JP2014224714A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気や電磁波等による外乱により、読み出される画像データＤ等にノイズが重畳されることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、一方の面４ａ上に複数の放射線検出素子７が二次元状に配列されたセンサー基板４を備え、センサー基板４の当該面４ａ上の領域のうち、少なくとも二次元状に配列された複数の放射線検出素子７で構成される画素領域Ｒａ以外の周辺領域Ｒｂに画素領域Ｒａから延出されている配線５等の、センサー基板４とは反対側や、配線５等とセンサー基板４の当該面４ａとの間に、シールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊が設けられている。
【選択図】図２１

Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、照射された放射線を画像データに変換して読み出す放射線画像撮影装置に関する。

照射されたＸ線等の放射線をシンチレーターで可視光等の他の波長の光に変換した後、変換され照射された光のエネルギーに応じてフォトダイオード等の放射線検出素子で電荷を発生させて画像データに変換する放射線画像撮影装置が種々開発されている。

このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台と一体的に形成された、いわゆる専用機型として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。

このような放射線画像撮影装置では、後述する図３等に示すように、通常、センサー基板４上にフォトダイオード等の複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて構成されている。なお、以下、この放射線検出素子７が二次元状に配列されているセンサー基板４上の領域を画素領域Ｒａといい、画素領域以外のセンサー基板上の領域を周辺領域Ｒｂという。

また、各放射線検出素子７にそれぞれスイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８が接続されており、また、センサー基板４の画素領域Ｒａには複数の走査線５や複数の信号線６等も形成されている。

そして、ＴＦＴ８は、走査線５からオン電圧が印加されるとオン状態になって放射線検出素子７内に蓄積された電荷を信号線６に放出させる。前述したようにこの電荷が画像データＤ等として読み出される。また、走査線５からオフ電圧が印加されると、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を遮断して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるように構成される。

後述する図３等に示すように、走査線５や信号線６、また、各放射線検出素子７に逆バイアス電圧を供給するバイアス線９等は、センサー基板４上で画素領域Ｒａから周辺領域Ｒｂに引き出され、周辺領域Ｒｂの端縁部付近に設けられた入出力端子１１に接続されたり、或いは、周辺領域Ｒｂに設けられた電子部品（図３では図示省略）に接続されたりするように構成される。

ところで、上記のような構成を有する放射線画像撮影装置において、センサー基板４やシンチレーター等に静電気が帯電したり、或いは、センサー基板４等を収納する放射線画像撮影装置の筐体２（後述する図１参照）内に電磁波が入り込んだりすると、その影響で、例えば上記のようにして各放射線検出素子７から読み出される画像データＤにノイズが重畳する等の問題が生じる場合がある。

例えば特許文献４〜８には、これらの静電気や電磁波等による外乱ノイズの発生を防止するための種々の技術が記載されている。

具体的には、特許文献４には、放射線検出装置等において、センサー基板の裏面からの静電気の影響を防止するために、センサー基板の、各放射線検出素子７等が形成された面とは反対側の面（すなわち裏面）にシールド用導電層を設けることが記載されている。特許文献５には、太陽電池やそれを用いた電子機器において、太陽電池が作製された基板と電子機器の駆動部との間に、電子機器の駆動部を完全に覆う形でシールド層が配置されている。

また、特許文献６には、半導体受光素子等において、受光素子上の絶縁膜の上に透光性導電膜と、その透光性導電膜に接して形成され透光性導電膜の電位をＧＮＤ電位に固定するための電極とを備えることが記載されている。特許文献７には、従来構成として、光電変換装置において、光電変換素子とＴＦＴとを有する光電変換デバイスの上にアンテナアースを形成する例が記載されている。特許文献８には、半導体モジュール等において、スイッチング素子およびセンサー素子が設けられた基板の表面を平坦化する平坦化層上に全面に帯電防止膜を設けることが記載されている。

特開平９−７３１４４号公報 特開２００６−０５８１２４号公報 特開平６−３４２０９９号公報 特開２００９−２３８８１３号公報 特開２００１−１８５７４９号公報 特開２０１３−１６７１４号公報 特許第３８０５１００号公報 特開２０１３−４６０４号公報

しかしながら、本発明者らの研究によれば、例えば放射線画像撮影装置を、上記の特許文献４〜８に記載されているように構成しても、静電気や電磁波等による外乱ノイズの発生を必ずしも的確に防止することができない場合があることが分かってきた。そして、本発明者らが研究を重ねた結果、静電気や電磁波等による外乱ノイズの発生を的確に防止することが可能な対処法を見出すことができた。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、静電気や電磁波等による外乱により、読み出される画像データＤ等にノイズが重畳されることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
一方の面上に複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサー基板を備え、
前記センサー基板の当該面上の領域のうち、少なくとも前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子で構成される画素領域以外の周辺領域に前記画素領域から延出されている配線の、前記センサー基板とは反対側、および／または前記配線と前記センサー基板の当該面との間に、シールド用導電層が設けられていることを特徴とする。

本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、少なくともセンサー基板表面の周辺領域の、走査線や信号線等の配線のセンサー基板とは反対側や、配線とセンサー基板表面との間にシールド用導電層を設けたため、周辺領域の部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層が静電気や電磁波等を的確に吸収する。

そのため、シールド用導電層の下側や上側に延出されている走査線や信号線等の配線に静電気や電磁波等の影響が及ぶことを的確に防止することが可能となる。そのため、周辺領域に延出されている走査線等の配線が静電気や電磁波等の影響を受けてしまい、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。 図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 放射線画像撮影装置のセンサー基板の構成を示す平面図である。 図３のセンサー基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。 フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板等が取り付けられたセンサー基板を説明する側面図である。 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 画素領域を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。 放射線画像撮影装置のセンサーパネルの断面図である。 平坦化層が接着剤を越えて外側にはみ出すように形成されたセンサーパネルの断面図である。 （Ａ）接着剤の外側に平坦化層を別途形成するように構成した場合、および（Ｂ）接着剤下の所定の領域の平坦化層を除去するように構成した場合を示す図である。 少なくともセンサー基板表面の周辺領域に設けられたシールド用導電層を表す図である。 センサー基板の入出力端子等が設けられていない部分でシールド用導電層を必要な部分にのみ設けるように構成した場合を表す図である。 センサー基板の入出力端子等が設けられていない部分でシールド用導電層をセンサー基板の端部まで設けるように構成した場合を表す図である。 図１１におけるＺ−Ｚ線に沿う断面図であり、シールド用導電層を周辺領域に延出されている配線上に形成されている絶縁層上に設ける場合を表す図である。 図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図であり、シールド用導電層を平坦化層上に設ける場合を表す図である。 ホールを形成してシールド用導電層とバイアス線等とを電気的に接続する場合を表す図である。 シールド用導電層の一部とセンサー基板の端縁部方向に延設して入出力端子の各電極に並設して新たな電極を形成する場合を表す図である。 シールド用導電層と入出力端子の各電極に並設して形成した新たな電極とを配線やホールを介して電気的に接続する場合を表す図である。 センサー基板の端縁部に形勢した新たな電極とシールド用導電層とを電気的に接続する場合を表す図である。 シールド用導電層をバイアス線と同層に形成する場合に、放射線検出素子とシンチレーターとの間にはシールド用導電層を設けないことを表す図である。 図１１におけるＺ−Ｚ線に沿う断面図であり、シールド用導電層を周辺領域に延出されている配線とセンサー基板表面との間に設ける場合を表す図である。 シールド用導電層をセンサー基板の少なくとも周辺領域の全域に設けることが可能であることを説明する図である。 図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図であり、シールド用導電層をセンサー基板の表面上に設ける場合を表す図である。 シールド用導電層のうち信号線の直近の位置のシールド用導電層を取り除く場合を表す図である。 シールド用導電層のうち走査線と信号線とが交差する部分の直近の位置のシールド用導電層を取り除く場合を表す図である。

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

なお、以下では、放射線画像撮影装置が、放射線検出素子等が筐体内に収納された可搬型（カセッテ型等ともいう。）の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、支持台と一体的に形成された専用機型（固定型等ともいう。）の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。

［第１の実施の形態］
［放射線画像撮影装置の概略的な構成について］
以下、まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の概略的な構成について説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。

なお、以下では、放射線画像撮影装置１を、図１に示すように放射線入射面Ｒが上側になるように水平面上に載置した状態における上下、左右方向に基づいて説明する。また、以下の各図における放射線画像撮影装置１の各部材等の相対的な大きさや長さ等は、必ずしも現実の放射線画像撮影装置の構成を反映するものではない。

放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレーター３やセンサー基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて形成されている。

本実施形態では、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状の筐体本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されており、筐体本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。また、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクター３９、バッテリー状態や放射線画像撮影装置１の作動状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケーター４０等が配置されている。

また、図示を省略するが、例えば筐体２の反対側の蓋部材２Ｃ等に、アンテナ装置４１（後述する図６参照）が例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれる等して設けられており、本実施形態では、このアンテナ装置４１が、放射線画像撮影装置１と外部装置との間で信号等の無線方式で送受信する場合の通信手段として機能するようになっている。

図２に示すように、筐体２内には、基台３１が配置されており、基台３１の放射線入射面Ｒ側に図示しない鉛の薄板等を介してセンサー基板４が設けられている。そして、センサー基板４の放射線入射面Ｒ側には、照射された放射線を可視光等の光に変換するシンチレーター３が設けられたシンチレーター基板３４が配置されている。

そして、シンチレーター３がセンサー基板４側に対向する状態でセンサー基板４とシンチレーター基板３４とが貼り合わされている。なお、センサー基板４の積層構造等の細かい点については後で詳しく説明する。

また、基台３１の反対面側には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３やバッテリー２４等が取り付けられている。このようにして、基台３１やセンサー基板４等でセンサーパネルＳＰが形成されている。また、本実施形態では、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。

本実施形態では、シンチレーター３は、センサー基板４の後述する画素領域Ｒａ（下記の図３参照）に対向する位置に設けられるようになっている。本実施形態では、シンチレーター３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした光に変換して出力するものが用いられる。

また、本実施形態では、センサー基板４はガラス基板で構成されており、図３に示すように、センサー基板４のシンチレーター３（図２参照）に対向する側の面（以下、表面という。）４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。また、複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。

そして、前述したように、センサー基板４の表面４ａ上の領域のうち、センサー基板４上に複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて構成されている領域（すなわち図３において一点鎖線で囲まれた領域）が画素領域Ｒａを構成し、画素領域Ｒａの周囲の画素領域Ｒａ以外のセンサー基板４上の領域（すなわち図３において一点鎖線の外側の領域）が周辺領域Ｒｂを構成している。

本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも、例えばフォトトランジスター等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３やその拡大図である図４に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。

放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレーター３で放射線から変換された可視光等の光が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（本実施形態ではシンチレーター３で放射線から変換された光）を電荷に変換するようになっている。

そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂ（後述する図６参照）から走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させる。また、ＴＦＴ８は、走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。

また、本実施形態では、図３や図４に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されている。また、図３に示すように、各バイアス線９は、センサー基板４の周辺領域Ｒｂで結線１０に接続されている。

一方、本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれセンサー基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子１１（パッド等ともいう。）に接続されている。

各入出力端子１１には、図５に示すように、後述する読み出しＩＣ１６や走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂを構成するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板（Chip On Film等ともいう。）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。

そして、フレキシブル回路基板１２は、センサー基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが形成されている。なお、入出力端子１１等の詳しい構成等について後で説明する。また、図５では、電子部品３２等の図示が省略されている。

ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図６は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図７は画素領域Ｒａを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。

前述したように、センサー基板４の画素領域Ｒａ内の各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９が接続された結線１０はバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれ逆バイアス電圧を印加するようになっている。

また、各放射線検出素子７の第１電極７ａは、ＴＦＴ８のソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して信号線６に接続されている。また、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇは、走査線５に接続されている。

走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバー１５ｂにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバー１５ｂとを備えている。

図６や図７に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図６や図７中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図７中では、アナログマルチプレクサー２１は省略されている。

本実施形態では、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサー１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えたチャージアンプ回路で構成されている。

増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ_０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ_０は適宜の値に設定され、０［Ｖ］（すなわちＧＮＤ電位）に設定することも可能であり、０［Ｖ］以外の電位に設定することも可能である。

各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際には、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから走査線５にオン電圧が印加され、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出されると、電荷が増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積される。そして、増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力される。

相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９は、各放射線検出素子７から電荷が流出する前の時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持し、また、上記のように各放射線検出素子７から流出した電荷が増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積された後の時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。そして、相関二重サンプリング回路１９は、それらの電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データＤとして下流側に出力する。

相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データＤは、アナログマルチプレクサー２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データＤに変換されて記憶手段２３に出力されて順次保存される。

そして、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂからオン電圧を印加する走査線５を順次切り替えながら、上記のようにして各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤが読み出され、記憶手段２３に順次保存されるように構成されている。

制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。

制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図６等に示すように、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。

そして、制御手段２２は、走査駆動手段１５や読み出し回路１７等を制御して上記のようにして画像データＤの読み出し処理等を行わせるなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するようになっている。

また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、走査駆動手段１５や読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリー２４が接続されている。

［基板の貼り合わせについて］
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１におけるセンサー基板４とシンチレーター基板３４との貼り合わせ構造について説明する。なお、ここでも、細かな構成は後で説明するとして、貼り合わせ構造の概略的な構成について説明する。

図８に示すように、センサー基板４上に形成された放射線検出素子７や図８では図示を省略した走査線５や信号線６等の配線等による凹凸を平坦化するために、センサー基板４の放射線検出素子７等の上にアクリル系の樹脂等からなる平坦化層５０が形成されている。

また、シンチレーター３は、蛍光体３ａの柱状結晶で構成されており、シンチレーター３がシンチレーター基板３４に貼着されて固定されるようになっている。なお、シンチレーター３は、蛍光体３ａが柱状結晶で構成されているものに限らず、例えば、シンチレーター基板３４等にペースト状の蛍光体３ａを塗布して硬化させるタイプ等の他のタイプのシンチレーターであってもよい。

そして、図８に示すように、センサー基板４上の放射線検出素子７や平坦化層５０と、シンチレーター基板３４上のシンチレーター３とが対向する状態になるように、センサー基板４とシンチレーター基板３４とが貼り合わされるようになっている。

その際、平坦化層５０の上面とシンチレーター３の蛍光体３ａの柱状結晶の先端Ｐａとを接着剤等で接着するように構成することも可能であるが、本実施形態では、平坦化層５０とシンチレーター３とを接着せず、シンチレーター３や放射線検出素子７等の周囲の部分に接着剤６０を配置してセンサー基板４とシンチレーター基板３４とを貼り合わせるようになっている。

また、本実施形態では、センサー基板４とシンチレーター基板３４と接着剤６０とで囲まれた内部空間Ｃが外気圧より減圧された状態でセンサー基板４とシンチレーター基板３４とが貼り合わされるようになっている。このように構成することで、外気圧でセンサー基板４とシンチレーター基板３４とが互いに接近する方向に押圧されるため、センサー基板４上の平坦化層５０の上面と、シンチレーター基板３４上のシンチレーター３の蛍光体３ａの先端Ｐａとが当接する状態が維持されるようになっている。

なお、図８では図示を省略したが、外気圧によってセンサー基板４とシンチレーター基板３４とが接近し過ぎることを防止するために、例えば接着剤６０中に適切な外径を有するスペーサー等を配置するように構成することも可能である。

また、本実施形態では、図８に示すように、センサー基板４上の無機材料からなる絶縁層５１は接着剤６０を越えて外側にはみ出すように構成されるが、前述したアクリル系の樹脂等の有機材料で形成された平坦化層５０は、接着剤６０を越えて外側にはみ出さないように形成されている。

すなわち、例えば図９に示すように、有機材料で形成された平坦化層５０が接着剤６０を越えて外側にはみ出すように形成すると、アクリル系の樹脂等で形成された平坦化層５０内を通って、外気中の水分が内部空間Ｃに入り込んでしまう虞れがある。特に、上記のように内部空間Ｃが外気圧より減圧された状態である場合には、この平坦化層５０を介した水分の流入がより生じ易くなる。

そして、このように外気中の水分が内部空間Ｃ内に流入すると、内部空間Ｃ内の空気が湿気を帯びるようになり、シンチレーター３の蛍光体３ａが潮解し易くなる。そして、シンチレーター３の蛍光体３ａが潮解すると、シンチレーター３が所定の機能を果たさなくなってしまったり、溶け出したハロゲンを含む成分等によって配線が腐食する等の問題が生じ得る。

そこで、本実施形態では、このような問題が生じることを防止するために、図８に示したように、アクリル系の樹脂等で形成された平坦化層５０は、接着剤６０を越えて外側にはみ出さないように形成されている。

このように構成すれば、平坦化層５０の水平方向の上面や端面５０ａ（図８参照）が接着剤６０によって被覆される状態になるため、平坦化層５０の上面や端面５０ａと外気との接触が接着剤６０により的確に遮断される。そのため、外気中の水分が平坦化層５０を介して内部空間Ｃに流入することを的確に防止することが可能となり、上記のような問題が発生することを的確に防止することが可能となる。

なお、以下では、平坦化層５０等が図８に示したように構成されている場合について説明するが（後述する図１４や図２１参照）、これ以外にも、例えば、図１０（Ａ）に示すように、接着剤６０の外側に平坦化層５０を別途形成するように構成してもよく、また、図１０（Ｂ）に示すように、接着剤６０下の所定の領域の平坦化層５０を除去するように構成することも可能である。

図１０（Ａ）や図１０（Ｂ）に示したように構成して接着剤６０の外側にも平坦化層５０を形成するように構成しても、外気中の水分が内部空間Ｃに流入することを的確に防止することが可能となる。

［本実施形態に係る放射線画像撮影装置に特有の構成等について］
次に、上記のような構成を備える放射線画像撮影装置１における本実施形態に特有の構成等について説明する。また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用についてもあわせて説明する。

前述したように、本発明者らの研究によれば、例えば前述した特許文献４〜８に記載されている静電気や電磁波等による外乱ノイズの発生を防止するための各構成を上記の放射線画像撮影装置１に適用しても、読み出される画像データＤに対する静電気や電磁波等による外乱ノイズの発生を必ずしも的確に防止することができない場合がある。

そして、本発明者らが研究を重ねた結果、例えば特許文献４〜８に記載されているように放射線画像撮影装置１のセンサー基板４の画素領域Ｒａ（図３等参照）にシールド用導電層を設ける等しても、シールド用導電層が設けられていない周辺領域Ｒｂで、配線（すなわち走査線５、信号線６、バイアス線９やその結線１０等）が静電気や電磁波等の影響を受けてしまう。その結果、読み出される画像データＤに対する静電気や電磁波等による外乱ノイズを的確に排除できなくなることが分かった。

そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、例えば図１１に示すように、センサー基板４の表面４ａ上の領域のうち、少なくとも周辺領域Ｒｂにおいて、画素領域Ｒａから周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５や信号線６、バイアス線９等の配線の、センサー基板４とは反対側（すなわち放射線画像撮影装置１を図１に示したように配置する場合には配線の上側）に、絶縁層を介してシールド用導電層Ｓが設けられるようになっている。シールド用導電層Ｓは、少なくとも導電性の材料で形成される。

なお、図１１においても、また、以下の説明においても、主に、シールド用導電層Ｓを周辺領域Ｒｂだけでなく画素領域Ｒａにも設ける場合について説明される。しかし、本発明において、シールド用導電層Ｓを画素領域Ｒａに設けることは必須の要件ではなく、周辺領域Ｒｂに設けられることが必須の要件となる。

また、センサー基板４に入出力端子１１等が設けられていない部分がある場合には、例えば図１２に示すように、シールド用導電層Ｓを、周辺領域Ｒｂの必要な部分にのみ設けるように構成することも可能であり、また、例えば図１３に示すように、シールド用導電層Ｓを、センサー基板４の端部まで設けるように構成することも可能である。

以下、配線のセンサー基板４とは反対側（すなわち配線の上側）にシールド用導電層Ｓを設ける場合に、シールド用導電層Ｓを設ける位置やその形成方法等を含めて、シールド用導電層Ｓについて、いくつか具体例を挙げて説明する。

［具体例１］
例えば図１４に示すように、シールド用導電層Ｓを、画素領域Ｒａから周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線上に形成されている絶縁層上に設けるように構成することが可能である。

なお、図１４は、図１１におけるＺ−Ｚ線に沿う断面図であり、延出する配線が走査線５等である場合が示されているが、延出する配線が信号線６等である場合（すなわち図１１におけるＺ−Ｚ線に直交する方向の断面図を考えた場合）も同様に説明される。

このように構成すれば、周辺領域Ｒｂの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、静電気や電磁波等はシールド用導電層Ｓに吸収されてしまい、シールド用導電層Ｓ内に拡散したり、或いは、シールド用導電層Ｓを介してシールド用導電層Ｓに所定の電位を供給する後述する電位供給手段に流れ込むようになる。

そのため、シールド用導電層Ｓの下側に延出されている走査線５や信号線６等の配線にまで静電気や電磁波等が及ぶことが防止される。そのため、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線が静電気や電磁波等の影響を受けてしまい、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

ところで、この場合、図１４に示すように、シールド用導電層Ｓを画素領域Ｒａ側にも設けることが可能である。そして、例えば、センサー基板４の表面４ａ上の放射線検出素子７等の上に形成された平坦化層５０上にシールド用導電層Ｓを設けるように構成することが可能である。

このように構成すれば、周辺領域Ｒｂのみならず画素領域Ｒａの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層Ｓが静電気や電磁波等を的確に吸収するようになる。そのため、画素領域Ｒａに配置されている走査線５や信号線６等の配線や放射線検出素子７等が静電気や電磁波等の影響を受けてしまい、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

また、図１４に示すように、周辺領域Ｒｂにおけるシールド用導電層Ｓと画素領域Ｒａにおけるシールド用導電層Ｓを一体的に形成することも可能である。

さらに、周辺領域Ｒｂにおけるシールド用導電層Ｓと画素領域Ｒａにおけるシールド用導電層Ｓを一体的に形成する場合も含め、少なくとも、周辺領域Ｒｂにおけるシールド用導電層Ｓを、入出力端子１１上に形成される電極１１ａと、同じ材料で形成し、製造工程において電極１１ａと同層に積層して形成するように構成することも可能である。

以下、この点について説明する。この場合、周辺領域Ｒｂのみならず、放射線検出素子７やＴＦＴ８等のセンサー基板４上の積層構造やその製造工程の知識が必要になるため、まず、それらについて説明する。図１５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。

センサー基板４の積層構造の製造工程においては、図１４や図１５に示すように、まず、センサー基板４の表面４ａ上に無機材料からなる第１無機絶縁層５１ａを積層して形成する。なお、本実施形態では、この第１無機絶縁層５１ａを含む以下の各無機絶縁層は窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等の窒化膜や酸化膜等で形成されている。

続いて、第１無機絶縁層５１ａ上にＡｌやＣｒ等からなる走査線５を積層して形成する。なお、以下の積層工程では改めて説明しないが、エッチング等によって不要な部分が除去される等の適宜の処理が積層工程の中で行われる。すなわち、以下において、「積層工程」や「積層して形成」という場合、その工程等にはエッチング等の必要な処理が含まれる。

図１４に示すように、走査線５は、画素領域Ｒａから周辺領域Ｒｂに延出され、後述する入出力端子１１の電極１１ａが形成されるセンサー基板４の端縁部まで延設されるように形成される。なお、図４や図１５等に示すように、本実施形態では、ＴＦＴ８が形成される部分で走査線５が水平方向に突出されて、ＴＦＴ８のゲート８ｇが走査線５と一体的に形成されるようになっている。

続いて、走査線５（ＴＦＴ８のゲート電極８ｇを含む。）上や第１無機絶縁層５１ａ上に第２無機絶縁層５１ｂを積層して形成する。図１５に示すように、この第２無機絶縁層５１ｂは、ＴＦＴ８の部分ではゲート電極８ｇとソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとを絶縁する、いわゆるゲート絶縁層となる。

ＴＦＴ８の部分では、この第２無機絶縁層５１ｂ上に半導体層８１やオーミックコンタクト層８２ａ、８２ｂをそれぞれ積層し、ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとを各オーミックコンタクト層８２ａ、８２ｂとそれぞれ接続するように積層して形成する。

なお、本実施形態では、図４に示すように、信号線６とＴＦＴ８のドレイン電極８ｄとが一体的に形成されるようになっており、ＴＦＴ８のソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを積層して形成する工程で、信号線６（図４や図１４参照）も第２無機絶縁層５１ｂ上に同一の材料を用いて同層に積層して形成するようになっている。

また、上記の走査線５の形成の場合と同様に、この工程で、信号線６も画素領域Ｒａから周辺領域Ｒｂに延出され、入出力端子１１が形成されるセンサー基板４の端縁部まで延設されるように形成して（図３等参照）、下記と同様にして入出力端子１１が形成される。

続いて、図１４や図１５に示すように、上記のようにして形成された信号線６上やＴＦＴ８のソース電極８ｓ、ドレイン電極８ｄ上、或いは第２無機絶縁層５１ｂ上に、第３無機絶縁層５１ｃを積層して形成する。図１５に示すように、この第３無機絶縁層５１ｃは、ＴＦＴ８のソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとを分割する役割をも担っている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成される。

そして、図１５に示すように、ＴＦＴ８のソース電極８ｓ上に形成した第３無機絶縁層５１ｃを貫通するホールＨ１を形成し、ソース電極８ｓを露出させる。また、図１４に示すように、センサー基板４の端縁部まで延設した走査線５上に形成された第２無機絶縁層５１ｂと第３無機絶縁層５１ｃを貫通するホールＨ２を形成し、走査線５を露出させる。

そして、ホールＨ１、Ｈ２が形成された第３無機絶縁層５１ｃ上にＡｌやＣｒ、Ｍｏ等を積層して、前述した放射線検出素子７の第１電極７ａ（図１５参照）や、走査線５と入出力端子１１とを接続する第１接続片１１ｂ（図１４参照）を形成する。すなわち、本実施形態では、放射線検出素子７の第１電極７ａと第１接続片１１ｂとを同一の工程で同一の材料を用いて同層に積層して形成するようになっている。

なお、この工程で、放射線検出素子７の第１電極７ａとＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図１５参照）、および第１接続片１１ｂと走査線５（図１４参照）は、それぞれホールＨ１、Ｈ２を介して電気的に接続される。

続いて、図１５に示すように、放射線検出素子７の第１電極７ａの上に、例えば水素化アモルファスシリコンや有機光電変換材料等にVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７１、水素化アモルファスシリコン等で形成された変換層であるｉ層７２、水素化アモルファスシリコン等にIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７３を下方から順に積層して形成する。

そして、ｐ層７３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極からなる放射線検出素子７の第２電極７ｂを積層して形成する。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されるようになっている。

なお、ｎ層７１、ｉ層７２、ｐ層７３の積層の順番は上下逆であってもよい。また、図１５では、放射線検出素子７として、上記のようにｎ層７１、ｉ層７２、ｐ層７３の順に積層されて形成される、いわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合を示したが、これに限定されない。

続いて、図１４や図１５に示すように、このようにして形成された第３無機絶縁層５１ｃ上や放射線検出素子７の側壁部分等に、第４無機絶縁層５１ｄを積層して形成する。なお、下記のように、放射線検出素子７の第２電極７ｂ上にバイアス線９を配置する必要があるため、本実施形態では、第４無機絶縁層５１ｄは、放射線検出素子７の第２電極７ｂ上には形成されず、或いは形成された後で除去される。

続いて、第４無機絶縁層５１ｄ上に、例えばアクリル系の樹脂等の有機材料からなる有機絶縁層５２を積層して形成する。上記のように、第４無機絶縁層５１ｄが放射線検出素子７の第２電極７ｂ上には形成されていないため、有機絶縁層５２も放射線検出素子７の第２電極７ｂ上には形成されず、走査線５や信号線６、ＴＦＴ８等の上方にのみ形成されるようになっている。

そして、図１４に示すように、センサー基板４の端縁部の入出力端子１１が形成される位置に積層された第４無機絶縁層５１ｄを貫通するホールＨ３を形成し、前述した第１接続片１１ｂを露出させる。

そして、図１５に示すように、放射線検出素子７の第２電極７ｂ上にＡｌ等を積層してバイアス線９を形成する。なお、図１５では図示されていないが、バイアス線９は、放射線検出素子７の第２電極７ｂ上から有機絶縁層５２上に連続するように積層され、図４等に示したように、列状に配置された複数の放射線検出素子７の各第２電極７ｂを接続するように形成される。

なお、結線１０も同時に形成され、図３に示したように、結線１０がセンサー基板４の端縁部まで延設されるように形成されて、下記と同様にして入出力端子１１が形成される。

また、バイアス線９を形成する工程と同じ工程で、ホールＨ３（図１４参照）が形成された第４無機絶縁層５１ｄ上にバイアス線９を構成する材料と同じＡｌ等の材料を積層して、第２接続片１１ｃを形成する。すなわち、本実施形態では、バイアス線９と第２接続片１１ｃとが同一の工程で同一の材料を用いて同層に積層されて形成されるようになっている。なお、この工程で、第２接続片１１ｃと第１接続片１１ｂとがホールＨ３を介して電気的に接続される。

続いて、図１４や図１５に示すように、バイアス線９や放射線検出素子７の第２電極７ｂ、有機絶縁層５２、第４無機絶縁層５１ｄ、第２接続片１１ｃ上に、第５無機絶縁層５１ｅを積層して形成する。そして、第５無機絶縁層５１ｅ上にアクリル系の樹脂等の有機材料を積層して、前述した平坦化層５０を形成する。

また、図１４に示すように、センサー基板４の端縁部の入出力端子１１が形成される位置に積層された第５無機絶縁層５１ｅを貫通するホールＨ４を形成し、前述した第２接続片１１ｃを露出させる。続いて、ホールＨ４が形成された第５無機絶縁層５１ｅ上に導電性の材料を積層して入出力端子１１の電極１１ａ（図３や図１１等参照）を形成する。

この工程で、入出力端子１１の電極１１ａと第２接続片１１ｃとがホールＨ４を介して電気的に接続される。そして、その結果、図３の場合には、入出力端子１１の電極１１ａと走査線５とが、第１接続片１１ｂと第２接続片１１ｃとを介して電気的に接続されるようになっている。

入出力端子１１の電極１１ａを例えばＡｌ等の金属材料で形成することも可能である。しかし、電極１１ａをこのように形成すると、電極１１ａの表面にアルミナ等の導電性を有しない酸化物が生じる可能性があり、この酸化物が介在するために、入出力端子１１の電極１１ａとフレキシブル回路基板１２（図５参照）の図示しない各端子との電気的な接続に不具合が生じる虞れがある。

そこで、本実施形態では、入出力端子１１の電極１１ａは、化学的に安定しているＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の導電性酸化物材料で形成されるようになっている。

なお、図示を省略するが、信号線６やバイアス線９の結線１０等の場合も、周辺領域Ｒｂでは、図１４の走査線５の場合と同様にして、積層される各無機絶縁層の間に、画素領域Ｒａ等で積層される配線や電極と同層に導電層である接続片が積層され、それらが電気的に接続されることで、信号線６やバイアス線９の結線１０等と、それらに対応する入出力端子１１の電極１１ａとが電気的に接続されるように構成される。

上記のように、入出力端子１１の電極１１ａは、少なくとも周辺領域Ｒｂでは、センサー基板４の表面４ａ上に積層された各無機絶縁層５１ａ〜５１ｅの最表層に積層されて形成される。

そこで、例えば図１４に示すように、この入出力端子１１の電極１１ａを第５無機絶縁層５１ｅ上に積層して形成する際に、周辺領域Ｒｂにおける第５無機絶縁層５１ｅ上にも同じ導電性の材料を同層に積層することで、周辺領域Ｒｂにシールド用導電層Ｓを形成することができる。

そして、このように構成することで、例えば図１４に示すように、シールド用導電層Ｓを、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線上に形成されている絶縁層上（具体的には各無機絶縁層５１ｂ〜５１ｅ上）に的確に設けるように構成することが可能となる。

また、入出力端子１１の電極１１ａを第５無機絶縁層５１ｅ上に積層して形成する際に、周辺領域Ｒｂの第５無機絶縁層５１ｅ上にも同じ導電性の材料を同層に積層してシールド用導電層Ｓを形成する際に、図１４や図１５に示すように、シールド用導電層Ｓを、さらに画素領域Ｒａにまで延設し、画素領域Ｒａの平坦化層５０上にも積層するように構成することが可能である。

このように構成することで、入出力端子１１の電極１１ａを第５無機絶縁層５１ｅ上に積層して形成する際に、周辺領域Ｒｂや画素領域Ｒａの第５無機絶縁層５１ｅ上や平坦化層５０上にも同じ導電性の材料を同層に積層してシールド用導電層Ｓを一体的に形成することが可能となる。

また、前述したように、本実施形態では、入出力端子１１の電極１１ａはＩＴＯやＩＺＯ等の導電性酸化物材料を用いて形成される。そして、よく知られているように、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電性酸化物材料は透明である。そのため、上記のように構成すると、図１５等に示すように、平坦化層５０の表面に透明な導電性酸化物材料からなるシールド用導電層Ｓが形成されることになり、シンチレーター３（図１５では図示省略）から照射される光が透明なシールド用導電層Ｓを透過して放射線検出素子７に的確に入射されるようになる。

すなわち、本実施形態のように、入出力端子１１の電極１１ａをＩＴＯやＩＺＯ等の導電性酸化物材料を用いて形成することで、平坦化層５０上に積層されて形成されるシールド用導電層Ｓを透明な層とすることが可能となり、シールド用導電層Ｓによってシンチレーター３から放射線検出素子７への光の照射が阻害されることを的確に防止することが可能となる。

以上のように構成することで、前述したように、周辺領域Ｒｂの部分、或いは周辺領域Ｒｂと画素領域Ｒａの部分に、静電気や電磁波等の影響が及んでも、静電気や電磁波等がシールド用導電層Ｓに吸収されてシールド用導電層Ｓ内に拡散したり後述する電位供給手段に流れ込む。そのため、静電気や電磁波等の影響が走査線５や信号線６等の配線にまで及ぶことが防止されるため、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

また、それとともに、シールド用導電層Ｓを、入出力端子１１の電極１１ａと同じ材料で形成し、かつ、上記のように製造工程において電極１１ａと同層に積層して形成するように構成することが可能となるため、放射線画像撮影装置１のセンサー基板４上に走査線５等の配線や放射線検出素子７、各種の絶縁層等を積層して形成し、その上に入出力端子１１の電極１１ａ等を積層して形成する従来からの製造工程を、新たな積層工程等を追加することなく、そのまま用いることが可能となる。

すなわち、入出力端子１１の電極１１ａの積層工程において、電極１１ａを構成する材料を、電極１１ａを形成するセンサー基板４の端縁部だけでなく周辺領域Ｒｂや画素領域Ｒａまで範囲を拡げて積層することで、シールド用導電層Ｓを形成することが可能となる。

そのため、上記の製造方法を採用すれば、新たな製造工程を設けることなく従来の製造工程の中でシールド用導電層Ｓを形成することが可能となるため、シールド用導電層Ｓを形成するために放射線画像撮影装置１の製造工程が煩雑化することを的確に防止することが可能となる。シールド用導電層Ｓを同じプロセスで容易に積層して形成することが可能となる。

また、既に確立された放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰの製造工程をそのまま用いてシールド用導電層Ｓを積層して形成することが可能となる。そのため、上記の製造方法を採用することで、シールド用導電層Ｓを的確に積層して形成することが可能となるといったメリットがある。

［変形例１］
なお、下記の各例の場合も同様であるが、シールド用導電層Ｓを、他の導電性の部材とは電気的に接続しないように構成することが可能である。

この場合、シールド用導電層Ｓの電位は、いわゆるフローティングの状態になる。そして、シールド用導電層Ｓに吸収された静電気や電磁波等は、シールド用導電層Ｓ内に拡散された状態になる。そのため、この場合は、シールド用導電層Ｓは、吸収した静電気や電磁波等を一箇所に集中させないようにすることで、静電気や電磁波等の影響が走査線５や信号線６等の配線にまで及ぶことを防止するように機能する。

［変形例２］
また、下記の各例の場合も同様であるが、シールド用導電層Ｓを、他の導電性の部材、特に電位が固定された電位供給手段と電気的に接続し、シールド用導電層Ｓに所定の電位を供給するように構成することも可能である。この場合は、シールド用導電層Ｓに吸収された静電気や電磁波等が電位供給手段に流れ込む等することで、静電気や電磁波等の影響が走査線５や信号線６等の配線にまで及ぶことが防止される。

電位供給手段として、例えばバイアス電源１４（図６や図７参照）を用いるように構成することが可能である。すなわち、シールド用導電層Ｓとバイアス線９やその結線１０とを電気的に接続するように構成することが可能である。この場合は、シールド用導電層Ｓには前述した逆バイアス電圧が印加される状態になる。

そして、この場合、シールド用導電層Ｓを積層する前に、例えば図１６に示すように、バイアス線９やその結線１０（図１６の場合は結線１０）が配線されている位置にホールＨ５を形成して結線１０等を露出させる。本実施形態では、上記のようにバイアス線９や結線１０上には第５無機絶縁層５１ｅが積層されているだけであるから、ホールＨ５を容易に形成することができる。

そして、ホールＨ５が形成された第５無機絶縁層５１ｅ上に、例えば前述したＩＴＯやＩＺＯ等の導電性酸化物材料を入出力端子１１の電極１１ａを形成すると同時にシールド用導電層Ｓを形成すると、シールド用導電層Ｓとバイアス線９や結線１０とがホールＨ５を介して電気的に接続される。

このようにして、シールド用導電層Ｓとバイアス線９や結線１０とを容易かつ的確に電気的に接続して、シールド用導電層Ｓに的確に逆バイアス電圧を供給することが可能となる。

一方、シールド用導電層Ｓに、例えば基準電位Ｖ_０（図７参照）を供給するように構成することも可能である。この場合、電位供給手段は、各読み出し回路１７の増幅回路１８のオペアンプ１８ａの非反転入力端子に基準電位Ｖ_０を印加する図示しない電源回路ということになる。また、シールド用導電層Ｓに、例えば放射線画像撮影装置１のＧＮＤ電位を供給するように構成することも可能である。

［シールド用導電層Ｓに所定の電位を供給するための電極を形成する方法１］
この場合、入出力端子１１の電極１１ａとシールド用導電層Ｓとを同じ製造工程で形成する際に、例えば図１７に示すように、シールド用導電層Ｓの一部をセンサー基板４の端縁部方向に延設して、入出力端子１１の各電極１１ａに並設して新たな電極１１Ａを形成するように構成することが可能である。

［方法２］
或いは、第５無機絶縁層５１ｅ上（図１４参照。すなわち第５無機絶縁層５１ｅの上面）に積層されて形成されるシールド導電層Ｓと新たな電極１１Ａとを、図１７に示したようにシールド用導電層Ｓの一部を新たな電極１１Ａの方に延出させて電気的に接続する代わりに、例えば図１８に示すように、より下層に形成した配線６ａを介して両者を電気的に接続するように構成することも可能である。

すなわち、断面図等の図示を省略するが、この場合、例えば、信号線６等の形成工程で第２無機絶縁層５１ｂ等の上面に信号線６等を積層して形成する際に、同時に、配線６ａを同層に積層して形成しておく。そして、図１４に示した場合と同様に、配線６ａの上方に各無機絶縁層５１ｃ〜５１ｅや各接続片１１ｂ、１１ｃを積層していく。その際、配線６ａと各接続片１１ｂ、１１ｃとが各ホールを介して電気的に接続されるように構成する。

なお、配線６ａと第１接続片１１ｂとを電気的に接続するためのホールは、図１４のホールＨ２の場合とは異なり、第３無機絶縁層５１ｃのみを貫通するように構成される。この場合、第３無機絶縁層５１ｃのみを貫通するようにホールを設ければ、配線６ａが露出し、配線６ａと第１接続片１１ｂとがホールを介して電気的に接続されるためである。

そして、最上層の第５無機絶縁層５１ｅに図１４のホールＨ４と同様のホールを形成して第２接続片１１ｃを露出させる。そして、第５無機絶縁層５１ｅ上にＩＴＯ等の導電性材料を積層して新たな電極１１Ａを形成することで、ホールを介して新たな電極１１Ａが第２接続片１１ｃと電気的に接続される。そのため、結局、新たな電極１１Ａと配線６ａとが各接続片１１ｂ、１１ｃを介して電気的に接続される。

一方、上記のようにして新たな電極１１Ａと電気的に接続された配線６ａの端部とは反対側の端部（図１８参照）とシールド用導電層Ｓとを電気的に接続するために、上記のように最上層の第５無機絶縁層５１ｅに図１４のホールＨ４と同様のホールを形成する時点で、同時に、図１８に示すように、配線６ａの当該反対側の端部の部分に、その上方に積層された各無機絶縁層を貫通するホールＨ６を形成して配線６ａを露出させる。

そして、上記のように第５無機絶縁層５１ｅ上にＩＴＯ等の導電性材料を積層してシールド用導電層Ｓを形成することで、ホールＨ６を介してシールド用導電層Ｓと配線６ａとが電気的に接続される。

このように構成することで、配線６ａがホールＨ６を介してシールド用導電層Ｓと電気的に接続され、また、上記のように配線６ａは、各接続片１１ｂ、１１ｃを介して新たな電極１１Ａと電気的に接続される。そのため、結局、配線６ａを介して入出力端子１１の新たな電極１１Ａとシールド用導電層Ｓとを電気的に接続することが可能となる。

なお、シールド用導電層と配線６ａの電気的接続の方法に関しては、上記のようにホールＨ６を形成して接続する代わりに、例えば、上記の電極１１Ａにおける接続方法、すなわち、接続片１１ｂ、１１ｃを介した接続方法を採用することも可能である。

以上のようにして、図１８に示すように、例えば配線６ａを介して入出力端子１１の新たな電極１１Ａとシールド用導電層Ｓとを電気的に接続するように構成することも可能である。なお、このように構成する場合、配線６ａ上に積層する各無機絶縁層や各接続片は、図１４に示した各無機絶縁層や各接続片と同層に積層されて形成される。

そして、図１７や図１８のように構成すれば、新たな電極１１Ａを含む入出力端子１１の各電極１１ａにフレキシブル回路基板１２の各端子を接続することで、フレキシブル回路基板１２を介して新たな電極１１Ａからシールド用導電層Ｓに基準電位Ｖ_０やＧＮＤ電位等の所定の電位を供給することが可能となる。

［方法３］
また、図１７や図１８に示したように、入出力端子１１の各電極１１ａに並設して新たな電極１１Ａを形成してフレキシブル回路基板１２の端子と接続するように構成する代わりに、例えば図１９に示すようにセンサー基板４の端縁部に新たな電極５３を形成し、電極５３とシールド用導電層Ｓとを上記と同様にして電気的に接続するように構成することも可能である。

そして、この場合は、フレキシブル回路基板１２以外の方法、すなわち例えば電極５３に他の配線を接続したり、電極５３と物理的に接触する導電部材を設けたり、或いはセンサー基板４の電極５３の部分に図示しないホールを形成する等の方法で、電極５３を介してシールド用導電層Ｓに基準電位Ｖ_０やＧＮＤ電位等の所定の電位を供給するように構成することも可能である。

以上のように構成することで、前述したように、シールド用導電層Ｓに吸収された静電気や電磁波等が、シールド用導電層Ｓに所定の電位を供給する電位供給手段に流れ込む等するため、静電気や電磁波等の影響が走査線５や信号線６等の配線にまで及ぶことを的確に防止することが可能となる。

なお、シールド用導電層Ｓに所定の電位を供給するように構成する場合、シールド用導電層Ｓに供給する電位は、上記で例示した逆バイアス電圧や基準電位Ｖ_０、ＧＮＤ電位以外の電位であってもよいことは改めて説明するまでもなく、適宜の電位に設定することが可能である。

［具体例２］
上記の［具体例１］では、シールド用導電層Ｓを、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線上に形成されている絶縁層上に設ける場合の例として、シールド用導電層Ｓを、絶縁層の最上層である第５無機絶縁層５１ｅ上に形成するように構成する場合について説明した。そして、シールド用導電層Ｓを、入出力端子１１の電極１１ａと同一の材料を用いて同層に積層して形成する場合について説明した。

しかし、これ以外にも、例えば、バイアス線９やその結線１０と同一の材料を用いて同層に積層してシールド用導電層Ｓを形成しても、シールド用導電層Ｓを、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線上に形成されている絶縁層上に設けることができる。そこで、以下、このようにしてシールド用導電層Ｓを形成する場合について説明する。

前述したように、第４無機絶縁層５１ｄ（図１４や図１５参照）が積層されて形成されると、第４無機絶縁層５１ｄ上に有機絶縁層５２が積層されて形成される。そして、図１４に示したように、第４無機絶縁層５１ｄを貫通するホールＨ３が形成され、第１接続片１１ｂを露出させる。

そして、第５無機絶縁層５１ｅが積層されて形成される前に、放射線検出素子７の第２電極７ｂ上や第４無機絶縁層５１ｄ上にＡｌ等が積層されて、バイアス線９（図１５参照）や第２接続片１１ｃ（図１４参照）等が形成されるが、その際に、同時に、同じ材料で同層にシールド用導電層Ｓを形成するように構成することが可能である。

シールド用導電層Ｓは、例えば図１１に示したように、センサー基板４の周辺領域Ｒｂに形成することが可能である。なお、上記の積層構造を用いてシールド用導電層Ｓを形成する場合、シールド用導電層Ｓは、この場合、図１４に示したように第５無機絶縁層５１ｅ上ではなく、第４無機絶縁層５１ｄと第５無機絶縁層５１ｅとの間に積層されて形成される形になる。

また、この場合も、シールド用導電層Ｓを、画素領域Ｒａ側にも、例えば周辺領域Ｒｂに形成したシールド用導電層Ｓと一体的に設けることが可能である。

しかし、この場合、シールド用導電層Ｓは、上記のようにＡｌ等の金属、すなわち不透明な導電性の材料が用いられて形成される。そのため、シールド用導電層Ｓを放射線検出素子７の上方（すなわちシンチレーター３側）に設けると、上記の［具体例１］の場合とは異なり、シンチレーター３からの光がシールド用導電層Ｓに遮蔽されてしまい、放射線検出素子７に届かなくなる。

そのため、この［具体例２］において画素領域Ｒａにシールド用導電層Ｓを形成する場合には、例えば図２０の斜線を付して示す部分に記載されているように、シールド用導電層Ｓが、放射線検出素子７とシンチレーター３（図２０では図示省略）との間には設けられないように構成されている。

すなわち、この場合、シールド用導電層Ｓは、放射線検出素子７の上方（すなわちシンチレーター３側）以外の、走査線５や信号線６、ＴＦＴ８等の上に積層されて形成された有機絶縁層５２（図１４や図１５参照）上に積層されて形成されるように構成される。なお、この場合も、バイアス線９やシールド用導電層Ｓを構成する材料を、放射線検出素子７や有機絶縁層５２上に、一旦、一面に積層して形成しておき、放射線検出素子７上の部分からシールド用導電層Ｓを除去するようにして形成することが可能である。

なお、前述したように、シールド用導電層Ｓを他の導電性の部材とは電気的に接続させずに、シールド用導電層Ｓの電位をフローティングの状態にして用いる場合や、シールド用導電層Ｓに、逆バイアス電圧以外の電位を供給する場合には、バイアス線９との短絡を防止するために、図２０に示したように、シールド用導電層Ｓとバイアス線９とが隔離されるように構成される。

また、図示を省略するが、この場合、バイアス線９が接続される結線１０（図１１参照）も、バイアス線９やシールド用導電層Ｓと同じ材料で同層に積層されて形成されるが、結線１０とシールド用導電層Ｓの間も隔離されるように構成される。

さらに、シールド用導電層Ｓに逆バイアス電圧を供給して使用する場合には、図２０に示したようにシールド用導電層Ｓとバイアス線９とを隔離せずに、両者を一体的に形成することが可能である。また、この場合、結線１０とシールド用導電層Ｓを隔離せずに一体的に形成することも可能である。すなわち、この場合、結線１０を形成せずに、周辺領域Ｒｂに形成されたシールド用導電層Ｓがバイアス線９の結線１０としても機能する状態になる。

［変形例３］
ところで、放射線画像撮影装置１が、図示しない放射線発生装置の間で信号等のやり取りを行わず、放射線画像撮影装置１自体で放射線発生装置からの放射線の照射が開始されたことを検出するように構成されている場合がある。

例えば、本願出願人が先に提出した国際出願第２０１１／１３５９１７号パンフレット等に記載されているように、放射線画像撮影装置１で、ゲートドライバー１５ｂ（図６参照）から各走査線５にオフ電圧を印加した状態で、放射線が照射される前から各読み出し回路１７に読み出し動作を行わせて、リークデータｄleakの読み出し処理を繰り返し行わせる。

このように構成すると、オフ状態になっている各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑが増幅回路１８のコンデンサー１８ｂ（図７参照）に蓄積される。すなわち、増幅回路１８のコンデンサー１８ｂには、当該増幅回路１８が接続されている信号線６に接続されている各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークした電荷ｑの合計値が蓄積される。

この状態で読み出し回路１７で読み出し動作を行うと、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの出力側からは、各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークした電荷ｑの合計値に応じた電圧値が出力される。そのため、各ＴＦＴ８を介してリークした電荷ｑの合計値に相当するデータが読み出される。このようにして読み出されたデータがリークデータｄleakである。

そして、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されて、照射された放射線がシンチレーター３で光に変換されてＴＦＴ８に照射されると、各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑの量が増加する。そのため、読み出されるリークデータｄleakも増加するため、例えば閾値ｄleak_thを設定しておき、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_th以上になった時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することができる。

放射線画像撮影装置１を、例えば上記のように構成する場合、図２０に示したようにＴＦＴ８の上方に、すなわちＴＦＴ８とシンチレーター３との間に、例えばＡｌ等の金属等からなる不透明なシールド用導電層Ｓが形成されていると、シールド用導電層Ｓによってシンチレーター３からＴＦＴ８に照射される光が遮蔽されてしまい、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射開始を検出することができなくなる。

そこで、放射線画像撮影装置１が上記のようにして放射線の照射開始を検出するように構成されている場合には、シールド用導電層Ｓは、放射線検出素子７の上方だけでなく、ＴＦＴ８の上方（すなわちシンチレーター３との間）にも設けられないように構成される。

［効果］
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、少なくともセンサー基板４の表面４ａの周辺領域Ｒｂの、走査線５や信号線６等の配線の上方（すなわちセンサー基板４とは反対側）にシールド用導電層Ｓを設けた。そのため、周辺領域Ｒｂの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層Ｓが静電気や電磁波等を的確に吸収して、シールド用導電層Ｓ内に拡散させたり、シールド用導電層Ｓに所定の電位を供給する手段に放出する。

そのため、シールド用導電層Ｓの下側に延出されている走査線５や信号線６等の配線に静電気や電磁波等の影響が及ぶことを的確に防止することが可能となる。そのため、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線が静電気や電磁波等の影響を受けてしまい、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

［第２の実施の形態］
上記の第１の実施形態では、センサー基板４の表面４ａの周辺領域Ｒｂの、走査線５や信号線６等の配線の上方（すなわちセンサー基板４とは反対側）にのみシールド用導電層Ｓを設ける場合について説明した。しかし、静電気や電磁波等の影響が、センサー基板４の上側、すなわちシンチレーター３側から及ぶ場合だけでなく、センサー基板４の裏面４ｂ（図５参照）側から及ぶ場合もある。

そこで、第２の実施形態では、センサー基板４の裏面４ｂ側から静電気や電磁波等の影響が及ぶことを防止するために、センサー基板４の周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５や信号線６等の配線とセンサー基板４の表面４ａとの間にシールド用導電層Ｓ^＊を設ける場合について説明する。

なお、以下では、シールド用導電層Ｓ^＊と同時に、第１の実施形態で説明した、センサー基板４の周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５や信号線６等の配線の上方にもシールド用導電層Ｓを設ける場合（特に入出力端子１１の電極１１ａと同層に形成する場合）について説明するが、シールド用導電層Ｓを設けず、配線とセンサー基板４の表面４ａとの間にシールド用導電層Ｓ^＊のみを設けるように構成することも可能である。

また、以下では、第１の実施形態で説明した部材等には第１の実施形態で付した符号と同じ符号を付して説明する。

本実施形態では、例えば図２１に示すように、上記のセンサー基板４の積層構造の製造工程において、センサー基板４の表面４ａ上に第１無機絶縁層５１ａを積層して形成する前に、センサー基板４の表面４ａ上に導電性の材料を積層してシールド用導電層Ｓ^＊を形成する。そして、その上に無機材料を積層して第１無機絶縁層５１ａを形成するように構成される。

そのため、本実施形態では、走査線５や信号線６等の配線とセンサー基板４の表面４ａとの間には、少なくとも第１無機絶縁層５１ａが形成されるが、シールド用導電層Ｓ^＊は、この第１無機絶縁層５１ａとセンサー基板４の表面４ａとの間に設けられるようになっている。

また、第１の実施形態の場合には、入出力端子１１の電極１１ａ等が形成されるため、例えば図１１等に示したように、シールド用導電層Ｓをセンサー基板４の周辺領域Ｒｂの全域に設けることができない場合がある。しかし、本実施形態では、シールド用導電層Ｓ^＊を形成する際に邪魔になる構造物が存在しないため、例えば図２１や図２２に示すように、シールド用導電層Ｓ^＊をセンサー基板４の少なくとも周辺領域Ｒｂの全域に設けることができる。

なお、シールド用導電層Ｓ^＊を周辺領域Ｒｂの一部の領域にのみ設けるように構成することも可能である。また、図２２では、シールド用導電層Ｓの図示が省略されている。さらに、図２２では、シールド用導電層Ｓ^＊を画素領域Ｒａにも設ける場合が示されている。

そして、このようにシールド用導電層Ｓ^＊を画素領域Ｒａにも設ける場合、図２３に示すように、シールド用導電層Ｓ^＊は、シンチレーター３（図２３では図示省略。シンチレーター３は放射線検出素子７やＴＦＴ８等の上方に形成されている。）から見ると放射線検出素子７より遠い位置に形成されるため、シールド用導電層Ｓ^＊がシンチレーター３から放射線検出素子７に照射される光を遮蔽することはない。

そのため、シールド用導電層Ｓ^＊を必ずしも透明な導電性の材料で形成する必要はない。しかし、シールド用導電層Ｓ^＊を透明な導電性の材料で形成することも可能であり、本実施形態の場合は、材料を適宜選択してシールド用導電層Ｓ^＊を形成することが可能である。

そして、第１の実施形態の場合と同様に、本実施形態においても、シールド用導電層Ｓ^＊を他の導電性の部材と電気的に接続しないように構成し、シールド用導電層Ｓ^＊の電位をフローティングの状態とするように構成することも可能であり、また、シールド用導電層Ｓ^＊に所定の電位を供給するように構成することも可能である。

シールド用導電層Ｓ^＊を設ける場合、本実施形態のように、シールド用導電層Ｓ^＊を第１無機絶縁層５１ａとセンサー基板４の表面４ａとの間（図２１や図２３参照）に設ける代わりに、センサー基板４の裏面４ｂ（図５参照）に設けるように構成することが考えられる。

しかし、このようにシールド用導電層Ｓ^＊をセンサー基板４の裏面４ｂに設けると、シールド用導電層Ｓ^＊と走査線５や信号線６等の配線の間にセンサー基板４等が介在する状態になり、シールド用導電層Ｓ^＊と配線が離れた状態になる。そのため、例えばセンサー基板４の表面４ａ等に静電気が発生する等した場合に、センサー基板４の裏面４ｂ側に設けられたシールド用導電層Ｓ^＊で静電気を吸収することができなくなる等の問題が生じる場合がある。

それに対し、本実施形態のように、シールド用導電層Ｓ^＊を第１無機絶縁層５１ａとセンサー基板４の表面４ａとの間に設けることで、センサー基板４の表面４ａ等の配線の近傍で静電気が発生したり配線の近傍に電磁波が入り込んだとしても、シールド用導電層Ｓ^＊でそれらを的確に吸収して除去することが可能となる。

なお、本実施形態においても、シールド用導電層Ｓ^＊を第１無機絶縁層５１ａとセンサー基板４の表面４ａとの間（図２１や図２３参照）に設けるように構成したうえで、それとあわせて、センサー基板４の裏面４ｂに導電性の層を設けるように構成することは可能である。

［効果］
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、少なくとも周辺領域Ｒｂのセンサー基板４の表面４ａと第１無機絶縁層５１ａ等の絶縁層との間にシールド用導電層Ｓ^＊を設けたため、周辺領域Ｒｂの部分に静電気や電磁波等の影響が及んでも、シールド用導電層Ｓ^＊が静電気や電磁波等を的確に吸収して、シールド用導電層Ｓ内に拡散させたり、シールド用導電層Ｓ^＊に所定の電位を供給する手段に放出する。

そのため、シールド用導電層Ｓ^＊の上側に延出されている走査線５や信号線６等の配線に静電気や電磁波等の影響が及ぶことを的確に防止することが可能となる。そのため、周辺領域Ｒｂに延出されている走査線５等の配線が静電気や電磁波等の影響を受けてしまい、読み出される画像データＤ等に静電気や電磁波等による外乱ノイズが重畳されてしまうことを的確に防止することが可能となる。

［変形例４］
なお、上記の第１の実施形態や第２の実施形態において、シールド用導電層Ｓ（シールド用導電層Ｓ^＊の場合を含む。）は、絶縁層（無機絶縁層や平坦化層等）を介して走査線５や信号線６等の配線と対向する状態になる。そのため、導電性を有するシールド用導電層Ｓと配線との間に絶縁層が介在するコンデンサー状の構造になるため、シールド用導電層Ｓと配線との間に寄生容量（浮遊容量等ともいう。）が生じる。

そして、発生した寄生容量のために、例えば信号線６等の配線等の電位や配線中を流れる電流等に影響が及ぶ等して、読み出される画像データＤが異常な値になったりノイズが重畳する等し、或いは、各機能部が設計通りの挙動を示さなくなったり不十分な挙動しか示せなくなるなど、種々の不具合が生じる原因となる可能性が生じる。

そこで、このような寄生容量が問題となる可能性があるような場合には、シールド用導電層Ｓやシールド用導電層Ｓ^＊を、例えば図２４や図２５に示すように形成することが可能である。なお、図２４や図２５では、放射線検出素子７やＴＦＴ８、バイアス線９等の図示が省略されている。

すなわち、例えば図２４に示すように、シールド用導電層Ｓやシールド用導電層Ｓ^＊のうち、信号線６の直近の位置のシールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊を取り除くように構成することが可能である。また、例えば図２５に示すように、シールド用導電層Ｓやシールド用導電層Ｓ^＊のうち、走査線５と信号線６とが交差する部分の直近の位置のシールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊を取り除くように構成することも可能である。

このように構成すれば、信号線６等の配線とシールド用導電層Ｓやシールド用導電層Ｓ^＊との間に生じる寄生容量を小さくすることが可能となり、寄生容量のために信号線６等の配線等に影響が及ぶことを防止することが可能となる。

なお、図２４や図２５では、寄生容量を介して信号線６や走査線５に影響が及ばないようにするための構成を示したが、図示を省略するが、同様にして、各放射線検出素子７の直近の位置のシールド用導電層Ｓやシールド用導電層Ｓを取り除くように構成することも可能である。このように構成すれば、寄生容量を介して各放射線検出素子７に影響が及ばないようにすることが可能となる。

なお、例えば、図２４のように構成した場合でも、シールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊を取り除いて形成された空隙のピッチが電磁波の波長よりも十分に小さければ、シールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊は電磁波を吸収して除去する電磁シールドとして十分に機能する。

また、図２４や図２５では、画素領域Ｒａの部分のシールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊を取り除く場合について示したが、周辺領域Ｒｂにおいて、シールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊のうち信号線６や走査線５等の配線の直近の位置のシールド用導電層Ｓ、Ｓ^＊を取り除くように構成することも可能である。

さらに、上記と同様にして、入出力端子１１の電極１１ａ（図１１等参照）とシールド用導電層Ｓとの間にも寄生容量が生じ得る。この場合、シールド用導電層Ｓをできるだけ拡げた方がシールド用導電層Ｓによるシールド性能は向上するが、その分、入出力端子１１の電極１１ａとの距離が近くなり、両者の間に生じる寄生容量が大きくなる。

そこで、入出力端子１１の電極１１ａとシールド用導電層Ｓとの間の距離は、両者の間に生じる寄生容量の大きさや、シールド用導電層Ｓのシールド性能等の兼ね合いで決められる。

［変形例５］
なお、上記のような配線や電極とシールド用導電層Ｓとの間の寄生容量という点から見た場合、例えば図１４や図２１に示したように、無機絶縁層（すなわち第１無機絶縁層５１ａから第５無機絶縁層５１ｅ。以下同じ）を積層して形成した上にシールド用導電層Ｓを積層して形成する代わりに、例えば図１０（Ａ）、（Ｂ）に示したように、接着剤６０の外側の周辺領域Ｒｂの無機絶縁層上に平坦化層５０を積層して形成した上にシールド用導電層Ｓを積層して形成するように構成することも可能である。

このように構成すれば、走査線５や信号線６、バイアス線９やその結線１０等の配線等とシールド用導電層Ｓとの距離が、図１４や図２１に示した場合よりも平坦化層５０の厚さ分だけ長くなるため、シールド用導電層Ｓと配線等との間に形成される寄生容量が小さくなる。

そのため、例えば図１０（Ａ）、（Ｂ）に示したように接着剤６０の外側の周辺領域Ｒｂの無機絶縁層上に平坦化層５０を積層して形成し、その上にシールド用導電層Ｓを積層して形成するように構成することで、寄生容量を介してシールド用導電層Ｓから信号線６等の配線等に影響が及ぶ度合いをより低減することが可能となる。

なお、本発明が上記の実施形態や変形例等に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更可能であることは言うまでもない。

１ 放射線画像撮影装置
３ シンチレーター
４ センサー基板
４ａ 面
５ 走査線（配線）
６ 信号線（配線）
６ａ 配線
７ 放射線検出素子
７ｂ 第２電極（電極）
９ バイアス線（配線）
１０ 結線（配線）
１１ 入出力端子
１１ａ、１１ｂ 電極
５０ 平坦化層
５１ａ〜５１ｅ 無機絶縁層（絶縁層）
Ｒａ 画素領域
Ｒｂ 周辺領域
Ｓ、Ｓ^＊ シールド用導電層

Claims (18)

1. 一方の面上に複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサー基板を備え、
   前記センサー基板の当該面上の領域のうち、少なくとも前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子で構成される画素領域以外の周辺領域に前記画素領域から延出されている配線の、前記センサー基板とは反対側、および／または前記配線と前記センサー基板の当該面との間に、シールド用導電層が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
2. 前記シールド用導電層は、少なくとも前記周辺領域の全域または一部の領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
3. 少なくとも前記周辺領域に延出されている前記配線上には絶縁層が形成されており、
   前記シールド用導電層は、当該絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 少なくとも前記周辺領域に延出されている前記配線と前記センサー基板の前記面とのあいだには絶縁層が形成されており、
   前記シールド用導電層は、当該絶縁層と前記センサー基板の前記面との間に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
5. 前記シールド用導電層は、前記配線または電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記配線または前記電極と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
6. 前記センサー基板の前記面上の前記周辺領域には、入出力端子が前記配線に接続されて設けられており、
   前記シールド用導電層は、前記入出力端子上に形成される電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記電極と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
7. 前記センサー基板の前記面上に形成された前記放射線検出素子上に平坦化層が積層されており、
   前記シールド用導電層は、前記入出力端子上に形成される電極と同じ材料で形成され、製造工程において前記周辺領域に前記電極と同層に積層されて形成されており、かつ、前記画素領域の前記平坦化層上にも一体的に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
8. 前記放射線検出素子の、前記センサー基板とは反対側の電極には、当該電極に逆バイアス電圧を供給するためのバイアス線が接続されており、
   前記シールド用導電層は、前記バイアス線と同じ材料で形成され、製造工程において前記バイアス線と同層に積層されて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
9. 前記シールド用導電層の一部が延設されて電極が設けられていることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
10. 前記シールド用導電層は、製造工程において当該シールド用導電層と同層の前記配線または前記電極とは別の前記配線または前記電極と同じ材料を用いて同層に積層されて形成された配線を介して電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
11. 前記シールド用導電層は、他の導電性の部材には電気的に接続されていないことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
12. 前記シールド用導電層には、所定の電位が供給されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
13. 前記シールド用導電層は、透明な導電性の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
14. 前記シールド用導電層は、不透明な導電性の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
15. 照射された放射線を光に変換して前記放射線検出素子に照射するシンチレーターを備え、
    前記シールド用導電層は、前記放射線検出素子と前記シンチレーターとの間には設けられないように構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。
16. 前記シールド用導電層のうち、前記配線および／または前記放射線検出素子の直近の位置の前記シールド用導電層が取り除かれていることを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
17. 前記シールド用導電層は、前記センサー基板の前記面上の領域のうち、前記画素領域の前記配線および前記放射線検出素子の、前記センサー基板とは反対側、および／または前記配線および前記放射線検出素子と前記センサー基板の当該面との間にも設けられていることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
18. 前記センサー基板の前記面上に形成された前記放射線検出素子上に平坦化層が積層されており、
    前記シールド用導電層は、当該平坦化層上に設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の放射線画像撮影装置。

Images