JP2502093B2

JP2502093B2 - 画像読取装置

Info

Publication number: JP2502093B2
Application number: JP62145355A
Authority: JP
Inventors: 克美小宮山; 正樹深谷; 幸次郎横野; 均当麻
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-10-07
Filing date: 1987-06-12
Publication date: 1996-05-29
Anticipated expiration: 2011-05-29
Also published as: JPS63226064A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、画像読取装置に関し、例えば一次元ライン
センサを有し、その一次元ラインセンサ上に対し密着さ
せた状態で画像読取りに係る原稿を相対的に移動させつ
つ画像情報を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ
等に適用して好適な画像読取装置に関するものである。

［従来の技術］従来、一次元ラインセンサを用いる画像読取り装置と
しては、長さ数cmの一次元ラインセンサに縮小光学系を
用いて原稿像を結像させて原画像情報の読取りを行うも
のが知られている。しかしながら、この種の画像読取り
装置は縮小ないし結像を行うために大なる光路長を要
し、しかも光学系の体積が大きいために読取装置を小型
に構成することは困難であった。

一方、原稿幅と同じ長さの長尺一次元ラインセンサを
用いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体
積は著しく減少でき、読取り装置の小型化を図ることが
できる。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集
束性ファイバーを用いる方法やコンタクトレンズアレイ
を用いる方法等が知られている。また、こうしたファイ
バーやレンズアレイを全く用いないで、一次元ラインセ
ンサ上を密着状態で原稿を移動させつつ読取りを行うコ
ンタクト方式の原稿読取り方法（特開昭55-74262号，特
開昭55-75271号，特開昭56-45084号，特開昭56-122172
号）が本出願人の先出願に係るものとして既に開発され
ている。

第８図は、上記コンタクト方式の画像読取装置の要部
を一部破断して示す側断面図である。該装置を概略説明
するに、８はガラス等透明の基板11上に図面に直交する
方向に配列されて一次元ラインセンサを構成するセンサ
部である。

このセンサ８において、ガラス等の透明基板11上に
は、金属等の遮光層12および絶縁層13が形成され、その
上に光導電層としての水素化アモルファスシリコン（以
下ａ−Si:Hと称する）やCdS・Se等の半導体層14が形成
されている。更にオーミックコンタクト用のドーピング
半導体層15を介して一対の主電極16および17が形成さ
れ、その間に受光窓18が形成されている。

かかる構成において、透明基板11の入射窓19を通して
入射した光Ｌ（この入射光に対してはセンサ部８は遮光
層12によって遮光されている）で原稿Ｐを照明し、その
反射光をセンサ部８で受けて不図示の電極配線を介して
読み取り信号が取り出される。すなわち、例えば主電極
16の電位を基準として主電極17に高電位の駆動電圧が印
加されているとき、受光窓18を介して反射光Ｌが半導体
層14の表面に入射すると、キャリアが増加するために抵
抗が下がり、この変化を画像情報として読取ることがで
きる。

一方、原稿Ｐとセンサ部８との間の間隔は、通常0.1m
m程度として４〜８本/mmの読取り解像力が得られるが、
このような解像力を確保するために上記間隔は厳密に制
御されなければならない。該間隔の制御は、原稿Ｐとの
接触による摩耗に対する保護層をなす透明部材20をセン
サ部８の上面に被覆形成することによって同時に行われ
ている。

［発明が解決しようとする問題点］ここで、保護層20には、次に３つの機能が要求され
る。まず、第１には上述のように光センサ部18と原稿Ｐ
との距離を一定に保つための機能、すなわち受光部18と
原稿Ｐとの間のスペーサとしての機能である。

第２に、移動過程で原稿Ｐが受光部18と接触し得る構
成とした場合における受光部18の摩耗による劣化を防止
する機能である。

第３に、温度，湿度等環境条件の変化に対する受光部
18の安定性（環境安定性）を維持する機能である。

従来、保護層20は光透過性のある部材、例えばガラス
を基板11上に接合させて設けられていた。この接合は、
従来第８図には図示しない装置端部ないしは周縁部に接
着剤を塗布して行われていた。しかしこの場合保護層20
および基板11は共に比較的剛の材料であるため、部材の
熱膨張係数の差異により温度変化に起因して曲げ応力が
生じたり、接合により応力が生じたりし、これによって
割れが生じるというまず第１の問題点があった。

また、このような接合方法によると、保護層20と受光
部18との間に間隙（エアギャップ）が生じるので、画像
品質が低下したり、受光部18の環境安定性の維持が不十
分となるという問題点があった。これを避けるために基
板11ないし受光部18の上面を覆って接着剤を塗布するこ
とも考えられるが、一般に接着剤には純度の点で難があ
り、この部分で十分な光透過性を確保できないために受
光部18の読取特性が低下することになる。

一方、保護層20を光硬化樹脂で形成することも考えら
れるが、樹脂の硬化収縮および熱膨張係数の差異等によ
り上記第１の問題点と同様の問題点が生じることにな
り、さらにまたこのような樹脂は精製度が低いため、受
光部18の読取特性をも劣化させることになる。

本発明は、これら従来の問題点を解決し、温度変化や
接着により生じる応力を緩和でき、保護層や基板に割れ
が生じないようにした耐久性の高い画像読取装置を提供
することを目的とする。

本発明の他の目的は、読取特性ないしは画像品質の低
下が生じない画像読取装置を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、受光部の環境安定性を確
保できる画像読取装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］上記課題を解決するために、本発明にもとづく画像読
取装置は、基板と、該基板上に設けられた画像情報を有
する部材で反射された画像情報を有する光を受容する光
センサと、前記光センサを覆って前記基板上に配置され
たアルカリイオンの含有量が1ppm以下とされた中間層
と、該中間層上に配置された保護層とを有することを特
徴とする。

好ましくは、前記光センサはアモルファスシルコンを
用いた受光素子を有する。

好ましくは、前記光センサは受光素子として光導電型
の受光素子を有する。

好ましくは、前記中間層の厚みは、0.1〜10μｍとさ
れている。

好ましくは、前記中間層は異なった材料を用いた積層
構成とされている。

好ましくは、前記保護層はガラスまたは有機樹脂を有
する。

好ましくは、前記ガラスは薄板ガラスである。

好ましくは、前記保護層上に該保護層より摩擦係数が
小さい表面層をさらに有する。

好ましくは、前記中間層の硬度は前記保護層の硬度よ
りも低くされている。

［作用］すなわち、本発明によれば、保護層と光センサとの間
に中間層を配置することにより、光センサ上の単一層だ
けでは満足できない種々の機能をそれぞれの層に分担で
き、機能に応じた最適の材料選択が可能となり、以て光
センサ部の環境安定性やセンサ特性の信頼性の向上、保
護層と基板との接合により生じる応力の緩和も実現でき
る。

さらに、中間層（特に受光素子側）に含有されるアル
カリイオンの量を1ppm以下とすることによって光センサ
部の安定化をより一層図ること、および保護層を設ける
ことにより生じる特性の劣化を防ぐことができる。この
ようなアルカリイオン量の限定は、外部から保護層を通
して光センサ部に侵入する不純物等からの保護のみなら
ず保護層自体からの不純物による光センサの劣化対策に
極めて有効である。

［実施例］以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一
実施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセン
サ部の上面図であり、これら図において第８図と同様の
各部については対応箇所に同一符号を付してある。な
お、同図（Ａ）は同図（Ｂ）のＩ−Ｉ線断面を示す。

本例に係るセンサ部108においては遮光層112を導電性
の部材、例えば金属で構成するとともに、適宜の駆動源
に接続して、主電極116（ソース側）および117（ドレイ
ン側）に対するゲート電極となるようにする。また、主
電極116および117をくし形に形成し、互い違いに対向さ
せることによって同図（Ｂ）上受光窓118が蛇行した形
状に形成され、この窓118によって露出した半導体層14
の部分において原稿Ｐからの反射光を受容し、光電変換
が行われる。

また、129および130は、それぞれ、スペーサの機能を
有する保護層およびパシベーション膜の機能を有する中
間層であり、これらの構成については後述する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）に示した光センサ部108
は、画像読取りの１ビットに対応したものであるが、基
板11上にこれをライン状に複数個数整列させて、１次元
ラインセンサを構成することもできる。例えば、原稿Ｐ
の幅方向（同図（Ａ）において矢印で示す原稿Ｐの移動
方向を直交する方向）に、A4サイズ相当の216mmにわた
って８本/mmの解像度をもたせるとすれば、1728個の光
センサ部108を配列することができる。さらに、光セン
サ部と、光センサ部の出力を蓄積する電荷蓄積部（コン
デンサ部）と、当該蓄積された電荷を転送して信号処理
に供するためのスイッチ部と、必要な配線パターン等と
を同一の製造工程で基板上に形成してもよい。

第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこの
ような光センサ部、電荷蓄積部およびスイッチ部等を一
体に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面
図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示す。

これら図において、210はマトリクス配線部、208は光
センサ部、212は電荷蓄積部、213は転送用スイッチ213a
および電荷蓄積部212の電荷をリセットする放電用スイ
ッチ213bを含むスイッチ部、213は転送用スイッチの信
号出力を後述の信号処理部に接続する配線、223は転送
用スイッチ213aによって転送される電荷を蓄積し、読み
出すための負荷コンデンサである。

本実施例では光センサ部208、転送用スイッチ213aお
よび放電用スイッチ213bを構成する光電導性半導体層14
としてａ−Si:H膜が用いられ、絶縁層203としてグロー
放電による窒化シリコン膜（SiNH）が用いられている。

なお、第２図（Ａ）においては、煩雑さを避けるため
に、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層14
および絶縁層203、ならびに中間層、保護層は図示して
いない。また光導電性半導体層14および絶縁層203は光
センサ部208、電荷蓄積部212、転送用スイッチ213aおよ
び放電用スイッチ213bに形成されているほか、上記電極
配線と基板との間にも形成されている。さらに上層電極
配線と光導電性半導体層との界面にはn⁺にドープされた
ａ−Si:H層205が形成され、オーミック接合がとられて
いる。

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおい
ては、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の
配線と交差しないように配線されており、各信号成分間
のクロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズ
の発生を防いでいる。さらに、同図（Ｂ）および（Ｃ）
において、229および230は、それぞれ、保護層および中
間層であり、これらの構成については後述する。

光センサ部208において、216および217は上層電極配
線である。入射窓219から入射され、原稿面で反射され
た光はａ−Si:Hたる光導電性半導体層14の導電率を変化
させ、くし状に対向する上層電極配線216,217間に流れ
る電流を変化させる。なお、202は適宜の駆動部に接続
された金属の遮光層である。

電荷蓄積部212は下層電極配線214と、この下層電極配
線124上に形成された絶縁層203と光導電性半導体14との
誘電体と、光導電性半導体層14上に形成され、光センサ
部の上層電極配線217に連続した配線とから構成され
る。この電荷蓄積部212の構造はいわゆるMIS（Metal-In
sulater-Semiconductor）コンデンサと同じ構造であ
る。バイアス条件は正負いずれでも、用いることができ
るが、下層電極配線214を常に負にバイアスする状態で
用いることにより、安定な容量と周波数特性を得ること
ができる。

図中（Ｃ）は転送用スイッチ213aおよび放電用スイッ
チ213bを含むTFT構造のスイッチ部213を示し、転送用ス
イッチ213aは、ゲート電極たる下層電極配線224と、ゲ
ート絶縁層をなす絶縁層203と、光導電性半導体層14
と、ソース電極たる上層電極配線225と、ドレイン電極
たる上層電極配線217等とから構成される。放電用スイ
ッチ213bのゲート絶縁層および光導電性半導体層は絶縁
層203および光導電性半導体層14と同一層であり、ソー
ス電極は上層電極配線217、ゲート電極は下層電極配線2
27、ドレイン電極は上層電極配線226である。また、234
は転送用スイッチ213aのゲート電極に接続される下層配
線である。

前述したように、上層電極配線217,225および226と光
導電性半導体層14との界面には、ａ−Si:Hのn⁺層205が
介在し、オーミック接触を形成している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ
部、電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マ
トリクス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層
および絶縁層、中間層等の積層構造を有するので、各部
を同一プロセスにより同時形成することができる。

次に、中間層（130または230）および保護層（129ま
たは229）の構成例について述べる。

（実施例１）保護層まず、原稿Ｐによる摩耗を防止し、更に画像読取り解
像力を精度よく制御するためのスペーサ機能を付与すべ
き保護層129または229としては、光透過性のある例えば
光硬化型の有機樹脂を後述の中間層上にコーティングし
て用いることができる。この場合には、そのような樹脂
を第１図または第２図に示すようにフォトレジストやシ
リコーン樹脂を用いて中間層（後述）を形成した後に塗
布等により0.1/mm程度の厚みに積層すればよい。

また、保護層としてガラスを用いる場合には、フォト
レジストやシリコーン樹脂を用いてエアギャップが生じ
ないように中間層を平坦に形成した後、厚み0.1mmの薄
板ガラスを配置すればよい。このガラスとしては、例え
ば日本電気硝子（株）製のBLCを用いることができ、こ
のようにガラスを保護層に用いる場合にあっては、後述
の中間層は接着層としても機能する。

また、保護層129または229として、マイラフィルムの
表面にシリコン系ハードコートを施した東レ（株）製の
タフトップや、あるいはマイラフィルムの表面にアクリ
ル系ハードコートを施した三菱レイヨン（株）製のダイ
ヤビーム等、フィルムを用いることもできる。この場合
には、中間層が接着層として機能しないと考えられるの
で、第３図（Ａ）および（Ｂ）に示すように、光センサ
部Ｓないし中間層Ｍの周縁部に接着剤Ｃを設けてフィル
ムＦを貼着すればよい。

中間層次に、第１図，第２図（Ｂ）および（Ｃ）における中
間層130または230として選択可能な材料について述べ
る。

中間層としては、基板と保護層との間の応力を緩和す
ることを考慮して保護層よりも硬度（例えばビッカーズ
硬度）が低く、また高純度であり、光センサ部108また
は208の表面を安定させることができるものが望まし
く、まずシリコーン樹脂が選択できる。このシリコーン
樹脂には、ゲル状のものとして例えば東レシリコーン
（株）製のJCR6110があり、またゴム状のものとして東
芝シリコーン（株）製のXE13-611,XE13-642,XE14-520が
ある。前者は低粘度のため薄膜に形成することが容易で
あるが接着性はやや劣る。後者な高粘度のため厚い膜と
なるが接着性は良好である。これは上述のような保護層
の構成をも考慮して適宜選択できる。なお、このように
シリコーン樹脂を用いる場合にあっては、後述のように
アルカリイオン含有率を十分考慮して選択するのが望ま
しい。

また、中間層としてはホトレジストも選択できる。こ
のホトレジストには、まずネガ型のUV光硬化型のものと
してセキスイファインケミカル（株）製のRFG,deep UV
光硬化型のものとして東京応化（株）製のODUR-110WR
（ともに透明）がある。またネガ型のものとして例えば
東京応化（株）製のOMR-83や日本合成ゴムのCBRがあ
り、前者は廉価、後者は耐熱性が良好である。

また、ポジ型のdeep UV光硬化型のものとしてダイキ
ン（株）製のFPM210およびFPM120（ともに透明）があ
る。さらにポジ型のものとして例えば東京応化（株）製
のOFPR-800がある。

ネガ型のホトレジストのうち上記OMR-83やCBRは、微
細加工が可能であるという利点を有する反面、黄色を呈
するという問題点があるが、これは光源30として黄色光
ないし黄緑色光のものを用いれば、光量ロスを防止でき
る。またポジ型のホトレジストはネガ型のものに比して
高価であり、接着性も劣るが、ネガ型と同様微細加工が
可能という利点を有している。また、そのうち上記OFPR
-800は赤色を呈するものであるが、これも光源30を適切
に構成すれば、光量ロスを防止できる。なお、ホトレジ
ストはアルカリイオン含有率は低く、実用上問題になら
ない。

構成例第１図または第２図示の光センサ部108または208に対
し、上述の中間層130または230（例えばホトレジストOM
R-83（東京応化（株））を、スピンナまたはロールコー
タ等を用い、均一高さでかつ表面の凹凸がうめられるよ
うに１μ付着させ、保護層29または229（例えば薄板ガ
ラス）を貼りつけて画像読取装置を構成した。このと
き、光センサ108または208の特性および連続読取後の画
像は良好であった。更に長期耐久試験（ヒートサイク
ル，高温高湿動作等）に対しても光センサ劣化や割れ等
の問題は発生しなかった。また、第２図示の構成例では
スイッチ特性は低下しなかった。

次に、中間層130または230の材質や厚み等について検
討を行なった結果を述べる。

シリコーン樹脂のアルカリイオン量光センサに対し中間層としてシリコーン樹脂を用い、
シリコーン樹脂のアルカリイオン量を0.1ppm〜10ppmに
変えて塗布したところ、第４図のような結果を得た。す
なわち、アルカリイオン量の増加とともに光センサ108
または208の暗電流が増大し、光量に対する直線性を示
すγ特性が低下することにより画像品質が悪化する。

また、第２図示の実施例では、中間層230のアルカリ
イオン含有率が増加すると、薄膜トランジスタ（TFT）
構造のスイッチ部213のOFF抵抗が減少し、スイッチのON
/OFF比がとれなくなる。

これらより、シリコーン樹脂で中間層130または230を
構成する場合、アルカリイオンの含有率としては1ppm以
下が望ましく、このように材料を選択したところ、光セ
ンサ特性および耐久試験について安定で良好な結果を得
た。また、このとき第２図示の例ではスイッチ特性は低
下しなかった。

中間層の厚み中間層130または230の厚みを変えて検討を行なった。
中間層の厚みが薄いとピンホールが発生し、パッシベー
ション膜としての機能が不充分になる。また厚すぎると
ホトレジスト等の色がついている材料を用いる場合は光
透過率が大幅に減少するのみならず、保護層129または2
29の厚みを薄くする必要があるために形成手法に制約が
生じる。そこで、中間層の厚みとしては0.1〜10μ程度
が望ましいとの結論を得た。

屈折率第２図のような構成では、装置に入射した光が迷光と
してTFT構造のスイッチ部213に入射することが考えられ
るため、中間層230の屈折率について検討を行った。

第５図は第２図示の画像読取装置を模式的に示す。中
間層230の屈折率を保護層229の屈折率と異ならせるこ
と、例えば図示の例では保護層229よりも屈折率の小さ
い材料で中間層230を形成することにより、迷光として
スイッチ部213に入る光が減少し、良好なスイッチ特性
を得ることができた。

（実施例２）（実施例１）では、それぞれ単層の中間層および保護
層を有する二層構成について説明したが、本例では、第
１図（Ａ）または第２図（Ｂ）および（Ｃ）で一点鎖線
で示すように表面層132または232を設けた三層構成とし
た。すなわち、保護層はスペーサとしての機能を有する
他、センサ部の環境安定性を高めることや原稿Ｐに対す
る耐摩耗性ないし滑り性に優れていることが要求される
が、これらを同時に満足する材料を選択するのは困難が
伴う。そこで、本例においては、光センサ部のパッシベ
ーション膜としての中間層を設けることに加え、耐摩耗
性ないし滑り性を良好とするために保護層129または229
の上部に表面層132または232を設けるものである。ま
た、かくすることにより、保護層としての材料の選択の
幅も広がるものである。

保護層としては、従来、生産性を考慮して塗付可能な
有機樹脂、例えば光硬化性樹脂，熱硬化性樹脂，感光性
樹脂等が用いられていた。また、PC、アクリル、ポリシ
ロキサン等も透明性が高いという優れた特徴を有する
が、摩擦係数が大であることから従来これを保護層とし
て用いるのは困難であった。

これに対し、本例では、摩擦係数が保護層より小であ
る表面層132または232をその表面に設けることにより、
原稿に対する耐摩耗性ないし滑り性を良好とすることが
できるとともに、保護層選択の幅も著しく拡がることに
なり、読取り品位も向上とすることになる。

このような表面層132または232としては、例えば、四
弗化エチレン，メラミン樹脂，尿素樹脂，ナイロン，ポ
リエチレン，アセタール樹脂，弗素樹脂を添加したアセ
タール樹脂等を用いることができる。但し、これらはい
ずれも透明性に難があるので、厚みを適切に選択するの
が望ましい。

この表面層132または232配置の態様としては、例えば
保護層129または229上に薄く積層したり、あるいは保護
層129または229と同じ樹脂に滑りを改善する樹脂粉末を
添加したものを保護層129または229上に塗付すれば可能
である。

以上のような三層構成とした結果、（実施例１）と同
様に装置の耐久性や光センサ部の環境安定性を向上でき
るのみならず、原稿に対する耐摩耗性ないし滑り性を確
保できるとともに、保護層の選択幅も拡がって装置とし
ての信頼性がさらに向上した。

（実施例３）第６図は中間層を複数の材料の積層構造とした多層構
成の一例を示す。第１の中間層130Aの上に第２の中間層
130Bを積層し、更に保護層129を設けた構造である。第
１の中間層130Aとしては、この層が直接光センサ部108
等に接するものであるので、光センサ部108等の表面を
安定させることが可能であり、また高純度な材料として
SiO₂膜やSiNH膜等が考えられるが、容易に膜形成できる
ことからポリイミド樹脂（日立化成LP-52）を使用し
た。一方、第２の中間層130Bとしては、耐湿性を向上す
るためにエポキシ樹脂（住友ベークライトECR/ECH712
0）を用いた。保護層として、耐摩耗性および光透過率
の高い材料として硼珪酸ガラス（日本電気硝子BLC）を
使用する場合には、第２の中間層130Bには接着性がある
ものを選択するのが好適である。

本例によれば、中間層130Aおよび130Bをそれぞれ機能
分離させたことにより、信頼性が更に高く、安定した画
像読取装置を得ることができた。

なお、第２図示の構成に対しても、中間層230の機能
分離を行い、光センサ部208およびスイッチ部213等を覆
う第１中間層と、更にこの上に積層される第２中間層と
を設けてもよいのは言うまでもない。

また、本例においても、第６図中一点鎖線で示すよう
に、表面層（132等）を設けることもできる。

（実施例４）第７図は、（実施例３）と同様な構成において、第１
の中間層130Aを第２の中間層にてパッケージして構成し
た読取装置の一例を示す。本例は、（実施例３）と同
様、第１の中間層130Aを光センサ部108等必要な部分
（第２図示の構成に適用するにあたっては光センサ部お
よびスイッチ部等）のみに膜形成し、加えて、第２の中
間層130B′の耐湿性等の機能を更に生かすべく、第２の
中間層130B′を第１の中間層130Aを囲むように形成した
ものである。本例では、パターニング等の工程増加、な
いしは印刷等煩雑な工程の導入が生じることが考えられ
るが、上記実施例に対し、耐環境安定性等、更なる信頼
性を付与できることになる。

なお、（実施例１）〜（実施例３）の如く、中間層が
単層である場合においても、保護層により本例のように
中間層を囲むように構成することもできる。

また、本例においても、第７図中一点鎖線で示すよう
に、表面層（132等）を設けることもできるのは言うま
でもない。

なお、本発明は、基板裏面側より光を原稿面に照射
し、その反射光を直接センサ部に受容して画像を読取る
形態の画像読取装置であれば、ファクシミリ装置，イメ
ージリーダ等如何なる形態の画像読取装置に極めて有効
に適用できるのは勿論である。例えば、上例では光セン
サ部を主電極間にギャップを有するプレーナ型のものと
したが、所謂サンドイッチ型のものであってもよい。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、単一の材料で
は満足できない複数の機能を各層に分担させた、いわば
機能分離をさせた積層構造としたので、機能に応じた材
料の選択の幅を広げることができ、理想的な材料を使用
した場合と同等なセンサ特性，スイッチ特性等を得、以
て信頼性の高い安定した画像読取りが可能な画像読取装
置を実現できた。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、光セ
ンサ部と電荷蓄積部をスイッチ部等を一体に形成した形
態の画像読取装置の一実施例を示す平面図、そのＢ−Ｂ
線断面図、およびＣ−Ｃ線断面図、第３図（Ａ）および（Ｂ）は本発明に係る中間層と保護
層とを設ける態様の一例を説明する説明図、第４図は本発明に適用可能な中間層形成材料の一例の特
性を示す線図、第５図は第２図示の実施例の一効果を説明するための模
式図、第６図は本発明の他の実施例を説明するための側断面
図、第７図は本発明のさらに他の実施例を説明するための説
明図、第８図は従来の画像読取装置の一例を示す側断面図であ
る。 8,108,208……光センサ部、11,201……透明基板、12…
…遮光層、13,203……絶縁層、14……半導体層、16,17,
216,217……電極（配線）、19,219……入射窓、20,129,
229……保護層、130,230……中間層、130A……第１中間
層、130B,130B′……第２中間層、132,232……表面層、
212……電荷蓄積部、213……スイッチ部、213a……転送
用スイッチ部、213b……放電用スイッチ部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者当麻均東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭57−190455（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−117277（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に設けられた画像情報を
有する部材で反射された画像情報を有する光を受容する
光センサと、前記光センサを覆って前記基板上に配置さ
れたアルカリイオンの含有量が1ppm以下とされた中間層
と、該中間層上に配置された保護層と、を有することを
特徴とする画像読取装置。
【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の画像読取装
置において、前記光センサはアモルファスシリコンを用
いた受光素子を有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項に記載
の画像読取装置において、前記光センサは受光素子とし
て光導電型の受光素子を有することを特徴とする画像読
取装置。
【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかに記載の画像読取装置において、前記中間層の厚み
は、0.1〜10μｍとされていることを特徴とする画像読
取装置。
【請求項５】特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
れかに記載の画像読取装置において、前記中間層は異な
った材料を用いた積層構成とされていることを特徴とす
る画像読取装置。
【請求項６】特許請求の範囲第１項ないし第５項のいず
れかに記載の画像読取装置において、前記保護層はガラ
スまたは有機樹脂を有することを特徴とする画像読取装
置。
【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載の画像読取装
置において、前記ガラスは薄板ガラスであることを特徴
とする画像読取装置。
【請求項８】特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
れかに記載の画像読取装置において、前記保護層上に該
保護層より摩擦係数が小さい表面層をさらに有すること
を特徴とする画像読取装置。
【請求項９】特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
れかに記載の画像読取装置において、前記中間層の硬度
は前記保護層の硬度よりも低くされていることを特徴と
する画像読取装置。