する。
ｉｆの電極＠は光検出素子（２四の下側につけられて、
光検出素子（至）に電圧を常に印加し、光検出素子（２
ａｌ上につけられた第２の電極し尋を通じて光検出素子
（ハ）が選択される。
光検出素子（至）に電圧を常に印加し、光検出素子（２
ａｌ上につけられた第２の電極し尋を通じて光検出素子
（ハ）が選択される。
次にこの実施例の製造方法の一例を述べる。透光性絶縁
裁板四例えばパイレックスガラス基板上（二、マスクを
使ってスパッタによりＩＴＯ膜を約５０００人つけ第ｌ
の電極（２渇とする。そしてグロー放電法によりアモル
ファスシリコンの膜を第１の電極ａを覆うように約７０
００ Ｘつけ光検出素子Ｃ３、ＣＶＤにより８ｎＯ！膜
を透光性絶縁基板（２＠の全面に約４０００ Ｘつけた
後Ｃ］を含むＣＦ、ガスを用いた反応性イオンエツチン
グＣニより第２の電極（財）、配線罪、第１の電極１２
邊と外部とを結ぶ配線イア）、マトリックス配線部の第
１層の配線（３）））ヲ形成する。その後透光性絶縁基
板（イ）の全面にポリイミド樹脂の１００ｏ ｒｐｍ
３ｍの回転塗布と２５０℃３０分のキュアを３度操り返
して行なってポリイミド膜３層をつくり、３５０℃２時
間のキュアを行なってポリイミド樹脂膜からなる保護膜
Δ箱縁膜（ロ）を同時に形成する。次にＩＣ実装部、多
層配線のコンタクトホール（３６）及び入出力端子部ｇ
ｌ’９ 、１２９）の部分（＝あたるポリイミド樹脂膜
をフォトエツチングで除去した後、Ｔｉ ０．１μｍと
Ａｕ １μｍ？順次威楡してからフォトエツチングでマ
トリックス配線部の第２層の配線Ｇ３最、ＩＣのダイパ
ラ） Ｕ３１及びポンディングパット□□□、ｆ２９）
Ｙ形成し、ＩＣのグイボンディングとワイヤボンディン
グを行なう。
裁板四例えばパイレックスガラス基板上（二、マスクを
使ってスパッタによりＩＴＯ膜を約５０００人つけ第ｌ
の電極（２渇とする。そしてグロー放電法によりアモル
ファスシリコンの膜を第１の電極ａを覆うように約７０
００ Ｘつけ光検出素子Ｃ３、ＣＶＤにより８ｎＯ！膜
を透光性絶縁基板（２＠の全面に約４０００ Ｘつけた
後Ｃ］を含むＣＦ、ガスを用いた反応性イオンエツチン
グＣニより第２の電極（財）、配線罪、第１の電極１２
邊と外部とを結ぶ配線イア）、マトリックス配線部の第
１層の配線（３）））ヲ形成する。その後透光性絶縁基
板（イ）の全面にポリイミド樹脂の１００ｏ ｒｐｍ
３ｍの回転塗布と２５０℃３０分のキュアを３度操り返
して行なってポリイミド膜３層をつくり、３５０℃２時
間のキュアを行なってポリイミド樹脂膜からなる保護膜
Δ箱縁膜（ロ）を同時に形成する。次にＩＣ実装部、多
層配線のコンタクトホール（３６）及び入出力端子部ｇ
ｌ’９ 、１２９）の部分（＝あたるポリイミド樹脂膜
をフォトエツチングで除去した後、Ｔｉ ０．１μｍと
Ａｕ １μｍ？順次威楡してからフォトエツチングでマ
トリックス配線部の第２層の配線Ｇ３最、ＩＣのダイパ
ラ） Ｕ３１及びポンディングパット□□□、ｆ２９）
Ｙ形成し、ＩＣのグイボンディングとワイヤボンディン
グを行なう。
上述の工程においてポリイミド樹脂膜は、ポリイミド樹
脂を回転塗布法で塗布した後約３５０℃の熱処理乞加え
て重合させて形成したもので、ち密で均質な膜であるか
ら、アモルファスシリコンからなる光検出素子（ハ）の
保護膜（２暖としてすぐれた性能を示す。またポリイミ
ド樹脂膜は回転を重性で塗布することにより、均一な膜
厚と平滑な表面状態が得られて且つエツチング加工が可
能であるから、薄膜多層配線用の絶縁膜Ｇ４１としても
優れている。すなわちポリイミド樹脂膜を用いることで
、光検出素子（ハ）の保護膜（２暖と駆動部の多層配線
用の絶縁膜（３４Ｉとを同一の塗布で兼用できるため、
製造工程が簡略化される。
脂を回転塗布法で塗布した後約３５０℃の熱処理乞加え
て重合させて形成したもので、ち密で均質な膜であるか
ら、アモルファスシリコンからなる光検出素子（ハ）の
保護膜（２暖としてすぐれた性能を示す。またポリイミ
ド樹脂膜は回転を重性で塗布することにより、均一な膜
厚と平滑な表面状態が得られて且つエツチング加工が可
能であるから、薄膜多層配線用の絶縁膜Ｇ４１としても
優れている。すなわちポリイミド樹脂膜を用いることで
、光検出素子（ハ）の保護膜（２暖と駆動部の多層配線
用の絶縁膜（３４Ｉとを同一の塗布で兼用できるため、
製造工程が簡略化される。
なおポリイミド樹脂の粘度を調整することで、ポリイミ
ド樹脂膜の塗布は回転塗布法だけでなくスクリーン印刷
法でも可能である。この場合（＝は回転塗布法を用いた
ときと比べさらに工程が簡略化され価格の低下が実現で
きる。
ド樹脂膜の塗布は回転塗布法だけでなくスクリーン印刷
法でも可能である。この場合（＝は回転塗布法を用いた
ときと比べさらに工程が簡略化され価格の低下が実現で
きる。
以上説明したように本発明の密着型イメージセンサは、
光検出素子の保護膜と多層の配線部の絶縁膜を共にポリ
１ミド樹脂で形成してなるので、光検出素子が耐湿性良
く保護される。また本発明の密着型イメージセンチの製
造方法は、光検出素子の保護膜と配線部の絶縁膜を同時
に形成できるので、製造工程を簡略化できる。
光検出素子の保護膜と多層の配線部の絶縁膜を共にポリ
１ミド樹脂で形成してなるので、光検出素子が耐湿性良
く保護される。また本発明の密着型イメージセンチの製
造方法は、光検出素子の保護膜と配線部の絶縁膜を同時
に形成できるので、製造工程を簡略化できる。
第１図は従来の密着型イメージセン？’２示す平面図と
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す平面図と断面
図である。 翰・・・透光性絶縁基板 ｃ２４・・・第１の電極（ハ
）・・・光検出素子 （２優・・・第２の電極（ハ）・
・・保護膜 ＣＨｏｌ・・・第１層の配線（ロ）・・・
絶縁膜 Ｉ３■・・・第２層の配線（ト）・・・コンタ
クトホール 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名） 第 １ 図 第２図
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す平面図と断面
図である。 翰・・・透光性絶縁基板 ｃ２４・・・第１の電極（ハ
）・・・光検出素子 （２優・・・第２の電極（ハ）・
・・保護膜 ＣＨｏｌ・・・第１層の配線（ロ）・・・
絶縁膜 Ｉ３■・・・第２層の配線（ト）・・・コンタ
クトホール 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名） 第 １ 図 第２図
Claims (2)
- （１）透光性絶縁基板と、前記透光性絶縁基板上に１次
元（ニ形成されたアモルファスシリコンからなる光検出
素子と、前記光検出素子上を覆う保護 ３゜膜と、前記
光検出素子と異なる位置で前記透光性絶縁基板上（二形
成され絶縁ｉｖ介して導体が多層（二配線された配線部
とを備えた密着型イメージセンチにおいて、前記保護膜
と前記絶縁膜がポリイミド樹脂から形成されていること
を特徴とする密着型イメージセンサ。 - （２） 透光性絶縁基板上Ｃニ第ｌの電極を形成する工
程と、前記第１の電極上にアモルファスシリコンからな
る光検出素子を形成する工程と、前記光検出素子上に第
２の電極を形成する工程と、前記透光性絶縁基板上の前
記光検出素子の形成されていない部分に第１層の配線を
形成する工程と、前記光検出素子と前記１１１Ｍの配線
な覆うようにポリイミド樹脂を被着する工程と、前記第
１層の配線上のポリイミド樹脂の所定部位に開孔を形成
する工程と、前記開孔を介して所定の前記弔１層の配線
と電気的（：接続される第２層の配線ｗ ｅｉＪ記ポリ
イミド樹脂上に形成する工程とを備えることを特徴とす
る密着型イメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241840A JPS60134463A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241840A JPS60134463A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4322258A Division JP2685397B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134463A true JPS60134463A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17080277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58241840A Pending JPS60134463A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134463A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251763U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 | ||
| JPH01270266A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Nec Corp | イメージセンサ |
| JPH0621415A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5796575A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin-film image sensor |
| JPS57139973A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Ricoh Co Ltd | Image sensor with multiplying factor of one |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58241840A patent/JPS60134463A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5796575A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin-film image sensor |
| JPS57139973A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Ricoh Co Ltd | Image sensor with multiplying factor of one |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251763U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 | ||
| JPH01270266A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Nec Corp | イメージセンサ |
| JPH0621415A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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