JP2959854B2 - 画像読取装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に関し、
特に原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを有
し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状態
で画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像
情報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写装置等に好適に用いられる画像読取装置に
関する。
特に原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを有
し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状態
で画像読み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像
情報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写装置等に好適に用いられる画像読取装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ファクシミリ、イメージリーダ等
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われてい
る。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバー
レンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサ
を介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する画像
読取装置が開発されている。
の小型化、高性能化のために、光電変換装置として、等
倍光学系をもつ長尺ラインセンサの開発が行われてい
る。さらに、小型化、低コスト化のため等倍ファイバー
レンズアレイを用いずに、薄板ガラス等の透明スぺーサ
を介して原稿からの反射光をセンサで直接検知する画像
読取装置が開発されている。
【０００３】図７および図８は、日経エレクトロニクス
１９８７．１１．１６（Ｎｏ．４３４）２０７〜２２１
頁あるいは特開昭６３−２２６０６４号公報等において
本出願人らが提案した上述の画像読取装置の模式図であ
る。
１９８７．１１．１６（Ｎｏ．４３４）２０７〜２２１
頁あるいは特開昭６３−２２６０６４号公報等において
本出願人らが提案した上述の画像読取装置の模式図であ
る。
【０００４】図７は、従来の画像読取装置の光電変換素
子アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、図
８は、光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的平面
図である。なお、図７は図８のＡ−Ａ′断面図を示して
いる。
子アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、図
８は、光電変換素子アレイの原稿側から見た模式的平面
図である。なお、図７は図８のＡ−Ａ′断面図を示して
いる。
【０００５】従来の画像読取装置では、ａ−Ｓｉ：Ｈ
（非晶質水素化シリコン）を用いて光電変換素子部１、
蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）部
３、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動配線部６
等を透光性絶縁基板１０上に簡便なプロセスにより一体
的に形成している。透光性絶縁基板１０上には、Ｃｒか
らなる第１の導電体層２４、ＳｉＮ等からなる絶縁層２
５、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６、ｎ+
ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオーミックコンタクト層２７、Ａ
ｌからなる第２の導電体層２８が形成されている。
（非晶質水素化シリコン）を用いて光電変換素子部１、
蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）部
３、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動配線部６
等を透光性絶縁基板１０上に簡便なプロセスにより一体
的に形成している。透光性絶縁基板１０上には、Ｃｒか
らなる第１の導電体層２４、ＳｉＮ等からなる絶縁層２
５、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６、ｎ+
ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオーミックコンタクト層２７、Ａ
ｌからなる第２の導電体層２８が形成されている。
【０００６】さらに、第２の導電体層２８上には、主と
して光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層２６
表面の保護安定化をはかるために窒化シリコン膜あるい
は、酸化シリコン膜等の無機薄膜材料からなるパッシベ
ーション層１１及び、不純物イオン等の含有量の極めて
少ないポリイミド等の有機材料からなる衝撃緩和層１
２、さらにその上には原稿搬送ローラＴによって搬送さ
れる原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
に薄板ガラス等からなる耐摩耗層８が接着層９およびＩ
ＴＯなどの透光性導電体からなる静電シールド層１５を
介して形成されている。
して光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層２６
表面の保護安定化をはかるために窒化シリコン膜あるい
は、酸化シリコン膜等の無機薄膜材料からなるパッシベ
ーション層１１及び、不純物イオン等の含有量の極めて
少ないポリイミド等の有機材料からなる衝撃緩和層１
２、さらにその上には原稿搬送ローラＴによって搬送さ
れる原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護するため
に薄板ガラス等からなる耐摩耗層８が接着層９およびＩ
ＴＯなどの透光性導電体からなる静電シールド層１５を
介して形成されている。
【０００７】なお、衝撃緩和層１２上の耐摩耗層８の端
部近傍には、硬化前の接着剤がボンデングパット部１７
へ流れ込むことを防止するために流れ止め１６を設けて
いる。
部近傍には、硬化前の接着剤がボンデングパット部１７
へ流れ込むことを防止するために流れ止め１６を設けて
いる。
【０００８】図９、図１０、図１１は、従来の画像読取
装置の静電シールド層を、いわゆるグランド電極に接続
する状態を示す模式的斜視図及び断面図を示す。
装置の静電シールド層を、いわゆるグランド電極に接続
する状態を示す模式的斜視図及び断面図を示す。
【０００９】図９は導電性ゴムを用いたグランド電極と
の接続状態を示す模式的斜視図である。図１０は、図９
中のＡ−Ａ′断面図である。
の接続状態を示す模式的斜視図である。図１０は、図９
中のＡ−Ａ′断面図である。
【００１０】図９、図１０に示すように、薄板ガラス等
からなる耐摩耗層８の下面にＩＴＯ等からなる静電シー
ルド層１５が形成され、耐摩耗層８の端部より耐摩耗層
上面に回り込む、耐摩耗層上面の静電シールド層回り込
み部１４と導電性ゴム１９がステンレス板２０等の金属
にて機械的に押圧され、電気的に接続される。また、こ
のステンレス板２０は図９に示すように画像読み取り装
置の筐体２１にネジ２９により固定される。更に、ステ
ンレス板２０はファクシミリ等の装置に組み込まれる際
に装置のグランド電極と機械的に接続される。
からなる耐摩耗層８の下面にＩＴＯ等からなる静電シー
ルド層１５が形成され、耐摩耗層８の端部より耐摩耗層
上面に回り込む、耐摩耗層上面の静電シールド層回り込
み部１４と導電性ゴム１９がステンレス板２０等の金属
にて機械的に押圧され、電気的に接続される。また、こ
のステンレス板２０は図９に示すように画像読み取り装
置の筐体２１にネジ２９により固定される。更に、ステ
ンレス板２０はファクシミリ等の装置に組み込まれる際
に装置のグランド電極と機械的に接続される。
【００１１】図１１は、導電樹脂を用いたグランド電極
との接続状態を示す模式的斜視図である。
との接続状態を示す模式的斜視図である。
【００１２】図１１に示すように、耐摩耗層８上面の静
電シールド層回り込み部１４と画像読取装置の筐体２１
とをデスペンサーにより導電樹脂４９をポッテングする
ことで、グランド電極との電気的接続を行う。
電シールド層回り込み部１４と画像読取装置の筐体２１
とをデスペンサーにより導電樹脂４９をポッテングする
ことで、グランド電極との電気的接続を行う。
【００１３】このように形成した従来の画像読取装置で
は、光源Ｓを透光性基板１０上の原稿Ｐ配置側とは反対
の面側に配置している。そして光源Ｓから出射した照明
光Ｌは透光性基板１０を透過して原稿Ｐを照明し、その
反射光Ｌ′を光電変換素子部１に受容している。光電変
換素子部１に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサ部２に電荷として蓄えられた後、ＴＦＴ部３
のスイッチ動作によりマトリクス信号配線部５に転送さ
れ、原稿Ｐとの摩擦から生じる静電気の影響を受けず、
外部へ読み出される。
は、光源Ｓを透光性基板１０上の原稿Ｐ配置側とは反対
の面側に配置している。そして光源Ｓから出射した照明
光Ｌは透光性基板１０を透過して原稿Ｐを照明し、その
反射光Ｌ′を光電変換素子部１に受容している。光電変
換素子部１に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積
コンデンサ部２に電荷として蓄えられた後、ＴＦＴ部３
のスイッチ動作によりマトリクス信号配線部５に転送さ
れ、原稿Ｐとの摩擦から生じる静電気の影響を受けず、
外部へ読み出される。
【００１４】図１２〜図１４は、特開平１−１２８５７
８号公報に開示される従来の画像読取装置の製造方法を
示す工程図であり、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す。
８号公報に開示される従来の画像読取装置の製造方法を
示す工程図であり、特に光電変換素子上への耐摩耗層の
貼り合わせ方法を示す。
【００１５】まず、図１２に示すように、大判のガラス
基板６０上に光電変換素子部１およびＴＦＴ部３等を主
走査方向（図中のＸ方向）に１７２８ビット配列した光
電変換アレイを副走査方向（図中のＹ方向）に複数アレ
イ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層１２を形成する。次に、図１３に示すように、不図示
の外部回路と電気的接続をするためのボンディングパッ
ドを設けたボンディングパッド部１７以外の基板上にエ
ポキシ樹脂からなる接着剤９を塗布し、下面に透光性静
電シールド層が形成された薄板ガラスからなる耐摩耗層
８をその上に載せる。そして、図１４に示すように、ボ
ンディングパッド部１７側の薄板ガラスの端部から走査
方向に加圧ローラーＲを用いて、加圧移動させ、薄板ガ
ラスからなる耐摩耗層８を光電変換素子上に貼り合わせ
る。なお、衝撃緩和層１２上の耐摩耗層８の端部近傍に
は、硬化前の接着剤がボンデングパット部１７へ流れ込
むことを防止するために流れ止め１６を設けている。
基板６０上に光電変換素子部１およびＴＦＴ部３等を主
走査方向（図中のＸ方向）に１７２８ビット配列した光
電変換アレイを副走査方向（図中のＹ方向）に複数アレ
イ形成し、その上にはポリイミド樹脂からなる衝撃緩和
層１２を形成する。次に、図１３に示すように、不図示
の外部回路と電気的接続をするためのボンディングパッ
ドを設けたボンディングパッド部１７以外の基板上にエ
ポキシ樹脂からなる接着剤９を塗布し、下面に透光性静
電シールド層が形成された薄板ガラスからなる耐摩耗層
８をその上に載せる。そして、図１４に示すように、ボ
ンディングパッド部１７側の薄板ガラスの端部から走査
方向に加圧ローラーＲを用いて、加圧移動させ、薄板ガ
ラスからなる耐摩耗層８を光電変換素子上に貼り合わせ
る。なお、衝撃緩和層１２上の耐摩耗層８の端部近傍に
は、硬化前の接着剤がボンデングパット部１７へ流れ込
むことを防止するために流れ止め１６を設けている。
【００１６】さらに、接着層９を硬化させた後、分割ラ
イン６９に沿ってスライスし、光電変換アレイを形成す
る。
イン６９に沿ってスライスし、光電変換アレイを形成す
る。
【００１７】
【発明が解決しようとしている課題】しかし上述したよ
うな、静電シールド層を一定電位に保持するための電極
間接続方法として、導電樹脂や導電性ゴム等を用いる方
法においては、次のような欠点があった。
うな、静電シールド層を一定電位に保持するための電極
間接続方法として、導電樹脂や導電性ゴム等を用いる方
法においては、次のような欠点があった。
【００１８】まず、図９及び図１０に示した導電性ゴム
を用いる接続方法では、 導電性ゴム等の接続材料や接続保持部材が、原稿走
行面より突出することとなり、原稿走行の大きな障害に
なる。また構成部材が増えるためコストアップ要因とな
る。
を用いる接続方法では、 導電性ゴム等の接続材料や接続保持部材が、原稿走
行面より突出することとなり、原稿走行の大きな障害に
なる。また構成部材が増えるためコストアップ要因とな
る。
【００１９】 静電シールド層回り込み部１４を広く
とる必要があり、またステンレス板２０を設け、且つネ
ジ等で固定するため、製品外形が大型化してしまう。
とる必要があり、またステンレス板２０を設け、且つネ
ジ等で固定するため、製品外形が大型化してしまう。
【００２０】また、図１１に示した導電樹脂を用いる接
続方法では、 筐体に、導電樹脂をポッテングして接続するための
領域が必要となって筐体が大きくなり、製品外形が大型
化してしまう。
続方法では、 筐体に、導電樹脂をポッテングして接続するための
領域が必要となって筐体が大きくなり、製品外形が大型
化してしまう。
【００２１】 導電樹脂と筐体との熱膨張係数の差等
から電気的接続の信頼性が問題となる。
から電気的接続の信頼性が問題となる。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の画像読取装置
は、透光性基体上に複数の光電変換手段と、該複数の光
電変換手段上に設けられた複数層からなる透光性保護層
とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向させて前記透
光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原稿配置側の
面とは反対の面側に配置した光源から光を出射し前記原
稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に受容する画
像読取装置であって、前記透光性保護層の原稿側の面上
に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性
導電層を介して形成された画像読取装置において、前記
透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層が、前記耐
摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込んでおり、透
光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り込み部
と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続することを
特徴とする。
は、透光性基体上に複数の光電変換手段と、該複数の光
電変換手段上に設けられた複数層からなる透光性保護層
とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向させて前記透
光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原稿配置側の
面とは反対の面側に配置した光源から光を出射し前記原
稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に受容する画
像読取装置であって、前記透光性保護層の原稿側の面上
に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有する不透光性
導電層を介して形成された画像読取装置において、前記
透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層が、前記耐
摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込んでおり、透
光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り込み部
と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続することを
特徴とする。
【００２３】
【作用】本発明は、透光性導電層又は窓を有する不透光
性導電層を、耐摩耗層端部より該耐摩耗層上面に回り込
ませ、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回
り込み部と透光性基体上の配線とを、透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続すること
で、電気接続のための特別な電極領域及び構成部材を必
要をせず、導電性ゴム等の接続材料が原稿走行面より大
きく突出することがなくなるので、製品の小型化、製造
プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を持つ信頼性の高
い画像読取装置を提供することができる。
性導電層を、耐摩耗層端部より該耐摩耗層上面に回り込
ませ、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回
り込み部と透光性基体上の配線とを、透光性保護層の少
なくとも一層の開口部を介し、電気的に接続すること
で、電気接続のための特別な電極領域及び構成部材を必
要をせず、導電性ゴム等の接続材料が原稿走行面より大
きく突出することがなくなるので、製品の小型化、製造
プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を持つ信頼性の高
い画像読取装置を提供することができる。
【００２４】
【実施例】以下、図面を用いて、本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２５】図１、図２及び図３は、それぞれ本発明の
画像変換装置の一実施例を説明するための主走査方向断
面図、平面図及び副走査方向断面図である。なお、図１
及び図３は、それぞれ図２のＡ−Ａ′断面図及びＣ−
Ｃ′断面図を示す。
画像変換装置の一実施例を説明するための主走査方向断
面図、平面図及び副走査方向断面図である。なお、図１
及び図３は、それぞれ図２のＡ−Ａ′断面図及びＣ−
Ｃ′断面図を示す。
【００２６】本実施例では、半導体層としてａ−Ｓｉ：
Ｈを用いて、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、
ＴＦＴ部３、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動
配線部６（かかる構成で光電変換手段を構成する）等が
透光性基体たる透光性絶縁基板１０上に同一プロセスに
より一体的に形成されている。
Ｈを用いて、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、
ＴＦＴ部３、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動
配線部６（かかる構成で光電変換手段を構成する）等が
透光性基体たる透光性絶縁基板１０上に同一プロセスに
より一体的に形成されている。
【００２７】透光性絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の
導電体層２４、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：
Ｈの光導電性半導体層２６、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミ
ックコンタクト層２７、Ａｌの第２の導電体層２８が形
成されている。
導電体層２４、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：
Ｈの光導電性半導体層２６、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミ
ックコンタクト層２７、Ａｌの第２の導電体層２８が形
成されている。
【００２８】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。原稿Ｐで反射された信号光
Ｌ′はａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０，
３１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極３０
（ソース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレ
イン電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲ
ート電極）となるようにしてもよい。
１は上層電極配線である。原稿Ｐで反射された信号光
Ｌ′はａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０，
３１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極３０
（ソース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレ
イン電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲ
ート電極）となるようにしてもよい。
【００２９】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に
形成され光電変換部１の上層電極配線３１に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２の構造は
いわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
３３を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に
形成され光電変換部１の上層電極配線３１に連続した配
線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２の構造は
いわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
３３を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。
【００３０】ＴＦＴ部３は、ゲート電極たる下層電極配
線３４と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２５と、半
導体層２６と、ソース電極たる上層電極配線３５と、ド
レイン電極たる上層電極配線３６等とから構成される。
線３４と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２５と、半
導体層２６と、ソース電極たる上層電極配線３５と、ド
レイン電極たる上層電極配線３６等とから構成される。
【００３１】マトリクス信号配線部５においては、透光
性絶縁基板１０上に第１の導電層からなる個別信号配線
２２、個別信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、
そして個別信号配線と交差して第２の導電層からなる共
通信号配線３７が順次積層されている。３８は、個別信
号配線２２と共通信号配線３７とオーミックコンタクト
をとるためのコンタクトホール、３９は共通信号配線間
に設けられた線間シールド配線である。
性絶縁基板１０上に第１の導電層からなる個別信号配線
２２、個別信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、
そして個別信号配線と交差して第２の導電層からなる共
通信号配線３７が順次積層されている。３８は、個別信
号配線２２と共通信号配線３７とオーミックコンタクト
をとるためのコンタクトホール、３９は共通信号配線間
に設けられた線間シールド配線である。
【００３２】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、透光性絶縁基板１０上に第１の導電層２４からなる
個別ゲート配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２
５、半導体層２６、オーミックコンタクト層２７、そし
て個別ゲート配線４０と交差して、第２の導電層２８か
らなる共通ゲート配線４１が順次積層されている。４２
は個別ゲート配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミ
ックコンタクトを取るためのコンタクトホールである。
１８は、グランド電極接続用Ａｌパッドである。以上の
ように本実施例の画像読取装置は、光電変換素子部、蓄
積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリクス信号配線部およ
びゲート駆動配線部のすべてが光導電性半導体層および
絶縁層、導電体層等の積層構造を有するので、各部を同
一プロセスにより同時形成されている。
は、透光性絶縁基板１０上に第１の導電層２４からなる
個別ゲート配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２
５、半導体層２６、オーミックコンタクト層２７、そし
て個別ゲート配線４０と交差して、第２の導電層２８か
らなる共通ゲート配線４１が順次積層されている。４２
は個別ゲート配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミ
ックコンタクトを取るためのコンタクトホールである。
１８は、グランド電極接続用Ａｌパッドである。以上の
ように本実施例の画像読取装置は、光電変換素子部、蓄
積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリクス信号配線部およ
びゲート駆動配線部のすべてが光導電性半導体層および
絶縁層、導電体層等の積層構造を有するので、各部を同
一プロセスにより同時形成されている。
【００３３】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層表面の保
護安定化のためにＳｉＮの無機薄膜からなるパッシベー
ション層１１、またパッシベーション層１１上にはポリ
イミド樹脂からなる衝撃緩和層１２が形成され、グラン
ド電極接続用パッド１８上のパッシベーション層１１及
び衝撃緩和層１２は開口する。さらにその上には原稿Ｐ
との摩擦から光電変換素子等を保護するために薄板ガラ
ス等からなる耐摩擦層８が接着層９を介して接着されて
いる。
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層表面の保
護安定化のためにＳｉＮの無機薄膜からなるパッシベー
ション層１１、またパッシベーション層１１上にはポリ
イミド樹脂からなる衝撃緩和層１２が形成され、グラン
ド電極接続用パッド１８上のパッシベーション層１１及
び衝撃緩和層１２は開口する。さらにその上には原稿Ｐ
との摩擦から光電変換素子等を保護するために薄板ガラ
ス等からなる耐摩擦層８が接着層９を介して接着されて
いる。
【００３４】なおパッシベーション層１１と耐摩耗層８
との間には、ＩＴＯ等の透光性導電層（又は窓を有する
不透光性導電層であってもよい）からなる静電シールド
層１５が形成され、耐摩耗層８端部より、耐摩耗層上面
に静電シールド層が回り込んで、耐摩耗層上面の静電シ
ールド層回り込み部１４を構成している。この静電シー
ルド層回り込み部１４と透光性絶縁基板１０上に設けた
グランド電極接続用パッド１８とは、導電樹脂５８及び
導電材料からなる流れ止め（導電材料とする）１６によ
り電気的に接続され、更にグランド電極接続用パッド１
８は、透光性絶縁基板１０上の配線を通しボンデングパ
ッドを設けたボンデングパッド部（接続電極部）１７に
至る。そしてボンデングワイヤー等により不図示の電気
回路基板上のグランド電極と接続される。この構造によ
り静電シールド層１５の電位を一定に保っており、原稿
Ｐと耐摩耗層８との摩擦により発生する静電気が光電変
換素子等に悪影響を及ばさないように配置されている。
なお、パッシベーション層１１、衝撃緩和層１２、接着
層９は透光性保護層を構成する。
との間には、ＩＴＯ等の透光性導電層（又は窓を有する
不透光性導電層であってもよい）からなる静電シールド
層１５が形成され、耐摩耗層８端部より、耐摩耗層上面
に静電シールド層が回り込んで、耐摩耗層上面の静電シ
ールド層回り込み部１４を構成している。この静電シー
ルド層回り込み部１４と透光性絶縁基板１０上に設けた
グランド電極接続用パッド１８とは、導電樹脂５８及び
導電材料からなる流れ止め（導電材料とする）１６によ
り電気的に接続され、更にグランド電極接続用パッド１
８は、透光性絶縁基板１０上の配線を通しボンデングパ
ッドを設けたボンデングパッド部（接続電極部）１７に
至る。そしてボンデングワイヤー等により不図示の電気
回路基板上のグランド電極と接続される。この構造によ
り静電シールド層１５の電位を一定に保っており、原稿
Ｐと耐摩耗層８との摩擦により発生する静電気が光電変
換素子等に悪影響を及ばさないように配置されている。
なお、パッシベーション層１１、衝撃緩和層１２、接着
層９は透光性保護層を構成する。
【００３５】次に、具体的に本発明の画像読取装置の製
造方法等を説明する。
造方法等を説明する。
【００３６】まず、ガラス等の大型の透光性絶縁基板上
にＣｒを厚さ１０００Åスパッタ法で堆積し、その後所
望の形状にパターニングして第１の導電体層２４を形成
する。その後、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：
Ｈの半導体層２６、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコン
タクト層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積
させる。
にＣｒを厚さ１０００Åスパッタ法で堆積し、その後所
望の形状にパターニングして第１の導電体層２４を形成
する。その後、ＳｉＮの第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：
Ｈの半導体層２６、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコン
タクト層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積
させる。
【００３７】然る後に、ソース、ドレイン電極となる導
電材料であるＡｌを５０００Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第２の導電
体層２８を形成する。その後、不要なオーミックコンタ
クト層をエッチングで除去し、光電変換素子部１及びＴ
ＦＴ部３のチャネルを形成する。オーミックコンタクト
層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによっ
て行う。
電材料であるＡｌを５０００Åスパッタ法で堆積させ
て、その後所望の形状にパターニングして、第２の導電
体層２８を形成する。その後、不要なオーミックコンタ
クト層をエッチングで除去し、光電変換素子部１及びＴ
ＦＴ部３のチャネルを形成する。オーミックコンタクト
層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによっ
て行う。
【００３８】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。さらにそ
の後、パッシベーション層１１としてＳｉＮ層をプラズ
マＣＶＤ法によって光電変換素子が形成された大型の基
板の全面に厚さ６０００Å程度堆積する。その後、ボン
デングパッド部１７及び、グランド電極接続用パッド部
１８等の電気的接続が必要とされる箇所は、エッチング
によりパッシベーション層を除去する。
チングで除去し、光電変換素子の分離を行う。さらにそ
の後、パッシベーション層１１としてＳｉＮ層をプラズ
マＣＶＤ法によって光電変換素子が形成された大型の基
板の全面に厚さ６０００Å程度堆積する。その後、ボン
デングパッド部１７及び、グランド電極接続用パッド部
１８等の電気的接続が必要とされる箇所は、エッチング
によりパッシベーション層を除去する。
【００３９】続いて、ＳｉＮのパッシベーション層１１
上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ３μｍ程度
塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層１２を形成する。こ
の際、ＳｉＮのパッシベーション層１１と同様に電気的
接続を要する部分は、マスキングテープにより衝撃緩和
層１２を形成させない。
上にポリイミド樹脂をスピンナーにより厚さ３μｍ程度
塗布し、加熱硬化させ、衝撃緩和層１２を形成する。こ
の際、ＳｉＮのパッシベーション層１１と同様に電気的
接続を要する部分は、マスキングテープにより衝撃緩和
層１２を形成させない。
【００４０】さらには、エポキシ樹脂からなる接着剤を
ディスペンサで塗布し、薄板ガラスからなる耐摩耗層８
をその上に載せ、図１２〜図１４を用いて説明したよう
に加圧接着させ、接着層９を加熱硬化させる。
ディスペンサで塗布し、薄板ガラスからなる耐摩耗層８
をその上に載せ、図１２〜図１４を用いて説明したよう
に加圧接着させ、接着層９を加熱硬化させる。
【００４１】このとき、衝撃緩和層１２上の耐摩耗層８
の端部近傍には、硬化前の接着剤９がボンデングパッド
部へ流れ込むことを防止するために、流れ止め１６を設
けている。この流れ止め１６を導電樹脂で形成し、接着
層９を硬化した後、導電性流れ止め１６と耐摩耗層８上
面の静電シールド層回り込み部１４を、更に導電樹脂５
８により電気的に接続する。ここで、流れ止め１６は、
従来の流れ止め機能に加え、電気接続機能を有す。
の端部近傍には、硬化前の接着剤９がボンデングパッド
部へ流れ込むことを防止するために、流れ止め１６を設
けている。この流れ止め１６を導電樹脂で形成し、接着
層９を硬化した後、導電性流れ止め１６と耐摩耗層８上
面の静電シールド層回り込み部１４を、更に導電樹脂５
８により電気的に接続する。ここで、流れ止め１６は、
従来の流れ止め機能に加え、電気接続機能を有す。
【００４２】そして、光電変換アレイごとにスライサー
により分割する。このようにして本発明の画像読取装置
を作製する。
により分割する。このようにして本発明の画像読取装置
を作製する。
【００４３】なお、以上説明した実施例は、静電シール
ド層回り込み部１４とグランド電極接続用パッド１８と
を電気的に接続する開口部をボンデングパッド部（接続
電極部）１７側に設けているが、開口部を設ける位置は
かかる位置に限定されるものではない。
ド層回り込み部１４とグランド電極接続用パッド１８と
を電気的に接続する開口部をボンデングパッド部（接続
電極部）１７側に設けているが、開口部を設ける位置は
かかる位置に限定されるものではない。
【００４４】図４及び図５は、本発明の画像変換装置の
他の実施例を説明するための平面図及び副走査方向断面
図である。なお、図５は、図４のＣ−Ｃ′断面図を示
す。図１〜図３と同一構成部材については同一符号を付
して説明を省略する。
他の実施例を説明するための平面図及び副走査方向断面
図である。なお、図５は、図４のＣ−Ｃ′断面図を示
す。図１〜図３と同一構成部材については同一符号を付
して説明を省略する。
【００４５】本実施例では静電シールド層回り込み部１
４とグランド電極接続用パッド１８とを電気的に接続す
る開口部をボンデングパッド部（接続電極部）１７配置
側と反対側に設けている。
４とグランド電極接続用パッド１８とを電気的に接続す
る開口部をボンデングパッド部（接続電極部）１７配置
側と反対側に設けている。
【００４６】図６は、本発明の画像読取装置を用いて構
成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、１０２
は原稿Ｐを読み取り位置に向けて給送するための給送ロ
ーラ、１０４は原稿Ｐを一枚ずつ確実に分離給送するた
めの分離片である。１０６は画像読取装置（センサユニ
ット１００）に対して読み取り位置に設けられて原稿Ｐ
の被読み取り面を規制するとともに原稿Ｐを搬送するプ
ラテンローラである。Ｒは図示の例ではロール紙形態を
した記録媒体であり、画像読取装置により読み取られた
画像情報あるいは外部から送信された画像情報が形成さ
れる。１１０は当該画像形成をおこなうための記録ヘッ
ドで、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種
々のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
１１０は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプの
ものでもよい。１１２は記録ヘッド１１０による記録位
置に対して記録媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面
を規制するプラテンローラである。１２０は、操作入力
を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態を
報知するための表示部等を配したオペレーションパネル
である。１３０は、システムコントロール基板であり、
各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路部、
送受信部等が設けられる。１４０は、装置の電源であ
る。
成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、１０２
は原稿Ｐを読み取り位置に向けて給送するための給送ロ
ーラ、１０４は原稿Ｐを一枚ずつ確実に分離給送するた
めの分離片である。１０６は画像読取装置（センサユニ
ット１００）に対して読み取り位置に設けられて原稿Ｐ
の被読み取り面を規制するとともに原稿Ｐを搬送するプ
ラテンローラである。Ｒは図示の例ではロール紙形態を
した記録媒体であり、画像読取装置により読み取られた
画像情報あるいは外部から送信された画像情報が形成さ
れる。１１０は当該画像形成をおこなうための記録ヘッ
ドで、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種
々のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
１１０は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプの
ものでもよい。１１２は記録ヘッド１１０による記録位
置に対して記録媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面
を規制するプラテンローラである。１２０は、操作入力
を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態を
報知するための表示部等を配したオペレーションパネル
である。１３０は、システムコントロール基板であり、
各部の制御を行なう制御部や、画像情報の処理回路部、
送受信部等が設けられる。１４０は、装置の電源であ
る。
【００４７】本発明の画像読取装置をファクシミリ等の
システムの画像入力部として用いることにより、システ
ム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよう
になり、システム全体としてのコストを大幅に低減する
ことができた。
システムの画像入力部として用いることにより、システ
ム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよう
になり、システム全体としてのコストを大幅に低減する
ことができた。
【００４８】
【発明の効果】以上、詳細に説明をしたように、本発明
の画像読取装置によれば、透光性基体内で配線接続が完
了し、従来のような接続のための電極領域が大幅に縮小
でき、更に原稿走行時障害となる導電性ゴムの接続保持
部材の出っぱり、製造プロセスの複雑化を解決し、製品
の小型化、製造プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を
持つ信頼性の高い画像読取装置を提供することができ
る。
の画像読取装置によれば、透光性基体内で配線接続が完
了し、従来のような接続のための電極領域が大幅に縮小
でき、更に原稿走行時障害となる導電性ゴムの接続保持
部材の出っぱり、製造プロセスの複雑化を解決し、製品
の小型化、製造プロセスの簡略化、良好な原稿走行面を
持つ信頼性の高い画像読取装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの主走査方向断面図である。
めの主走査方向断面図である。
【図２】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
【図３】本発明の画像変換装置の一実施例を説明するた
めの副走査方向断面図である。
めの副走査方向断面図である。
【図４】本発明の画像変換装置の他の実施例を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図５】本発明の画像変換装置の他の実施例を説明する
ための副走査方向断面図である
ための副走査方向断面図である
【図６】本発明の画像読取装置を用いて構成したファク
シミリ装置の一例を示す構成図である。
シミリ装置の一例を示す構成図である。
【図７】従来の画像読取装置の光電変換素子アレイの主
走査方向から見た模式的断面図である。
走査方向から見た模式的断面図である。
【図８】従来の画像読取装置の光電変換素子アレイの原
稿側から見た模式的平面図である。
稿側から見た模式的平面図である。
【図９】導電性ゴムを用いたグランド電極との接続状態
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【図１０】図９中のＡ−Ａ′断面図である。
【図１１】導電樹脂を用いたグランド電極との接続状態
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【図１２】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
【図１３】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
【図１４】特開平１−１２８５７８号公報に開示される
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
従来の画像読取装置の製造方法を示す工程図である。
１ 光電変換素子部、 ２ 蓄積コンデンサ部、 ３
ＴＦＴ部、 ５ マトリクス信号配線部、 ６ ゲート
駆動配線部、 ８ 耐摩擦層、 ９ 接着層、１０ 透
光性絶縁基板、 １１ パッシベーション層、 １２
衝撃緩和層、１４静電シールド層回り込み部、 １５
静電シールド層、 １６ 流れ止め、 １７ ボンデン
グパッド部（接続電極部）、 １８ グランド電極接続
用パッド、２４ 第１の導電体層、 ２５ 第１の絶縁
層、 ２６ 光導電性半導体層、 ２７ オーミックコ
ンタクト層、 ２８ 第２の導電体層、 ３０上層電極
配線、 ３１ 上層電極配線、 ３２ 遮光層、 ３３
下層電極配線、 ３４ 下層電極配線、 ３５ 上層
電極配線、 ３６ 上層電極配線、３７共通信号配線、
３８ コンタクトホール、 ３９ 線間シールド配
線、 ４０ 個別ゲート配線、 ４１ 共通ゲート配
線、 ４２ コンタクトホール、５８ 導電樹脂。
ＴＦＴ部、 ５ マトリクス信号配線部、 ６ ゲート
駆動配線部、 ８ 耐摩擦層、 ９ 接着層、１０ 透
光性絶縁基板、 １１ パッシベーション層、 １２
衝撃緩和層、１４静電シールド層回り込み部、 １５
静電シールド層、 １６ 流れ止め、 １７ ボンデン
グパッド部（接続電極部）、 １８ グランド電極接続
用パッド、２４ 第１の導電体層、 ２５ 第１の絶縁
層、 ２６ 光導電性半導体層、 ２７ オーミックコ
ンタクト層、 ２８ 第２の導電体層、 ３０上層電極
配線、 ３１ 上層電極配線、 ３２ 遮光層、 ３３
下層電極配線、 ３４ 下層電極配線、 ３５ 上層
電極配線、 ３６ 上層電極配線、３７共通信号配線、
３８ コンタクトホール、 ３９ 線間シールド配
線、 ４０ 個別ゲート配線、 ４１ 共通ゲート配
線、 ４２ コンタクトホール、５８ 導電樹脂。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/146 H04N 1/028
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性基体上に複数の光電変換手段と、
該複数の光電変換手段上に設けられた複数層からなる透
光性保護層とを有し、原稿を前記光電変換手段と対向さ
せて前記透光性保護層上に配置し、前記透光性基体の原
稿配置側の面とは反対の面側に配置した光源から光を出
射し前記原稿からの光信号を前記複数の光電変換手段に
受容する画像読取装置であって、前記透光性保護層の原
稿側の面上に耐摩耗層が透光性導電層あるいは窓を有す
る不透光性導電層を介して形成された画像読取装置にお
いて、前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層
が、前記耐摩耗層端部より前記耐摩耗層上面に回り込ん
でおり、透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の
回り込み部と前記透光性基体上の配線とを、前記透光性
保護層の少なくとも一層の開口部を介して電気的に接続
することを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の画像読取装置において、
前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り
込み部と前記透光性基体上の配線とを接続することで前
記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層を一定電
位に保持することを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の画像読取装
置において、前記光電変換手段に接続するための配線を
前記透光性基体以外の配線に接続するための複数個から
なる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の端部近
傍に配置され、該接続用電極部と該光電変換手段の端部
との間に、前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導
電層の回り込み部と前記透光性基体上の配線とを電気的
に接続する前記開口部を設けたことを特徴とする画像読
取装置。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の画像読取装
置において、前記光電変換手段に接続するための配線を
前記透光性基体以外の配線に接続するための複数個から
なる接続用電極部が、前記複数の光電変換手段の一方の
端部近傍に配置され、該複数個からなる接続用電極部を
近傍に有さない前記複数の光電変換手段の他方の端部に
前記透光性導電層又は窓を有する不透光性導電層の回り
込み部と前記透光性基体上の配線とを電気的に接続する
前記開口部を設けたことを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029213A JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029213A JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245852A JPH04245852A (ja) | 1992-09-02 |
| JP2959854B2 true JP2959854B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=12269917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029213A Expired - Fee Related JP2959854B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959854B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3029213A patent/JP2959854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04245852A (ja) | 1992-09-02 |
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