JP2014224714A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 89
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 52
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、一方の面4a上に複数の放射線検出素子7が二次元状に配列されたセンサー基板4を備え、センサー基板4の当該面4a上の領域のうち、少なくとも二次元状に配列された複数の放射線検出素子7で構成される画素領域Ra以外の周辺領域Rbに画素領域Raから延出されている配線5等の、センサー基板4とは反対側や、配線5等とセンサー基板4の当該面4aとの間に、シールド用導電層S、S*が設けられている。
【選択図】図21
Description
一方の面上に複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサー基板を備え、
前記センサー基板の当該面上の領域のうち、少なくとも前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子で構成される画素領域以外の周辺領域に前記画素領域から延出されている配線の、前記センサー基板とは反対側、および/または前記配線と前記センサー基板の当該面との間に、シールド用導電層が設けられていることを特徴とする。
[放射線画像撮影装置の概略的な構成について]
以下、まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の概略的な構成について説明する。図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図2は、図1のX−X線に沿う断面図である。
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1におけるセンサー基板4とシンチレーター基板34との貼り合わせ構造について説明する。なお、ここでも、細かな構成は後で説明するとして、貼り合わせ構造の概略的な構成について説明する。
次に、上記のような構成を備える放射線画像撮影装置1における本実施形態に特有の構成等について説明する。また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用についてもあわせて説明する。
例えば図14に示すように、シールド用導電層Sを、画素領域Raから周辺領域Rbに延出されている走査線5等の配線上に形成されている絶縁層上に設けるように構成することが可能である。
なお、下記の各例の場合も同様であるが、シールド用導電層Sを、他の導電性の部材とは電気的に接続しないように構成することが可能である。
また、下記の各例の場合も同様であるが、シールド用導電層Sを、他の導電性の部材、特に電位が固定された電位供給手段と電気的に接続し、シールド用導電層Sに所定の電位を供給するように構成することも可能である。この場合は、シールド用導電層Sに吸収された静電気や電磁波等が電位供給手段に流れ込む等することで、静電気や電磁波等の影響が走査線5や信号線6等の配線にまで及ぶことが防止される。
この場合、入出力端子11の電極11aとシールド用導電層Sとを同じ製造工程で形成する際に、例えば図17に示すように、シールド用導電層Sの一部をセンサー基板4の端縁部方向に延設して、入出力端子11の各電極11aに並設して新たな電極11Aを形成するように構成することが可能である。
或いは、第5無機絶縁層51e上(図14参照。すなわち第5無機絶縁層51eの上面)に積層されて形成されるシールド導電層Sと新たな電極11Aとを、図17に示したようにシールド用導電層Sの一部を新たな電極11Aの方に延出させて電気的に接続する代わりに、例えば図18に示すように、より下層に形成した配線6aを介して両者を電気的に接続するように構成することも可能である。
また、図17や図18に示したように、入出力端子11の各電極11aに並設して新たな電極11Aを形成してフレキシブル回路基板12の端子と接続するように構成する代わりに、例えば図19に示すようにセンサー基板4の端縁部に新たな電極53を形成し、電極53とシールド用導電層Sとを上記と同様にして電気的に接続するように構成することも可能である。
上記の[具体例1]では、シールド用導電層Sを、周辺領域Rbに延出されている走査線5等の配線上に形成されている絶縁層上に設ける場合の例として、シールド用導電層Sを、絶縁層の最上層である第5無機絶縁層51e上に形成するように構成する場合について説明した。そして、シールド用導電層Sを、入出力端子11の電極11aと同一の材料を用いて同層に積層して形成する場合について説明した。
ところで、放射線画像撮影装置1が、図示しない放射線発生装置の間で信号等のやり取りを行わず、放射線画像撮影装置1自体で放射線発生装置からの放射線の照射が開始されたことを検出するように構成されている場合がある。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、少なくともセンサー基板4の表面4aの周辺領域Rbの、走査線5や信号線6等の配線の上方(すなわちセンサー基板4とは反対側)にシールド用導電層Sを設けた。そのため、周辺領域Rbの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層Sが静電気や電磁波等を的確に吸収して、シールド用導電層S内に拡散させたり、シールド用導電層Sに所定の電位を供給する手段に放出する。
上記の第1の実施形態では、センサー基板4の表面4aの周辺領域Rbの、走査線5や信号線6等の配線の上方(すなわちセンサー基板4とは反対側)にのみシールド用導電層Sを設ける場合について説明した。しかし、静電気や電磁波等の影響が、センサー基板4の上側、すなわちシンチレーター3側から及ぶ場合だけでなく、センサー基板4の裏面4b(図5参照)側から及ぶ場合もある。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、少なくとも周辺領域Rbのセンサー基板4の表面4aと第1無機絶縁層51a等の絶縁層との間にシールド用導電層S*を設けたため、周辺領域Rbの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層S*が静電気や電磁波等を的確に吸収して、シールド用導電層S内に拡散させたり、シールド用導電層S*に所定の電位を供給する手段に放出する。
なお、上記の第1の実施形態や第2の実施形態において、シールド用導電層S(シールド用導電層S*の場合を含む。)は、絶縁層(無機絶縁層や平坦化層等)を介して走査線5や信号線6等の配線と対向する状態になる。そのため、導電性を有するシールド用導電層Sと配線との間に絶縁層が介在するコンデンサー状の構造になるため、シールド用導電層Sと配線との間に寄生容量(浮遊容量等ともいう。)が生じる。
なお、上記のような配線や電極とシールド用導電層Sとの間の寄生容量という点から見た場合、例えば図14や図21に示したように、無機絶縁層(すなわち第1無機絶縁層51aから第5無機絶縁層51e。以下同じ)を積層して形成した上にシールド用導電層Sを積層して形成する代わりに、例えば図10(A)、(B)に示したように、接着剤60の外側の周辺領域Rbの無機絶縁層上に平坦化層50を積層して形成した上にシールド用導電層Sを積層して形成するように構成することも可能である。
3 シンチレーター
4 センサー基板
4a 面
5 走査線(配線)
6 信号線(配線)
6a 配線
7 放射線検出素子
7b 第2電極(電極)
9 バイアス線(配線)
10 結線(配線)
11 入出力端子
11a、11b 電極
50 平坦化層
51a〜51e 無機絶縁層(絶縁層)
Ra 画素領域
Rb 周辺領域
S、S* シールド用導電層
Claims (18)
- 一方の面上に複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサー基板を備え、
前記センサー基板の当該面上の領域のうち、少なくとも前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子で構成される画素領域以外の周辺領域に前記画素領域から延出されている配線の、前記センサー基板とは反対側、および/または前記配線と前記センサー基板の当該面との間に、シールド用導電層が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。 - 前記シールド用導電層は、少なくとも前記周辺領域の全域または一部の領域に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。
- 少なくとも前記周辺領域に延出されている前記配線上には絶縁層が形成されており、
前記シールド用導電層は、当該絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。 - 少なくとも前記周辺領域に延出されている前記配線と前記センサー基板の前記面とのあいだには絶縁層が形成されており、
前記シールド用導電層は、当該絶縁層と前記センサー基板の前記面との間に設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記シールド用導電層は、前記配線または電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記配線または前記電極と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記センサー基板の前記面上の前記周辺領域には、入出力端子が前記配線に接続されて設けられており、
前記シールド用導電層は、前記入出力端子上に形成される電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記電極と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項5に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記センサー基板の前記面上に形成された前記放射線検出素子上に平坦化層が積層されており、
前記シールド用導電層は、前記入出力端子上に形成される電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記周辺領域に前記電極と同層に積層されて形成されており、かつ、前記画素領域の前記平坦化層上にも一体的に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記放射線検出素子の、前記センサー基板とは反対側の電極には、当該電極に逆バイアス電圧を供給するためのバイアス線が接続されており、
前記シールド用導電層は、前記バイアス線と同じ材料で形成され、製造工程において前記バイアス線と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項5に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記シールド用導電層の一部が延設されて電極が設けられていることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層は、製造工程において当該シールド用導電層と同層の前記配線または前記電極とは別の前記配線または前記電極と同じ材料を用いて同層に積層されて形成された配線を介して電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層は、他の導電性の部材には電気的に接続されていないことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層には、所定の電位が供給されていることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層は、透明な導電性の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層は、不透明な導電性の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 照射された放射線を光に変換して前記放射線検出素子に照射するシンチレーターを備え、
前記シールド用導電層は、前記放射線検出素子と前記シンチレーターとの間には設けられないように構成されていることを特徴とする請求項14に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記シールド用導電層のうち、前記配線および/または前記放射線検出素子の直近の位置の前記シールド用導電層が取り除かれていることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シールド用導電層は、前記センサー基板の前記面上の領域のうち、前記画素領域の前記配線および前記放射線検出素子の、前記センサー基板とは反対側、および/または前記配線および前記放射線検出素子と前記センサー基板の当該面との間にも設けられていることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記センサー基板の前記面上に形成された前記放射線検出素子上に平坦化層が積層されており、
前記シールド用導電層は、当該平坦化層上に設けられていることを特徴とする請求項17に記載の放射線画像撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013103253A JP6241066B2 (ja) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | 放射線画像撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013103253A JP6241066B2 (ja) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | 放射線画像撮影装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014224714A true JP2014224714A (ja) | 2014-12-04 |
JP6241066B2 JP6241066B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=52123493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013103253A Expired - Fee Related JP6241066B2 (ja) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | 放射線画像撮影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6241066B2 (ja) |
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