JPH06188401A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH06188401A JPH06188401A JP4355534A JP35553492A JPH06188401A JP H06188401 A JPH06188401 A JP H06188401A JP 4355534 A JP4355534 A JP 4355534A JP 35553492 A JP35553492 A JP 35553492A JP H06188401 A JPH06188401 A JP H06188401A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 原稿との摩擦による摩耗と静電気の発生の防
止。 【構成】 透光性ガラス基板１０１上に光電変換素子１
０２、接地電極１０３等を形成し、その上を第１、第２
の透光性絶縁保護層１０８、１０９によって被覆する。
その上に光電変換素子アレイ上にスリット１１１ａを有
する金属薄板１１１を貼着する。金属薄板１１１はＡｇ
ペースト１１０を介して接地電極１０３に接続する。
止。 【構成】 透光性ガラス基板１０１上に光電変換素子１
０２、接地電極１０３等を形成し、その上を第１、第２
の透光性絶縁保護層１０８、１０９によって被覆する。
その上に光電変換素子アレイ上にスリット１１１ａを有
する金属薄板１１１を貼着する。金属薄板１１１はＡｇ
ペースト１１０を介して接地電極１０３に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ装置等にお
ける画像読み取り装置に用いられる密着型イメージセン
サに関する。
ける画像読み取り装置に用いられる密着型イメージセン
サに関する。
【０００２】
【従来の技術】密着型イメージセンサは、集光性レンズ
アレイが不要になる等光学系が簡素化されることから、
画像読み取り装置の低価格化および小型化を実現しうる
キーデバイスとして注目され、製品化開発が盛んに行わ
れている。而して、密着型イメージセンサでは、センサ
上を原稿が走行するものであるため、摩擦によって静電
気が発生しやすく、センサが帯電した場合は、信号レベ
ルが乱されることになるので何らかの静電対策が必要と
なる。これに関する先行技術は、特開昭６４−７１１７
２公報号、特開昭６４−７１１７３号公報、実開平１−
１２５５６２号公報等に記載されたものであった。
アレイが不要になる等光学系が簡素化されることから、
画像読み取り装置の低価格化および小型化を実現しうる
キーデバイスとして注目され、製品化開発が盛んに行わ
れている。而して、密着型イメージセンサでは、センサ
上を原稿が走行するものであるため、摩擦によって静電
気が発生しやすく、センサが帯電した場合は、信号レベ
ルが乱されることになるので何らかの静電対策が必要と
なる。これに関する先行技術は、特開昭６４−７１１７
２公報号、特開昭６４−７１１７３号公報、実開平１−
１２５５６２号公報等に記載されたものであった。
【０００３】図４、図５は、特開昭６４−７１１７３号
公報に記載された密着型イメージセンサの断面図であ
る。図４に示されるように、ガラス基板２０１上には、
下層電極を兼ねる遮光膜２０２が設けられ、その上には
窒化膜等からなる絶縁膜２０３、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からな
る半導体層２０４が積層されている。半導体層２０４の
表面は、上層の電極配線層２０６とのオーミック接触の
ためにｎ+ 層２０５になされている。電極配線層２０６
上には、ポリイミド樹脂膜２０７ａとエポキシ樹脂膜２
０８からなるパッシベーション膜が形成され、エポキシ
樹脂膜２０８上には、表面に静電対策層としての透明導
電膜２１０ａが被着されたマイクロシートガラス２０９
が設置されている。
公報に記載された密着型イメージセンサの断面図であ
る。図４に示されるように、ガラス基板２０１上には、
下層電極を兼ねる遮光膜２０２が設けられ、その上には
窒化膜等からなる絶縁膜２０３、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜からな
る半導体層２０４が積層されている。半導体層２０４の
表面は、上層の電極配線層２０６とのオーミック接触の
ためにｎ+ 層２０５になされている。電極配線層２０６
上には、ポリイミド樹脂膜２０７ａとエポキシ樹脂膜２
０８からなるパッシベーション膜が形成され、エポキシ
樹脂膜２０８上には、表面に静電対策層としての透明導
電膜２１０ａが被着されたマイクロシートガラス２０９
が設置されている。
【０００４】光源２１１からの照明光は原稿２１２で反
射され光電変換素子を構成する半導体層２０４に入射す
る。このイメージセンサにおいて、透明導電膜２１０ａ
はガラス基板上の接地配線と接続されており、静電気発
生による不具合は実用上問題のないレベルにまで下げら
れる。
射され光電変換素子を構成する半導体層２０４に入射す
る。このイメージセンサにおいて、透明導電膜２１０ａ
はガラス基板上の接地配線と接続されており、静電気発
生による不具合は実用上問題のないレベルにまで下げら
れる。
【０００５】図５は、同じ公報に記載された他の実施例
を示す断面図であって、この実施例では、マイクロシー
トガラス２０９の裏面の透明導電膜２１０ａが除去され
ており、代わりに下層パッシベーション膜が窒化膜２０
７ｂになされその上に静電対策層としての金属膜２１０
ｂが形成されている。
を示す断面図であって、この実施例では、マイクロシー
トガラス２０９の裏面の透明導電膜２１０ａが除去され
ており、代わりに下層パッシベーション膜が窒化膜２０
７ｂになされその上に静電対策層としての金属膜２１０
ｂが形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４に示した従来例で
は、マイクロシートガラス上に蒸着によりＩＴＯ膜を形
成しなければならないが、マイクロシートガラスは厚さ
が５０μｍ程度で割れ易いため、蒸着膜に対しホトエッ
チングを行う場合は勿論そうでない場合でも作業性が悪
く生産技術が複雑になる欠点があった。また、図５に示
した例では、キャパシタや配線との容量が増加し、信号
レベルの低下等の悪影響を受けた。また、これらの従来
例では、原稿とセンサとの接触は絶縁物同士の接触であ
るため、静電気の発生そのものは防止されておらず、画
像読み取り動作については静電対策層（２１０ａ、２１
０ｂ）の存在によって静電荷による障害は抑制されてい
るものの、静電気の他の電子回路への影響や静電気によ
る原稿搬送不良等を防ぐ手立てとはなっていなかった。
さらに、原稿接触面にマイクロシートガラスを使用する
従来例は、原稿との接触による摩耗は抑えられるものの
マイクロシートガラスという特殊の部品を使っているた
め製品が高価になる欠点があった。
は、マイクロシートガラス上に蒸着によりＩＴＯ膜を形
成しなければならないが、マイクロシートガラスは厚さ
が５０μｍ程度で割れ易いため、蒸着膜に対しホトエッ
チングを行う場合は勿論そうでない場合でも作業性が悪
く生産技術が複雑になる欠点があった。また、図５に示
した例では、キャパシタや配線との容量が増加し、信号
レベルの低下等の悪影響を受けた。また、これらの従来
例では、原稿とセンサとの接触は絶縁物同士の接触であ
るため、静電気の発生そのものは防止されておらず、画
像読み取り動作については静電対策層（２１０ａ、２１
０ｂ）の存在によって静電荷による障害は抑制されてい
るものの、静電気の他の電子回路への影響や静電気によ
る原稿搬送不良等を防ぐ手立てとはなっていなかった。
さらに、原稿接触面にマイクロシートガラスを使用する
従来例は、原稿との接触による摩耗は抑えられるものの
マイクロシートガラスという特殊の部品を使っているた
め製品が高価になる欠点があった。
【０００７】特開昭６４−７１１７２号公報で提案され
たものは、光電変換素子上にＳｉＯ2 膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜
を介してＳｉＣ膜を設け、この膜を耐摩耗膜として用い
るとともに静電気除去膜として利用しようとするもので
ある。しかし、この構造では、図５の従来例と同様に容
量増加の不都合がある外、ＳｉＣが金属やＩＴＯに比較
して格段に抵抗が高いため、静電気除去能力が劣りまた
ＳｉＣの光透過性が低いため感度を低下させる問題点が
あった。
たものは、光電変換素子上にＳｉＯ2 膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜
を介してＳｉＣ膜を設け、この膜を耐摩耗膜として用い
るとともに静電気除去膜として利用しようとするもので
ある。しかし、この構造では、図５の従来例と同様に容
量増加の不都合がある外、ＳｉＣが金属やＩＴＯに比較
して格段に抵抗が高いため、静電気除去能力が劣りまた
ＳｉＣの光透過性が低いため感度を低下させる問題点が
あった。
【０００８】実開平１−１２５５６２号公報で提案され
たものは、透過性導電体膜を、原稿接触面とするととも
に静電気対策層とするものである。この構造は、静電気
の発生そのものを抑止しうる効果はあるものの、透過性
導電体膜の耐摩耗能力が低いため長期信頼性を確保する
ことが困難であった。
たものは、透過性導電体膜を、原稿接触面とするととも
に静電気対策層とするものである。この構造は、静電気
の発生そのものを抑止しうる効果はあるものの、透過性
導電体膜の耐摩耗能力が低いため長期信頼性を確保する
ことが困難であった。
【０００９】よって、本発明の目的とするところは、
安価な材料を用いる、製法の容易な、静電気そのも
のの発生を抑止するとともに静電気除去能力の高い、
耐摩耗性に優れた、キャパシタ、光電変換素子や配線
との間に大きな容量を持つことのない静電対策構造を提
案し、もって安価で画像読み取り能力に優れた密着型イ
メージセンサを提供しうるようにすることである。
安価な材料を用いる、製法の容易な、静電気そのも
のの発生を抑止するとともに静電気除去能力の高い、
耐摩耗性に優れた、キャパシタ、光電変換素子や配線
との間に大きな容量を持つことのない静電対策構造を提
案し、もって安価で画像読み取り能力に優れた密着型イ
メージセンサを提供しうるようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の密着型イメージ
センサは、透光性絶縁基板と、前記透光性絶縁基板上に
配置された複数の光電変換素子と、前記光電変換素子上
を覆う複数層の透光性絶縁保護層と、最上層の透光性絶
縁保護層上に設けられた照明光およびその反射光の光路
部分が除去された金属薄板と、を備えるものである。
センサは、透光性絶縁基板と、前記透光性絶縁基板上に
配置された複数の光電変換素子と、前記光電変換素子上
を覆う複数層の透光性絶縁保護層と、最上層の透光性絶
縁保護層上に設けられた照明光およびその反射光の光路
部分が除去された金属薄板と、を備えるものである。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。本実施例の密着型イメージセンサを作製する
には、まず、ダウコーニング社製の硼硅酸ガラス＃７０
５９のガラス基板１０１上に、周知のスパッタ法、プラ
ズマＣＶＤ法およびフォトリソグラフィ法を用いて光電
変換素子１０２、接地電極１０３、電荷蓄積用のキャパ
シタ１０４、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）
１０５、信号読み出し配線１０６および外部引き出し電
極１０７を形成する（これらの素子、配線等は周知の従
来例と変わるところがないので、簡易化した概略図で示
し、その製造工程の説明は省略する）。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。本実施例の密着型イメージセンサを作製する
には、まず、ダウコーニング社製の硼硅酸ガラス＃７０
５９のガラス基板１０１上に、周知のスパッタ法、プラ
ズマＣＶＤ法およびフォトリソグラフィ法を用いて光電
変換素子１０２、接地電極１０３、電荷蓄積用のキャパ
シタ１０４、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）
１０５、信号読み出し配線１０６および外部引き出し電
極１０７を形成する（これらの素子、配線等は周知の従
来例と変わるところがないので、簡易化した概略図で示
し、その製造工程の説明は省略する）。
【００１２】次に、第１の透光性絶縁保護層１０８とし
てプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を膜厚約５０
００Åに成膜し、フォトリソグラフィ法により接地電極
１０３および外部引き出し電極１０７上に開口を設け
る。次に、第２の透光性絶縁保護層１０９として、印刷
法により５μｍ厚程度のエポキシ樹脂膜を形成し、さら
に接地電極１０３上のビアホールにＡｇペースト１１０
を充填する。
てプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を膜厚約５０
００Åに成膜し、フォトリソグラフィ法により接地電極
１０３および外部引き出し電極１０７上に開口を設け
る。次に、第２の透光性絶縁保護層１０９として、印刷
法により５μｍ厚程度のエポキシ樹脂膜を形成し、さら
に接地電極１０３上のビアホールにＡｇペースト１１０
を充填する。
【００１３】次に、コバールの商品名で知られるＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる厚さ０．０５ｍｍの金属薄板１
１１をエポキシ樹脂膜（１０９）上に載置し、金属薄板
１１１を押圧しつつエポキシ樹脂を硬化させる。これに
より金属薄板１１１はエポキシ樹脂樹脂上に固着される
とともにＡｇペースト１１０を介して接地配線１０３に
接続される。金属薄板１１１には、光源１１２からの照
明光およびその原稿１１３面での反射光の光路を確保す
るために、光電変換素子アレイ（複数の光電変換素子が
図面の垂直方向に配列されている）上に幅約０．２ｍｍ
のスリット１１１ａが開設されている。金属薄板１１１
は、スリットの中心が光電変換素子アレイの中心から
０．１ｍｍ左側へずれるように固着される。スリット１
１１ａの原稿排出側の角部は、原稿の円滑な排出のため
に面取りされている。
Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる厚さ０．０５ｍｍの金属薄板１
１１をエポキシ樹脂膜（１０９）上に載置し、金属薄板
１１１を押圧しつつエポキシ樹脂を硬化させる。これに
より金属薄板１１１はエポキシ樹脂樹脂上に固着される
とともにＡｇペースト１１０を介して接地配線１０３に
接続される。金属薄板１１１には、光源１１２からの照
明光およびその原稿１１３面での反射光の光路を確保す
るために、光電変換素子アレイ（複数の光電変換素子が
図面の垂直方向に配列されている）上に幅約０．２ｍｍ
のスリット１１１ａが開設されている。金属薄板１１１
は、スリットの中心が光電変換素子アレイの中心から
０．１ｍｍ左側へずれるように固着される。スリット１
１１ａの原稿排出側の角部は、原稿の円滑な排出のため
に面取りされている。
【００１４】静電対策手段として用いられる金属薄板
は、パンチングという簡易な手段により形成することが
でき、また材料が安価で取り扱いも容易であるため、高
価で取り扱いに注意を要するマイクロシートガラスを用
い、スパッタやＣＶＤによる成膜やパターニングを必要
とした従来例に対し、コスト面で有利である。
は、パンチングという簡易な手段により形成することが
でき、また材料が安価で取り扱いも容易であるため、高
価で取り扱いに注意を要するマイクロシートガラスを用
い、スパッタやＣＶＤによる成膜やパターニングを必要
とした従来例に対し、コスト面で有利である。
【００１５】そして、このように構成された密着型イメ
ージセンサでは、原稿１１３が金属薄板１１１上を摺動
するので静電気は本質的に発生しない。また帯電した原
稿が送られてきた場合には、金属薄板を介して直ちに除
電することができる。さらに、金属薄板により迷光、外
乱光の半導体層への入射を遮蔽することができるので、
特別な遮光膜を設ける必要がなくなる。また、ガラス基
板１０１上の各素子（１０２〜１０６）と金属薄板１１
１との間には誘電率が低い材料からなる、膜厚の厚い
（例えば、５μｍ）第２の透光性絶縁保護層１０９が介
在しているため、両者間の容量は低く抑えられ、静電対
策層の存在によって画像読み取り信号が悪影響を受ける
ことはない。
ージセンサでは、原稿１１３が金属薄板１１１上を摺動
するので静電気は本質的に発生しない。また帯電した原
稿が送られてきた場合には、金属薄板を介して直ちに除
電することができる。さらに、金属薄板により迷光、外
乱光の半導体層への入射を遮蔽することができるので、
特別な遮光膜を設ける必要がなくなる。また、ガラス基
板１０１上の各素子（１０２〜１０６）と金属薄板１１
１との間には誘電率が低い材料からなる、膜厚の厚い
（例えば、５μｍ）第２の透光性絶縁保護層１０９が介
在しているため、両者間の容量は低く抑えられ、静電対
策層の存在によって画像読み取り信号が悪影響を受ける
ことはない。
【００１６】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例の密着型イメージセンサは次のよう
に作製される。第１の実施例の場合と同様に、ガラス基
板１０１上に各素子と配線（１０２〜１０７）を形成し
た後、第１の透光性絶縁保護層１０８としてプラズマＣ
ＶＤ法により膜厚５０００Åの酸化シリコン膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術により、接地電極１０３上
および外部引き出し電極１０７上を開口する。次に、第
２の透光性絶縁保護層１０９として、印刷法により、接
地電極上にビアホールを有するポリイミド膜を形成し、
続いてビアホール内をＡｇペースト１１０で充填する。
図である。本実施例の密着型イメージセンサは次のよう
に作製される。第１の実施例の場合と同様に、ガラス基
板１０１上に各素子と配線（１０２〜１０７）を形成し
た後、第１の透光性絶縁保護層１０８としてプラズマＣ
ＶＤ法により膜厚５０００Åの酸化シリコン膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術により、接地電極１０３上
および外部引き出し電極１０７上を開口する。次に、第
２の透光性絶縁保護層１０９として、印刷法により、接
地電極上にビアホールを有するポリイミド膜を形成し、
続いてビアホール内をＡｇペースト１１０で充填する。
【００１７】０．０５ｍｍ厚のＦｅ−Ｎｉ合金板をパン
チングにより加工してスリット１１１ａを有する金属薄
板１１１を得、これにイオンプレーティングを施して表
面にＴｉＮやＣｒＮ等からなる耐摩耗層を形成する。
チングにより加工してスリット１１１ａを有する金属薄
板１１１を得、これにイオンプレーティングを施して表
面にＴｉＮやＣｒＮ等からなる耐摩耗層を形成する。
【００１８】この金属薄板１１１を第２の透光性絶縁保
護層（ポリイミド膜）１０９上に載置し、金属薄板１１
１を押圧しつつポリイミドを硬化させる。この時金属薄
板１１１への押圧力と熱処理条件を適切にコントロール
して金属薄板１１１のスリット１１１ａ内が透明樹脂１
０９ａによって充填されるようにする。
護層（ポリイミド膜）１０９上に載置し、金属薄板１１
１を押圧しつつポリイミドを硬化させる。この時金属薄
板１１１への押圧力と熱処理条件を適切にコントロール
して金属薄板１１１のスリット１１１ａ内が透明樹脂１
０９ａによって充填されるようにする。
【００１９】本実施例は、先の実施例と同様の効果を有
する外、金属薄板の耐摩耗性がより向上しており、ま
た、スリット１１１ａ内が樹脂により充填されているこ
とから紙粉やゴミのスリット内への堆積が防止され長期
的な画像読み取り精度の維持が期待できる。
する外、金属薄板の耐摩耗性がより向上しており、ま
た、スリット１１１ａ内が樹脂により充填されているこ
とから紙粉やゴミのスリット内への堆積が防止され長期
的な画像読み取り精度の維持が期待できる。
【００２０】図３は、本発明の第３の実施例を示す断面
図である。本実施例の密着型イメージセンサは次のよう
に作製される。第１の実施例の場合と同様に、ガラス基
板１０１上に各素子と配線（１０２〜１０７）を形成し
た後、第１の透光性絶縁保護層１０８としてプラズマＣ
ＶＤ法により膜厚５０００Åの窒化シリコン膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術によ、接地電極１０３上お
よび外部引き出し電極１０７上を開口する。次に、第２
の透光性絶縁保護層１０９として、印刷法により、接地
電極上にビアホールを有するアクリル樹脂膜を形成す
る。
図である。本実施例の密着型イメージセンサは次のよう
に作製される。第１の実施例の場合と同様に、ガラス基
板１０１上に各素子と配線（１０２〜１０７）を形成し
た後、第１の透光性絶縁保護層１０８としてプラズマＣ
ＶＤ法により膜厚５０００Åの窒化シリコン膜を成膜
し、フォトリソグラフィ技術によ、接地電極１０３上お
よび外部引き出し電極１０７上を開口する。次に、第２
の透光性絶縁保護層１０９として、印刷法により、接地
電極上にビアホールを有するアクリル樹脂膜を形成す
る。
【００２１】ビアホール内をＡｇペースト１１０で充填
した後、アクリル樹脂を硬化させる。次に、コバールを
加工して、光電変換素子アレイの中心線より０．１ｍｍ
だけ左側の部分の上を覆う金属薄板１１１を得、これを
エポキシ系の接着剤１１４を介して第２の透光性絶縁保
護膜１０９上に貼着する。
した後、アクリル樹脂を硬化させる。次に、コバールを
加工して、光電変換素子アレイの中心線より０．１ｍｍ
だけ左側の部分の上を覆う金属薄板１１１を得、これを
エポキシ系の接着剤１１４を介して第２の透光性絶縁保
護膜１０９上に貼着する。
【００２２】第２の透光性絶縁保護層１０９上に直接金
属薄板１１１を貼着する場合、第２の透光性絶縁保護層
１０９中あるいは金属薄板との界面にボイドが発生しや
すい。本実施例は、第２の透光性絶縁保護層の硬化工程
と金属薄板の接着工程とを分けることにより、上記不都
合を解消している。また、本実施例では、金属薄板にス
リットを開口するためのパンチング加工が不要となり、
またその所要面積が約半分となるので、より安価な金属
薄板を利用することができる。
属薄板１１１を貼着する場合、第２の透光性絶縁保護層
１０９中あるいは金属薄板との界面にボイドが発生しや
すい。本実施例は、第２の透光性絶縁保護層の硬化工程
と金属薄板の接着工程とを分けることにより、上記不都
合を解消している。また、本実施例では、金属薄板にス
リットを開口するためのパンチング加工が不要となり、
またその所要面積が約半分となるので、より安価な金属
薄板を利用することができる。
【００２３】上記各実施例では、コバール乃至Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金からなる金属薄板を用いていたが、この種材料を
採用するのは樹脂硬化時あるいは使用時におけるガラス
基板の反りを防止しまたガラス基板上の素子へのストレ
スを緩和して装置の長期信頼性を確保するためである。
従って、金属薄板の材料としてはガラス基板と熱膨張係
数が近いものであれば上記実施例のものと代替すること
ができる。
ｉ合金からなる金属薄板を用いていたが、この種材料を
採用するのは樹脂硬化時あるいは使用時におけるガラス
基板の反りを防止しまたガラス基板上の素子へのストレ
スを緩和して装置の長期信頼性を確保するためである。
従って、金属薄板の材料としてはガラス基板と熱膨張係
数が近いものであれば上記実施例のものと代替すること
ができる。
【００２４】また、実施例では、金属薄板の厚さを０．
０５ｍｍとしていたがこの厚さも適切な光路長が確保で
きる範囲で適宜変更しうる。金属薄板の厚さは素子密度
が４〜１６素子／ｍｍで、第１、第２の透光性絶縁保護
層の合計薄膜が５〜６μｍである場合、０．０２ｍｍ〜
０．２ｍｍの範囲内に収めることが望ましい。０．０２
ｍｍ以下の厚さでは、光量不足となる可能性があり、ま
た０．２ｍｍ以上の場合には解像度の低下を招くことに
なるからである。
０５ｍｍとしていたがこの厚さも適切な光路長が確保で
きる範囲で適宜変更しうる。金属薄板の厚さは素子密度
が４〜１６素子／ｍｍで、第１、第２の透光性絶縁保護
層の合計薄膜が５〜６μｍである場合、０．０２ｍｍ〜
０．２ｍｍの範囲内に収めることが望ましい。０．０２
ｍｍ以下の厚さでは、光量不足となる可能性があり、ま
た０．２ｍｍ以上の場合には解像度の低下を招くことに
なるからである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の密着型イ
メージセンサは、原稿接触面に金属薄板を配置したもの
であるので、原稿の摺動によって静電気が発生すること
がなくなり、また帯電した原稿から速やかに除電するこ
とができるようになる。従って、本発明によれば、イメ
ージセンサや他の電子回路あるいは原稿の搬送が静電気
によって悪影響を受けることがなくなる。また、静電対
策層となる金属薄板は、パンチングという簡易な方法で
製作しうるものであり、材料が安価で取り扱いも容易で
あり、しかも耐摩耗性に優れているので、本発明によ
り、性能の高い密着型イメージセンサを安価に供給する
ことが可能となる。
メージセンサは、原稿接触面に金属薄板を配置したもの
であるので、原稿の摺動によって静電気が発生すること
がなくなり、また帯電した原稿から速やかに除電するこ
とができるようになる。従って、本発明によれば、イメ
ージセンサや他の電子回路あるいは原稿の搬送が静電気
によって悪影響を受けることがなくなる。また、静電対
策層となる金属薄板は、パンチングという簡易な方法で
製作しうるものであり、材料が安価で取り扱いも容易で
あり、しかも耐摩耗性に優れているので、本発明によ
り、性能の高い密着型イメージセンサを安価に供給する
ことが可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】 本発明の第３の実施例を示す断面図。
【図４】 従来例の断面図。
【図５】 従来例の断面図。
１０１ ガラス基板 １０２ 光電変換素子 １０３ 接地電極 １０４ キャパシタ １０５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １０６ 信号読み出し配線 １０７ 外部引き出し電極 １０８ 第１の透光性絶縁保護層 １０９ 第２の透光性絶縁保護層 １０９ａ 透明樹脂 １１０ Ａｇペースト １１１ 金属薄板 １１１ａ スリット １１２ 光源 １１３ 原稿 １１４ 接着剤
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板と、前記透光性絶縁基板
上に配置された複数の光電変換素子と、前記光電変換素
子上を覆う複数層の透光性絶縁保護層と、最上層の透光
性絶縁保護層上に設けられた照明光およびその反射光の
光路部分が除去された金属薄板と、を備える密着型イメ
ージセンサ。 - 【請求項２】 前記金属薄板がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金ま
たはＦｅ−Ｎｉ合金薄板である請求項１記載の密着型イ
メージセンサ。 - 【請求項３】 前記金属薄板の表面に耐摩耗性の表面保
護膜が形成されている請求項１または２記載の密着型イ
メージセンサ。 - 【請求項４】 前記金属薄板が接地されている請求項
１、２または３記載の密着型イメージセンサ。 - 【請求項５】 前記金属薄板の前記除去された部分に透
光性樹脂が充填されている請求項１、２、３または４記
載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355534A JPH06188401A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355534A JPH06188401A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188401A true JPH06188401A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18444495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355534A Pending JPH06188401A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188401A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134967A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6471173A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-16 | Canon Kk | Image reader |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4355534A patent/JPH06188401A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134967A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6471173A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-16 | Canon Kk | Image reader |
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