JPH07288651A

JPH07288651A - 半導体装置及び光電変換装置

Info

Publication number: JPH07288651A
Application number: JP8164194A
Authority: JP
Inventors: Tadao Endo; 忠夫遠藤; Toshihiro Saiga; 敏宏雑賀
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-04-20
Filing date: 1994-04-20
Publication date: 1995-10-31

Abstract

(57)【要約】【目的】コストアップすることなく、外因性の静電気
で装置が破壊されないようにする。【構成】半導体素子又は半導体回路が形成される素子
配置領域３０２を絶縁基板１００の外周に対し内側に配
置するとともに、素子配置領域３０２の外周と絶縁基板
１００の外周との間の領域に、素子配置領域３０２内の
金属層と同一の層で構成された配線３０１を素子配置領
域３０２を囲むように配置し、配置された配線３０１の
パターンの一部又は全部の外周３００と前記絶縁基板の
外周との幾何学的配置を同一とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及び光電変換
装置に係り、特にファクシミリ、イメージリーダー、デ
ィジタル複写機等の画像読み取り装置に用いられる光電
変換装置に好適に用いられるものである。

【０００２】

【従来の技術】高度情報化社会の現代、ファクシミリ、
イメージリーダー、ディジタル複写機等の画像読み取り
装置の小型化、低コスト化の需要が高まりつつある。そ
ういった状況の中、従来の縮小光学系を用いたＣＣＤタ
イプの画像読み取り装置に変わり縮小光学系を用いない
密着型の画像読み取り装置が普及しはじめている。特に
レンズを全く用いない完全密着型の画像読み取り装置
は、その小型化の点で最も優れている。

【０００３】図７は、完全密着型の画像読み取り装置の
光電変換部周囲の断面を表したものである。同図におい
て、光源１０１から出射した光は窓１０３を通過し、ロ
ーラ１３０により搬送された原稿１２０に照射された
後、原稿上の濃度（情報）に応じた光量が光電変換素子
１０４に照射される構成となっている。１０６は光電変
換素子１０４からの信号電荷を蓄積するための蓄積用容
量素子、１０７はその蓄積電荷を転送するためのスイッ
チング素子である。１０９はスイッチング素子１０７を
駆動するための配線、１０８は信号電荷を読み取りＩＣ
へ導くための配線である。また、１１１〜１１３はデバ
イスを外界の水分やイオンから保護するための保護層で
ある。１０５は原稿の摩擦等による機械的ダメージから
デバイスや配線等を保護するための耐摩耗層である。ま
た、１１４〜１１８はデバイスや配線を構成するための
薄膜層であり、それぞれ、第１の金属薄膜層、第２の金
属薄膜層、非晶質又は多結晶の絶縁物薄膜層、半導体薄
膜層、Ｎ⁺ 型薄膜層である。以上１０３〜１１８が透光
性の絶縁基板１００上に作り込まれてある。また１１０
はシールド用の導電膜層、１４０は光電変換素子１０４
にバイアスを与える配線である。

【０００４】図８は、図７に示される光電変換部の等価
的回路図であり、光電変換部を駆動するための駆動回路
部および光電変換部からの信号を読み取るための読み取
り回路部も含めて示してある。全Ｌビットの画素はＭビ
ットを１ブロックとしてＮブロックに分けられる（Ｌ＝
Ｍ×Ｎ）。なお、図８においては簡単化のため、Ｍ＝Ｎ
＝３で記載してある。以下その読み取り動作について図
７および図８を用いて説明する。

【０００５】光電変換素子１０４に原稿からの反射光が
照射され光電流Ｉｐが流れる。Ｉｐは一定時間、蓄積用
容量素子１０６に信号電荷として蓄積される。その後、
駆動用シフトレジスタからの駆動信号によりスイッチン
グ素子１０７が“オン”し蓄積用容量素子１０６の信号
電荷は読み出し用容量素子１１９に転送され、読み取り
回路部２３０の読出し用シフトレジスタによりＭビット
の信号がパラレル−シリアル変換されアンプ２２０を介
して出力される。その後Ｍビットの読みだし用容量１１
９がリセット信号ＴＲによりリセットされ１ブロック分
の走査を終了する。以下同様にしてＮブロックまで走査
を行い１ラインの読み取りを完了する。

【０００６】読みだし容量１１９は図７上に特に素子と
して記載はされておらず、配線１０８とシールド用の導
電膜層１１０とで形成される容量やスイッチング素子１
０７の電極間容量Ｃ_gs等を利用すれば良い。もちろん蓄
積用容量素子１０６と同様に基板１００上に作り込んで
も良い。

【０００７】上記動作の内容を表したタイミングチャー
トを図９に示しておく。図９において、Ｄ１〜Ｄ３は駆
動用シフトレジスタからの駆動信号、Ｒ１〜Ｒ３は読出
し用シフトレジスタの駆動信号、ＴＲはリセット信号、
Ｖｉｄｅｏは出力される信号を示す。

【０００８】図１０は、図７において耐摩耗層１０５と
原稿１２０が密着する面側から見た図の例である（図７
は図１０におけるＡ−Ｂ断面を概略記載したものであ
る）。光電変換素子１０４のピッチは、例えばＧ３規格
対応のファクシミリであれば１２５μｍであり、所望の
解像度に応じた画素ピッチで設計される。受光素子と原
稿との距離を決める絶縁保護層や耐摩耗層の厚さは、所
望の解像度を確保するために画素ピッチと同様設計上重
要なパラメータである。

【０００９】以上に示されるような原稿情報を読み取る
完全密着型光電変換装置において原稿１２０と耐摩耗層
１０５との摩擦により静電気が発生する。それにより光
電変換素子、容量素子、スイッチング素子が正常に機能
しなくなり光電変換装置としての性能が低下し、かつ信
頼性上においても問題がある。これに対し従来は、耐摩
耗層面に、原稿接触面と反対側に透明でかつ導電率の小
さい導電膜層１１０（図７）を１層設け光電変換機器の
ＧＮＤに接地させることにより静電気から光電変換素
子、容量素子、スイッチング素子等をシールドしてい
た。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ファクシミ
リやイメージリーダー等の原稿情報を読み取る光電変換
装置において、鉛筆書きされた普通紙やコピーされたト
ラペン用紙等が原稿として使用される。原稿読み取り
時、原稿上の鉛筆、消しゴムの残物あるいはコピーのト
ナー等が原稿読み取り面上すなわち図７における対摩耗
層１０５上に付着し（特に光電変換素子１０４上または
窓１０３上に付着した場合）読み取り画像の画品位を著
しく低下させる問題がある。この対応として汚れのつき
にくい材質が耐摩耗層に選ばれるが完全ではなく、コス
ト的にも高価である。現状においてはユーザーが、耐摩
耗層が汚れたら（画品位が低下したら）その汚れを拭き
取れるようファクシミリやイメージリーダーの本体設計
側で対応してきた。

【００１１】さて、低温でかつ非常に乾燥した環境下で
ファクシミリやイメージリーダーが使用されることは、
厳冬期の日本のみならず世界各国で考えられる。そうい
った環境においてはオペレーターである人間自身が帯電
しており（特にアクリル系のセーター等帯電しやすい衣
類等を着用していた場合）環境条件如何によっては人間
自身が機器のＧＮＤ対して数千ボルトという高電位とな
る。そういった環境下において耐摩耗層上の汚れを拭き
取る際に、帯電されていた電荷が光電変換装置に直接、
瞬時放電し特性変動や装置破壊等の問題を引き起こして
いた。

【００１２】図１１に示される完全密着型の光電変換装
置において、ＧＮＤ電位にシールドされてある透明導電
膜層１１０に放電した場合、種々の不具合を生ずる。例
えば、その直下にある光電変換素子やスイッチング素子
がアモルファスシリコン半導体を用いたＭＩＳ型のＴＦ
Ｔデバイスであった場合、透明導電膜層１１０の高電位
にともないＴＦＴデバイスのチャンネル表界面に異常な
程、高電界が印加されＴＦＴデバイスとしてのＶｔｈが
シフトする。その結果、光電変換素子としての感度低下
やスイッチング素子としてのＯＮ／ＯＦＦ比低下が起こ
り、光電変換装置として良好な画像が得られなくなる。
最悪の事態として、光電変換装置が正常な機能を果たせ
なくなる。

【００１３】また、透明導電膜層１１０への放電により
放電地点近傍において多大な放電電流が流れジュール熱
を発生する。その結果、放電地点近傍の透明導電膜層、
保護層が変色したり、耐摩耗層、保護層にクラックが発
生する。そうなると、光電変換素子、容量素子、スイッ
チング素子、あるいはそれらを結線する配線等にクラッ
ク面から混入する水分やイオンが吸着し、素子の電極ま
たは配線等が腐食するという問題がある。また光源１０
１→窓１０３→原稿１２０→光電変換素子１０４の光路
過程にクラックが存在すると光の乱屈折が起こり正確に
原稿情報を読み取ることが不可能となる。

【００１４】以上述べてきたように、耐摩耗層の汚れを
拭き取るという行為は、良好な画像を長期間得られる反
面、帯電した人間からの静電気放電が光電変換装置の性
能低下や機器破壊を引き起こすという信頼性上の問題を
含んでいる。

【００１５】本発明は、このような問題を解決すべくな
されたものであり、帯電された人間から直接光電変換装
置に静電気放電が起こっても、光電変換素子としての性
能低下を招くことなく、かつ素子が破壊されることのな
い、如何なる環境下でも使用可能な信頼度の高い光電変
換装置を安価に提供することを主目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
絶縁基板上に、少なくとも一層又は二層以上の金属層と
半導体層とを有する半導体素子又は半導体回路が形成さ
れた半導体装置において、前記半導体素子又は半導体回
路が形成される素子配置領域を前記絶縁基板の外周に対
し内側に配置するとともに、前記素子配置領域の外周と
前記絶縁基板の外周との間の領域に、前記一層又は二層
以上の金属層の少なくとも一層の金属層と同一の層で構
成された配線を前記素子配置領域を囲むように配置し、
配置された配線のパターンの一部又は全部の外周と前記
絶縁基板の外周との幾何学的配置を同一としたことを特
徴とする。

【００１７】本発明の光電変換装置は、絶縁基板上に、
少なくとも一層又は二層以上の金属層と半導体層とを有
する光電変換素子又は光電変換回路が形成された光電変
換装置において、前記光電変換素子又は光電変換回路が
形成される素子配置領域を前記絶縁基板の外周に対し内
側に配置するとともに、前記素子配置領域の外周と前記
絶縁基板の外周との間の領域に、前記一層又は二層以上
の金属層の少なくとも一層の金属層と同一の層で構成さ
れた配線を前記素子配置領域を囲むように配置し、配置
された配線のパターンの一部又は全部の外周と前記絶縁
基板の外周との幾何学的配置を同一としたことを特徴と
する。

【００１８】

【作用】本発明は、素子配置領域を絶縁基板の外周に対
し内側に配置するとともに、素子配置領域の外周と絶縁
基板の外周との間の領域に、素子配置領域内に設けられ
た金属層と同一の層で構成された配線を素子配置領域を
囲むように配置し、配置された配線のパターンの一部又
は全部の外周と前記絶縁基板の外周との幾何学的配置が
同一となるようにすることで、基板側面に露出した配線
（素子配置領域内の配線とは別配線）で静電気放電が起
こるようにしたものである。

【００１９】なお、素子配置領域を囲むように配置され
た本発明に係る配線は、素子配置領域内の半導体素子又
は半導体回路（特に光電変換素子又は光電変換回路）を
構成する金属層と同一の層で構成されるため、配線形成
のための特別な工程は必要としない。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。なお、本発明は半導体装置一般に用い
られ、特に光電変換装置にのみに用いられるものではな
いが、前述したように原稿情報を読み取る光電変換装置
は静電気放電が起きやすく本発明が好適に用いられるの
で、以下の実施例は光電変換装置の場合を例にとって説
明を行う。（第１の実施例）図１は本発明の特徴を端的に表現した
図面であり、図１（ａ）は光電変換装置の模式的平面図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂでの切断によ
り得られる模式的断面図である。

【００２１】図１（ｂ）に示すように、絶縁基板１００
の上に、順次、第１の金属薄膜層１１４、非晶質または
多結晶型の絶縁物薄膜層１１６、半導体薄膜層１１７、
Ｎ⁺型薄膜層１１８、及び第２の金属薄膜層１１５が積
層されており、最後に保護層３０３が形成されている。
３０２は光電変換装置を構成する光電変換素子、容量素
子、スイッチング素子、及びそれらを結線する配線部が
形成されている領域であり、絶縁基板１００の外周に対
し内側に配置（形成）されている。なお図１（ｂ）にお
いては、それらのデバイスや配線を形成するためのエッ
チング工程やコンタクトホール工程による形状は省略し
て示してある。

【００２２】３０１は第１の金属薄膜層１１４または第
２の金属薄膜層１１５で構成された配線パターンであ
り、領域３０２内に形成される配線とは別種のものであ
る。この配線３０１は領域３０２を包含するように形成
されており、かつこの配線のパターンの外周３００と絶
縁基板１００の外周とが幾何学的な配置において同一で
ある。すなわち上から見ると外周が同一となっている。

【００２３】このような構成を有する光電変換装置の作
製例として図２を用いて説明する。光電変換素子、容量
素子、スイッチング素子及びそれらを結線する配線（第
１の配線）を光電変換回路領域３０２に、そしてそれら
を包含するように第１または第２の金属薄膜層で構成さ
れる第２の配線を３０１に示される配置に、それぞれ大
面積基板上に同時成膜し、その後、図７で示されるとこ
ろの保護層１１１〜１１３等を形成する。そして領域３
１０に図７に示されるところの透明導電性物質１１０が
付着された耐摩耗層１０５を配置する。耐摩耗層の配置
領域３１０が光電変換領域の全域を含まない理由は、後
述するが、読み取り回路へ導くために、ワイヤボンディ
ング用のパッドを残すためである。

【００２４】最後にＡ０−Ｂ０、Ａ１−Ｂ１、…、ＡＮ
−ＢＮ、Ｃ１−Ｄ１、Ｃ２−Ｄ２で切断すればＮ本の光
電変換アレーが作製され、それらは第２の配線パターン
３０１が光電変換回路領域３０２を包含し、その外周
は、絶縁基板外周と同一となる。

【００２５】図３及び図４は、本発明の特徴を更に詳細
に説明するための図である。図３は光電変換素子の受光
面から見た光電変換回路を模式的に描いたパターンの平
面図であり、図４は図３内のＡ−Ｂ面で切った時の断面
図である。

【００２６】両図において、１０４，１０６，１０７
は、それぞれ絶縁基板１００上に作製された光電変換素
子、蓄積用容量素子、スイッチング素子であり、非晶質
又は多結晶の絶縁物薄膜層、半導体薄膜層、Ｎ⁺ 型薄膜
層が第１の金属薄膜層１１４及び第２の金属薄膜層１１
５に挟まれた構成となっている。１２１，１０８，１０
９，１４０等は第１または第２の金属薄膜層１１４，１
１５で作られる第１の配線群であり、それぞれ、光電変
換素子、容量素子、スイッチング素子等を結線する配
線、光電変換された信号を読み取るための出力配線、ス
イッチング素子を駆動するためのゲート配線、そして光
電変換素子にバイアスを与える配線等で成り立ってい
る。それらの第１の配線群の一部は７０１で示されるよ
うにワイヤボンディング用のパッドに結線されている。
図４の１１１，１１２，１１３は第１、第２、第３の絶
縁保護層であり、光電変換素子、容量素子、スイッチン
グ素子を保護するための層である。ここでは３層を例に
取っているが、単層のみもしくは４層以上でもよく目的
や保護の状況により決定される。例えば第１の絶縁保護
層１１１として外界からの水分からデバイスを保護する
ために耐湿性に優れたＳｉＮｘ膜を選び、第２の絶縁保
護層１１２として、第１の絶縁保護層のカバレッジ不良
（デバイスや配線のエッジ部）による水分進入を補強す
るために、耐湿性が良く比較的容易に塗布できるポリイ
ミドやフッ素系の樹脂を選べば良い。第３の絶縁保護層
１１３も同様であるが、純度の良いエポキシ系でかつ接
着性のある材料を選べば保護の機能を備えると同時に、
耐摩耗層１０５を容易に貼り合わせることができ生産性
も向上する。１１０は透明導電層であり、ＩＴＯ（Ｉｎ
₂ Ｏ₃：ＳｎＯ₂ ）やＺｎＯ等の透明でかつ抵抗率の小
さい材料がスパッタやＥＢ蒸着等により成膜される。１
０５は耐摩耗性に優れたガラスが主に用いられる。

【００２７】３０１は、本発明の特徴を示す第２配線で
ある。この配線は第１または第２の金属薄膜層で構成さ
れるため（図４においては、第２の金属薄膜層で構成し
た場合がしめされている。）光電変換素子、容量素子、
スイッチング素子あるいは第１の配線群と同一基板上に
同時形成が可能である。従って、この配線を設けること
で、装置がコストアップすることはない。この第２の配
線３０１は、基板上に作製された光電変換素子１０４、
容量素子１０６、スイッチング素子１０７、第１の配線
（１０８，１０９，１２１，１４０等）が配置されてい
る光電変換回路領域（図１（ａ）の３０２）を囲み込む
ように配置されており、なおかつ第２の配線３０１のパ
ターンの外周３００（光電変換回路と反対側）が、絶縁
基板１００の外周と幾何学的に同一である。

【００２８】図５は、図４に加えて第１の配線群及び光
電変換回路領域を囲んだ第２の配線部３０１と処理ＩＣ
２３０とを接続した部分を含めて光電変換装置を表した
図である。同図において、１０８は出力配線、１０９は
駆動配線、１４０は光電変換素子のバイアス配線、１８
０は蓄積用容量素子の共通電極で一定電位としてＧＮＤ
に結線される配線である。なお６０１は導電ペーストの
ような導体によりＩＴＯと配線１８０のコンタクトを形
成する領域であり、その部分の保護層１１１〜１１３は
予め取り除かれてある。第１の配線（１０８，１０９，
１２１，１４０，１８０）は、図５に示されるようにワ
イヤーボンディングにより処理ＩＣ２３０へ結線され
る。第２の配線３０１についても最終的にはＧＮＤに接
地してあるが、直接に配線１８０に絶縁基板上で結線す
るのではなく、第２の配線を結線するための別のワイヤ
ボンディングパッド７０７を設けワイヤボンディングに
よりＩＣに結線する。ＩＣ上設けられたパッド７０７と
結線されるパッド７０８は他のＩＣ上の配線とは完全に
別配線とし、ＩＣ上の入力あるいは出力の配線との間に
保護用ダイオード等を介在させず、全く独立した配線と
する。配線１８０および配線３０１は、ファクシミリあ
るいはイメージリーダー本体内で一点アース（ＧＮＤ）
されるかまたは第２の配線３０１を別系統のＧＮＤ（Ｇ
ＮＤ２）に接地する。

【００２９】次に、以上の方法で作製された光電変換装
置において静電気電荷の流れに関して図４及び図５を用
いて説明を加えておく。

【００３０】原稿１２０の摩擦または他の理由で付着し
た耐摩耗層１０５上の汚れを拭き払うために高電位に帯
電した人間の手が光電変換装置に近づくことにより静電
気放電がおこる。従来（第２の配線がない場合）は低電
位にある導体すなわちＩＴＯ等の透明導電層１１０に放
電した。しかし、本発明の特徴である絶縁基板上に配置
した第２の配線３０１は、Ａ１のような安価な金属薄膜
層を材料に選べば、その抵抗率の点でＩＴＯに比べ４桁
〜６桁程小さい物性値を有する。従って第２の配線がＩ
ＴＯと同様に絶縁基板端部３００に配置されていれば静
電気の放電する確率は、第２の配線の方が圧倒的に高
い。第２の配線に放電した静電気電荷は、ワイヤボンデ
ィング７０７を介してＧＮＤ２へ流れ込むため、光電変
換素子やスイッチング素子等を破壊することはなくな
り、信頼性の高い光電変換装置が提供できる。

【００３１】なお、本実施例では配線は第１又は第２の
金属薄膜層で構成されるものとしたが、第１，第２の金
属薄膜層の両方で構成されてもよい。この場合は第１，
第２の金属薄膜で構成された二層の配線のどちらに静電
気放電が起きてもよい。また本発明は金属薄膜層が三層
以上ある場合にも適用できることは勿論であり、その場
合少なくとも一層の金属薄膜層で配線が構成されればよ
い。この点については以下に説明する第２の実施例につ
いても同様である。（第２の実施例）図６は本発明の第２の実施例を説明す
るための図である。

【００３２】図６に示すように、本実施例の第２の配線
４０１は図３上の第２の配線３０１とはその形状が異な
り「はしご型」に変更されてある。その他の光電変換素
子、容量素子、スイッチング素子や第１の配線群は図３
と全く同一である。その第２の配線４０１の外周の一部
４００は絶縁基板１００の外周と一致している。

【００３３】第１または第２の金属薄膜層により構成さ
れた第２の配線４０１は、通常、比較的安価なＡ１が多
く用いられる。しかしこのＡ１は材料的に柔らかくまた
高温によりある特定方向に成長しやすい性質を持つ。こ
の性質が前述の光電変換装置の作製を困難にする場合が
ある。すなわち図２に示すような大版基板上から多数個
のアレーを取り出す際Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄで切断するために
高回転で回転するブレードを使用する。このブレードと
絶縁基板もしくは耐摩耗層との摩擦による発熱や、Ａ１
とブレードとの機械的ダメージによりＡ１とＩＴＯとの
ショートがエッヂ部で起こる可能性がある。このショー
ト箇所が一箇所でも存在すると静電気電荷の放電用パタ
ーンとして準備した第２の配線の意味がなくなる。

【００３４】図６に示した「はしご型」の第２の配線パ
ターンは絶縁基板の外周に一致する部分が図３に比べ少
なくなっており、前述のショート確率が大幅に減少する
と考えられる。通常、大気中（すなわち空気中）におい
て放電が開始する臨界電界（空気の絶縁耐圧）は１〜２
ｋＶ／ｍｍと言われており、数ｋＶに帯電した人間の静
電気電荷は数ｍｍ離れた遠方から放電する。それが第２
の配線４０１に放電するかＩＴＯに放電するかは「はし
ご」の間隔に依存する。図６に示されている程度の間隔
（おおよそ光電変換素子のピッチ…Ｇ３規格で１２５μ
ｍ…）で形成すれば静電気電荷は積極的に第２の配線４
０１側に放電し、その効果は図３と同様である。

【００３５】さて、図３（図２）のように広い領域にお
いて第２の配線パターンを形成することはフォトエッチ
ング工程においてエッチャントを頻繁に交換する必要が
あり、補材や人権費の増加にともない装置のコストアッ
プにつながる。

【００３６】一方、図６に示されるような「はしご型」
の形状にすることは、エッチャントの汚染を軽減するこ
とが可能となりコスト、エコロジーの観点で有利であ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁基板上に半導体素子又は半導体回路（特に光電変換
素子又は光電変換回路）を形成しその構成要素の一部で
ある金属層を利用し、素子配置領域を包含するように、
配線を絶縁基板周囲と幾何学上同一となるように配置す
ることにより、外因性の静電気で破壊されることのない
信頼性の高い半導体装置（特に、光電変換装置）が提供
できる。しかもこの配線は、半導体素子又は半導体回路
（特に光電変換素子又は光電変換回路）と同一基板に同
時形成することが可能でありコストアップすることなく
装置の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示す光電変換
装置の模式的な平面図、（ｂ）はそのＡ−Ｂ断面図であ
る。

【図２】図１に示した光電変換装置の作製法の一例を説
明するための基板全体図である。

【図３】本発明の第１の実施例を示す光電変換装置の平
面図である。

【図４】本発明の第１の実施例を示す光電変換装置の断
面図である。

【図５】図４に処理ＩＣを加え、静電気電荷の流れを示
した結線図である。

【図６】本発明の第２の実施例を示す光電変換装置の平
面図である。

【図７】従来の光電変換装置の断面図である。

【図８】従来の光電変換装置の等価回路である。

【図９】図８の回路の動作を示すタイミングチャートで
ある。

【図１０】従来の光電変換装置を示す平面図である。

【図１１】従来の光電変換装置の問題点を説明するため
の断面図である。

【符号の説明】

１００絶縁基板１０１光源１０３窓１０４光電変換素子１０５耐摩耗層１０６蓄積用容量素子１０７スイッチング素子１０８読み取り配線（第１の配線）１０９駆動配線（第１の配線）１１０透明導電層（ＩＴＯ）１１１〜１１３第１〜第３の保護層１１４第１の金属薄膜層１１５第２の金属薄膜層１１６非晶質または多結晶の絶縁物薄膜層１１７非晶質または多結晶の半導体薄膜層１１８非晶質または多結晶のＮ⁺ 型薄膜層１１９読みだし用容量素子１２０原稿１２１素子と素子を結線する配線（第１の配線）１３０ローラ１４０バイアス配線（第１の配線）１８０蓄電用容量素子の一定電位側の電極配線２３０処理ＩＣ２２０アンプ３００第２の配線のパターン周囲３０１第２の配線３０２光電変換回路領域３０３保護層３１０耐摩耗層配置領域４００第２の配線のエッジ部４０１第２の配線６０１ＩＴＯと電極配線１８０のコンタクトスルー領
域７０１，７０７，７０８ワイヤボンディング用パッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に、少なくとも一層又は二層
以上の金属層と半導体層とを有する半導体素子又は半導
体回路が形成された半導体装置において、前記半導体素子又は半導体回路が形成される素子配置領
域を前記絶縁基板の外周に対し内側に配置するととも
に、前記素子配置領域の外周と前記絶縁基板の外周との
間の領域に、前記一層又は二層以上の金属層の少なくと
も一層の金属層と同一の層で構成された配線を前記素子
配置領域を囲むように配置し、配置された配線のパター
ンの一部又は全部の外周と前記絶縁基板の外周との幾何
学的配置を同一としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】絶縁基板上に、少なくとも一層又は二層
以上の金属層と半導体層とを有する光電変換素子又は光
電変換回路が形成された光電変換装置において、前記光電変換素子又は光電変換回路が形成される素子配
置領域を前記絶縁基板の外周に対し内側に配置するとと
もに、前記素子配置領域の外周と前記絶縁基板の外周と
の間の領域に、前記一層又は二層以上の金属層の少なく
とも一層の金属層と同一の層で構成された配線を前記素
子配置領域を囲むように配置し、配置された配線のパタ
ーンの一部又は全部の外周と前記絶縁基板の外周との幾
何学的配置を同一としたことを特徴とする光電変換装
置。
【請求項３】前記素子配置領域には、前記金属層と前
記半導体層とを有する光電変換素子、スイッチング素
子、及び該光電変換素子と該スイッチング素子とを結線
する、前記金属層で構成された接続配線、で構成される
光電変換回路が設けられている請求項２記載の光電変換
装置。