JPH04367271A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置に関し、更
に詳しくは、一次元ラインセンサ上に密着させた状態で
画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像情
報を読み取るファクシミリ、イメージリーダ、ディジタ
ル複写機および電子黒板等の入力部に用いられる光電変
換装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ファクシミリ、イメージリーダ等
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われている
。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバーレ
ンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサを
介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する光電変
換装置が開発されている。

【０００３】図８、図９は、日経エレクトロニクス１９
８７．１１．１６（ｎｏ．４３４）２０７〜２２１頁、
或は特開昭６３−２２６０６４号公報等において、我々
が提案した上述の光電変換装置を示す模式図であり、図
８は、従来の光電変換装置の光電変換素子アレイの主走
査方向から見た模式的断面図であり、図９は、光電変換
素子アレイの原稿側から見た模式的平面図である。なお
、図８は図９のＡ−Ａ’断面図を示している。

【０００４】図８、９に示す従来の光電変換装置では、
ａ−Ｓｉ：Ｈを用いて光電変換素子部１、蓄積コンデン
サ部２、ＴＦＴ部３および４、マトリクス信号配線部５
およびゲート駆動配線部６等を透光性絶縁基板１０上に
簡便なプロセスにより一体的に形成している。

【０００５】絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の導電体
層２４、ＳｉＮ等の第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈか
らなる光導電性半導体層２６、ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈのオ
ーミックコンタクト層２７、Ａｌの第２の導電体層２８
が形成されている。

【０００６】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３，４の半導体層表面
の保護安定化をはかるために、ポリイミド等の不純物イ
オン等の含有量の極めて少ない有機材料からなる保護層
（パッシベーション層）１８が形成され、さらにその上
には原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
にマイクロシートガラス等からなる耐摩耗層８が接着層
１５を介して形成されている。

【０００７】図１０の（Ａ）〜（Ｃ）は、特開平１−１
−１２８５７８号公報に開示された従来の光電変換装置
の製造方法に関し、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す工程図である。

【０００８】まず、図１０（Ａ）に示すように、大判の
ガラス基板５０上に光電変換素子部１及びＴＦＴ部３等
を主走査方向（図中のＸ方向）に１７２８ビット配列し
た光電変換アレイを副走査方向（図中のＹ方向）に複数
アレイ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる保護
層（パッシベーション層）１８が形成されている。

【０００９】次に、図１０（Ｂ）に示すように、接続電
極部１７以外の基板上にエポキシ樹脂からなる接着剤１
５を塗布し、薄板ガラスからなる耐摩耗層８をその上に
載せる。

【００１０】そして、図１０（Ｃ）に示すように、接続
電極部１７側の薄板ガラスの端部から走査方向に加圧ロ
ーラーＲを用いて、加圧移動させ、薄板ガラス８を光電
変換素子上に貼り合わせる。さらに、接着層１５を硬化
させた後、分割ライン１９に沿って切断分割し、光電変
換アレイを形成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の光電変換装置において、さらなる低コスト化を目
指した場合、以下のような解決すべき課題を生じる。

【００１２】光電変換装置の低コスト化を達成する一つ
の手段として、光電変換素子部等を形成した透光性基板
の副走査方向の基板幅を小さくすることが行われる。こ
の種の光電変換装置は、まず大判の透光性基板上に複数
の光電変換アレイを同時に形成し、その後、光電変換ア
レイごとに分割して、それぞれ独立したアレイ状の光電
変換装置が形成される。すなわち、光電変換素子部等を
形成した透光性基板の基板幅を小さくすると、大判の基
板に形成する光電変換アレイの数量を増加することがで
き、光電変換アレイをコストダウンすることができる。

【００１３】ところが、ポリイミド等の高純度な有機材
料を保護層（パッシベーション層）として用いた従来の
光電変換装置の場合、単に基板幅を縮小することでコス
トダウンを達成しようとしても、耐湿性に問題を生じて
実現は困難である。

【００１４】これは、ポリイミド等の有機材料は吸湿性
或は透水性を有するために、時間の経過とともに基板端
部から水分が侵入し、光電変換素子部或はＴＦＴ部の半
導体層を劣化させてしまうからである。

【００１５】従来の光電変換装置では、基板端部から光
電変換素子部、ＴＦＴ部に至るまでの領域を水分侵入領
域として広く設計することにより、基板の端部から侵入
する水分が光電変換素子部或はＴＦＴ部の半導体層へ達
するまでの時間を長く確保し、耐湿性をなんとか維持す
るだけににとどまっている。

【００１６】従って、有機材料を保護層（パッシベーシ
ョン層）とする従来の光電変換装置では、基板幅を縮小
することは困難であり、さらなる低コスト化は望めない
。

【００１７】そこで、窒化シリコン膜、あるいは酸化シ
リコン膜等の透水性をほとんど示さない無機薄膜材料を
保護層（パッシベーション層）として用いることにより
、光電変換装置の耐湿性を確保し、かつ基板幅を縮小し
てコストダウンすることも考えられている。

【００１８】しかしながら、無機薄膜材料を保護層（パ
ッシベーション層）として用いる場合、図１１及び図１
２に図示するような問題が生じる。図１１及び図１２は
、図９の光電変換装置のＣ−Ｃ’断面を示す。

【００１９】図１１は、上述した光電変換素子上への薄
板ガラスを貼り合わせる方法により光電変換装置を作製
する際に、光電変換素子上に無機薄膜材料からなる保護
層（パッシベーション層）１８を形成し、接着層１５を
塗布した後、薄板ガラス８をその上に載せる際に、薄板
ガラス８の端部２０が保護層（パッシベーション層）１
８に激しく突き当たり、その衝撃により無機薄膜の保護
層（パッシベーション層）１８が破損し、保護層（パッ
シベーション層）に亀裂２１が生じた状態を示した図で
ある。

【００２０】また図１２は、光電変換素子上に薄板ガラ
ス８を載せ加圧接着する際に、無機薄膜の保護層（パッ
シベーション層）１８が、光電変換素子部、配線部等の
段差部、あるいはＡｌ配線部に異常成長したヒーロック
４９等の部分での応力集中によって、破損して亀裂２１
が生じた状態を示す図である。

【００２１】パッシベーション膜に亀裂が生じると、耐
湿性が劣化し、具体的には次のような問題の発生が確認
されている。 （１）亀裂から侵入した水分が、光電変換素子部或はＴ
ＦＴ部の半導体層を劣化させ、光電変換装置のＳ／Ｎ比
を低下させる。 （２）亀裂から侵入した水分と接着層に含有されていた
不純物、例えば塩素イオン（Ｃｌ−　）とが光電変換装
置内に印加されたバイアスの効果により、Ａｌ配線部を
腐食させ、ついにはＡｌ配線部を断線させる。

【００２２】従って、無機薄膜材料を保護層（パッシベ
ーション層）としただけでは、耐湿性の問題を解決でき
ないため、耐久性の確保は期待できず、光電変換装置の
さらなる低コスト化は、はなはだ困難である。

【００２３】（発明の目的）そこで、本発明の目的は、
無機保護層（パッシベーション層）を用いても亀裂の発
生が無く、それにより耐湿性、耐久性を改善し、かつ小
型化によりコストダウンできる光電変換装置を実現する
ことにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれば
、光電変換素子上に、複数層からなる透光性保護層を設
けた光電変換装置において、無機材料から成る保護層（
パッシベーション層）上に形成された有機膜からなる衝
撃緩和層をマスクとして、前記保護層（パッシベーショ
ン層）をエッチングし、少なくともワイヤーボンディン
グパット部を露出させる工程を含むことにより、無機薄
膜の保護層の外部回路との接続に必要なワイヤーボンデ
ィングパット部をパターニングする際のマスク、レジス
ト、ホトリソ工程が不要になり、光電変換装置のさらな
る低コスト化を実現することができる。

【００２５】また、本発明によれば、光電変換素子等の
半導体層上に窒化シリコン膜或は酸化シリコン膜等の無
機薄膜材料からなる保護層（パッシベーション層）を形
成し、かつ保護層（パッシベーション層）上にポリイミ
ド等の有機膜からなる衝撃緩和層を形成し、さらにその
上に薄板ガラス等からなる耐摩耗層を接着層を介して接
着することにより、光電変換素子上へ薄板ガラス等の耐
摩耗層を貼り合わせる際に、無機薄膜保護層（パッシベ
ーション層）へ加わる荷重を低減し、無機薄膜保護層（
パッシベーション層）の破損を防ぐことが可能となり、
保護層（パッシベーション層）に亀裂が生じることを防
止することができる。そのため光電変換装置の耐湿性を
充分に確保することができる。

【００２６】またさらには、本発明によれば、無機薄膜
からなる保護層（パッシベーション層）の破損を防ぐこ
とが可能となるために、光電変換素子部等を形成する透
光性基板の副走査方向の基板幅を小さくすることが可能
となり、光電変換装置のさらなる低コスト化を容易に実
現することができる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例を
詳細に説明する。

【００２８】図１は、本発明の光電変換装置の一例を示
す模式的な主走査方向断面図であり、図２は、本発明の
光電変換装置の模式的な平面図、図３は、本発明の光電
変換装置の模式的な副走査方向断面図である。

【００２９】なお、図１及び図３は、それぞれ図２のＡ
−Ａ’断面図、及びＣ−Ｃ’断面図を示す。

【００３０】本実施例では、半導体層としてａ−Ｓｉ：
Ｈを用いて、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、
ＴＦＴ部３および４、マトリクス信号配線部５およびゲ
ート駆動配線部６等が透光絶縁基板１０上に同一プロセ
スにより一体的に形成されている。

【００３１】絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の導電体
層２４、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈの光
導電性半導体層２６、ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミック
コンタクト層２７、Ａｌの第２の導電体層２８が形成さ
れている。

【００３２】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。光源Ｌ１から照射され原稿Ｐ
で反射された信号光Ｌ’は、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導
電性半導体層２６の導電率を変化させ、くし状に対向す
る上層電極配線３０，３１間に流れる電流を変化させる
。なお、３２は金属の遮光層であり、適宜の駆動源に接
続して、主電極３０（ソース電極あるいはドレイン電極
）および３１（ドレイン電極あるいはソース電極）に対
向する制御電極（ゲート電極）となるようにしてもよい
。

【００３３】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に
形成され光電変換部１の上層電極配線３１に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２の構造は
いわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。また、バイア
ス条件は正負いずれでも用いることができるが、下層電
極配線３３を常に負にバイアスする状態で用いることに
より、安定な容量と周波数特性を得ることができる。

【００３４】ＴＦＴ部３および４は、ゲート電極たる下
層電極配線３４と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２
５と、半導体層２６と、ソース電極たる上層電極配線３
５と、ドレイン電極たる上層電極配線３６等とから構成
される。

【００３５】マトリクス信号配線部５においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２、個別
信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、そして個別
信号配線と交差して第２の導電層からなる共通信号配線
３７が順次積層されている。３８は個別信号配線２２と
共通信号配線３７とオーミックコンタクトをとるための
コンタクトホール、３９は共通信号配線間に設けられた
線間シールド配線である。

【００３６】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、基板１０上に第１の導電層２４からなる個別ゲート
配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７、そして個別ゲート
配線４０と交差して、第２の導電層２８からなる共通ゲ
ート配線４１が順次積層されている。４２は個別ゲート
配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミックコンタク
トを取るためのコンタクトホールである。

【００３７】以上のように本実施例の光電変換装置は、
光電変換素子部、蓄積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリ
クス信号配線部およびゲート駆動配線部のすべてが光導
電性半導体層および絶縁層、導電体層等の積層構造を有
するので、各部を同一プロセスにより同時形成されてい
る。

【００３８】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３，４の半導体層表面
の保護安定化のためにＳｉＮの無機薄膜からなる保護層
（パッシベーション層）１１、また保護層（パッシベー
ション層）１１上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層１２が形成され、さらにその上には原稿Ｐとの摩擦か
ら光電変換素子等を保護するためにマイクロシートガラ
ス等からなる耐摩耗層８が接着層９を介して接着されて
いる。

【００３９】なお保護層（パッシベーション層）１１と
耐摩耗層８との間には、ＩＴＯ等の透光性導電層からな
る静電気対策層１５が形成され、原稿Ｐと耐摩耗層８と
の摩擦により発生する静電気が光電変換素子等に悪影響
を及ぼさないように配置されている。

【００４０】次に、上述した本発明の光電変換装置の製
造方法をより具体的に説明する。

【００４１】まず、ガラス等の大型の絶縁基板上にＣｒ
を厚さ１０００Åスパッタ法で堆積し、その後所望の形
状にパターニングして第１の導電体層２４を形成する。 その後、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈの半
導体層２６、ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタク
ト層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積させ
る。

【００４２】上記各層の成膜条件は、後述の表１に示す
とおりである。

【００４３】しかる後に、ソース、ドレイン電極となる
導電材料であるＡｌを５０００Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第２の導電
体層２８を形成する。

【００４４】その後、不要なオーミックコンタクト層２
７をエッチングで除去し、光電変換素子部１及びＴＦＴ
部３乃至４のチャネルを形成する。オーミックコンタク
ト層２７の除去は、リアクティブ・イオン・エッチング
によって行う。

【００４５】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。

【００４６】さらにその後、保護層（パッシベーション
層）１１の無機材料としてＳｉＮ層をプラズマＣＶＤ法
によって、光電変換素子が形成された大型の基板の全面
に堆積する。

【００４７】保護層（パッシベーション層）１１を形成
する時、基板温度をあまり高く上げると、半導体層２６
に含まれる水素が抜けたり、或は第２の導電体層Ａｌと
オーミックコンタクト層２７との間で相互拡散が生じる
ので、この時の基板温度は第１の絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７の形成時の基板温度
以上には高くしないことが好ましく、ａ−Ｓｉ：Ｈを半
導体層として用いた光電変換装置子ではａ−Ｓｉ：Ｈの
堆積時の基板温度は１５０℃〜２５０℃であるので、保
護層（パッシベーション層）１１の形成時の基板温度は
１５０℃以下にすることが好ましい。よって、本発明の
光電変換装置では、基板温度を１５０℃にして、ＳｉＨ
４　＝４ＳＣＣＭ，Ｎ２　＝２００ＳＣＣＭ（ＳｉＨ４
　：＝１：５０）のガスを用いて、０．２Ｔｏｒｒの圧
力でＳｉＮの保護層（パッシベーション層）１１を厚さ
６０００Å形成する。

【００４８】続いて、ＳｉＮの保護層（パッシベーショ
ン層）１１上に有機材料としてポリイミド樹脂をスピン
ナーにより厚さ３μｍ程度塗布し、加熱硬化させ、衝撃
緩和層１２を形成する。この際、衝撃緩和層１２の硬化
温度も保護層（パッシベーション層）１１の形成温度と
同様に１５０℃以下にすることが望ましい。

【００４９】このとき、ワイヤーボンディングパット部
１７の無保護層上ををマスキングテープで覆い、ワイヤ
ーボンディングパット部１７以外の部分にポリイミド樹
脂１２を、例えばスピンナーで塗布する。

【００５０】その後、マスキングテープをはがし、図４
のようにポリイミド樹脂１２をマスクとして、ワイヤー
ボンディングパット部１７の不要な無機保護層（パッシ
ベーション層）１１を、例えばリアクティブ・イオン・
エッチング（以下ＲＩＥと略す）装置によってエッチン
グする。条件は、ＣＦ４　２５ＳＣＣＭ、ＲＦパワー０
．１５Ｗ／ｃｍ２　、圧力７Ｐａで行った。本発明にお
いては、ＳｉＮ膜の保護層（パッシベーション層）のエ
ッチングをＲＩＥにより行ったが、無機保護層のエッチ
ング方法として、ＲＩＥの他に、ケミカル・ドライ・エ
ッチング（ＣＤＥ）、フッ酸系エッチャントによるウエ
ットエッチングが知られており、材質により、エッチン
グガス、エッチング条件を選ぶことができる。

【００５１】無機保護膜（パッシベーション層）１１を
エッチングすることにより、ワイヤーボンディングパッ
ト部１７は、図５のように、金属表面１７’を露出させ
ることができる。

【００５２】さらには、エポキシ樹脂からなる接着剤を
ディスペンサで塗布し、薄板ガラス８をその上に載せ、
従来技術の中で述べたように加圧接着させ、接着層９を
加熱硬化させる。接着層９の加熱硬化温度はやはり１５
０℃以下にすることが望ましい。

【００５３】そして大型の絶縁基板上に、耐摩耗層とし
て薄板ガラスを貼り合わせた後、光電変換アレイごとに
スライサーにより分割する。このようにして本発明の光
電変換装置を作製する。

【００５４】本発明の光電変換装置の製造方法は、無機
薄膜からなる保護層（パッシベーション層）１１上に有
機膜からなる衝撃緩和層１２を積層し、その衝撃緩和層
１２をマスクとして無機薄膜からなる保護層（パッシベ
ーション層）１１をエッチングしてパターニングするこ
とにある。

【００５５】ここで衝撃緩和層１２は、光電変換素子１
上の無機薄膜保護層（パッシベーション層）１１と薄板
ガラス８との間に設置することにより、光電変換素子１
上へ薄板ガラス８を貼り合わせる際に、無機薄膜保護層
（パッシベーション層）１１へ加わる衝撃的な荷重を緩
和し、無機薄膜保護層（パッシベーション層）１１の破
損を防ぐ機能を有している。さらに具体的には、衝撃緩
和層１２を薄板ガラス８を貼り合わせる際に薄板ガラス
８の端部が突き当たる配線領域から薄板ガラス８の接着
領域に設けることによって、薄板ガラスの端部が無機薄
膜保護層（パッシベーション層）１１に加える荷重を緩
和し、さらに光電変換素子部１等の段差部での荷重を緩
和するものである。

【００５６】衝撃緩和層１２の材料特性としては、前述
したように低温形成できることに加え、無機薄膜保護層
（パッシベーション層）１１と比較して柔らかく、薄板
ガラス８を貼り合わせるための大きな荷重が作用した場
合に衝撃緩和層１２が柔軟に変形して荷重を分散或は吸
収することにより、無機薄膜保護層（パッシベーション
層）１１へ加わる単位面積当たりの荷重を低減し、亀裂
を生じさせないことが望まれる。

【００５７】さらに、衝撃緩和層１２は薄板ガラス８を
光電変換素子１上に保護層（パッシベーション層）１１
に接着する接着層９と比較しても柔軟性を有することが
好ましい。これは接着層９が硬化して生じる応力をも緩
和し、無機保護層（パッシベーション層）１１へさらに
加わる荷重を低減することができるからである。

【００５８】なお、衝撃緩和層１２上の薄板ガラス８の
端部近傍には、硬化前の接着剤がボンディングパッド部
１７へ流れ込むことを防止するために流れ止め１６を設
けている。

【００５９】図６は、本発明の光電変換装置の等価回路
の一例を図を示す。

【００６０】光電変換素子Ｓ１−１　〜Ｓ３６−４８　
に入射した光情報は、光電変換素子Ｓ１−１　〜Ｓ３６
−４８　から蓄積コンデンサＣＳ１−１〜ＣＳ３６−４
８、転送用ＴＦＴのＴ１−１　〜Ｔ３６−４８、リセッ
ト用ＴＦＴのＲ１−１　〜Ｒ３６−４８　、マトリクス
信号配線Ｌ１　〜Ｌ４８を通って、並列の電圧出力とな
る。さらに、読み出し用スイッチＩＣによって直列信号
となり外部に取り出される。

【００６１】本発明の光電変換装置の構成例では、総画
素数１７２８ビットの光電変換素子を４８ビットずつま
とめて３６ブロックに分割してある。各動作は順次この
ブロック単位で進む。

【００６２】第１ブロックの光電変換素子Ｓ１−１　〜
Ｓ１−４８に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサＣＳ１−１〜ＣＳ１−４８　に電荷として蓄
えられる。一定時間後、ゲート駆動線Ｇ１　に転送用の
第１の電圧パルスを加え、転送用ＴＦＴのＴ１−１　〜
Ｔ１−４８をオン状態に切り替える。これで蓄積コンデ
ンサＣＳ１−１〜ＣＳ１−４８　の電荷がマトリクス信
号配線Ｌ１　〜Ｌ４８を通って、負荷コンデンサＣＬ１
〜ＣＬ４８　に転送される。

【００６３】続いて、負荷コンデンサＣＬ１〜ＣＬ４８
　に蓄えられた電荷は、転送パルスＧ１　により転送用
スイッチＵＳＷ１　〜ＵＳＷ４８を同時に駆動し、読み
出し用コンデンサＣＴ１〜ＣＴ４８　に転送される。

【００６４】引き続いて、ゲート駆動線ｇ１　〜ｇ４８
にシフトレジスタＳＲ２　から電圧パルスが順次加えら
れることにより、読み出し用コンデンサＣＴ１〜ＣＴ４
８　に転送された第１ブロックの信号電荷は、読み出し
用スイッチＴＳＷ１　〜ＴＳＷ４８により直列信号に変
換され、増幅器Ａｍｐにより増幅され光電変換装置の外
部へ出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出される。

【００６５】そして、リセットパルスｇｒｅｓ　がリセ
ットスイッチＶＳＷに逐次印加され、読み出し用スイッ
チＴＳＷとリセットスイッチＶＳＷが同時にＯＮ状態と
なり、読み出し用コンデンサＣＴ１〜ＣＴ４８　は逐次
リセット電位ＶＲ　にリセットされる。

【００６６】また、リセットスイッチＲＳＷ１　〜ＲＳ
Ｗ４８にリセット用の電圧パルスＣｒｅｓ　を印加して
負荷コンデンサＣＬ１〜ＣＬ４８　をリセットする。次
に、ゲート駆動線Ｇ２に電圧パルスを印加し、第２ブロ
ックの転送動作が始まる。同時にリセットＴＦＴのＲ１
−１　〜Ｒ１−４８がオン状態になり、第１ブロックの
蓄積コンデンサＣＳ１−１〜ＣＳ１−４８　の電荷をリ
セットし、次の読み出しに備える。

【００６７】以下、ゲート駆動線Ｇ３　，Ｇ４　、…を
順次駆動することにより１ライン分のデータを出力する
。

【００６８】さて、このようにして構成した光電変換装
置を適用して、ファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写機及び電子黒板等の種々の情報処理装置を
構成することができる。

【００６９】図７は、本発明の光電変換装置１００を用
いて構成した情報処理装置としてファクシミリ装置の一
例を示す。ここで、１０２は原稿Ｐを読み取り位置に向
けて給送するための給送ローラ、１０４は原稿Ｐを一枚
ずつ確実に分離給送するための分離片である。１０６は
光電変換装置１００に対して読み取り位置に設けられて
原稿Ｐの被読み取り面を規制するとともに原稿Ｐを搬送
するプラテンローラである。

【００７０】Ｒは図示の例ではロール紙形態をした記録
媒体であり、光電変換装置１００により読み取られた画
像情報あるいは外部から送信された画像情報が形成され
る。１１０は当該画像形成をおこなうための記録ヘッド
で、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々
のものを用いることができる。また、この記録ヘッドは
、シリアルタイプのものでも、ラインタイプのものでも
よい。１１２は記録ヘッド１１０による記録位置に対し
て記録媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面を規制す
るプラテンローラである。

【００７１】１２０は、操作入力を受容するスイッチや
メッセージその他、装置の状態を報知するための表示部
等を配したオペレーションパネルである。

【００７２】１３０は、システムコントロール基板であ
り、各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路
部、送受信部等が設けられる。１４０は、装置の電源で
ある。

【００７３】本発明によって作製した光電変換装置をフ
ァクシミリ等のシステムの画像入力部として用いること
により、耐久性を改善した情報処理装置とすることがで
き、システム側の画像処理が簡易な手段で行なうことが
できるようになり、システム全体としてのコストを大幅
に低減することができた。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換素子上に、複数層からなる透光性保護層を設け
た光電変換装置において、光電変換素子等の半導体層上
に窒化シリコン膜或は酸化シリコン膜等の無機薄膜材料
からなる保護層（パッシベーション層）を形成し、かつ
保護層（パッシベーション層）上にポリイミド等の有機
膜からなる衝撃緩和層を形成し、さらにその上に薄板ガ
ラス等からなる耐摩耗層を接着層を介して接着すること
により、光電変換素子上へ薄板ガラスを貼り合わせる際
に、無機薄膜保護層（パッシベーション層）へ加わる荷
重を低減し、無機薄膜保護層（パッシベーション層）の
破損を防ぐことが可能となり、保護層（パッシベーショ
ン層）に亀裂が生じることを防止することができる。そ
のため光電変換装置の耐湿性を充分に確保することがで
き、耐久性を高めることができる効果が得られる。

【００７６】また更には、本発明によれば、無機薄膜か
らなる保護層（パッシベーション層）の破損を防ぐこと
が可能となるために、光電変換素子部等を形成する透光
性基板の副走査方向の基板幅を小さくすることが可能と
なり、光電変換装置の低コスト化を容易に実現すること
ができる効果が得られる。

【００７７】また更には、無機材料から成る保護層（パ
ッシベーション層）上に形成された有機膜からなる衝撃
緩和層をマスクとして、前記保護層（パッシベーション
層）をエッチングし、少なくともワイヤーボンディング
パット部を露出させる工程を含むことにより、無機薄膜
の保護層の外部回路との接続に必要なワイヤーボンディ
ングパット部をパターニングする際のマスク、レジスト
、ホトリソ工程が不要になり、光電変換装置のさらなる
低コスト化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光電変換装置の模式的な主走査方
向断面図、

【図２】本発明による光電変換装置の模式的な平面図、

【図３】本発明による光電変換装置の模式的な副走査方
向断面図、

【図４】本発明の製造方法を示すワイヤーボンディング
パッド付近の断面図

【図５】本発明の製造方法を示すワイヤーボンディング
パッド付近の断面図

【図６】本発明による光電変換装置の等価回路図、

【図
７】本発明による光電変換装置を適用した情報処理装置
としてのファクシミリ装置の模式的構成図、

【図８】従
来の光電変換装置の模式的な主走査方向断面図、

【図９】従来の光電変換装置の模式的な平面図、

【図１
０】従来の光電変換装置の製造方法を示す概略工程図で
ある。

【図１１】従来の光電変換装置の問題点を説明する概略
図である。

【図１２】従来の光電変換装置の問題点を説明する概略
図である。

【符合の説明】

１　　　　光電変換素子部 ２　　　　蓄積コンデンサ部 ３，４　　　　ＴＦＴ部 ５　　　　マトリクス信号配線部 ６　　　　ゲート駆動配線部 ８　　　　薄板ガラス ９　　　　接着層 １０　　　　透光性絶縁基板 １１　　　　保護層（パッシベーション層）１２　　　
　衝撃緩和層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光電変換素子上に、複数層からなる透
   光性保護層を設けた光電変換装置の製造方法において、
   前記透光性保護層が、前記光電変換素子を覆って保護す
   る無機材料からなる保護層と、該保護層上に積層される
   有機材料からなる衝撃緩和層と、該衝撃緩和層の上方に
   形成される耐摩耗層を有して構成され、前記無機材料か
   ら成る保護層上に形成された有機膜からなる衝撃緩和層
   をマスクとして、前記保護層をエッチングし、少なくと
   もワイヤーボンディングパット部を露出させる工程を含
   むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。