JP2008098391A - 放射線画像検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、上記電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素と多数の走査線と多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動されデータ線が上下に２分割された放射線画像検出器において、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成し、分割境界部の画像段差を目立たなくする。
【解決手段】ＴＦＴスイッチ３のアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量４を構成するダミー配線３０を設ける。
【選択図】図３

Description

本発明は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、ＴＦＴスイッチを有する多数の画素が２次元状に配列された検出層とが積層された放射線画像検出器に関するものである。

近年、ＴＦＴアクティブマトリクスアレイ上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が実用化されている。従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。

まず、図１０を用いて従来の放射線画像検出器の構成について説明する。

従来の放射線画像検出器は、図１０に示すように、収集電極８をアレイ状に配置したアクティブマトリクス基板１０上に、電磁波導電性を有する半導体膜２０が形成され、その上に上部電極２２が順次形成されている。上部電極２２は高圧電源２４に接続されている。そして、半導体膜２０は、セレンを主成分とする膜厚１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜で、Ｘ線が照射されると、膜の内部に電荷を発生する。アクティブマトリクス基板１０上にアレイ状に配置された収集電極８の近傍には、ＴＦＴスイッチ３と蓄積容量４とが設けられており、ＴＦＴスイッチ３のドレイン電極７と蓄積容量４の一方の電極とが接続されている。そして、蓄積容量４の他方の電極は蓄積容量配線１２に接続されている。ＴＦＴスイッチ３のゲート電極２には走査線１が接続されており、ソース電極６にはデータ線５が接続されており、データ線５の終端にはアンプ２３が接続されている。

次に、従来の放射線画像検出器の動作原理について説明する。

図１０の上方よりＸ線が照射されると半導体膜２０は内部に電荷を発生する。その発生した電荷のうち正孔は上部電極２２と収集電極８間のバイアスにより収集電極８に集められ、収集電極８に電気的に接続された蓄積容量４に蓄積される。半導体膜２０はＸ線量に応じて異なる電荷量を発生するため、Ｘ線が担持した画像情報に応じた電荷が各画素の蓄積容量４に蓄積される。その後、走査線１を介してＴＦＴスイッチ３をＯＮ状態にする信号を順次加え、データ線５を介して各蓄積容量４に蓄積された電荷を取り出す。さらにアンプ２３で各画素の電荷量を検出することにより画像情報を読み取ることができる。

ここで、現在実現されている放射線画像検出器は、１００〜３００μｍ角前後の画素サイズが一般的であるが、Ｘ線画像の画質の向上のため、さらなる画素の高精細化が求められている。

しかしながら、ＴＦＴアレイ構造の制限から１００μｍ角前後が現実的な限界となっている。その理由を図１１の従来の放射線画像検出器の画素のレイアウト図を用いて説明する。従来のＴＦＴアレイ構造では、蓄積容量４を構成するため、走査線１間に走査線を平行に蓄積容量配線１２が配置されている。製造コストを抑えるため、蓄積容量配線１２は走査線１と同一レイヤの金属で形成される。

ここで、たとえば、上記のような画素のレイアウトを用いて画素ピッチ５０μｍの放射線画像検出器を実現することを考える。走査線１と蓄積容量配線１２の幅を１２μｍとすると、走査線１と蓄積容量配線１２との間隔は１３μｍしか確保することができない。上述したように走査線１と蓄積容量配線１２とは同一レイヤであるため、配線間ピッチの低下は配線間リークの増加による歩留まりの低下を招く。なお、走査線と蓄積容量配線を別々のレイヤに形成すると配線層と絶縁膜層の２レイヤを追加しなければならず、製造コストの大幅な増加となり現実的ではない。

そこで、図３に示すように、ＴＦＴスイッチ３のドレイン電極７に接続される蓄積容量電極９を、上記ＴＦＴスイッチ３に隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線１に絶縁膜を介して重畳することで蓄積容量４を構成し、蓄積容量配線の配置が不要となる画素のレイアウトが考えられる。上記のような画素レイアウトとすることにより走査線間隔を拡大することができ、たとえば、画素ピッチ５０μｍ、走査線の幅１２μｍの場合には、走査線間隔を３８μｍとすることができ、配線間リークの発生を防止できる。

一方、上記のようなＴＦＴアレイ型放射線画像検出器は、高精細化およびサイズの大型化とともに画素数が増え、その結果、電気ノイズも増加する。そのため、大型の放射線画像検出器では、データ線をＴＦＴスイッチアレイの中央部で２分割し、ＴＦＴスイッチアレイの上下にアンプＩＣを接続する上下分割方式が採用されている。
特開２００２−３６９０７８号公報

しかしながら、図３で示した画素レイアウトで上下分割方式を採用すると、図１２の等価回路図および図１３のレイアウト図からわかるように、分割境界部の画素について、蓄積容量４を構成することができなくなる。

本発明は、上記の事情に鑑み、上記のような上下分割方式の放射線画像検出器において、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成することができ、分割境界部の画像段差を目立たなくすることができる放射線画像検出器を提供することを目的とする。

本発明の放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素とＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線と蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動され前記データ線が上下に２分割された放射線画像検出器であって、ＴＦＴスイッチのアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量を構成するダミー配線を設けたことを特徴とする。

また、本発明の放射線画像検出器においては、ＴＦＴスイッチのアレイを、ＴＦＴスイッチのアレイの上下両端から駆動するＴＦＴスイッチ駆動部を備えるようにすることができる。

また、ダミー配線を、分割境界部の上下の画素列のそれぞれについて設けるようにすることができる。

また、分割境界部の上下の画素列についてそれぞれ設けられたダミー配線を電気的に接続するようにすることができる。

また、分割境界部の上下の画素列についてそれぞれ設けられたダミー配線を、収集電極が上下方向に等間隔で配置されるような間隔で配置するようにすることができる。

また、分割境界部の上下の画素列の各画素の収集電極が、分割境界部の上側の画素列の画素の収集電極と下側の画素列の画素の収集電極との間隔が画素列以外の画素の収集電極の上下方向の間隔に近くなるように配置するようにすることができる。

本発明の放射線画像検出器によれば、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素とＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線と蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動されデータ線が上下に２分割された放射線画像検出器であって、ＴＦＴスイッチのアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量を構成するダミー配線を設けるようにしたので、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成することができ、分割境界部の画像段差を目立たなくすることができる。

また、本発明の放射線画像検出器において、ＴＦＴスイッチのアレイを、ＴＦＴスイッチのアレイの上下両端から駆動するＴＦＴスイッチ駆動部を備えるようにした場合には、蓄積容量を介してカップリングする走査線の電位の変化による蓄積容量に蓄積された電荷の電位変動を抑制することができ、検出する画像データのノイズを低減することができる。

また、ダミー配線を、分割境界部の上下の画素列のそれぞれについて設けるようにした場合には、分割境界部の画素の蓄積容量の容量を、分割境界部以外の画素の蓄積容量と同じ容量にすることができる。

また、分割境界部の上下の画素列についてそれぞれ設けられたダミー配線を、収集電極が上下方向に等間隔で配置されるような間隔で配置するようにした場合には、収集電極の間隔を等間隔にすることができ、分割境界部の画像段差を目立たなくすることができる。

また、分割境界部の上下の画素列の各画素の収集電極が、分割境界部の上側の画素列の画素の収集電極と下側の画素列の画素の収集電極との間隔が画素列以外の画素の収集電極の上下方向の間隔に近くなるように配置するようにした場合には、収集電極の間隔を等間隔に近づけることができ、分割境界部の画像段差を目立たなくすることができる。

以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態について説明する。

本実施形態の放射線画像検出器としてのフラットパネル型イメージセンサは、たとえば、人体を透過したＸ線像を画像化するＸ線撮像装置等に使用され、Ｘ線等の画像を検出できるイメージセンサである。なお、本発明の放射線画像検出器は、必ずしもフラットパネル型に限らず、基板が曲面にて形成される曲面基板からなるイメージセンサを含むものとする。

すなわち、例えば、図２に示すように、Ｘ線管球９１から出射されるＸ線による被検体９２の透過Ｘ線像が、２次元アレイ状に光電変換素子が配置された本実施形態の放射線画像検出器１００により画像信号に変換されるようになっている。

この放射線画像検出器１００から出力されたアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器９３によりディジタル画像信号に変換され、画像処理装置９４に取り込まれる。画像処理装置９４は、種々の画像処理を行うとともに、保存が必要な画像を画像記憶装置９６に記憶させる。また、画像処理装置９４から出力されるディジタル画像信号は、Ｄ／Ａ変換器９５によりアナログ信号に変換されて、画像モニタ装置９７の画面に表示することができるものとなっている。

図１に第１の実施形態の放射線画像検出器１００の概略構成図を示す。

本実施形態の放射線画像検出器１００は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板１０と、このアクティブマトリクス基板１０上の略全面に形成された半導体膜２０と、誘電体層２１と、上部電極２２および後述する収集電極８の上に設けられる電子阻止層２３とによって構成されている。

半導体膜２０は、電磁波導電性を有するものであり、Ｘ線が照射されると膜の内部に電荷を発生するものである。半導体膜２０としては、たとえば、セレンを主成分とする膜厚保１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜を用いることができる。上記半導体膜２０は、真空蒸着法によってたとえば３００〜１０００μｍの厚みで形成されている。

また、誘電体層２１及び電子阻止層２３は、Ｘ線の照射時に漏れ電流が原因で電荷が後述する蓄積容量４に蓄積するのを防止するために設けられているものであり、必要に応じて設ければ良い。

すなわち、誘電体層２１は、動作電圧が上部電極２２に印加されたときに、電荷が上部電極２２から半導体膜２０に注入されるのを防ぐ一方、電子阻止層２３は、電荷が収集電極８から半導体膜２０に注入されるのを防ぐものとなっている。これにより、漏洩電流を防止して、Ｘ線イメージの解像度を向上させることができる。

上部電極２２は、Ａｕ、Ａｌなどの低抵抗の導電材料で構成されている。そして、上部電極２２には、高圧電源２４が接続されている。

アクティブマトリクス基板１０は、半導体膜２０において発生した電荷を収集する収集電極８、収集電極８によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量４および蓄積容量４に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ３を有する多数の画素１１とＴＦＴスイッチ３をＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線１と蓄積容量４に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線５とを備えている。画素１１は、アレイ状に配置されている。

ＴＦＴスイッチ３としては、一般的には、アモルファスシリコンを活性層に用いたａ−ＳｉＴＦＴが用いられる。そして、ＴＦＴスイッチ３のゲート電極２には、ＴＦＴスイッチ３をＯＮ／ＯＦＦするための走査線１が接続されており、ソース電極６には、蓄積容量４に蓄積された電荷が読み出されるデータ線５が接続され、ドレイン電極７には、蓄積容量４を構成する一方の電極である蓄積容量電極９が接続されている。そして、蓄積容量４の他方の電極は、蓄積容量４の属する画素１１に隣接する画素１１のＴＦＴスイッチ３に接続される走査線１に接続されている。

そして、データ線５の終端には、アンプ２３が接続されている。

図３に放射線画像検出器の画素１１のレイアウトを示す。

図３に示すように、各画素１１の周辺には、走査線１と走査線１に直交するデータ線５が配置されている。そして、走査線１とデータ線５の交差部近傍にＴＦＴスイッチ３が配置されている。そして、ＴＦＴスイッチ３のソース電極６はデータ線５に接続され、ドレイン電極７は、蓄積容量電極９に接続されている。蓄積容量電極９はコンタクトホールを介して収集電極８に接続されている。また、蓄積容量電極９は、絶縁膜を介して走査線１上に重なるように配置している。そして、蓄積容量電極９と走査線１とで蓄積容量４が構成される。すなわち走査線１は、走査線としてだけでなく蓄積容量電極としても機能するものである。

次に、図４に本実施形態の放射線画像検出器の等価回路図を、図５にレイアウト図を示す。

図４に示すように、図４の水平方向に複数の走査線１が、垂直方向に複数のデータ線５が配置されている。そして、本実施形態の放射線画像検出器においては、ＴＦＴスイッチ３が、上下に２分割されて駆動され、データ線５は、ＴＦＴスイッチアレイの上下で分割され、上下にアンプ２３（図示省略）が設けられている。そして、走査線１は、ＴＦＴスイッチアレイの上側では、上端から画素ピッチ間隔で均等配置されている。一方、ＴＦＴスイッチアレイの下側では、下側から画素ピッチ間隔で均等配置されている。したがって、ＴＦＴスイッチアレイの分割境界には、走査線１はないことになる。そこで、本実施形態の放射線画像検出器においては、ＴＦＴスイッチアレイの分割境界部の画素１１の蓄積容量４を構成するために、走査線１と同じ材料からなるダミー配線３０を配置している。

図５に示すように、ダミー配線３０は、ＴＦＴスイッチアレイの分割境界部の画素１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄのＴＦＴスイッチ３のドレイン電極７に接続される蓄積容量電極９と交差して蓄積容量４を構成している。これにより、ＴＦＴスイッチアレイの分割境界部の画素についても蓄積容量４を備えることができ、分割境界部を目立たなくすることができる。

次に、本実施形態の放射線画像検出器の動作原理について説明する。

図１の上方より被写体を透過したＸ線が照射されると半導体膜２０はその内部に電荷を発生する。そして、半導体膜２０で発生した電荷のうち正孔は上部電極２２と収集電極８との間のバイアスにより収集電極８に集められ、収集電極８と電気的に接続された蓄積容量４に蓄積される。半導体膜２０はＸ線量に依存して異なる電荷量を発生するため、Ｘ線が担持した画像情報に依存した量の電荷が各画素１１の蓄積容量４に蓄積される。

その後、走査線１を介してＴＦＴスイッチ３をＯＮ状態にする信号が順次加えられ、データ線５を介して蓄積容量４に蓄積された電荷が読み出される。そして、さらにアンプ２３で各画素１１の電荷量を検出することにより画像情報を読み取ることができる。

次に、図４の等価回路図を用いて、本実施形態の放射線画像検出器の駆動方法について説明する。

まず、上述したようにＸ線照射を行うことによりＸ線画像データの書き込みが行われる。上述したようにＸ線の照射量に応じて半導体膜２０において発生した電荷は、各収集電極８に集められ、収集電極８に電気的に接続された蓄積容量４に蓄積される。そして、次に、走査線１に、ＧＴ１、・・・、ＧＴｎ−１、ＧＴｎの順で順次ＯＮ信号を入力する。すなわち図３の上側のＴＦＴスイッチアレイは、上から下方向に走査線１をスキャンする。これに応じてデータ線５に、各画素１１の蓄積容量４に蓄積された電荷が出力され、図示省略したアンプにより検出される。次に、走査線１に、ＧＢ１、・・・、ＧＢｎ−１、ＧＢｎの順で順次ＯＮ信号を入力する。すなわち図４の下側のＴＦＴスイッチアレイは、下から上方向に走査線１をスキャンする。

なお、本実施形態の放射線画像検出器は、図示省略したが、上記のように走査線１をスキャンするＴＦＴスイッチ駆動部を備えている。

本実施形態の放射線画像検出器では、特に、走査線１のスキャン方向が重要である。上述のスキャン方向とは逆の場合には、データ検出以前に蓄積容量４を介してカップリングする走査線１の電位が変化し、蓄積容量４に蓄積された電荷の電位が変動してしまう。したがって、検出する画像データのノイズの低減のためには上述の順でスキャンすることが望ましい。

次に、本発明の第２の実施形態の放射線画像検出器ついて説明する。本実施形態の放射線画像検出器は、第１の実施形態の放射線画像検出器と概略構成は同様であるが、ダミー配線の設け方が異なる。図６に第２の実施形態の放射線画像検出器の等価回路図を、図７にレイアウト図を示す。

本実施形態の放射線画像検出器では、図６および図７に示すように、ダミー配線３０ａ、３０ｂが、分割境界部の上下の画素列のそれぞれについて設けられている。ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂとは、電気的に分離していても接続していてもよい。たとえば、ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂとを接続し、共通電圧を入力してお互いの電位が揃うようにしてもよい。また、分割境界部の画素以外の画素と蓄積容量を完全にそろえるため、走査線ドライバから走査配線駆動信号を入力する場合には、ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂとを分離し、それぞれに異なる走査線ドライバから走査配線駆動信号を入力するようにしてもよい。この場合、ダミー線３０ａ、３０ｂは走査線ドライバＩＣもしくは走査線ドライバＩＣを搭載するＴＣＰに接続するようにすればよい。

上記のようにＴＦＴスイッチアレイの上側と下側とにそれぞれダミー配線３０ａ、３０ｂを配置したことにより、分割境界部の画素１１の蓄積容量４の容量を、分割境界部以外の画素１１の蓄積容量４の容量と同じにすることができ、第１の実施形態の放射線画像検出器よりもさらに分割段差を認識しにくくすることができる。

次に、本発明の第３の実施形態の放射線画像検出器ついて説明する。本実施形態の放射線画像検出器は、第２の実施形態の放射線画像検出器と概略構成は同様であるが、ダミー配線の配置が異なる。図８に第３の実施形態の放射線画像検出器のレイアウト図を示す。

第３の実施形態の放射線画像検出器においては、ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂの間隔Ｗｄを、走査線１の間隔Ｗｓに対して狭くしている。すなわち、ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂとを、収集電極８が上下方向に等間隔で配置されるような間隔で配置している。

上記のようにダミー配線３０ａ、３０ｂを配置することにより収集電極８の間隔がずれることによる視覚的な画像段差を減らすことができる。

次に、本発明の第４の実施形態の放射線画像検出器ついて説明する。本実施形態の放射線画像検出器は、第２の実施形態の放射線画像検出器と概略構成は同様であるが、分割境界部の画素１１の収集電極８の配置が異なる。図９に第４の実施形態の放射線画像検出器のレイアウト図を示す。

第３の実施形態の放射線画像検出器のようにダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂの間隔Ｗｄを、走査線１の間隔Ｗｓに対して狭くした場合、２つのダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂ間でリーク不良が発生する可能性がある。そこで、第４の実施形態の放射線画像検出器においては、ダミー配線３０ａとダミー配線３０ｂとの間隔を狭くせず、分割境界部の画素１１の収集電極８の配置を上下方向にずらすことにより、分割段差を認識しにくくしている。すなわち、分割境界部の上下の画素列の各画素１１の収集電極８を、分割境界部の上側の画素列の画素１１の収集電極８と下側の画素列の画素１１の収集電極８との間隔が上記画素列以外の画素１１の収集電極８の上下方向の間隔に近くなるように配置している。

さらに、分割境界部の画素１１に上下方向に隣接して並ぶ複数の収集電極８も上下方向にずらし、そのずらし量を分割境界部に近づくほど大きくすることで、より分割段差を認識しにくくするようにしてもよい。

本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態の概略構成図 本発明の放射線画像検出器の適用状態を示す説明図 本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態の画素のレイアウト図 本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態の等価回路図 本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態のレイアウト図 本発明の放射線画像検出器の第２の実施形態の等価回路図 本発明の放射線画像検出器の第２の実施形態のレイアウト図 本発明の放射線画像検出器の第３の実施形態のレイアウト図 本発明の放射線画像検出器の第４の実施形態のレイアウト図 従来の放射線画像検出器の概略構成図 従来の放射線画像検出器の画素のレイアウト図 従来の放射線画像検出器の等価回路図 従来の放射線画像検出器のレイアウト図

符号の説明

１ 走査線
２ ゲート電極
３ ＴＦＴスイッチ
４ 蓄積容量
５ データ線
６ ソース電極
７ ドレイン電極
８ 収集電極
９ 蓄積容量電極
１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素
１２ 蓄積容量配線
２０ 半導体膜
２１ 誘電体層
２２ 上部電極
２３ 電子阻止層
２４ 高圧電源
３０，３０ａ，３０ｂ ダミー配線

Claims (6)

1. 放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、該電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、該収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素と前記ＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線と前記蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、前記蓄積容量が、前記ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極と前記ドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、前記ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動され前記データ線が上下に２分割された放射線画像検出器であって、
   前記ＴＦＴスイッチのアレイの上下の分割境界部に、該分割境界部に配置された画素の蓄積容量を構成するダミー配線を設けたことを特徴とする放射線画像検出器。
2. 前記ＴＦＴスイッチのアレイを、該ＴＦＴスイッチのアレイの上下両端から検出するＴＦＴスイッチ駆動部を備えたことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
3. 前記ダミー配線が、前記分割境界部の上下の画素列のそれぞれについて設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出器。
4. 前記分割境界部の上下の画素列についてそれぞれ設けられたダミー配線が電気的に接続されていることを特徴とする請求項３記載の放射線画像検出器。
5. 前記分割境界部の上下の画素列についてそれぞれ設けられたダミー配線が、前記収集電極が前記上下方向に等間隔で配置されるような間隔で配置されていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像検出器。
6. 前記分割境界部の上下の画素列の各画素の収集電極が、前記分割境界部の上側の画素列の画素の収集電極と下側の画素列の画素の収集電極との間隔が前記画素列以外の画素の収集電極の前記上下方向の間隔に近くなるように配置されていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像検出器。

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