JP2907238B2 - 画像読取装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に関し、
特に原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを有
し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状態
で画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像
情報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写装置等に好適に用いられる画像読取装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ファクシミリ、イメージリーダ等
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われてい
る。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバー
レンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサ
を介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する画像
読取装置が開発されている。

【０００３】図１１および図１２は、日経エレクトロニ
クス１９８７．１１．１６（Ｎｏ．４３４）２０７〜２
２１頁あるいは特開昭６３−２２６０６４号公報等にお
いて本出願人らが提案した上述の画像読取装置の模式図
である。

【０００４】図１１は、従来の画像読取装置の光電変換
素子アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、
図１２は、光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的
平面図である。なお、図１１は図１２のＡ−Ａ′断面図
を示している。

【０００５】従来の画像読取装置では、ａ−Ｓｉ：Ｈ
（非晶質水素化シリコン）を用いて光電変換素子部１、
蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）部
３、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動配線部６
等を透光性絶縁基板１０上に簡便なプロセスにより一体
的に形成している。透光性絶縁基板１０上には、Ｃｒか
らなる第１の導電体層２４、ＳｉＮ等からなる絶縁層２
５、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６、ｎ⁺
ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオーミックコンタクト層２７、Ａ
ｌからなる第２の導電体層２８が形成されている。

【０００６】さらに、第２の導電体層２８上には、主と
して光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層２６
表面の保護安定化をはかるために窒化シリコン膜あるい
は、酸化シリコン膜等の無機薄膜材料からなるパッシベ
ーション層１１及び、不純物イオン等の含有量の極めて
少ないポリイミド等の有機材料からなる衝撃緩和層１
２、さらにその上には原稿搬送ローラＴによって搬送さ
れる原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
にマイクロシートガラス等からなる耐摩耗層８が接着層
９およびＩＴＯなどの透光性導電体からなる静電シール
ド層１５を介して形成されている。

【０００７】なお、図１２に示すように、衝撃緩和層１
２上の耐摩耗層８の端部近傍には、硬化前の接着剤がボ
ンデングパット部１７へ流れ込むことを防止するために
流れ止め１６を設けている。

【０００８】図１３、図１４、図１５は、従来の画像読
取装置の静電シールド層を、いわゆるグランド電極に接
続する状態を示す模式的斜視図及び断面図を示す。図１
３は導電性ゴムを用いたグランド電極との接続状態を示
す模式的斜視図である。図１４は、図１３中のＡ−Ａ′
断面図である。

【０００９】図１３、図１４に示すように、マイクロシ
ートガラス等からなる耐摩耗層８の下面にＩＴＯ等から
なる透光性導電層１５が形成され、耐摩耗層８の端部よ
り耐摩耗層上面に回り込む、耐摩耗層上面の透光性導電
層回り込み部１４と導電性ゴム１９がステンレス板２０
等の金属にて機械的に押圧され、電気的に接続される。
また、このステンレス板２０は図１３に示すように画像
読取装置の筐体２１にネジ２９により固定される。更
に、ステンレス板２０はファクシミリ等の装置に組み込
まれる際に装置のグランド電極と機械的に接続される。

【００１０】図１５は、導電樹脂を用いたグランド電極
との接続状態を示す模式的斜視図である。

【００１１】図１５に示すように、耐摩耗層８上面の透
光性導電層回り込み部１４と透光性基板１０を保持して
いる画像読取装置の筐体２１とをデスペンサーにより導
電樹脂４９をポッテングすることで、グランド電極との
電気的接続を行う。

【００１２】このように形成した従来の画像読取装置で
は、光源Ｓを透光性基板１０上の原稿Ｐ配置側とは反対
の面側に配置している。そして光源Ｓから出射した照明
光Ｌは透光性基板１０を透過して原稿Ｐを照明し、その
反射光Ｌ′を光電変換素子部１に受容している。光電変
換素子部１に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサ部２に電荷として蓄えられた後、ＴＦＴ部３
のスイッチ動作によりマトリクス信号配線部５に転送さ
れ、原稿Ｐとの摩擦から生じる静電気の影響を受けず、
外部へ読み出される。

【００１３】図１６〜図１８は、特開平１−１２８５７
８号公報に開示される従来の画像読取装置の製造方法を
示す工程図であり、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す。

【００１４】まず、図１６に示すように、大判のガラス
基板６０上に光電変換素子部１およびＴＦＴ部３等を主
走査方向（図中のＸ方向）に１７２８ビット配列した光
電変換アレイを副走査方向（図中のＹ方向）に複数アレ
イ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層１２を形成する。次に、図１７に示すように、不図示
の外部回路と電気的接続をするためのボンディングパッ
ドを設けたボンディングパッド部１７以外の基板上にエ
ポキシ樹脂からなる接着剤９を塗布し、下面に透光性導
電層が形成されたマイクロシートガラスからなる耐摩耗
層８をその上に載せる。そして、図１８に示すように、
ボンディングパッド部１７側のマイクロシートガラスの
端部から走査方向に加圧ローラーＲを用いて、加圧移動
させ、マイクロシートガラスからなる耐摩耗層８を光電
変換素子上に貼り合わせる。なお、衝撃緩和層１２上の
耐摩耗層８の端部近傍には、硬化前の接着剤がボンデン
グパット部１７へ流れ込むことを防止するために流れ止
め１６を設けている。

【００１５】さらに、接着層９を硬化させた後、分割ラ
イン５９に沿ってスライスし、光電変換アレイを形成す
る。

【００１６】

【発明が解決しようとしている課題】しかし上述したよ
うな、静電シールド層を一定電位に保持するための電極
間接続方法として、導電樹脂や導電性ゴム等を用いる方
法においては、次のような欠点があった。

【００１７】まず、図１３及び図１４に示した導電性ゴ
ムを用いる接続方法では、 導電性ゴム等の接続材料
や接続保持部材が、原稿走行面より突出することとな
り、原稿走行の大きな障害になる。また構成部材が増え
るためコストアップ要因となる。

【００１８】 透光性導電層回り込み部１４を広くと
る必要があり、またステンレス板２０を設け、且つネジ
等で固定するため、製品外形が大型化してしまう。

【００１９】また、図１５に示した導電樹脂を用いる接
続方法では、 筐体に、導電樹脂をポッテングして接
続するための領域が必要となって筐体が大きくなり、製
品外形が大型化してしまう。

【００２０】 導電樹脂と筐体との熱膨張係数の差等
から電気的接続の信頼性が問題となる。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の画像読取装置
は、透光性基体上に複数の光電変換手段と、該複数の光
電変換手段上に設けられた複数層からなる透光性保護層
とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向させて前記透
光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原稿配置面と
は反対の面側に配置した光源から光を出射し原稿からの
光信号を前記複数の光電変換手段に受容する画像読取装
置であって、前記透光性保護層の原稿側の上に耐摩耗層
が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性導電層を介
して形成された画像読取装置において、前記透光性保護
層の少なくとも一層に開口部を設け、前記透光性導電層
又は窓を有する不透光性導電層と前記透光性基体上の配
線とを電気的に接続することを特徴とする。

【００２２】

【作用】本発明は、透光性保護層の少なくとも一層に開
口部を設け、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電
層と透光性基体上の配線とを電気的に接続することで、
電気接続のための特別な電極領域及び構成部材を必要を
せず、導電性ゴム等の接続材料が原稿走行面より大きく
突出することがなくなるので、製品の小型化、製造プロ
セスの簡略化、良好な原稿走行面を持つ画像読取装置を
提供することができる。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００２４】図１、図２及び図３は、本発明の画像読取
装置の第１の実施例の構成を示す主走査方向断面図、平
面図及び副走査方向断面図である。なお、図１及び図３
は、それぞれ図２のＡ−Ａ′断面図及びＣ−Ｃ′断面図
を示す。

【００２５】本実施例では、半導体層としてａ−Ｓｉ：
Ｈを用いて、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、
ＴＦＴ部３および４、マトリクス信号配線部５およびゲ
ート駆動配線部６（かかる構成で光電変換手段を構成す
る）等が透光性基体たる透光性絶縁基板１０上に同一プ
ロセスにより一体的に形成されている。

【００２６】透光性絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の
導電体層２４、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：
Ｈの光導電性半導体層２６、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミ
ックコンタクト層２７、Ａｌの第２の導電体層２８が形
成されている。

【００２７】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。原稿Ｐで反射された信号光
Ｌ′はａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０，
３１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極３０
（ソース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレ
イン電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲ
ート電極）となるようにしてもよい。

【００２８】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体層２６と、光導電性半導体層２６
上に形成され光電変換素子部１の上層電極配線３１に連
続した配線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２
の構造はいわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。バイ
アス条件は正負いずれでも用いることができるが、下層
電極配線３３を常に負にバイアスする状態で用いること
により、安定な容量と周波数特性を得ることができる。

【００２９】ＴＦＴ部３は、ゲート電極たる下層電極配
線３４と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２５と、半
導体層２６と、ソース電極たる上層電極配線３５と、ド
レイン電極たる上層電極配線３６等とから構成される。

【００３０】マトリクス信号配線部５においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２、個別
信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、そして個別
信号配線と交差して第２の導電層からなる共通信号配線
３７が順次積層されている。３８は、個別信号配線２２
と共通信号配線３７とオーミックコンタクトをとるため
のコンタクトホールである。

【００３１】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、透光性絶縁基板１０上に第１の導電層２４からなる
個別ゲート配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２
５、半導体層２６、オーミックコンタクト層２７、そし
て個別ゲート配線４０と交差して、第２の導電層２８か
らなる共通ゲート配線４１が順次積層されている。４２
は個別ゲート配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミ
ックコンタクトを取るためのコンタクトホールである。

【００３２】以上のように本実施例の画像読取装置は、
光電変換素子部、蓄積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリ
クス信号配線部およびゲート駆動配線部のすべてが光導
電性半導体層および絶縁層、導電体層等の積層構造を有
するので、各部を同一プロセスにより同時形成されてい
る。

【００３３】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層表面の保
護安定化のためにＳｉＮの無機薄膜からなるパッシベー
ション層１１、またパッシベーション層１１上にはポリ
イミド樹脂からなる衝撃緩和層１２が形成され、さらに
その上には原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護す
るためにマイクロシートガラス等からなる耐摩耗層８が
接着層９を介して接着されている。

【００３４】なおパッシベーション層１１と耐摩耗層８
との間には、ＩＴＯ等を用いたの透光性導電層からなる
静電気対策層１５が形成され、静電気対策層１５と基板
１０上のいわゆるグランド電極５１とは、導電樹脂５０
によって電気的に接続され、グランド電極５１は基板１
０上の導電体層２８によって電極５２に配線され、電極
５２と外部の配線回路を接続することによって一定電位
に保持されている。ここで、パッシベーション層１１、
衝撃緩和層１２、接着層９は透光性保護層を構成する。

【００３５】前記構成を実現するためには、グランド電
極５１は、電極表面が露出するように、グランド電極上
のパッシベーション層１１及び衝撃緩和層１２には開口
部を設けておく必要がある。開口部形成の手段として
は、ＲＩＥ，ＣＤＥ等のドライエッチング法あるいはウ
エットエッチング法のどちらでも良い。また、導電樹脂
５０は、ディスペンサー等によるポッティング、あるい
はスクリーン印刷法等の手段により、グランド電極ある
いは透光性導電層のグランド電極と対向する部分のどち
らか一方、あるいは双方に塗布しておく必要がある。

【００３６】さらにグランド電極を有する透光性基板と
保護層としてのマイクロシートガラスを貼り合わせるが
導電樹脂が硬化していなければ、貼り合わせの際の加圧
力により該導電樹脂５０はつぶれ大きく広がることにな
る。導電樹脂５０の含有する導電性の粒子（たとえば、
Ｃ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，ＩＴＯ ｅｔｃ．）は、
数μｍ程度の粒子径あるいは粒子群径をもっているため
貼り合わせの圧力が加わることによりパッシベーション
層１１のような薄膜（厚さ１μｍ以下）だけでは膜自身
にキズ、クラックなどの欠陥を生じやすい。そのためポ
リイミド樹脂のような衝撃緩和層１２をパッシベーショ
ン層１１の上に形成し、導電樹脂中の導電粒子を比較的
軟らかく粘弾性を持つ衝撃緩和層１２で制限し、パッシ
ベーション層１１に欠陥を生じさせることなく、グラン
ド電極および透光性導電層との電気的接続を保つことが
可能となる。さらに耐摩耗層の原稿面側へ回り込ませる
ように成膜していた透光性導電層（図１４の透光性導電
層回り込み部１４）も必要なくて良い。

【００３７】次に、具体的に本発明の画像読取装置の製
造方法を説明する。

【００３８】まず、ガラス等の大型の絶縁基板上にＣｒ
を厚さ１０００Åスパッタ法で堆積し、その後所望の形
状にパターニングして第１の導電体層２４を形成する。
その後、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈの半
導体層２６、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタクト
層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積させ
る。

【００３９】然る後に、ソース、ドレイン電極となる導
電材料であるＡｌを５０００Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第２の導電
体層２８を形成する。その後、不要なオーミックコンタ
クト層をエッチングで除去し、光電変換素子部１及びＴ
ＦＴ部３のチャネルを形成する。オーミックコンタクト
層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによっ
て行う。

【００４０】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。さらにそ
の後、パッシベーション層１１としてＳｉＮ層をプラズ
マＣＶＤ法によって光電変換素子が形成された大型の基
板の全面に厚さ６０００Å程度堆積する。

【００４１】その後、ボンディングパッド部１７及び、
グランド電極接続用パッド部５１，５２等の電気的接続
が必要とされる箇所は、エッチングによりパッシベーシ
ョン層を除去する。続いて、ＳｉＮのパッシベーション
層１１上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ３μ
ｍ程度塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層１２を形成す
る。この際、ＳｉＮのパッシベーション層１１と同様に
電気的接続を要する部分は、マスキングテープにより衝
撃緩和層１２を形成させない。

【００４２】グランド電極上に導電樹脂５０をスクリー
ン印刷しさらに、エポキシ樹脂からなる接着剤をディス
ペンサで塗布し、薄板ガラス８をその上に載せ、既に図
１６〜図１８を用いて説明したように加圧接着させ、導
電樹脂５０および接着層９を同時に加熱硬化させる。そ
して、光電変換アレイごとにスライサーにより分割す
る。このようにして本発明の画像読取装置を作製する。

【００４３】前記第１の実施例においては、静電気対策
層１５をＩＴＯ等の透光性導電層で構成したが、窓を有
する不透光性導電層で構成することもできる。

【００４４】図４は、このような実施例を示す本発明の
第２の実施例である。なお、同図は第１実施例の図３に
対応する部分を示す。図１〜図３に示した構成部材と同
一構成部材については同一符号を付して説明を省略する
（以下に説明する他の実施例についても同様とす
る。）。

【００４５】本実施例では、上層電極の上にパッシベー
ション層が形成され、その上に不透光性導電層１５′、
そして、その上に耐摩耗層８が配置されている。パッシ
ベーション層１１，衝撃緩和層１２は、第１の実施例と
同様の目的で設けられたものである。不透光性導電層１
５′は、光源Ｓから原稿Ｐに達しその反射光が光電変換
素子部１に至る光路Ｌに当る部分は形成されず、いわゆ
る窓を形成している。本実施例の構造においても前記第
１の実施例と同様の効果が得られるとともに、さらに、
静電気対策層が不透明であることから、不要な乱反射光
が遮光される。さらには、下部各素子により近い距離に
位置させることにより、よりいっそうクロストークが低
減できる。

【００４６】図５は、本発明による第３の実施例であ
る。図５は、図４と同様に本発明にかかわる静電気対策
層とグランド電極との接続部分近傍の断面図を示す。

【００４７】接続用材料として、第２の実施例では導電
性樹脂を用いたが、本実施例では、スタッドバンプのよ
うな微小な突起を有する材料を用いている。スタッドバ
ンプ５３は、直径２０〜２５μｍ程度のＡｕ，Ａｌ，Ｃ
ｕ等のワイヤーを用いて形成する。ボンディング後の高
さバラツキは、±３μｍ程度に制御可能で、かつ接点材
料としてＡｕを用いるための信頼性の高い電気的接続が
得られる。グランド電極の領域としては、１００×１０
０μｍ程度の微小なスペースで接続可能でバンプ形成時
間も０．１ｍｓｅｃ／ｐｏｉｎｔ以下と短時間のため作
業性に優れ自動化にも適している。

【００４８】図６は、本発明による第４の実施例で図４
と同様に断面図を示す。

【００４９】本実施例では、接続用材料として、プラス
ティックスビーズ表面にＡｕメッキ、Ｎｉメッキ等の表
面処理を施したマイクロビーズ５４を用いている。

【００５０】マイクロビーズ５４は、グランド電極近傍
で、かつ原稿からの反射光が光電変換素子部１への入射
を妨げない部分に選択的に散布しておく。耐摩耗層８を
エポキシ樹脂９で固着する際の圧力およびエポキシ樹脂
自身の硬化時の収縮力によって、静電気対策層とグラン
ド電極とをマイクロビーズを介して接続することができ
る。衝撃緩和層１２が粘弾性層として働くためグランド
電極からはずれたマイクロビーズが、他の配線や電極と
接触することのない信頼性の高い接続が可能となる。

【００５１】図７は、本発明による第５の実施例で図４
と同様に断面図を示す。

【００５２】本実施例では、接着層９を導電粒子５５と
してＩＴＯ，ＳｎＯ₂ 等の透光性粒子を用いた導電性樹
脂で構成し、かかる導電性樹脂で耐摩耗層８を接着して
おり、静電気対策層１５とグランド電極５１とを接続す
る導電樹脂を兼ねている。本実施例においても、衝撃緩
和層１２が緩衝層として作用している。

【００５３】本実施例では静電気対策層１５とグランド
電極５１とを接続する導電樹脂のみを別工程で塗布する
必要がないため、製造工程が簡略化できる。なお、透光
性導電樹脂の接続抵抗値が材料特性上低くできなけれ
ば、接続点数を複数個設けることにより接続抵抗値を下
げることも可能になる。

【００５４】なお、以上説明した実施例は、静電気対策
層１５とグランド電極５１とを接続する開口部をボンデ
ングパッド部（接続電極部）１７側に設けているが、開
口部を設ける位置はかかる位置に限定されるものではな
い。

【００５５】図８び図９は、本発明による第６の実施例
を説明するための平面図及び副走査方向断面図である。
なお、図９は、図８のＣ−Ｃ′断面図を示す。

【００５６】本実施例では静電気対策層１５とグランド
電極５１とを接続する開口部をボンデングパッド部（接
続電極部）１７配置側と反対側に設けている。

【００５７】図１０は、本発明の画像読取装置を用いて
構成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、１０
２は原稿Ｐを読み取り位置に向けて給送するための給送
ローラ、１０４は原稿Ｐを一枚ずつ確実に分離給送する
ための分離片である。１０６は画像読取装置（センサユ
ニット１００）に対して読み取り位置に設けられて原稿
Ｐの被読み取り面を規制するとともに原稿Ｐを搬送する
プラテンローラである。

【００５８】Ｒは図示の例ではロール紙形態をした記録
媒体であり、画像読取装置により読み取られた画像情報
あるいは外部から送信された画像情報が形成される。１
１０は当該画像形成をおこなうための記録ヘッドで、サ
ーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々のもの
を用いることができる。また、この記録ヘッド１１０
は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプのもので
もよい。１１２は記録ヘッド１１０による記録位置に対
して記録媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面を規制
するプラテンローラである。１２０は、操作入力を受容
するスイッチやメッセージその他、装置の状態を報知す
るための表示部等を配したオペレーションパネルであ
る。１３０は、システムコントロール基板であり、各部
の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路部、送受
信部等が設けられる。１４０は、装置の電源である。

【００５９】本発明の画像読取装置をファクシミリ等の
システムの画像入力部として用いることにより、システ
ム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよう
になり、システム全体としてのコストを大幅に低減する
ことができた。

【００６０】

【発明の効果】以上詳細に説明をしたように、本発明に
よれば光電変換手段上の透光性保護層を複数層で構成
し、かつ該複数層の透光性保護層は、透光性基体上に設
けられた配線上に開口部を有し、該配線と静電気対策層
とを電気的に接続することによって、原稿表面に接続部
が突出しない平滑な面を形成することができ、電気接続
のための特別な電極領域及び構成部材を必要とせず、製
造プロセスが簡略化でき、小型化された信頼性の高い画
像読取装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像読取装置の第１の実施例の構成を
示す主走査方向断面図である。

【図２】本発明の画像読取装置の第１の実施例の構成を
示す平面図である。

【図３】本発明の画像読取装置の第１の実施例の構成を
示す副走査方向断面図である。

【図４】本発明の画像読取装置の第２の実施例の断面図
である。

【図５】本発明の画像読取装置の第３の実施例の断面図
である。

【図６】本発明の画像読取装置の第４の実施例の断面図
である。

【図７】本発明の画像読取装置の第５の実施例の断面図
である。

【図８】本発明の画像読取装置の第６の実施例を説明す
るための平面図である。

【図９】本発明の画像読取装置の第６の実施例を説明す
るための副走査方向断面図である。

【図１０】本発明の画像読取装置を用いて構成したファ
クシミリ装置の一例を示す構成図である。

【図１１】従来の画像読取装置の光電変換素子アレイの
主走査方向から見た模式的断面図である。

【図１２】光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的
平面図である。

【図１３】導電性ゴムを用いたグランド電極との接続状
態を示す模式的斜視図である。

【図１４】図１３中のＡ−Ａ′断面図である。

【図１５】導電樹脂を用いたグランド電極との接続状態
を示す模式的斜視図である。

【図１６】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。

【図１７】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。

【図１８】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１ 光電変換素子部、 ２ 蓄積コンデンサ部、 ３
ＴＦＴ部、 ４ ＴＦＴ部、 ５ マトリクス信号配線
部、 ６ ゲート駆動配線部、 ８ 耐摩耗層、９ 接
着層、 １０ 透光性絶縁基板、 １１ パッシベーシ
ョン層、 １２衝撃緩和層、 １５ 静電気対策層、
１５′ 不透光性導電層、 １７ ボンディングパッド
部、 ２２ 個別信号配線、 ２４ 第１の導電体層、
２５第１の絶縁層、 ２６ 光導電性半導体層、 ２
７ オーミックコンタクト層、 ２８ 第２の導電体
層、 ３０ 上層電極配線、 ３１ 上層電極配線、３
２ 遮光層、 ３３ 下層電極配線、 ３４ 下層電極
配線、 ３５ 上層電極配線、３６ 上層電極配線、
３７ 共通信号配線、 ３８ コンタクトホール、 ４
０ 個別ゲート配線、 ４１ 共通ゲート配線、 ４２
コンタクトホール、 ５０ 導電樹脂、 ５１ グラ
ンド電極、 ５２ 電極、 ５３ スタッドバンプ、
５４ マイクロビーズ、 ５５ 導電粒子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−71173（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−88744（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−90657（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 27/146 H04N 1/028

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性基体上に複数の光電変換手段と、
   該複数の光電変換手段上に設けられた複数層からなる透
   光性保護層とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向さ
   せて前記透光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原
   稿配置面とは反対の面側に配置した光源から光を出射し
   原稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に受容する
   画像読取装置であって、前記透光性保護層の原稿側の上
   に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性
   導電層を介して形成された画像読取装置において、前記
   透光性保護層の少なくとも一層に開口部を設け、前記透
   光性導電層又は窓を有する不透光性導電層と前記透光性
   基体上の配線とを電気的に接続することを特徴とする画
   像読取装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の画像読取装置において、
   前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層と前記
   透光性基体上の配線とを接続することで前記透光性導電
   層又は窓を有する不透光性導電層を一定電位に保持する
   ことを特徴とする画像読取装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の画像読取装
   置において、前記複数の光電変換手段に接続するための
   配線を前記透光性基体以外の配線に接続するための複数
   個からなる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の
   端部近傍に配置され、該接続用電極部と該光電変換部の
   端部との間に、前記透光性導電層又は窓を有する不透光
   性導電層と前記透光性基体上の配線とを接続する開口部
   を設けたことを特徴とする画像読取装置。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の画像読取装
   置において、前記複数の光電変換手段に接続するための
   配線を前記透光性基体以外の配線に接続するための複数
   個からなる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の
   一方の端部近傍に配置され、該複数個からなる接続用電
   極部を近傍に有さない前記複数の光電変換手段の他方の
   端部近傍に、前記前記透光性導電層又は窓を有する不透
   光性導電層と前記透光性基体上の配線とを接続する開口
   部を設けたことを特徴とする画像読取装置。