JPH0563899A

JPH0563899A - 画像読取装置

Info

Publication number: JPH0563899A
Application number: JP3244937A
Authority: JP
Inventors: Satoru Itabashi; 哲板橋; Junji Omi; 淳二臣
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-08-30
Filing date: 1991-08-30
Publication date: 1993-03-12

Abstract

(57)【要約】【目的】保護用透光性ガラスの貼り合わせ時に生じる
引出し配線部の無機パッシベーション膜の破損防止及び
配線自体の耐食性の向上を図り、信頼性が高く安価な画
像読取装置を提供することを目的とする。【構成】少なくとも第１の導電層により形成した電極
３４、絶縁層２５、半導体層２６及び第２の導電層によ
り形成した電極３５、３６が順次積層されてなる複数の
光電変換装置と、前記電極の引出し配線とが絶縁基体１
０上に配置され、前記光電変換装置上及び前記引出し配
線上に透光性ガラス８が設けられて成る画像読取装置に
おいて、前記引出し配線は、少なくとも前記透光性ガラ
スの端部７下において、前記第１の導電層と前記第２の
導電層とを積層して構成されていることを特徴とする。
さらには、引出し配線の高さよりも高い、結線されてな
い衝撃緩和用線を少なくとも前記透光性ガラスの端部下
に配したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は画像読取装置に係わり、
例えば一次元ラインセンサ上に密着させた状態で画像読
み取りに係る原稿を相対的に移動させつつ画像情報を読
取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディジタル複
写機及び電子黒板等の入力部に用いられ画像読取装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来完全密着型センサの構成は、日経エ
レクトロニクス４３４号の第２０７〜２２１頁に記載さ
れているように、センサ基板上にパッシベーション膜と
してポリイミドその上に導電処理を施した透光性ガラス
を接着剤により装着した構造になっている。ポリイミド
樹脂及び接着剤等の有機材料は吸湿性、および透湿性を
有する為、高温高湿下において水の侵入によるセンサ特
性の劣化を生じる。従って、従来技術においてはセンサ
特性を維持するため、センサアレイの幅を広げる又は保
護層部を広げて周囲を樹脂封止することにより、水の侵
入経路を長くし水の侵入を遅らせてセンサ特性を維持し
ていた。

【０００３】しかしながら、上述の従来の画像読取装置
においては、さらなる低コスト化を目指した場合、以下
のような課題を生じる。

【０００４】画像読取装置の低コスト化を達成する一つ
の手段として、光電変換素子部等を形成した透光性基板
の副走査方向の基板幅を小さくすることが行われる。こ
の種の画像読取装置では、まず大判の透光性基板上に複
数の光電変換アレイを同時に形成し、その後光電変換ア
レイごとに分割して、それぞれ独立したアレイ状の画像
読取装置を形成する。すなわち、光電変換素子部等を形
成した透光性基板の基板幅を小さくすると、大判の基板
に形成し得る光電変換アレイの数量を増加することがで
き、光電変換アレイをコストダウンすることができる。

【０００５】ところが、ポリイミド等の有機材料をパッ
シベーション層として用いた従来の画像読取装置の場
合、基板幅を縮小するのは、耐湿性に問題を生じて実現
は困難である。即ち、ポリイミド等の有機材料は吸湿性
または透湿性であるため、時間の経過とともに基板端部
から水分が侵入し、光電変換素子部或いは薄膜トランジ
スタ（以下ＴＦＴという）部の半導体層を劣化させてし
まうからである。従来の画像読取装置では、基板端部か
ら光電変換素子部、ＴＦＴ部に至るまでの領域の水分侵
入経路を広く設計することにより、基板の端部から侵入
する水分が光電変換素子部或いはＴＦＴ部の半導体層へ
達するまでの時間を長くし、耐湿性をなんとか維持して
いる。

【０００６】従って、有機材料をパッシベーション層と
する従来の画像読取装置では、基板幅を縮小することは
困難であり、さらなる低コスト化を達成するのは難し
い。

【０００７】一方、窒化シリコン膜或は酸化シリコン膜
等の無機薄膜材料は非透水性であるため、これをパッシ
ベーション層として用いることにより、画像読取装置の
耐湿性を確保しながら基板幅を縮小し、その結果コスト
ダウンを図ることが可能と考えられる。

【０００８】しかしながら、無機薄膜材料をパッシベー
ション層として用いる場合、図６に示すような問題が生
じる。図６は、図５のＣ−Ｃ’断面図を示す。上述した
光電変換素子部等の上に透光性保護ガラスを貼り合せる
方法では、光電変換素子部上に無機薄膜材料からなるパ
ッシベーション層１８を形成し、接着層１５を塗布した
後、透光性ガラス８をその上に載せる際に、図６のよう
に透光性ガラス８の端部２０がパッシベーション層１８
に突き当たり、この衝撃により無機薄膜のパッシベーシ
ョン層１８が破損して、亀裂２１が生じ、耐湿性の確保
が困難になるという問題がある。

【０００９】パッシベーションに亀裂が生じると、具体
的には次のような現象が確認されている。

【００１０】亀裂から侵入した水分が光電変換素子部
或いはＴＦＴ部の半導体層を劣化させ、画像読取装置の
Ｓ／Ｎ比を低下させる。

【００１１】亀裂から侵入した水分と接着層に含有さ
れていた不純物、例えば塩素イオン（Ｃｌ^-）等が画像
読取装置内に印加されたバイアスの効果によりＡｌ配線
部を腐食させ、ついにはＡｌ配線部を断線させる。

【００１２】従って、高い耐湿性を確保できる無機薄膜
材料をパッシベーション層として用いても、現実には耐
久性は期待できず、画像読取装置のさらなる低コスト化
を図るのははなはだ困難である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上の問題に鑑み、本
発明は保護用透光性ガラスの貼り合わせ時に生じる引出
し配線部の無機パッシベーション膜の破損防止及び配線
自体の耐食性の向上を図り、信頼性が高く安価な画像読
取装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、
少なくとも第１の導電層により形成した電極、絶縁層、
半導体層及び第２の導電層により形成した電極が順次積
層されてなる複数の光電変換装置と、前記第１の導電層
により形成した電極及び前記第２の導電層により形成し
た電極と外部との間で信号を入出力するための引出し配
線とが絶縁基体上に配置され、前記光電変換装置上及び
前記引出し配線上に透光性ガラスが設けられて成る画像
読取装置において、前記引出し配線は、少なくとも前記
透光性ガラスの端部下において、前記第１の導電層と前
記第２の導電層とを積層して構成されていることを特徴
とする画像読取装置に存在する。

【００１５】本発明の第２の要旨は、少なくとも半導体
層及び該半導体層の上部に設けられた電極からなる光電
変換装置と、前記電極と外部の間で信号を入出力するた
めの引出し配線とが絶縁基体上に配置され、前記光電変
換装置上及び前記引出し配線上に透光性ガラスが設けら
れて成る画像読取装置において、前記引出し配線の高さ
よりも高い、結線されてない衝撃緩和用線を少なくとも
前記透光性ガラスの端部下に配したことを特徴とする画
像読取装置に存在する。

【００１６】

【作用】本発明では、透光性ガラスの端部における引出
し配線を前記第１の導電層と第２の導電層との積層構造
としているため、第２層が腐食しても第１層で導通が確
保され、引出し部配線の長寿命化を図ることが可能とな
る。

【００１７】尚、第１の導電層をＣｌイオンに対し耐食
性の高い材料、例えばＣｒ、Ｗ、Ｍｏ等とし、第２導電
層には比抵抗の小さな材料、例えばＡｌ等を用いて２層
構造とすることがより好ましく、この場合、たとえ第２
導電層が腐食しても耐食性の高い第１の導電層の導通に
よって断線を防止することが可能となる。つまり、Ａｌ
等の配線材として一般的に用いられる材料と、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ等のように比抵抗は大きいが耐腐食性が良好な２
層構成を透光性ガラス端部付近で用いることによって、
小さな配線抵抗と腐食による断線防止を両立させること
が可能となる。また、画像読取装置の透光性ガラスの端
部下に、結線されていない衝撃緩和用線を設け、更に透
光性ガラス端部下の配線の例えばゲート絶縁層、半導体
層を除去することにより、引出し配線の高さよりも衝撃
緩和配線の高さが高くなり、ガラスの端面が引出し配線
部のパッシベーションに当たることが防止でき、たとえ
当たることがあっても衝撃は軽減されため、パッシベー
ションの破損を防ぐことができる。

【００１８】

【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明を詳細に説明
する。

【００１９】（実施例１）本発明の第１の実施例を図を
参照して説明する。図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図１
（Ｃ）は、第１の実施例の画像読取装置の模式的な副走
査方向断面図、平面図および主走査方向断面図である。
なお、図１（Ａ）および図１（Ｃ）は、それぞれ図１
（Ｂ）のＡ−Ａ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図を示す。

【００２０】本実施例では、半導体層としてアモルファ
スシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈという）を用いて、光電
変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ部３および
４、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動配線部６
等を透光性絶縁基板１０上に同一プロセスにより一体的
に形成した。絶縁基板１０上には、Ｃｒの第１の導電体
層２４、アモルファス窒化シリコン（以下ａ−ＳｉＮと
いう）の第１の絶縁層２５、ａ−Ｓｉ：Ｈの光導電性半
導体層２６、ｎ⁺ａ−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタクト
層２７、Ａｌの第２の導電体層２８が形成されている。

【００２１】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極である。原稿Ｐで反射された信号光Ｌ′は
ａーＳｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導電率を
変化させ、くし状に対向する上層電極３０、３１間に流
れる電流を変化させる。なお、３２は金属の遮光層であ
り、適宜の駆動源に接続して、主電極３０（ソース電極
あるいはドレイン電極）および３１（ドレイン電極ある
いはソース電極）に対向する制御電極（ゲート電極）と
なるようにしてもよい。

【００２２】蓄積コンデンサ部２は、下層電極３３と、
この下層電極３３上に形成された第１の絶縁層２５と光
導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に形成され
光電変換部１の上層電極３１に連続した配線とから構成
される。この蓄積コンデンサ部２の構造はいわゆるＭＩ
Ｓ（メタル・絶縁体・半導体）コンデンサの構造であ
る。バイアス条件は正負いずれでも用いることができる
が、下層電極３３を常に負にバイアスする状態で用いる
ことにより、安定な容量と周波数特性を得ることができ
る。

【００２３】ＴＦＴ部３および４は、ゲート電極たる下
層電極３４と、ゲート絶縁層を絶縁層２５と、半導体層
２６と、ソース電極たる上層電極３５と、ドレイン電極
たる上層電極３６等とから構成される。

【００２４】マトリクス信号配線部５においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２、個別
信号配線を被う絶縁層２５、半導体層２６、そして個別
信号配線と交差して第２の導電層からなる共通信号配線
３７が順次積層されている。３８は、個別信号配線２２
と共通信号配線３７とコンタクトをとるためのコンタク
トホール、３９は共通信号配線間に設けられた線間シー
ルド配線である。

【００２５】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、基板１０上に第１の導電層２４からなる個別ゲート
配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７、そして個別ゲート
配線４０と交差して、第２の導電層２８からなる共通ゲ
ート配線４１が順次積層されている。４２は個別ゲート
配線４０と共通ゲート配線４１とのコンタクトを取るた
めのコンタクトホールである。

【００２６】以上のように本実施例の画像読取装置は、
光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ部３，
４、マトリクス信号配線部５およびゲート駆動配線部６
のすべてが光導電性半導体層および絶縁層、導電体層等
の積層構造を有するので、各部を同一プロセスにより同
時形成される。

【００２７】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３、４の半導体層表面
の保護安定化のためにａ−ＳｉＮの無機薄膜からなるパ
ッシベーション層１１、その上には原稿Ｐとの摩擦から
光電変換素子等を保護するためにマイクロシートガラス
等からなる耐摩擦層８が接着層９を介して接着されてい
る。

【００２８】なおパッシベーション層１１と耐摩擦層８
との間には、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）等の透
光性導電層からなる静電気対策層１５が形成され、原稿
Ｐと耐摩擦層８との摩擦により発生する静電気が光電変
換素子等に悪影響を及ぼさないように配置されている。

【００２９】次に、具体的に本実施例の画像読取装置の
製造方法を説明する。

【００３０】まず、ガラス等の大型の絶縁基板上にＣｒ
を厚さ１０００Åにスパッタ法で堆積し、その後所望の
形状にパターニングして第１の導電体層２４を形成し
た。その後、ａ−ＳｉＮの第１絶縁層２５、ａーＳｉ：
Ｈの半導体層２６、ｎ⁺ａーＳｉ：Ｈのオーミックコン
タクト層２７をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積
させた。

【００３１】上記各層の成膜条件は第１表に示すとおり
である。

【００３２】

【表１】然る後に、ソース、ドレイン電極となる導電材料である
Ａｌを５０００Åスパッタ法で堆積させて、その後所望
の形状にパターニングして、第２の導電体層２８を形成
した。

【００３３】その後、不要なオーミックコンタクト層を
エッチングで除去し、光電変換素子部１およびＴＦＴ部
３ないし４のチャネルを形成した。オーミックコンタク
ト層の除去は、リアクティブ・イオン・エッチングによ
って行った。

【００３４】その後、光電変換素子間の半導体層をエッ
チングで除去し、光電変換素子の分離を行った。

【００３５】さらにその後、パッシベーション層１１と
してａ−ＳｉＮ層をプラズマＣＶＤ法によって光電変換
素子が形成された大型の基板全面に堆積した。

【００３６】パッシベーション層１１を形成する時、基
板温度をあまり高く上げると、半導体層２６に含まれる
水素が抜けたり、或いは第２の導電体層のＡｌとオーミ
ックコンタクト層２７との間で相互拡散が生じるので、
この時の基板温度は第１の絶縁層２５、半導体層２６、
オーミックコンタクト層２７の形成時の基板温度以上に
は高くしないことが好ましく、ａーＳｉ：Ｈを半導体層
として用いた画像読取装置子ではａーＳｉ：Ｈの堆積時
の基板温度は１５０℃〜２５０℃であるので、パッシベ
ーション層１１の形成時の基板温度は１５０℃以下にす
ることが好ましい。よって、本実施例の画像読取装置で
は、基板温度を１５０℃にして、ＳｉＨ₄＝４ＳＣＣ
Ｍ、Ｎ₂＝２００ＳＣＣＭ（ＳｉＨ₄：＝１：５０）のガ
スを用いて、０．２Ｔｏｒｒの圧力でａ−ＳｉＮのパッ
シベーション層１１を厚さ６０００Å形成した。

【００３７】続いて、ａ−ＳｉＮのパッシベーション層
１１上にエポキシ樹脂からなる接着剤をディスペンサで
塗布し、透光性ガラス８をその上に載せ、従来技術の中
で述べたように加圧接着させ、接着層９を加熱硬化させ
た。接着層９の加熱硬化温度はやはり１５０℃以下にす
ることが望ましい。

【００３８】そして大型の絶縁基板上に透光性ガラスを
貼り合わせた後、光電変換アレイごとにスライサーによ
り分割した。このようにして本発明の画像読取装置を作
製した。

【００３９】さて、本実施例の画像読取装置は、透光性
ガラス８の端部７に於ける引出し配線を、透光性ガラス
端部７では、下層配線３３とソース・ドレイン電極材５
１による配線の２層構成とした。これは透光性ガラス端
部７の配線部分のａ−ＳｉＮ膜、光導電性半導体層、オ
ーミックコンタクト層をコンタクトホール形成時に、除
去することによって得られた。

【００４０】端部付近でソース・ドレイン電極材５１
は、図１に示すように、パターニングした３層の段差部
５２において下層配線３３上に接続してある。

【００４１】また、透光性ガラス８の端部外では、図１
（Ｃ）のように、一旦３層を下層配線３３と上部のソー
ス・ドレイン配線とがはさむような構成にしてもよい
し、図示していないが下層配線３３と上部配線５１の積
層構成だけのままワイヤーボンディングパッド部１７へ
接続されても良い。

【００４２】パッシベーション１１上の透光性ガラス８
の端部近傍には、硬化前の接着剤がボンディングパッド
部１７へ流れ込むことを防止するために流れ止め１６を
設けた。

【００４３】図２は、実施例の画像読取装置の等価回路
図を示す。

【００４４】光電変換素子Ｓ_1ー1〜Ｓ_36ー48に入射した光
情報は、光電変換素子Ｓ_1ー1〜Ｓ_36ー ₄₈から蓄積コンデン
サＣ_S1-1〜Ｃ_S36ー48、転送用ＴＦＴのＴ_1ー1〜Ｔ_36ー48、
リセット用ＴＦＴのＲ_1ー1〜Ｒ_36ー48、マトリクス信号配
線Ｌ₁〜Ｌ₄₈を通って、並列の電圧出力となる。さら
に、読み出し用スイッチＩＣによって直列信号となり外
部に取り出される。

【００４５】本実施例の画像読取装置の構成例では、総
画素数１７２８ビットの光電変換素子を４８ビットずつ
まとめて３６ブロックに分割してある。各動作は順次こ
のブロック単位で進む。

【００４６】第１ブロックの光電変換素子Ｓ_1ー1〜Ｓ
_1ー48に入射した光情報は光電流に変換され、蓄積コンデ
ンサＣ_S1-1〜Ｃ_S1ー48に電荷として蓄えられる。一定時
間後、ゲート駆動線Ｇ₁に転送用の第１の電圧パルスを
加え、転送用ＴＦＴのＴ_1ー1〜Ｔ_1ー48をオン状態に切り
替える。これで蓄積コンデンサＣ_S1ー1〜Ｃ_S1ー48の電荷
がマトリクス信号配線Ｌ₁〜Ｌ₄₈を通って、負荷コンデ
ンサＣ_L1〜Ｃ_L48に転送される。続いて、負荷コンデ
ンサＣ_L1〜Ｃ_L48に蓄えられた電荷は、転送パルスＧ_tに
より転送用スイッチＵ_SW1〜Ｕ_SW48を同時に駆動し、読
み出し用コンデンサＣ_T1〜Ｃ_T48に転送される。

【００４７】引き続いて、ゲート駆動線ｇ₁〜ｇ₄₈にシ
フトレジスタＳＲ₂から電圧パルスが順次加えられるこ
とにより、読み出し用コンデンサＣ_T1〜Ｃ_T48に転送さ
れた第１ブロックの信号電荷は、読み出し用スイッチＴ
_SW1〜Ｔ_SW48により直列信号に変換され、増幅器Ａｍｐ
により増幅され画像読取装置の外部へ出力電圧Ｖ_outと
して取り出される。

【００４８】そして、リセットパルスｇ_resがリセット
スイッチＶ_SWに逐次印加され、読み出し用スイッチＴ_SW
とリセットスイッチＶ_SWが同時にＯＮ状態となり、読み
出し用コンデンサＣ_T1〜Ｃ_T48は逐次リセット電位Ｖ_Rに
リセットされる。

【００４９】また、リセットスイッチＲ_SW1〜Ｒ_SW48に
リセット用の電圧パルスＣ_resを印加して負荷コンデン
サＣ_L1〜Ｃ_L48をリセットする。次に、ゲート駆動線Ｇ₂
に電圧パルスを印加し、第２ブロックの転送動作が始ま
る。同時にリセットＴＦＴのＲ_1ー1〜Ｒ_1ー48がオン状態
になり、第１ブロックの蓄積コンデンサＣ_S1ー1〜Ｃ
_S1ー48の電荷をリセットし、次の読み出しに備える。

【００５０】以下、ゲート駆動線Ｇ３、Ｇ４、…を順次
駆動することにより１ライン分のデータを出力する。

【００５１】さて、このようにして構成した画像読取装
置を適用して、ファクシミリ装置、イメージリーダ、デ
ィジタル複写機および電子黒板等の種々の装置を構成す
ることができる。

【００５２】図３は、本実施例の画像読取装置を用いて
構成したファクシミリ装置の一例を示す。ここで、１０
２は原稿６を読み取り位置に向けて給送するための給送
ローラ、１０４は原稿６を一枚ずつ確実に分離給送する
ための分離片である。１０６は画像読取装置に対して読
み取り位置に設けられて原稿Ｐの被読み取り面を規制す
るとともに原稿Ｐを搬送するプラテンローラである。

【００５３】Ｗは図示の例ではロール紙形態をした記録
媒体であり、画像読取装置により読み取られた画像情報
あるいは外部から送信された画像情報が形成される。１
１０は当該画像形成を行なうための記録ヘッドで、サー
マルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々のものを
用いることができる。また、この記録ヘッドは、シリア
ルタイプのものでも、ラインタイプのものでもよい。１
１２は記録ヘッド１１０による記録位置に対して記録媒
体Ｗを搬送するとともにその被記録面を規制するプラテ
ンローラである。

【００５４】１２０は、操作入力を受容するスイッチや
メッセージその他、装置の状態を報知するための表示部
等を配したオペレーションパネルである。１３０は、シ
ステムコントロール基板であり、各部の制御を行なう制
御部や画像情報の処理回路部、送受信部等が設けられ
る。また、１４０は、装置の電源である。

【００５５】本実施例の画像読取装置をファクシミリ等
のシステムの画像入力部として用いることにより、シス
テム側の画像処理が簡易な手段で行なうことができるよ
うになり、システム全体としてのコストを大幅に低減す
ることができた。

【００５６】（実施例２）図４（Ａ）は、第２の実施例
の画像読取装置の模式的な平面図である。なお、図４
（Ｂ）は、図４（Ａ）の透光性ガラス端部付近のＤ−
Ｄ’の断面図である。本実施例の画像読取装置では、透
光性ガラス８の端部７に於ける引出し配線を、図４
（Ｂ）に示すように、透光性ガラス端部の引出し配線部
分のａ−ＳｉＮ膜２５、光導伝性半導体層２６、オーミ
ックコンタクト層２７を除去して下層配線３３とソース
・ドレイン電極材による配線の２層構成とし、さらには
引出し配線部の外側に衝撃緩和用線５０を設けた。

【００５７】衝撃緩和用線５０は、ゲート絶縁膜２５、
光導電層２６、オーミックコンタクト層２７を除去して
いないため、これら３層の膜厚５３の分、即ち０.９μ
ｍ、衝撃緩和用配線５０が引出し配線に比べて高くなっ
ている。

【００５８】パッシベーション１１の表面同志でもこの
段差５３の分、引出し配線部は低くなり、透光性ガラス
貼る時、ガラス端面が衝撃緩和用線で止まり、配線部へ
接触せず配線部のパッシベーション１１のダメージを避
けることができた。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明により、透
光性保護用ガラスの貼り合わせ時に生じる引出し配線部
のパッシベーション膜の破損防止及び配線の長寿命化が
可能となり、その結果パッシベーション膜として無機材
料膜を用いることが可能となる。従って、センサーアレ
イの副走査方向の幅を狭くし取数を増すことができ、信
頼性の高い安価な画像読取装置を提供することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の画像読取装置を示す概略図。（Ａ）副走査方向断面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）主走査
方向断面図。

【図２】実施例１の画像読取装置に係る等価回路図。

【図３】実施例１の画像読取装置を適用したファクシミ
リ装置の模式的構成図。

【図４】実施例２の画像読取装置を示す概略図。（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図

【図５】従来の画像読取装置の概略平面図。

【図６】従来の画像読取装置の問題点を説明する概略
図。

【符号の説明】

１光電変換素子部、２蓄積コンデンサ部、３転送ＴＦＴ部、４リセットＴＦＴ部、５信号線マトリクス部、６ゲート配線部、７透光性ガラス端部、８透光性ガラス、９接着層、１０基板、１１パッシベーション、１５静電気対策層、１６接着剤流れ止め、２２個別信号配線、２４第１の導電層、２５ゲート絶縁膜、２６光導電層、２７オーミックコンタクト層、２８第２の導電層、３０、３１上層電極３２下層電極（遮光層）、３３コンデンサー下層配線、３４ＴＦＴ下層電極、３５、３６ＴＦＴ上層電極（ソース、ドレイン）、３７共通信号配線、３８コンタクトホール、３９共通信号配線間のシールド配線、４０個別ゲート配線、４１共通ゲート配線、４２コンタクトホール、５０衝撃緩和用線、５１上部配線（ソース・ドレイン電極材）、５３衝撃マージン、１０２給紙ローラー、１０４分離片、１０６プラテンローラー、１１０記録ヘッド、１１２プラテンローラー、１２０オペレーションパネル、１３０システムコントロール基板、１４０電源。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１の導電層により形成した
電極、絶縁層、半導体層及び第２の導電層により形成し
た電極が順次積層されてなる複数の光電変換装置と、前
記第１の導電層により形成した電極及び前記第２の導電
層により形成した電極と外部との間で信号を入出力する
ための引出し配線とが絶縁基体上に配置され、前記光電
変換装置上及び前記引出し配線上に透光性ガラスが設け
られて成る画像読取装置において、前記引出し配線は、
少なくとも前記透光性ガラスの端部下において、前記第
１の導電層と前記第２の導電層とを積層して構成されて
いることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】前記第１の導電層は前記第２の導電層に
比べ塩素イオンに対する耐触性の高い材料で構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】前記第１の導電層は前記第２の導電層に
比べ比抵抗の大きい材料で構成されていることを特徴す
る請求項１または２記載の画像読取装置。
【請求項４】前記第１の導電層はＣｒ、ＭｏまたはＷ
のうち少なくとも１種から構成され、前記第２の導電層
はＡｌで構成されていることを特徴とする請求項２また
は３記載の画像読取装置。
【請求項５】少なくとも半導体層及び該半導体層の上
部に設けられた電極からなる光電変換装置と、前記電極
と外部の間で信号を入出力するための引出し配線とが絶
縁基体上に配置され、前記光電変換装置上及び前記引出
し配線上に透光性ガラスが設けられて成る画像読取装置
において、前記引出し配線の高さよりも高い、結線され
てない衝撃緩和用線を少なくとも前記透光性ガラスの端
部下に配したことを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】前記透光性ガラス端部下の前記引出し配
線において、引出し配線下の少なくとも前記半導体層を
除去することにより、前記衝撃緩和用線が引出し配線よ
りも高くなっていることを特徴とする請求項５記載の画
像読取装置。