JPH04144170A - 密着型画像読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリあるいはイメージスキャナなど
に用いられる長尺の密着型画像読み取り装置に関するも
のである。

〔従来の技術〕

近年、画像読み取り装置は、コンピューターファクシミ
リなどのＯＡ機器のマン・マシーンインターフェイスと
して重要視され、パーソナル化がますます進み、小型軽
量、薄型、しかも低価格のものが要望されている。この
ような観点より、薄膜半導体、例えば、水素化アモルフ
ァスシリコン、ポリシリコン等を、大面積の絶縁基板上
に形成した光電変換装置により、原稿と同じ大きさの長
尺の密着型画像読み取り装置が開発され、ＣＣＤの画像
読み取り装置に必要とされていた、縮小光学系のレンズ
を不要とし、小型化に貢献した。さらに、同じ薄膜半導
体を用いて、光センサを駆動する薄膜トランジスタを同
一基板上に形成することも可能で、小型化とともに低価
格化が進められている。また、光センサは、ゲート電極
とゲート絶縁膜を持つような薄膜トランジスタ型の光セ
ンサとすることで、同一のプロセスにより光センサと薄
膜トランジスタが得られ、しかも安定な光電流が得られ
ることが分かっている。

第１０図は、水素化アモルファスシリコンを用いた従来
のｙ４膜トランジスタの構造の１例を示す。

絶縁性基板１に設けたゲート電極２の上にゲート絶縁膜
３を堆積し、更にチャネルとなる薄膜半導体４、例えば
水素化アモルファスシリコン（以下ａ　−５ｉ　：　Ｈ
）などを設置する。更にソース、ドレイン電極６．７間
に、ｎ゛層５設けられており、電子に対してオーミック
性、正孔に対してブロッキング性となる接合を形成する
ことで、ｎチャンネルトランジスタとして動作する。

なお、第９図の薄膜トランジスタは、光センサとしでも
用いることができて、ソース、ドレイン電極６．７の間
に光が入射すると、２次光電流として得られ、しかもゲ
ート電極３により薄膜半導体４中のキャリアを制御し、
安定な光電流を得ることができる。

第１１図は、第１０図の従来の、薄膜トランジスタ（以
下ｒＴＦＴＪと略記する）、及び、ＴＦＴ型の光センサ
を用いた光センサアレイの製造工程を示す。

第１０図（ａｌにおいて、１はガラス基板、２はゲート
電極となるＣｒである。ゲート電極２を選択形成後、第
１１図（′ｂ）の工程で、例えば、プラズマＣＶＤ法で
ゲート絶縁膜となるシリコン窒化膜３、半導体層となる
ａ　−３ｉ　：　Ｈ層４、更にａ　−Ｓｉ　：　Ｈ層４
と金属電極とのオーミックコンタクト層となるｎ゛層５
連続的に堆積する。更に、第１１図（Ｃ）の工程で、ソ
ース、ドレインの上部電極６．７となるＡＮをスパッタ
法等で堆積する。その後、感光性樹脂８を全面に塗布し
、露光、パターニングして、ソース、ドレイン上部電極
６．７を形成する。第１１図（ｄ）の工程では、この感
光性樹脂８、または、ソース、ドレイン上部電極６，７
であるＡ７！をマスクにして、ｎ゛層５ａ　−５ｉ　：
　ＨＮ４を所定の深さにＲＩＥ等の工、チングによりエ
ンチングした後、感光性樹脂８を剥離する。さらに第１
１図ｔｅｌの工程では、ＴＰＴを素子間分離し、第１１
図（ｆ）の工程でシリコン窒化膜等の保護層１０を形成
する。最後に第１１図（ｇ）の工程で、ガラスなどの耐
摩耗層１２を接着層１１により張り合せて、第９図のＴ
ＰＴが作成される。

また第１２図は、第９図に示した光センサおよびＴＰＴ
で構成された光センサアレイを示す。第１２図において
、１はガラス基板、２はこのガラス基板１の第１の表面
に設けられたゲート電極、３はゲート絶縁膜、４は光導
電性半導体膜、５はオーミ・ツクコンタクトを形成する
ｎ゛層、６．７はソース、ドレイン上部電極、１０は保
護層、１１は接着層、１２は耐摩耗層、１３は原稿を示
す。光センサ基板の裏側から入射した光は、基板の表側
に密着する原稿１３に当たって反射し、光センサギヤノ
ブ部に達する。原稿の反射率に応じて異なる光電流が、
同じ膜構成のゲート絶縁膜を有するコンデンサ部に電荷
として一定時間蓄積され、さらに同一基板上に集積され
たＴＦＴとマトリクス配線とによって、読み取りのタイ
ミングに合わせて転送され、ついでリセットされること
によって１ビツトの画像として信号が取り出される。

（発明が解決しようとしている課題） 従来の密着型画像読み取り装置の光センサアレイは、大
面積の基板に（例えば、２５６　ａｍ　Ｘ３２０ａｍ）
前記従来の方法第１０図によって薄膜トランジスタ型光
センサ及び、薄膜トランジスタ等を形成しているが、水
素化アモルファスシリコンや、シリコン窒化膜は、製膜
条件によっては非常に大きな応力を示す。例えば、水素
化アモルファスシリコンは、通常、圧縮応力を示し、シ
リコン窒化膜は、引っ張り応力を示す。これらの膜のそ
れぞれの膜厚、面積によって第１２図（ａｌまたは（′
ｂ）のようにガラス基板にそりを生じる。

この基板のそりは、基板が大きくなっていくとき、パタ
ーンの微細化に大きな障害となるばかりでな（、フォト
リソグラフィ工程での基板の吸着不良等の問題として現
われている。

また、この光センサ基板を、数日の幅でスライスしたセ
ンサアレイは、筐体に張り付けられて密着型画像読み取
り装置ユニットとして用いられるが、センサアレイ基板
にそりがあった場合、張り付は時の割れ、ハガレなどの
不良となる。さらには、そりにより光路長が変わって、
中央部と端部で出力の分布を生じることもある。

この基板のそりは、膜の応力が同じであっても、センサ
アレイが長くなったり、または、細くなったりすれば、
さらに大きくなるので、今後の低価格化に伴うセンサア
レイの細幅化と基板の大版化に対して重大な問題となる
。

一方、センサアレイの細幅化を進めるにあたり、光セン
サ部と駆動の薄膜トランジスタ部との距離を短くして、
しかも素子を小さくする必要性が生しる。この時、光セ
ンサと薄膜トランジスタに用いているアモルファスシリ
コンは光にたいして非常に敏感であり、これらの素子が
照射光の光源に近づくため、裏側からの照射光による漏
れ電流が生じてしまう。従来はゲート電極が裏側からの
光に対する遮光膜となっているが、ソース、ドレイン電
極とのショートや重なり容量等の点から、これ以上、ゲ
ート電極の幅を広げることはできない。

この漏れ電流は、光センサの暗電流を増加させ、Ｓ／Ｎ
比を落すことになり、ＴＰＴでは、０Ｎ１０ＦＦ比を低
下させることになり、センサアレイの細幅化に対する、
大きな障害となる。

〔課題を解決するための手段（および作用）〕本発明に
よれば、絶縁基板の第１の表面に、電極を有する半導体
素子と、この半導体素子駆動用半導体とからなる複数の
素子領域を設けた光センサ基板を備えた半導体装置にお
いて、この第１の表面とは反対側の第２の表面に、第１
の表面に設けられた全ての薄膜の応力にほぼ等しい応力
を有する複数の応力緩和層を設け、これによって光セン
サ基板のそりを効果的に防止することが可能である。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例による密着型画像読み取
り装置を構成する光センサアレイの１ビット分の断面図
を示すものである。第１図において、３１はガラス基板
、３２はこのガラス基板３１の第１の表面に設けられた
ゲート電極、３３はゲート絶縁膜、３４は光導電性半導
体膜、３５はオーミックコンタクトを形成するｎ゛層、
３６３７はソース、ドレイン上部電極、４０は保護層、
４１は接着層、４２は耐摩耗層を示し、これらによって
光センサ基板５０を構成している。

また４３は原稿、４４は光入射窓、４５は光源、４６は
遮光性を有する’Ｉ！７１ｆからなる第１の応力緩和層
、４７は第２の応力緩和層を示す。光源４５からの入射
光は、原稿４３０表面で反射し、光センサに入射して光
電変換される。

第１のおよび第２の応力緩和層４６．４７は、ガラス基
板３１の、前記第１の表面とは反対側の第２の表面に設
けられたもので、珪素を含有する物質からなる膜から構
成される。そして第１のおよび第２の応力緩和層４６．
４７全体の応力は、第１の表面に設けられた膜全体の応
力と均衡するように、その各々の厚さが適当な値に設定
されている。

第２図（ａ）〜（ａは、第１回に示した光センサアレイ
を製造する工程を示している。すなわち第２図（ａｌは
、絶縁基板３１の第２の表面上の所定の領域に、第１の
応力緩和層４６となる水素化アモルファスシリコン膜を
、プラズマＣＶＤ法により１０００人の厚さで堆積し、
後に光入射窓となる位置においてこの膜に開口部を設け
たのち、第２の応力緩和層４７となる水素化アモルファ
スシリコン窒化膜を、同じくプラズマＣＶＤ法により３
０００人の厚さで堆積した状態を示す。第２図（ｂ）は
、絶縁基板３１の第１の表面、すなわち第２図（ａ）の
工程で第１の応力緩和層４６および第２の応力緩和層４
７が成膜された面とは反対側の表面において、Ｃｒから
なるゲート電極３２を選択形成した状態を示す。

また第２図（Ｃ１は、続いてゲート絶縁膜３３となる水
素化アモルファスシリコン窒化膜（以下ｒａ　−３ｉＮ
ｘ：ＨＪと記す）を３０００人、薄膜半導体３４となる
水素化アモルファスシリコン（以下「ａ　−５ｉ：Ｈ」
と記す）を５０００人、オーミックコンタクト層となる
ｎ゛層３５を１５００人の厚さで、それぞれプラズマＣ
ＶＤ法によって順次堆積した状態を示している。

第２図ｆｄ）は、後にソース、ドレイン上部電極３６．
３７となるアルミニウム層を１μ清の厚さでスパッタリ
ング法で堆積後、ソース、ドレイン上部電極のバターニ
ング用の感光性レジスト層３８を塗布して、この感光性
レジスト層を所望のパターンにパターニング後、感光性
レジスト層３８をマスクとしてソース、ドレイン電極３
６３７をウェットエツチングにより形成した状態を示す
。

第２図（ｅｌは、ソース、ドレイン電極３６．３７をマ
スクとして、ＲＩＥによりｎ゛層３５を所定のエツチン
グ深さでエツチングしたことを示す。

第２図（ｆ）は、所望のパターンに感光性レジスト層で
パターニング後、素子分離をＲＩＥで行なった。

第２図（ｇ）は、第２図ｔｅｌで形成、露出された薄膜
半導体の表面に窒化シリコン膜の保護層４０をプラズマ
ＣＶＤ法により形成した状態を示す。さらに、原稿４３
が接する耐摩耗層４２を接着層４１により張り付けて、
スライスされると、第４図のような、本発明の密着型画
像読み取り装置の光センサアレイが完成する。

ここで、従来は第１２図（ａｌ、　（ｂｌのような光セ
ンサアレイの長尺方向に沿って、引っ張り応力、圧縮応
力に従って、それぞれ基板のそりが発生していたが、本
発明の密着型画像読み取り装置の光センサアレイでは、
第３図に示すとおり、裏側に形成された応力緩和層４７
と遮光層４６の膜の応力により、そりは緩和され、平坦
な基板が得られる。

また本発明の実施例では光センサ素子等は、水素化アモ
ルファスシリコンの光センサＴＦＴを用いて説明したが
、他の薄膜半導体、たとえばポリシリコンや、ＣｄＳな
どの、色々な異なる応力を持つ薄膜素子に対しても同様
にして、これらの素子の形成された基板の裏側に、窒化
シリコンなどを用いた応力緩和層を形成することで同し
効果が期待できることは、言うまでもない。第４図に、
５ｉＨａとＮＨ，の混合ガスで、プラズマＣＶＤ！こよ
り得られる窒化シリコンの、混合ガス比に対する膜の応
力を示した。同図によれば、引っ張り応力と圧縮応力の
いずれの方向に対しても、ｌＸｌ０”ｄｙｎｅｓ　／　
＞　”程度の応力がガス流量比を変えることで制御でき
ることがわかる。また本実施例では窒化シリコンのみに
ついて述べたが、窒化シリコンだけでなく、膜の応力を
自由に制御できる膜であれば、本発明に応用することが
できる。

裏側に形成した薄膜のうち、光の入射窓として開口を設
けた水素化アモルファスシリコンの光吸収係数は、照射
光のＬＥＤの５６５ｎｍに対しては非常に大きく　、１
０００人程度０膜でも約７０％が吸収される。したがっ
て、裏側からの光は表側の光センサやＴＰＴに影響を与
えることなくほぼ吸収され、遮光層としての役割は十分
である。

第５図は、裏側に遮光層のない、従来の光センサアレイ
の中のＴＰＴ単ビットシｇ−Ｉｄ特性を示したもので、
裏側からの光による漏れ電流がＯＦＦ特性に現われてい
る。

一方、第６図は遮光層のある、本発明のセンサアレイの
中のＴＦＴ単ビフトＶｇ−Ｉｄ特性を示したもので、第
５図にくらべて、良好なＯＦＦ特性を示している。

第７図に、本発明の密着型画像読み取り装置の光センサ
アレイの平面図の一例を示す。同図において、２０はマ
トリクスに形成された配線部、２１は薄膜トランジスタ
型光センサを用いた光センサ部、２２は電荷蓄積部、２
３ａは薄膜トランジスタを用いた転送用スイッチ、２４
ｂは電荷蓄積部２２の電荷をリセットする薄膜トランジ
スタを用いた放電用スイッチ、２５は転送用スイッチの
信号出力を信号処理ＩＣに接続する引き出し線である。

本実施例では光センサ部２１、転送用スイッチ２３ａ及
び放電用スイッチ２３ｂを構成する光導電性半導体層と
してａ　−５ｉ　：　Ｈ膜が用いられ、絶縁層としてプ
ラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜が用いられている。

尚、第７図にはおいては、煩雑さを避けるために、上下
２層の電極配線のみ示し、上記光導電性半導体層及び絶
縁層は図示していない。さらに上層電極配線と半導体層
との界面にはｎ゛層が形成され、オーミック接合が取ら
れている。第８図に本発明の密着型画像読み取り装置の
光センサアレイの回路の等価回路を示す。同図において
、Ｓ　ｉｌｌ　＊　　５ｒ−Ｚ　＋　　Ｓｉ、：＋　＋
　・・・Ｓｉ、Ｎは、第７図の光センサ部２１を構成し
ている光センサであり、ｉはブロックの番号、１〜Ｎは
ブロック内のビット数である。（以下Ｓ　ｉ　＋　Ｎと
記す。）また同図において、Ｃｉ　、　Ｎは電荷蓄積部
２２のコンデンサで、光センサＳ　ｉ　、　Ｎら対応し
てそれぞれの光電流を蓄積する。また、蓄積コンデンサ
Ｃ，，，の電荷を負荷コンデンサＣＸ、に転送するため
の転送用スイッチ２３ａのトランジスタＳＴ、、Ｎ、電
荷をリセットする放電用スイッチ２３ｂのトランジスタ
ＳＲｉ、Ｎも同様に対応している。これらの、光センサ
Ｓｉ、Ｎ、蓄積コンデンサＣ３１８、転送用スイッチト
ランジスタＳＴ□、８、および放電用スイッチトランジ
スタＳＲｉ、Ｎは、それぞれ−列にアレイ状に配置され
、Ｎ個で１ブロツクを構成し、全体としてＭ個のブロッ
クに分けられている。

たとえば、センサが１７２８個で構成されているとすれ
ば、Ｎ＝３２、Ｍ＝５４とすることができる。

アレイ状に設けられた転送用スイッチ５Ｔｉ０．　、放
電用スイッチＳＲｉ、、のゲート電極は、ゲート配線部
に接続される。転送用スイッチＳＴｉ、　Ｈのゲート電
極は１番目のブロック内で共通に接続され、放電用スイ
ッチＳＲｉ、Ｈのゲート電極は次の順位のブロックの転
送用スイッチのゲート電極に接続される。マトリクス配
線部２１０の共通線（ゲート駆動線い、Ｇ２　、ｃ、、
””ＧＭ　）はゲート駆動部２４６によりドライブされ
る。−力信号出力は、マトリクス構成になっている引き
出し線２３０（信号出力線り、、Ｄ、、Ｄ：ｌ、・・・
Ｄ、）を介して信号処理部２４７　（ブロック単位で）
接続される。また、光センサＳ　ｉ　、　Ｈのゲート電
極は駆動部２５０に接続されて、負のバイアスが加えら
れる。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２Ｇ１．・
・・Ｇ、にはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（
ＶＧ＋　、　ＶＧｚ　、　ＶＧ：ｌ　、　・・・ＶＧＭ
）が供給される。まず、ゲート駆動線にＧＩ選択される
と、転送用スイッチＳＴ、、、〜ＳＴ、０．がＯＮ状態
となり、。

蓄積コンデンサＣ３，、〜Ｃ３，８に蓄積された電荷が
負荷コンデンサＣＸ、〜ＣＸ、に転送される。次に、ゲ
ート駆動線Ｇｔが選択されると、転送用スイッチＳＴ２
．、〜ＳＴ、０．がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ
２１，〜ＣＺ、Ｈに蓄積された電荷が負荷コンデンサＣ
ｘＩ　〜ＣｘＮに転送され、同時に放電用スイッチＳＲ
，，，〜ＳＲ，１，より蓄積コンデンサＣ１，、へ・Ｃ
１，Ｈの電荷がリセットされる。以下同様にして、ゲー
ト駆動線Ｇ３　、Ｇ４　、　Ｇｓ　、・・・Ｇ、につい
ても選択されて、読み取り動作が行われる。これらの動
作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出力Ｖ
Ｘ＋　、　ＶＸｚ　、　ＶＸ：ｌ　、−ＶＸ、ｌは信号
処理部２４７の入力Ｄ＋　、Ｄｚ　、Ｄ３　、・・・Ｄ
Ｎに送られ、シリアル信号に変換されて出力される。

更に、本実施例では、第１図に示すように光センサの上
部に耐摩耗層３２を形成してセンサの裏面から光源３０
により照明し、原稿３１を読み取るレンズレスの完全密
着型画像読み取り装置について述べたが、また、等倍結
像レンズ（たとえば、日本板硝子（株）製の商品名「セ
ルフォックレンズ」など）を用いた密着型画像読み取り
装置にも使用可能である。

第９図は、本実施例で得られた光センサを用いて構成し
た画像情報処理装置として、通信機能を有するファクシ
ミリの一例を示す概略的構成図である。

ここで、１０２は原稿１０１を読み取り位置に向けて給
送する給送手段としての給送ローラ、１０３は光源、１
０４は原稿１０１を１枚ずつ確実に分離給送するための
分離片である。１０６は光センサ１００に対して読み取
り位置に設けられて原稿１０１の被読み取り面を規制す
るとともに原稿１０１を搬送する搬送手段としてのプラ
テンローラである。

Ｐは図示の例ではロール紙形態をした記録媒体であり、
光センサ１００により読み取られた画像情報あるいはフ
ァクシミリ装置等の場合には外部から送信された画像情
報がここに再生される。

１１０は当該画像形成をおこなうための記録手段として
の記録ヘッドで、サーマルへ・ノド、インクジェット記
録ヘッド等種々のものを用いることができる。また、こ
の記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ラインタ
イプのものでもよい。

１１２は記録ヘッド１１０による記録位置に対して記録
媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面を規制する搬送
手段としてのプラテンローラである。

１２０は、入力／出力手段としての操作入力を受容する
スイッチやメツセージその他、装置の状態を報知するた
めの表示部等を配したオペレーションパネルである。１
３０は制御手段としてのシステムコントロール基板であ
り、各部の制御を行なう制御部（コントローラー）や、
光電変換素子の駆動回路（ドライバー）、画像情報の処
理部（プロセッサー）、送受信部等が設けられる。

１４０は装置のｔ′ａである。

本発明の情報処理装置に用いられる記録手段としては、
例えば米国特許第４．７２３．１２９号明細書、同第４
，７４０，７９６号明細書にその代表的な構成や原理が
開示されているものが好ましい。この方式は液体（イン
ク）が保持されているシートや液路に対応して配置され
ている電気熱変換体に、記録情報に対応していて膜沸騰
を越える急速な温度上昇を与える少なくとも一つの駆動
信号を印加することによって、電気熱変換体に熱エネル
ギーを発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰させ
て、結果的にこの駆動信号に１対１に対応した液体（イ
ンク）内の気泡を形成出来るので有効である。

この気泡の成長、収縮により吐出用開口を介して液体（
インク）を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する
。

更に、記録装置が記録できる最大記録媒体の幅に対応し
た長さを有するフルラインタイプの記録ヘッドとしては
、上述した明細書に開示されているような複数記録ヘッ
ドの組み合わせによって、その長さを満たす構成や一体
的に形成された一個の記録ヘッドとしての構成のいずれ
でも良い。

加えて、装置本体に装着されることで、装置本体との電
気的な接続や装置本体からのインクの供給が可能になる
交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あるいは記録ヘ
ッド自体にインクタンクを一体的に設けられたカートリ
フシタイブの記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効
である。

〔発明の効果〕

本発明は、密着型画像読み取り装置の長尺センサアレイ
基板において、基板の表側に形成された、充電交換素子
等の膜の応力による基板のそりを緩和する膜と、光電変
換素子に対する不要な光を遮光する膜を、基板の裏側に
形成したことにより、光センサ基板としての基板のそり
に起因した不良は、完全になくすことができ、しかも光
電変換素子としての信号のＳ／Ｎ比、駆動の薄膜トラン
ジスタの０Ｎ１０ＦＦ比等の特性を向上させることがで
きた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による密着型画像読み取り装
置の１画素分を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｈｌは第
１図に示した密着型画像読み取り装置を製造する工程の
一例を示す説明図、第３図は第１図に示した密着型画像
読み取り装置の斜視図、第４図は本発明の密着型画像読
み取り装置における応力緩和層の形成条件と引張応力お
よび圧縮応力との関係を示すグラフ、第５図は従来の密
着型画像読み取り装置の光センサアレイのＴＦＴ単ビッ
トのＶｇ−１ｄ特性図、第６図は本発明の密着型画像読
み取り装置の光センサアレイのＴＦＴ単ビットのＶｇ−
１ｄ特性図、第７図は本発明の密着型画像読み取り装置
の光センサアレイの平面図、第８図はその等価回路図、
第９図は同光センサアレイが適用された通信機能を有す
るファクシミリの一例を示す概略的構成図、第１０図は
従来の密着型画像読み取り装置の断面図、第１１図（ａ
）〜（幻は第１０図の薄膜トランジスタの製造工程を示
す説明図、第１２図は密着型画像読み取り装置の１画素
分を示す断面図、第１３図（ａｌ、　（ｂｌは従来の密
着型画像読み取り装置のそりの状態を示す斜視図である
。 ３１はガラス基板、３２はゲート電橋、３３はゲート絶
縁膜、３４は光導電性半導体膜、３５はｎ゛層、３６．
３７はソース、ドレイン上部！極、４０は保護層、４１
は接着層、４２は耐摩耗層、４３は原稿、４４は光入射
窓、４５は光源、４６は第１の応力緩和層、４７は第２
の応力緩和層、５０は光センサ基板。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板の第１の表面に、電極を有する半導体素
   子と、この半導体素子駆動用半導体とからなる複数の素
   子領域を設けた光センサ基板を備えた半導体装置におい
   て、前記光センサ基板の、前記第１の表面とは反対側の
   第２の表面に、応力の制御できるような応力緩和層を１
   層以上備え、全応力緩和層の応力が、前記第１の表面に
   形成された膜全体の応力に均衡していることを特徴とす
   る密着型画像読み取り装置。
2. （２）前記応力緩和層を構成する膜の少なくとも１つを
   遮光性とし、この遮光性応力緩和層に開口部を設けたこ
   とを特徴とする請求項１記載の密着型画像読み取り装置
   。
3. （３）前記光センサ基板が、少なくとも光導電体層およ
   び対向電極を含む光センサと、少なくともゲート電極、
   ゲート絶縁層、半導体層、オーミックコンタクト層、ソ
   ース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと
   で構成されていることを特徴とする請求項１記載の密着
   型画像読み取り装置。