JP2003046075A - Ｘ線平面検出器 - Google Patents

Ｘ線平面検出器

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JP2003046075A JP2002117602A JP2002117602A JP2003046075A JP 2003046075 A JP2003046075 A JP 2003046075A JP 2002117602 A JP2002117602 A JP 2002117602A JP 2002117602 A JP2002117602 A JP 2002117602A JP 2003046075 A JP2003046075 A JP 2003046075A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低ノイズで高画質な画像を取得可能なＸ線平
面検出器を提供すること。 【解決手段】 Ｘ線を検出する複数の有効画素と有効画
素領域の周辺に配置されＸ線に依存しない電気信号を発
生する複数のダミー画素とから成る検出手段と、各画素
から電気信号を読み出す信号線２６と、各画素を走査す
るための走査線２７と、信号線２６に帯電する静電気を
分散させる第１の静電気用配線２９１と、走査線２７に
帯電する静電気を分散させる第２の静電気用配線と、を
具備するＸ線平面検出器である。複数のダミー画素は、
信号線２６に重畳するノイズを除去するためのダミー画
素Ａ領域と走査線２７に重畳するノイズを除去するため
のダミー画素Ｂ領域に分割されており、第１の静電気用
配線２９１及び第２の静電気用配線２９１は検出手段の
外形に沿って設けられダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ
領域との間で物理的に切断されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線診断システム
に使用されるＸ線平面検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線平面検出器とは、被験者の体内を透
過したＸ線の強弱を濃淡画像として表示するＸ線診断シ
ステムに使用されるＸ線検出器である。このＸ線平面検
出器は、従来から利用されてきたＩ．Ｉ．（イメージイ
ンテンシファイア）及びイメージングプレートに置き換
わるものとして、近年製品化されつつある。Ｘ線平面検
出器は、入射したＸ線の変換方式により直接変換方式と
間接変換方式とに分類することができる。それぞれの方
式によるＸ線の検出、読み出しの構成は次の様である。
【０００３】直線変換方式では、入射したＸ線は光電変
換膜によって電子正孔対に変換される。変換された電子
正孔対は、電荷として外部から印加される高電界により
格子状に配列された画素電極まで運ばれ、画素電極に蓄
積される。蓄積された電荷は、スイッチング素子（ＴＦ
Ｔ）の制御（走査線をＯＦＦ電位からＯＮ電位に駆動す
る）により、信号線を介し電気信号として積分アンプに
順次読み出される。読み出された信号はＡ／Ｄ変換によ
り画像データとなり、後続の処理系統へと出力される。
【０００４】一方、間接変換方式では、入射したＸ線は
蛍光体によって一旦光に変換され、当該光は光電変換膜
によって電子正孔対に変換される。発生した電荷は、外
部から印加される高電界により格子状に配列された画素
電極まで運ばれる。画素電極まで運ばれた電荷は、直接
変換方式と同様に処理され、画像データが生成される。
【０００５】一般に、このＸ線平面検出器は、診断画像
データを収集するための有効画素の他に、当該有効画素
が検出する信号からノイズ成分を取り除くための画素群
を有している。この画素群を構成する各画素はダミー画
素と呼ばれる。このダミー画素は、信号線と容量（寄生
容量）を形成している走査線の電位が変化するとき、そ
の電位変化に依存した電荷が信号線に流れ込むことで発
生するノイズ成分を除去するために使用される。また、
各ダミー画素上には、高電界の印可によって生じる絶縁
破壊を防止するための保護電極が設けられる。
【０００６】ところで、ダミー画素上に設けられた上記
保護電極は、ダミー画素に接続された信号線或いは走査
線と容量を形成する。従って、ダミー画素を駆動させる
と、保護電極の電位が面内で分布し不安定になる。この
保護電極の不安定性は、ダミー画素の信号線に伝わり、
信号線にノイズ成分として重畳する。一方、有効画素領
域では、保護電極による不安定性による影響を受けな
い。このため、Ｘ線を入れないときの有効画素とダミー
画素の出力値に差が生じ、この差は、ＡＤ変換器の出力
範囲のなかで、オフセットとなることがある。
【０００７】また、Ｘ線平面検出器は、スイッチング素
子アレイ（ＴＦＴアレイ）製造工程での静電気対策用の
配線を有している（以下、この静電気対策としての配線
を「ＬＣ配線」と称する）。このＬＣ配線は、Ｘ線平面
検出器の使用においては不要となるが、通常では取り除
くことなくそのままとされる。しかしながら、ＬＣ配線
は、ダミー画素を駆動する走査線→ダミー画素に接続さ
れたコンポーネント（例えば、高インピーダンスをもつ
デバイス）→ＬＣ配線→有効画素に接続されたコンポー
ネント（例えば、高インピーダンスをもつデバイス）→
有効画素を駆動する走査線という導電経路が形成してし
まう。従って、実際のＸ線検出においてダミー画素を駆
動する場合、当該導電経路により各有効画素の各走査線
の電位にダミー画素の走査線電位のゆらぎによる成分が
重畳し、ノイズが増すことがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ノイズが少
ない高画質なＸ線診断画像を取得可能なＸ線平面検出器
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次のような手段を講じている。
【００１０】本発明の第１の側面は、複数の画素電極が
マトリクス状に配置され、電荷を蓄積する有効画素アレ
イと、前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基
づいて電荷を発生する光電導体と、前記光導電体の第２
の面に設けられ、前記画素電極領域を被覆し、前記光導
電体と前記画素電極との間にバイアス電圧を印加するバ
イアス電極と、前記有効画素アレイから電子信号を読み
出すための複数の信号線と、前記有効画素アレイを走査
するための複数の走査線と、前記有効画素アレイの周囲
に配置され、前記複数の信号線に重畳するノイズを除去
する第１のダミー画素と、前記有効画素アレイの周囲に
配置され、前記複数の走査線に重畳するノイズを除去す
る第２のダミー画素と、前記第１のダミー画素に対応し
て設けられ、前記バイアス電極と前記複数の信号線又は
前記複数の走査線との間を電気的に遮蔽する第１の保護
電極と、前記第２のダミー画素に対応して設けられ、前
記バイアス電極と前記複数の信号線又は前記複数の走査
線との間を電気的に遮蔽する第２の保護電極とを具備す
るＸ線平面検出器である。
【００１１】本発明の第２の側面は、複数の画素電極が
マトリクス状に配置され、電荷を蓄積する有効画素アレ
イと、前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基
づいて電荷を発生する光電導体と、前記光導電体の第２
の面に設けられ、前記画素電極領域を被覆し、前記光導
電体と前記画素電極との間にバイアス電圧を印加するバ
イアス電極と、前記有効画素アレイから電子信号を読み
出すための複数の信号線と、前記有効画素アレイを走査
するための複数の走査線と、前記バイアス電極と前記複
数の信号線又は前記複数の走査線との間を電気的に遮蔽
する保護電極と、前記保護電極の周囲に配置され、前記
複数の信号線に重畳するノイズを除去する第１のダミー
画素と、前記保護電極の周囲に配置され、前記複数の走
査線に重畳するノイズを除去する第２のダミー画素とを
具備するＸ線平面検出器である。
【００１２】本発明の第３の側面は、複数の画素電極が
マトリクス状に配置され、電荷を蓄積する有効画素アレ
イと、前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基
づいて電荷を発生する光電導体と、前記有効画素アレイ
から電子信号を読み出すための複数の第１の信号線と、
前記有効画素アレイを走査するための複数の第１の走査
線と、前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つ
の線と前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つ
の線とに、直接又は非線型素子を介在して接続され、前
記複数の第１の信号線又は前記複数の第１の走査線のう
ちの少なくとも一つの線に帯電する静電気を分散させる
静電気分配用配線とを具備し、前記静電気分配用配線
は、前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つの
線との接続部と前記複数の第１の走査線のうちの少なく
とも一つの線との接続部との間において、当該配線を切
断するための第１の補助配線を有するＸ線平面検出器で
ある。
【００１３】本発明の第４の側面は、複数の画素電極が
マトリクス状に配置され、電荷を蓄積する有効画素アレ
イと、前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基
づいて電荷を発生する光電導体と、前記有効画素アレイ
から電子信号を読み出すための複数の第１の信号線と、
前記有効画素アレイを走査するための複数の第１の走査
線と、前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つ
の線と前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つ
の線とに、直接又は非線型素子を介在して接続され、前
記複数の第１の信号線又は前記複数の第１の走査線のう
ちの少なくとも一つの線に帯電する静電気を分散させる
静電気分配用配線と、前記複数の信号線に重畳するノイ
ズを除去する第１のダミー画素と、前記複数の走査線に
重畳するノイズを除去する第２のダミー画素と、前記第
１のダミー画素から電子信号を読み出すための複数の第
２の信号線と、前記第２のダミー画素を走査するための
第２の走査線とを具備し、前記静電気分配用配線は、前
記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つの線及び
前記複数の第２の信号線の少なくとも一つとに接続され
た第１の配線と、前記複数の第１の走査線のうちの少な
くとも一つに接続された第２の配線と、前記複数の第２
の走査線のうちの少なくとも一つに接続された第３の配
線とを有するＸ線平面検出器である。
【００１４】このような構成によれば、ノイズが少ない
高画質なＸ線診断画像を取得可能なＸ線平面検出器を実
現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態〜第
３実施形態を図面に従って説明する。なお、以下の説明
において、略同一の機能及び構成を有する構成要素につ
いては、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ
行う。
【００１６】（第１の実施形態）まず、本発明の実施形
態に係るＸ線平面検出器の概略構成を、図１を参照しな
がら説明する。図１は、本実施形態に係るＸ線平面検出
器１２の概略構成を説明するための図である。
【００１７】Ｘ線平面検出器１２は、入射したＸ線を検
出するＸ線センサ素子１６、ゲート走査線駆動回路１
８、積分アンプ回路２０、マルチプレクサ２２、Ａ／Ｄ
変換器２４を有している。
【００１８】Ｘ線センサ素子１６は、マトリックス状に
配列され入射したＸ線を電荷情報に変換する複数の光電
変換膜（図示せず）と、画素毎に設けられ各光電変換膜
からの電荷を収集する画素電極と、画素電極によって集
められた電荷を蓄積する複数のコンデンサと、ゲート走
査線駆動回路１８からの制御信号に基づいて各コンデン
サに蓄積された電荷を電気信号として読み出すスイッチ
ング素子（例えば、ＴＦＴ：薄膜トランジスタ等）と、
を有している。Ｘ線センサ素子１６は二次元マトリック
ス状に複数配列されており、センサ素子アレイを形成し
ている。各センサ素子１６は、後述するように有効画
素、ダミー画素Ａ（以下、「ＤＡ」と称する）、ダミー
画素Ｂ（以下、「ＤＢ」と称する）に分類される（図２
参照）。
【００１９】ゲート走査線駆動回路１８は、ゲート走査
線２７を介してＸ線センサ素子１６の各スイッチング素
子のゲート端子に電気的に接続されている。ゲート走査
線駆動回路１８は、各スイッチング素子のゲート端子に
制御信号を供給することで、ゲート走査線２７毎のスイ
ッチング素子群のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。なお、ゲー
ト走査線駆動回路１８は、各走査線に接続され保護電極
への電位供給機能を持つ走査線駆動ＩＣを有する構成で
あってもよい。また、図１においてはゲート走査線駆動
回路１８を一辺にのみ配置した構成を示しているが、当
該ゲート走査線駆動回路１８をセンサ素子アレイを挟ん
だ両側に設けて、両側から各スイッチング素子へ駆動信
号を供給する構成であってもよい。
【００２０】積分アンプ回路２０は、Ｘ線センサ素子１
６から信号線２６を介して所定のタイミングによって列
単位で読み出された同一列の画素毎の電気信号を増幅す
る。
【００２１】マルチプレクサ２２は、積分アンプ２０に
よって増幅された信号を順次選択し、後続のＡ／Ｄ変換
器２４に送り出す。
【００２２】Ａ／Ｄ変換器２４は、マルチプレクサ２２
から入力したアナログ信号をディジタル信号へと変換す
る。
【００２３】なお、図１においては積分アンプ回路２
０、マルチプレクサ２２を一辺にのみ配置した構成を示
しているが、積分アンプ回路２０、マルチプレクサ２２
をセンサ素子アレイを挟んだ両側に設けて、両側からセ
ンサ素子の検出信号を読み出す構成であってもよい。
【００２４】次に、本Ｘ線平面検出器１２が有する有効
画素、ダミー画素Ａ（ＤＡ）、ダミー画素Ｂ（ＤＢ）に
ついて、図２を参照しながら説明する。
【００２５】図２は、Ｘ線センサ素子１６を有効画素、
ダミー画素Ａ（ＤＡ）、ダミー画素Ｂ（ＤＢ）に分類し
た場合に、各画素によって形成される画素領域を示した
図である。各画素が分布する領域をそれぞれ有効画素領
域、ダミー画素Ａ領域、ダミー画素Ｂ領域と称する。な
お、上述した通り、各画素領域を構成する各画素は、セ
ンサ素子１６によって構成されている。
【００２６】有効画素とは、入射したＸ線を検出するた
めの画素である。Ｘ線診断画像は、当該画素が検出した
Ｘ線に基づいて生成される。
【００２７】ＤＡは、ゲート走査線駆動回路１８が走査
線２７の電位を変化させる場合に、信号線２６に流れ込
み有効画素の検出信号に重畳するノイズ（ＮＡ）をキャ
ンセルさせるために、図２に示すように有効画素領域の
列方向（信号線に平行な方向）上下に配置される画素で
ある。このＤＡは、Ｘ線に基づく電荷情報を蓄積しない
構造（例えば、光電変換膜とコンデンサとが電気的に接
続されていない、或いはその表面（Ｘ線入射側）がシー
ルドで覆われている等）となっている。従って、ＴＦＴ
をＯＦＦからＯＮにする場合に当該ＤＡから検出される
電荷は、ノイズ（ＮＡ）のみを取り出したものとなる。
このＤＡを利用した有効画素からのノイズ（ＮＡ）の除
去は、有効画素の走査線を駆動するときに、ＤＡの走査
線を有効領域の走査線と逆相に駆動して、有効画素と逆
符号のノイズ（ＮＡ）を発生させ、検出信号に重畳した
ノイズ（ＮＡ）をキャンセルさせることで実行される。
【００２８】ＤＢは、定常状態にある走査線２７の電位
のゆらぎによって発生し有効画素の検出信号に重畳する
ノイズ（ＮＢ）を除去するために、図２に示すように有
効画素領域の行方向（走査線に平行な方向）の左右配置
される画素である。このＤＢは、Ｘ線に基づく電荷情報
を蓄積しない構造（例えば、光電変換膜とコンデンサと
が電気的に接続されていない、或いはその表面（Ｘ線入
射側）がシールドで覆われている等）となっている。こ
のＤＢによってノイズ（ＮＢ）を取り除く手法は、Ｘ線
照射後に、有効画素の出力値から同一ゲート線上のダミ
ー画素（ＤＢ）の出力値を差し引き、走査線電位のゆら
ぎ成分を除去するものである。このダミー画素（ＤＢ）
は、その出力値が有効画素のＸ線を照射しないときの出
力値と同じになるように設計されている。
【００２９】（高電界印加による絶縁破壊を防止する機
能）次に、本Ｘ線平面検出器１２が有する、高電界印加
による絶縁破壊を防止するための機能について説明す
る。
【００３０】通常、Ｘ線診断においては、光電変換膜で
発生した電荷を画素電極に収集させるために、高電界が
Ｘ線平面検出器に印加される。この印加される高電界
は、有効画素領域、周辺領域（ダミー画素Ａ領域、ダミ
ー画素Ｂ領域、有効画素周辺の走査線領域、有効画素周
辺の信号線領域）で絶縁破壊を起こす危険性があり、領
域毎に工夫が施されている。
【００３１】有効画素領域においては光電変換膜内に高
電界が印加されているため、当該光電変換膜に大線量の
Ｘ線が入射すると、過渡的な大電流が発生し、画素の電
位が必要以上にあがる。このとき、有効画素と共通電極
との間（この間には容量が形成される）或いはＴＦＴで
絶縁破壊を起こす可能性がある。この有効画素領域おけ
る絶縁破壊を防止するために、画素に必要以上の電荷が
たまった場合、電荷を外に逃がす機能を当該画素に持た
せている。この機能は、画素内に例えばＴＦＴにダイオ
ード機能を持たせること等で実現することができる。
【００３２】一方、周辺領域においても、光電変換膜の
特性が十分に出るように、高電界が印加される。この高
電界の印加により、高電界印加用電極と、ダミー画素、
走査線、信号線との間で絶縁破壊が発生する可能性があ
る。この周辺領域での絶縁破壊を防止するため、本Ｘ線
平面検出器では、走査線、信号線と高電界印加用電極と
の間に、絶縁膜によって帯電を遮蔽する保護電極（電位
はＧＮＤ）が設けられている。この保護電極には、電気
抵抗を持つ材料が使用される。
【００３３】図３Ａ、３Ｂは、本Ｘ線検出器１２の保護
電極３０を説明するための図であり、図２におけるＤ−
Ｄに沿った断面図である。図４は、３Ｂの円形内の拡大
図である。図３Ａ、３Ｂ、図４に示すように、高電圧電
極３２と信号線層３３との間に、保護電極３０が設けら
れている。この保護電極３０は、上述の如くダミー画素
Ａ或いはダミー画素Ｂに対応して設けられるものである
から、有効画素領域の周辺に存在する構成となる。
【００３４】また、保護電極３０は、有効画素領域とダ
ミー画素Ａ領域、及び有効画素領域とダミー画素Ｂ領域
との間（図３Ａ、３Ｂ、図４参照）で電気的に分離され
ている。さらに、保護電極３０は、ダミー画素Ａ領域と
ダミー画素Ｂ領域との間Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊにおいても分離
されている。これは、ＤＡを駆動した際に発生する電位
変動が、ＤＢに接続された信号線２６に伝わらないよう
にするためである。
【００３５】すなわち、Ｘ線平面検出器の構造から、保
護電極３０は、ＤＡ或いはＤＢに接続されたすべての信
号線２６と容量を形成する。また、ＤＡ或いはＤＢに接
続されたすべての走査線２７は、保護電極３０と容量を
形成する。従って、ゲート走査線駆動回路１８によって
ＤＡを駆動させると、保護電極３０には電位変化に依存
した過渡電流が流れる。このとき、保護電極３０は、抵
抗成分をもつ材料で形成されているため、当該保護電極
３０の電位は不安定になる。特に保護電極３０がダミー
画素Ａ領域とダミー画素Ｂ領域との間で分離されていな
い場合には、この保護電極３０の不安定性はＤＢの信号
線に伝わり、信号線にノイズ成分として重畳する。一
方、有効画素領域では、このようなＤＡの駆動の影響を
受けない。これは、保護電極は、ダミー画素上にしか被
さっていないからである。このため、例えば暗時画像撮
影における有効画素とダミー画素の出力値に差が生じ
る。この差は、ＡＤ変換器の出力範囲のなかで、オフセ
ットとなり、Ｘ線診断画像のノイズの原因となる。
【００３６】これに対し、本Ｘ線平面検出器の保護電極
３０は、ダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ領域との間で
も分離した構成を有するから、上記ノイズの回り込みの
発生を防止することができる。ゲート走査線駆動に関連
してＤＡを被う保護電極３０に流れる過渡電流はＤＢを
被う保護電極３０を介して信号線に重畳することが無く
なるからである。
【００３７】分離された各保護電極にはＧＮＤ電位等の
安定した電位供給が必要である。この保護電極３０への
電位供給形態について、以下４つの実施例を示す。な
お、各実施例は、後述するいずれの実施形態に係るＸ線
平面検出器にも適用可能である。
【００３８】（実施例１−１）第１の実施例に係るＸ線
平面検出器について説明する。
【００３９】図５は、実施例１に係るＸ線平面検出器１
２１を説明するための図である。図５に示すＸ線平面検
出器１２１は、スイッチング素子を両側から駆動し、各
画素からの信号読み出しを上下両側から読み出すもので
ある。従って、センサ素子アレイの各センサ素子からの
走査線は、センサ素子アレイの右側或いは左側に引き出
される。また、センサ素子アレイの各センサ素子からの
信号線は、センサ素子アレイの上側或いは下側に引き出
される。
【００４０】センサ素子アレイの左右両側に配置された
ゲート走査線駆動回路１８は、各走査線に接続されスイ
ッチング素子を駆動するためのＩＣを有している。本Ｘ
線平面検出器１２１では、このＩＣに保護電極への電位
供給機能を持たせており、各辺から数点ＧＮＤ電位を供
給する構成となっている。なお、保護電極への電位供給
の構成はこれに限らず、ＩＣとは別系統で、ＧＮＤ電位
を数点供給する手段を設ける構成であっても良い。
【００４１】センサ素子アレイの行方向の一辺に上側及
び下側に配置された積分アンプ回路２０は、各信号線に
接続されたアンプＩＣを有している。本Ｘ線平面検出器
１２１では、このＩＣに保護電極への電位供給機能を持
たせており、各辺から数点電位を供給する構成となって
いる。なお、ゲート走査線駆動回路１８の場合と同様
に、保護電極への電位供給は、ＩＣとは別系統で、ＧＮ
Ｄ電位の数点供給であっても良い。
【００４２】（実施例１−２）図６は、実施例２に係る
Ｘ線平面検出器１２２を説明するための図である。図６
に示すＸ線平面検出器１２２は、スイッチング素子をセ
ンサ素子アレイの右側或いは左側から駆動し、各画素か
らの信号読み出しをセンサ素子アレイの上側及び下側か
ら読み出すものである。従って、Ｘ線平面検出器１２１
は、センサ素子アレイの左右いずれか一方に配置された
ゲート走査線駆動回路１８と、センサ素子アレイの上側
及び下側に配置された積分アンプ回路２０及びＡＤ変換
器を有する構成となっている。
【００４３】センサ素子アレイの左右いずれか一方に配
置されたゲート走査線駆動回路１８は、各走査線に接続
され保護電極への電位供給機能を持つ走査線駆動ＩＣを
有している。なお、保護電極への電位供給の構成はこれ
に限らず、ＩＣとは別系統で、ＧＮＤ電位を数点供給す
る構成であっても良い。走査線駆動ＩＣが接続されてい
ない辺には、信号線側からＧＮＤ電位を１点あるいは２
点供給する。なお、この場合、保護電極が抵抗成分を有
しているため、ＧＮＤとしての安定性が悪くなり、ダミ
ー画素（ＤＢ）の左右で出力差が出てしまう。この出力
差の発生を防ぐために、保護電極の下層に低抵抗材料を
設け、保護電極と低抵抗材料を数点でコンタクトさせる
ことで、ＧＮＤを強化することが好ましい。
【００４４】図７は、図６のＥ−Ｅに沿った断面図を示
している。同図に示すように、ダミー画素（ＤＢ）出力
の左右差をなくすために、走査線駆動ＩＣが接続されて
いる辺の保護電極の下層にも低抵抗材料を設ける構成で
あってもよい。また、走査線駆動ＩＣが接続されていな
い辺にＧＮＤ電位を供給できる部位３１を設け、走査線
自身からＧＮＤ電位を供給できるようにしておいてもよ
い。
【００４５】なお、信号線側においては、実施例１で述
べた電位供給機能によって、保護電極にＧＮＤ電位を供
給することができる。
【００４６】（実施例１−３）図８は、実施例３に係る
Ｘ線平面検出器１２４を説明するための図である。図８
に示すＸ線平面検出器１２４は、スイッチング素子をセ
ンサ素子アレイの右側及び左側から駆動し、各画素から
の信号読み出しをセンサ素子アレイの上側或いは下側か
ら読み出すものである。従って、Ｘ線平面検出器１２４
は、センサ素子アレイの左右両側に配置されたゲート走
査線駆動回路１８と、センサ素子アレイの上側或いは下
側に配置された積分アンプ回路２０及びＡＤ変換器を有
する構成となっている。
【００４７】走査線側については、実施例１で述べた電
位供給機能によって、保護電極にＧＮＤ電位を供給する
ことができる。
【００４８】一方、信号線側においては、実施例１と同
様に、各信号線２６に接続された積分アンプ回路２０内
のアンプＩＣが保護電極への電位供給機能を有してお
り、各辺から数点電位を供給する構成となっている。一
方、アンプＩＣが接続されていない信号線側には、走査
線側からＧＮＤ電位を１点あるいは２点供給する。な
お、ゲート走査線駆動回路１８の場合と同様に、保護電
極への電位供給は、ＩＣとは別系統で、ＧＮＤ電位の数
点供給であっても良い。また、アンプＩＣが接続されて
いない信号線側からアンプＩＣが接続されていない他の
信号線側に、ＧＮＤ電位を供給できる手段（例えば、パ
ッド等）を設ける構成であっても良い。
【００４９】（実施例１−４）図９は、実施例４に係る
Ｘ線平面検出器１２６を説明するための図である。図９
に示すＸ線平面検出器１２６は、スイッチング素子をセ
ンサ素子アレイの右側及び左側から駆動し、各画素から
の信号読み出しをセンサ素子アレイの上側或いは下側か
ら読み出すものである。従って、Ｘ線平面検出器１２４
は、センサ素子アレイの右側或いは左側に配置されたゲ
ート走査線駆動回路１８と、センサ素子アレイの上側或
いは下側に配置された積分アンプ回路２０及びＡＤ変換
器を有する構成となっている。
【００５０】走査線側においては、実施例２で述べた電
位供給機能によって、保護電極にＧＮＤ電位を供給する
ことができる。
【００５１】また、信号線側においては、実施例３で述
べた電位供給機能によって、保護電極にＧＮＤ電位を供
給することができる。
【００５２】以上述べた構成によれば、保護電極３０が
ダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ領域とで分離されてい
るから、ＤＢに接続された信号線２６は、ＤＡ駆動によ
る電位変動による影響を受けない。従って、ＤＢによる
ノイズ補正を適切に行うことができ、その結果ノイズが
低減された高画質なＸ線診断画像を取得することができ
る。
【００５３】また、ＬＣ配線２９１は、ダミー画素Ａ領
域とダミー画素Ｂ領域との間においても分離されている
から、有効画素出力は、定常状態にあるＤＡの走査線電
位のゆらぎによる影響を受けない。従って、ノイズが発
生する原因（導電経路）そのものを絶つことができ、そ
の結果ノイズが低減された高画質なＸ線診断画像を取得
することができる。
【００５４】さらに、ＬＣ配線２９１は、ダミー画素Ａ
領域とダミー画素Ｂ領域との間において切断するための
補助配線２９５を有しているから、Ｘ線平面検出器１２
の完成後においても容易に当該切断を実行することがで
きる。
【００５５】（第２の実施形態）第２の実施形態では、
保護電極３０が信号線２６又は走査線２７と容量を形成
しない構成を有するＸ線平面検出器につい説明する。
【００５６】図１０は、本実施形態に係るＸ線平面検出
器１２の構成を説明するための図である。また、図１１
は、図１０におけるＰ−Ｐに沿った断面図である。図１
０、図１１に示すように、本Ｘ線平面検出器１２は、Ｄ
Ａ上又はＤＢ上に存在していない。この様な構成とする
ことで、保護電極３０は、ＤＢ及びＤＡの信号線２６と
容量を形成しない。
【００５７】すなわち、ゲート走査線駆動回路１８によ
ってＤＡを駆動させ、保護電極３０の電位が不安定にな
った場合であっても、この保護電極３０の不安定性はＤ
Ｂの信号線に伝わらない。従って、例えば暗時画像撮影
においても、有効画素とダミー画素の出力値に差は発生
せず、ノイズ発生を防止出来る。
【００５８】次に、本実施形態に係るＸ線平面検出器１
２の変形例を二つ示す。各変形例に係るＸ線平面検出器
は、保護電極３０自体に流れるループ電流の除去の観点
から、少なくとも一箇所において切断された保護電極３
０を有する。
【００５９】図１２は、位置Ｑにおいて切断されたＣ型
保護電極３０を有するＸ線平面検出器１２の上面図であ
る。この例に係るＸ線平面検出器１２によれば、保護電
極３０は、回路を形成しない。従って、当該保護電極３
０は、当該検出器１２の駆動時等において発生するルー
プ電流の経路を遮断することができる。
【００６０】図１３は、位置Ｑ、位置Ｒにおいて切断さ
れ分離された保護電極３０を有するＸ線平面検出器１２
の上面図である。特に、同図の例では、保護電極３０を
Ｘ線平面検出器１２の中心軸に関して線対称としてい
る。これは、Ｘ線センサ素子１６のアレイがＸ線平面検
出器１２の中心軸に関して線対称に配列されていること
に対応させたものである。すなわち、保護電極３０が、
Ｘ線センサ素子１６のアレイと同様にＸ線平面検出器１
２の中心軸に関して線対称であれば、画像に重畳するノ
イズも当該対象性を利用して効率的に相殺できるからで
ある。
【００６１】（第３の実施形態）一般に、Ｘ線平面検出
器製造でのＴＦＴアレイ製造工程や検出器組み立て工程
では、走査線、信号線が静電気により帯電する。この静
電気の帯電量が大きくなった場合に、走査線、信号線と
当該走査線等と同層あるいは他層にある導体との間で、
絶縁破壊が発生する場合がある。第３の実施形態では、
この静電気による絶縁破壊を防止する機能を有し、且つ
ダミー画素を駆動した場合であっても有効画素の各走査
線の電位に影響がないＸ線平面検出器につい説明する。
【００６２】すなわち、本実施形態に係るＸ線平面検出
器１２は、図１に示すような絶縁破壊防止部２９によっ
て、この絶縁破壊を防止している。この絶縁破壊防止部
２９は、すべての画素領域（有効画素領域、ダミー画素
Ａ領域、ダミー画素Ｂ領域）外で各走査線２７、各信号
線２６に接続されたコンポーネント（例えば、高抵抗）
２９０と、当該コンポーネント２９０に電極の一方を接
続し、１本の線に束ねられて画素領域のまわりを一周す
るＬＣ配線２９１とによって構成されている。なお、ス
イッチング素子の駆動に関係しない走査線、或いは各画
素からの信号読み出しに関係しない信号線がある場合に
は、これらの走査線或いは信号線にもコンポーネント２
９０を接続することが好ましい。
【００６３】また、本実施形態に係るＸ線平面検出器１
２のＬＣ配線２９１は、所定の位置において切断され、
走査線側と信号線側とに分離される。このＬＣ配線２９
１の切断形態について、以下５つの実施例を示す。な
お、各実施例は、既述のいずれの実施形態に係るＸ線平
面検出器にも適用可能である。
【００６４】（実施例３−１）図１４は、本実施例に係
るＸ線平面検出器１２が有するＬＣ配線２９１の切断を
説明するための図である。図１４に示すように、Ｘ線平
面検出器１２は、ＤＢのノイズを除去するための第２の
ＤＡ２９６と、位置Ｋにおいて走査線側と信号線側とに
切断されたＬＣ配線２９１とを具備している。切断され
たそれぞれのＬＣ配線２９１には、アレイ機能に問題な
い電位（たとえば、走査線のＯＦＦ電位、信号線電位）
が供給される。
【００６５】当該絶縁破壊防止部２９によれば、走査
線、信号線に帯電した電荷は、コンポーネント２９０に
よってＬＣ配線２９１に分散する。従って、製造工程に
おける、静電気による絶縁破壊を防止することができ
る。また、ＬＣ配線２９１は、位置Ｋにおいて走査線側
と信号線側とに切断されている。
【００６６】（実施例３−２）図１５は、本実施例に係
るＸ線平面検出器１２が有するＬＣ配線２９１の切断を
説明するための図である。同図に示すように、本Ｘ線平
面検出器１２は、走査線側と信号線側との境界である位
置Ｋと、ダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ領域との境界
である位置Ｌとにおいて切断されたＬＣ配線２９１を具
備している。この様に位置Ｌにおいても切断するのは、
ＤＡに接続されるＬＣ配線２９１と有効画素に接続され
るＬＣ配線２９１とを完全に分離し、定常状態にあるＤ
Ａの走査線電位のゆらぎを、有効画素出力に影響させな
いためである。
【００６７】すなわち、実際にＸ線平面検出器１２を使
用しＤＡを駆動する場合、当該駆動による電位のゆらぎ
は、走査線（ダミー画素（ＤＡ））→ダミー画素（Ｄ
Ａ）につながっているコンポーネント（例えば、高イン
ピーダンスをもつデバイス）→配線（ＬＣ）→有効画素
につながっているコンポーネント（例えば、高インピー
ダンスをもつデバイス）→走査線（有効画素）といった
経路で、有効画素の走査線電位に影響すると考えられ
る。これにより、各走査線の電位にＤＡのゆらぎによる
成分が重畳し、ノイズ（ＮＢ）が増す。しかし、本Ｘ線
平面検出器１２は分割されたＬＣ配線を有しているか
ら、上記経路によってＤＡに接続された走査線電位のゆ
らぎが、有効画素に接続された走査線の電位に影響する
ことはない。従って、有効画素に接続された走査線に重
畳するノイズ成分を少なくすることができる。
【００６８】なお、ＬＣ配線２９１の位置Ｌでの切断を
容易に実行するために、図１６に示すように切断のため
の補助配線２９５を持つ構成であることが好ましい。こ
の様な構成によれば、ダミー画素Ａ領域とダミー画素Ｂ
領域との間におけるＬＣ配線２９１切断作業を容易に行
うことができる。
【００６９】また、ＬＣ配線２９１の位置Ｋでの切断を
容易に実行するために、位置Ｌと同様に切断のための補
助配線２９５を持つ構成であってもよい。
【００７０】（実施例３−３）図１７は、本実施例に係
るＸ線平面検出器１２が有するＬＣ配線の構造を説明す
るための図である。同図に示すように、本Ｘ線平面検出
器１２は、第１のＬＣ配線２９２と、第２のＬＣ配線２
９３と、第３のＬＣ配線２９４とを具備している。第１
のＬＣ配線２９２は、ＤＡ及び第２のＤＡ２９１に接続
された走査線に接続される。第２のＬＣ配線２９３は、
ＤＢに接続された信号線に接続される。第３のＬＣ配線
２９４は、第２のＤＡ２９６の信号線に接続される。
【００７１】第１のＬＣ配線２９２、第２のＬＣ配線２
９３、第３のＬＣ配線２９４は、互いに電気的に切断さ
れている。従って、電流経路が遮断されるから、ＤＡの
駆動により発生する電位のゆらぎが、有効画素に接続さ
れた走査線の電位に影響することはない。その結果、有
効画素に接続された走査線に重畳するノイズ成分を少な
くすることができる。
【００７２】なお、各ＬＣ配線での走査線側と信号線側
との境界となる位置、すなわち位置Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３に
おいても切断する構成であってもよい。また、図１５に
示したように位置Ｌにおいても切断する構成であっても
よい。これは、以下の実施例３−４、３−５においても
同様である。
【００７３】（実施例３−４）図１８は、本実施例に係
るＸ線平面検出器１２が有するＬＣ配線２９１の構造を
説明するための図である。図１８に示すＸ線平面検出器
１２は、第１のＬＣ配線２９２、第２のＬＣ配線２９
３、第３のＬＣ配線２９４に加えて、各ＬＣ配線の間を
接続する抵抗３００を有している。なお、抵抗３００
は、静電気による絶縁破壊を防止する程度の抵抗値を持
つ。
【００７４】すなわち、第１のＬＣ配線２９２、第２の
ＬＣ配線２９３、第３のＬＣ配線２９４が抵抗３００を
介して互いに接続されている。この様な構成によれば、
各配線が電気的に完全に切断されている場合に比して、
製造工程等における絶縁破壊防止機能をさらに向上させ
ることができる。また、各ＬＣ配線間は、抵抗３００を
介して接続されているから、ＤＡの駆動による有効画素
に接続された走査線電位への影響は、少なくなる。その
結果、有効画素に接続された走査線に重畳するノイズ成
分を少なくすることができる。
【００７５】（実施例３−５）図１９は、本実施例に係
るＸ線平面検出器１２が有するＬＣ配線２９１の構造を
説明するための図である。図１８に示すＸ線平面検出器
１２は、第１のＬＣ配線２９２、第２のＬＣ配線２９
３、第３のＬＣ配線２９４に加えて、各ＬＣ配線に接続
された切断のための補助配線３０１を有する。
【００７６】すなわち、第１のＬＣ配線２９２、第２の
ＬＣ配線２９３、第３のＬＣ配線２９４は、補助配線３
０１を介して互いに接続されている。従って、各配線が
電気的に完全に切断されている場合に比して、製造工程
等における絶縁破壊防止機能をさらに向上させることが
できる。また、実際のＸ線平面検出器１２の使用時にお
いて、補助配線３０１は切断される。従って、電流経路
が遮断され、各ＬＣ配線は電気的に独立とななるから、
ＤＡの駆動により発生する電位のゆらぎは、有効画素に
接続された走査線に伝播しない。その結果、有効画素に
接続された走査線に重畳するノイズ成分を少なくするこ
とができる。
【００７７】以上述べた各実施形態によれば、絶縁破壊
を防止でき、またノイズが除去された高画質なＸ線診断
画像を提供可能なＸ線平面検出器を実現できる。
【００７８】なお、実施形態に基づき説明したが、本発
明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及
び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解さ
れ、その要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【００７９】また、上記実施形態には種々の段階の発明
が含まれており、開示される複数の構成要件における適
宜な組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例え
ば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられてい
る効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成
要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００８０】上述した実施の形態に基づいて、以下のＸ
線平面検出器を得ることが出来る。
【００８１】（１）複数の画素電極がマトリクス状に配
置され、電荷を蓄積する有効画素アレイと、前記有効画
素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて電荷を発生
する光電導体と、前記光導電体の第２の面に設けられ、
前記画素電極領域を被覆し、前記光導電体と前記画素電
極との間にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、前
記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数の
信号線と、前記有効画素アレイを走査するための複数の
走査線と、前記有効画素アレイに隣接して配置され、前
記複数の信号線に重畳するノイズを除去する第１のダミ
ー画素と、前記有効画素アレイに隣接して配置され、前
記複数の走査線に重畳するノイズを除去する第２のダミ
ー画素と、前記第１のダミー画素に対応して設けられ、
前記バイアス電極と前記複数の信号線又は前記複数の走
査線との間を電気的に遮蔽する第１の保護電極と、前記
第２のダミー画素に対応して設けられ、前記第１の保護
電極と電気的に切断され、かつ前記バイアス電極と前記
複数の信号線又は前記複数の走査線との間を電気的に遮
蔽する第２の保護電極とを具備するＸ線平面検出器を提
供することができる。
【００８２】（２）上記（１）のＸ線平面検出器であっ
て、第１の保護電極にＧＮＤ電位を供給するための第１
のパッド、及び前記第２の保護電極にＧＮＤ電位を供給
するための第２のパッドを有するものを提供することが
できる。
【００８３】（３）複数の画素電極がマトリクス状に配
置され、電荷を蓄積する有効画素アレイと、前記有効画
素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて電荷を発生
する光電導体と、前記光導電体の第２の面に設けられ、
前記画素電極領域を被覆し、前記光導電体と前記画素電
極との間にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、前
記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数の
信号線と、前記有効画素アレイを走査するための複数の
走査線と、前記バイアス電極と前記複数の信号線又は前
記複数の走査線との間を電気的に遮蔽する保護電極と、
前記保護電極の周囲に配置され、前記複数の信号線に重
畳するノイズを除去する第１のダミー画素と、前記保護
電極の周囲に配置され、前記複数の走査線に重畳するノ
イズを除去する第２のダミー画素とを具備するＸ線平面
検出器を提供することができる。
【００８４】（４）上記（３）のＸ線平面検出器であっ
て、前記保護電極は、少なくとも二つ以上設けられてい
るものを提供することができる。
【００８５】（５）上記（３）のＸ線平面検出器であっ
て、前記保護電極は、前記信号線又は前記走査線に対し
て線対称に配置される第１の保護電極部と第２の保護電
極部とを有するものを提供することができる。
【００８６】（６）上記（３）のＸ線平面検出器であっ
て、前記保護電極にＧＮＤ電位を供給するためのパッド
を有するものを提供することが出来る。
【００８７】（７）上記（３）のＸ線平面検出器であっ
て、前記保護電極には、前記有効画素アレイを駆動する
駆動回路のＧＮＤ電位が供給されているものを提供する
ことが出来る。
【００８８】（８）上記（３）のＸ線平面検出器であっ
て、前記保護電極には、前記信号線を介して前記有効画
素アレイから電気信号を読み出す読み出し回路のＧＮＤ
電位が供給されているものを提供することが出来る。
【００８９】（９）複数の画素電極がマトリクス状に配
置され、電荷を蓄積する有効画素アレイと、前記有効画
素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて電荷を発生
する光電導体と、前記有効画素アレイから電子信号を読
み出すための複数の第１の信号線と、前記有効画素アレ
イを走査するための複数の第１の走査線と、前記複数の
第１の信号線のうちの少なくとも一つの線と前記複数の
第１の走査線のうちの少なくとも一つの線とに、直接又
は非線型素子を介在して接続され、前記複数の第１の信
号線又は前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一
つの線に帯電する静電気を分散させる静電気分散用配線
と、前記複数の信号線に重畳するノイズを除去する第１
のダミー画素と、前記複数の走査線に重畳するノイズを
除去する第２のダミー画素と、前記第１のダミー画素か
ら電子信号を読み出すための複数の第２の信号線と、前
記第２のダミー画素を走査するための第２の走査線とを
具備し、前記静電気分散用配線は、前記複数の第１の信
号線のうちの少なくとも一つの線及び前記複数の第２の
信号線の少なくとも一つとに接続された第１の配線と、
前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つに接続
された第２の配線と、前記複数の第２の走査線のうちの
少なくとも一つに接続された第３の配線とを有するＸ線
平面検出器を提供することが出来る。
【００９０】（１０）上記（９）のＸ線平面検出器であ
って、前記第１の配線、第２の配線、第３の配線間を接
続する抵抗をさらに具備するものを提供することが出来
る。
【００９１】（１１）上記（９）のＸ線平面検出器であ
って、前記抵抗は、前記複数の第１の信号線又は前記複
数の第１の走査線のうちの少なくとも一つの線に帯電す
る静電気による絶縁破壊を防止する抵抗値を有するもの
を提供することがで出来る。
【００９２】（１２）上記（９）のＸ線平面検出器であ
って、前記第１の配線、第２の配線、第３の配線のそれ
ぞれに接続され、各配線間の電気的接続を切断するため
の第３の補助配線を有するものを提供することが出来
る。
【００９３】
【発明の効果】以上本発明によれば、ノイズが少ない高
画質なＸ線診断画像を取得可能なＸ線平面検出器を実現
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施形態に係るＸ線平面検出器１２の
概略構成を説明するための図である。
【図２】図２は、Ｘ線センサ素子１６を有効画素、ダミ
ー画素Ａ（ＤＡ）、ダミー画素Ｂ（ＤＢ）に分類した場
合に、各画素によって形成される画素領域を示した図で
ある。
【図３】図３（ａ）は、保護電極３０を説明するための
Ｘ線平面検出器１２の上面図である。図３（ｂ）は、保
護電極３０を説明するためのＸ線平面検出器１２の断面
図である。
【図４】図４は、図３（ａ）、３（ｂ）の円形内の拡大
図である。
【図５】図５は、保護電極３０への電位供給形態に関す
る実施例を説明するための図である。
【図６】図６は、保護電極３０への電位供給形態に関す
る他の実施例を説明するための図である。
【図７】図７は、保護電極３０への電位供給形態に関す
る他の実施例を説明するための図である。
【図８】図８は、保護電極３０への電位供給形態に関す
る他の実施例を説明するための図である。
【図９】図９は、保護電極３０への電位供給形態に関す
る他の実施例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態に係るＸ線平面検
出器１２の構成を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図１０におけるＰ−Ｐに沿った断
面図である。
【図１２】図１２は、Ｃ型保護電極３０を有するＸ線平
面検出器１２の上面図である。
【図１３】図１３は、Ｘ線平面検出器１２の中心軸に関
して線対称である保護電極３０を説明するための図であ
る。
【図１４】図１４は、Ｘ線平面検出器１２が有するＬＣ
配線２９１の一例を説明するための図である。
【図１５】図１５は、Ｘ線平面検出器１２が有するＬＣ
配線２９１の他の例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、ＬＣ配線２９１が有する補助配線
２９５を説明するための図である。
【図１７】図１７は、Ｘ線平面検出器１２が有するＬＣ
配線構造の一例を説明するための図である。
【図１８】図１８は、Ｘ線平面検出器１２が有するＬＣ
配線構造の他の例を説明するための図である。
【図１９】図１９は、Ｘ線平面検出器１２が有するＬＣ
配線構造の他の例を説明するための図である。
【符号の説明】
１２…Ｘ線平面検出器 １６…センサ素子 １８…ゲート走査線駆動回路 ２０…積分アンプ ２２…マルチプレクサ ２４…Ａ／Ｄ変換器 ２６…信号線 ２７…ゲート走査線 ２７…走査線 ２９…絶縁破壊防止部 ３０…保護電極 ３０…Ｃ型保護電極 ３１…部位 ３２…高電圧電極 ３３…信号線層 １２１…Ｘ線平面検出器 １２２…Ｘ線平面検出器 １２４…Ｘ線平面検出器 １２６…Ｘ線平面検出器 ２９０…コンポーネント ２９１…ＬＣ配線 ２９１…静電気用配線 ２９２…第１のＬＣ配線 ２９３…第２のＬＣ配線 ２９４…第３のＬＣ配線 ２９５…補助配線 ２９６…第２のＤＡ ３００…抵抗 ３０１…補助配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ (72)発明者 田中 学 栃木県大田原市下石上字東山1385番の１ 株式会社東芝那須工場内 (72)発明者 塚本 明 栃木県大田原市下石上字東山1385番の１ 株式会社東芝那須工場内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ09 JJ31 JJ33 LL11 4M118 AA05 AA08 AA10 BA05 CA15 CB14 DD09 FB03 FB09 FB13 FB16 FB17 FB19 FB27 FB29 GA10 GB03 GB09 GB11 GB15 GB19 HA30 5C024 AX11 CX03 GZ41 HX17 HX23 HX31 HX44

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数の画素電極がマトリクス状に配置さ
    れ、電荷を蓄積する有効画素アレイと、 前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて
    電荷を発生する光電導体と、 前記光導電体の第２の面に設けられ、前記画素電極領域
    を被覆し、前記光導電体と前記画素電極との間にバイア
    ス電圧を印加するバイアス電極と、 前記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数
    の信号線と、 前記有効画素アレイを走査するための複数の走査線と、 前記有効画素アレイに隣接して配置され、前記複数の信
    号線に重畳するノイズを除去する第１のダミー画素と、 前記有効画素アレイに隣接して配置され、前記複数の走
    査線に重畳するノイズを除去する第２のダミー画素と、 前記第１のダミー画素に対応して設けられ、前記バイア
    ス電極と前記複数の信号線又は前記複数の走査線との間
    を電気的に遮蔽する第１の保護電極と、 前記第２のダミー画素に対応して設けられ、前記第１の
    保護電極と電気的に切断され、かつ前記バイアス電極と
    前記複数の信号線又は前記複数の走査線との間を電気的
    に遮蔽する第２の保護電極と、 を具備するＸ線平面検出器。
  2. 【請求項２】前記第１の保護電極には、前記有効画素ア
    レイを駆動する駆動回路のＧＮＤ電位が供給され、 前記第２の保護電極には、前記信号線を介して前記有効
    画素アレイから電気信号を読み出す読み出し回路のＧＮ
    Ｄ電位が供給されている請求項１記載のＸ線平面検出
    器。
  3. 【請求項３】複数の画素電極がマトリクス状に配置さ
    れ、電荷を蓄積する有効画素アレイと、 前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて
    電荷を発生する光電導体と、 前記光導電体の第２の面に設けられ、前記画素電極領域
    を被覆し、前記光導電体と前記画素電極との間にバイア
    ス電圧を印加するバイアス電極と、 前記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数
    の信号線と、 前記有効画素アレイを走査するための複数の走査線と、 前記バイアス電極と前記複数の信号線又は前記複数の走
    査線との間を電気的に遮蔽する保護電極と、 前記保護電極の周囲に配置され、前記複数の信号線に重
    畳するノイズを除去する第１のダミー画素と、 前記保護電極の周囲に配置され、前記複数の走査線に重
    畳するノイズを除去する第２のダミー画素と、 を具備するＸ線平面検出器。
  4. 【請求項４】前記保護電極は、少なくとも一つの切断部
    位を有する請求項３記載のＸ線平面検出器。
  5. 【請求項５】複数の画素電極がマトリクス状に配置さ
    れ、電荷を蓄積する有効画素アレイと、 前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて
    電荷を発生する光電導体と、 前記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数
    の第１の信号線と、 前記有効画素アレイを走査するための複数の第１の走査
    線と、 前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つの線と
    前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つの線と
    に、直接又は非線型素子を介在して接続され、前記複数
    の第１の信号線又は前記複数の第１の走査線のうちの少
    なくとも一つの線に帯電する静電気を分散させる静電気
    分散用配線と、 を具備し、 前記静電気分散用配線は、前記複数の第１の信号線のう
    ちの少なくとも一つの線との接続部と前記複数の第１の
    走査線のうちの少なくとも一つの線との接続部との間に
    おいて、当該配線を切断するための第１の補助配線を有
    するＸ線平面検出器。
  6. 【請求項６】前記複数の信号線に重畳するノイズを除去
    する第１のダミー画素と、 前記複数の走査線に重畳するノイズを除去する第２のダ
    ミー画素と、 前記第１及び第２のダミー画素から電子信号を読み出す
    ための第２の信号線と、 前記第１及び第２のダミー画素を走査するための第２の
    走査線と、 をさらに具備し、 前記静電気分散用配線は、前記複数の第１の信号線のう
    ちの少なくとも一つの線及び前記第２の信号線と、前記
    複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つの線及び前
    記第２の走査線とに、直接又は非線型素子を介在して接
    続され、前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一
    つの線との接続部と前記第２の信号線との接続部との
    間、又は前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一
    つの線との接続部と前記第２の走査線との接続部との間
    において、当該配線を切断するための第２の補助配線を
    有する請求項５記載のＸ線平面検出器。
  7. 【請求項７】前記複数の信号線に重畳するノイズを除去
    する第１のダミー画素と、 前記複数の走査線に重畳するノイズを除去する第２のダ
    ミー画素と、 前記第１のダミー画素から電子信号を読み出すための複
    数の第２の信号線と、 前記第２のダミー画素を走査するための第２の走査線
    と、 をさらに具備し、 前記静電気分散用配線は、前記複数の第１の信号線のう
    ちの少なくとも一つの線及び前記複数の第２の信号線の
    少なくとも一つとに接続された第１の配線と、 前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つに接続
    された第２の配線と、 前記複数の第２の走査線のうちの少なくとも一つに接続
    された第３の配線と、 を有する請求項５記載のＸ線平面検出器。
  8. 【請求項８】複数の画素電極がマトリクス状に配置さ
    れ、電荷を蓄積する有効画素アレイと、 前記有効画素アレイを被覆し、入射したＸ線に基づいて
    電荷を発生する光電導体と、 前記有効画素アレイから電子信号を読み出すための複数
    の第１の信号線と、 前記有効画素アレイを走査するための複数の第１の走査
    線と、 前記複数の第１の信号線のうちの少なくとも一つの線と
    前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つの線と
    に、直接又は非線型素子を介在して接続され、前記複数
    の第１の信号線又は前記複数の第１の走査線のうちの少
    なくとも一つの線に帯電する静電気を分散させる静電気
    分散用配線と、 前記複数の信号線に重畳するノイズを除去する第１のダ
    ミー画素と、 前記複数の走査線に重畳するノイズを除去する第２のダ
    ミー画素と、 前記第１のダミー画素から電子信号を読み出すための複
    数の第２の信号線と、 前記第２のダミー画素を走査するための第２の走査線
    と、 を具備し、 前記静電気分散用配線は、前記複数の第１の信号線のう
    ちの少なくとも一つの線及び前記複数の第２の信号線の
    少なくとも一つとに接続された第１の配線と、 前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つに接続
    された第２の配線と、 前記複数の第２の走査線のうちの少なくとも一つに接続
    された第３の配線と、 を有するＸ線平面検出器。
  9. 【請求項９】前記第１の配線、第２の配線、第３の配線
    間を接続する抵抗をさらに具備する請求項５又は８記載
    のＸ線平面検出器。
  10. 【請求項１０】前記抵抗は、前記複数の第１の信号線又
    は前記複数の第１の走査線のうちの少なくとも一つの線
    に帯電する静電気による絶縁破壊を防止する抵抗値を有
    する請求項５又は８記載のＸ線平面検出器。
  11. 【請求項１１】前記第１の配線、第２の配線、第３の配
    線のそれぞれに接続され、各配線間の電気的接続を切断
    するための第３の補助配線を有する請求項５又は８記載
    のＸ線平面検出器。
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