JP2002369078A

JP2002369078A - 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム

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Publication number: JP2002369078A
Application number: JP2001174296A
Authority: JP
Inventors: Tadao Endo; 忠夫遠藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】光電変換素子の信号電荷の読み出し時間を減
少することによって蓄積暗電流を減少し、素抜け領域か
ら検出体領域への電荷のリークを抑制して、中央部に配
置された検出体の画像品位を向上した放射線撮像装置を
提供する。【解決手段】６×６の画素を有する光電変換回路が、
３×３の画素を有する４つの１／４光電変換回路に分割
されており、その１／４光電変換回路が「田」の字の形
に配列され、読み出し用回路が上辺と下辺の２辺に、シ
フトレジスタが左辺と右辺の２辺に配置される。各１／
４光電変換回路の動作が同じ動作タイミングで行われ、
シフトレジスタＳＲ１のスキャン方向が、読み出し用回
路側から中央側、すなわち外側から内側である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、撮像素子を備えた
撮像装置、特に撮像素子の走査方法に関するものであ
り、例えば医療用の診断や工業用の非破壊検査に用いて
好適な放射線撮像装置やそのシステムに関するものであ
る。なお、本明細書では、Ｘ線、γ線などの電磁波やα
線、β線も放射線に含めるものとして説明する。

【０００２】

【従来の技術】理解し易いように、放射線撮像装置の例
を挙げて説明する。

【０００３】従来、病院内などに設置されているＸ線撮
影システムは、患者にＸ線を照射させ、患者を透過した
Ｘ線をフィルムに露光するフィルム撮影方式と、患者を
透過したＸ線を電気信号に変換してディジタル画像処理
する画像処理方式とがある。

【０００４】画像処理方式のひとつに、Ｘ線を可視光に
変換する蛍光体と可視光を電気信号に変換する光電変換
装置とで構成された放射線撮像装置がある。患者を透過
したＸ線が、蛍光体に照射され、そこで可視光に変換さ
れた患者の体内情報を光電変換装置により電気信号とし
て出力する。電気信号に変換されればＡＤコンバータで
ディジタル変換し、記録、表示、印刷、診断などを行う
ためのＸ線画像情報はディジタル値として扱うことが出
来る。

【０００５】最近では、光電変換装置にアモルファスシ
リコン半導体薄膜を用いた放射線撮像装置が実用化され
ている。

【０００６】図１０は、従来の光電変換装置の２次元的
回路図である。説明を簡単化するために３×３＝９画素
分のみを記載してある。Ｓ1-1〜Ｓ3-3は光電変換素子、
Ｔ1-1〜Ｔ3-3はスイッチング素子（ＴＦＴ）、Ｇ１〜Ｇ
３はＴＦＴをオン／オフさせるためのゲート配線、Ｍ１
〜Ｍ３は、信号配線である。光電変換素子は、ホトダイ
オードと容量を並列接続で表記しており、逆方向バイア
スが印加される。すなわち、ホトダイオードのカソード
電極側は＋（プラス）にバイアスされる。バイアス配線
は通常共通の配線であるが、図１０中では共通の配線と
しては省略している。光電変換された電荷は容量に蓄積
される。Ｓ1-1〜Ｓ3-3、Ｔ1-1〜Ｔ3-3、Ｇ１〜Ｇ３、Ｍ
１〜Ｍ３、Ｖｓ線、これらを総じて光電変換回路部１０
０と称する。ＳＲ１はゲート配線にパルスを印加するシ
フトレジスタ、１１０は光電変換回路部１００内のＭ１
〜Ｍ３の並列信号出力を増幅し、直列変換して出力する
ための読み出し用回路である。

【０００７】図１１は、図１０の読み出し用回路１１０
の内部を示す電気回路である。ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３はＭ
１〜Ｍ３をリセットするスイッチ、Ａ１〜Ａ３はＭ１〜
Ｍ３の信号を増幅するアンプ、ＣＬ１〜ＣＬ３はＡ１〜
Ａ３で増幅された信号を一時的に記憶するサンプルホー
ルド容量、Ｓｎ１〜Ｓｎ３はサンプルホールドするため
のスイッチ、Ｂ１〜Ｂ３はバッファアンプ、Ｓｒ１〜Ｓ
ｒ３は並列信号を直列変換するためのスイッチ、ＳＲ２
はＳｒ１〜Ｓｒ３に直列変換するためのパルスを与える
シフトレジスタ、Ａｂは直列変換された信号を出力する
バッファアンプである。

【０００８】図１２は図１０、図１１からなる光電変換
装置の動作を示すタイムチャートである。まず、光電変
換期間について説明する。ＴＦＴは全てオフ状態におい
て、光源がパルス的にオンすると、それぞれの光電変換
素子に光が照射され、光の量に対応した信号電荷が容量
に蓄積される。光源については、図１０中、特に記載は
していないが、例えば、複写機であれば蛍光灯、ＬＥ
Ｄ、ハロゲン灯等である。Ｘ線撮像装置であれば文字通
りＸ線源である。この場合Ｘ線可視光変換用のシンチレ
ータを用いて、Ｘ線の量に対応した可視光を光電変換素
子側に導光するような部材を用いるか、シンチレータを
光電変換素子の極近傍に配置すればよい。光源がオフし
た後も、容量に光電変換された信号電荷は保持される。

【０００９】次に読み出し期間について説明する。読み
出し動作は、1行目のＳ1-1〜Ｓ1-3、次に２行目のＳ2-1
〜Ｓ2-3、次に３行目のＳ3-1〜Ｓ3-3の順で行われる。
まず、1行目のＳ1-1〜Ｓ1-3を読み出しするためにＴ1-1
〜Ｔ1-3のスイッチング素子（ＴＦＴ）のゲート配線Ｇ
１にＳＲ１からゲートパルスを与える。これにより、Ｔ
1-1〜Ｔ1-3がオン状態になり、Ｓ1-1〜Ｓ1-3に蓄積され
ていた信号電荷が、信号配線Ｍ１〜Ｍ３に転送される。

【００１０】信号配線Ｍ１〜Ｍ３には、図１０に記載し
てある読み出し容量ＣＭ１〜ＣＭ３が付加されており、
信号電荷はＴＦＴを介し、読み出し容量ＣＭ１〜ＣＭ３
に転送されることになる。例えば信号配線Ｍ１の付加さ
れている読み出し容量ＣＭ１は、Ｍ１に接続されている
Ｔ1-1〜Ｔ3-1各ＴＦＴのゲート-ソース間の電極間容量
（Ｃｇｓ）の総和（３個分）である。Ｍ１〜Ｍ３に転送
された信号電荷は、アンプＡ１〜Ａ３で増幅される。そ
してＣＲＥＳ信号をオンさせることにより、サンプルホ
ールド容量ＣＬ１〜ＣＬ３に転送され、ＣＲＥＳ信号を
オフするとともにホールドされる。次にシフトレジスタ
ＳＲ２からスイッチＳｒ１、Ｓｒ２、Ｓｒ３の順番で、
パルスを印加することにより、ＣＬ１〜ＣＬ３にホール
ドされていた信号が、ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３の順でア
ンプＡｂから出力される。結果としてＳ1-1、Ｓ1-2、Ｓ
1-3の１行分の光電変換信号が順次出力される。２行目
のＳ2-1〜Ｓ2-3の読み出し動作、３行目のＳ3-1〜Ｓ3-3
の読み出し動作も同様に行われる。

【００１１】１行目のＳＭＰＬ信号によりＭ１〜Ｍ３の
信号をＣＬ１〜ＣＬ３にサンプルホールドすれば、Ｍ１
〜Ｍ３をＣＲＥＳ信号によりＧＮＤ電位にリセットしそ
の後Ｇ２のゲートパルスを印加することができる。すな
わち１行目の信号をＳＲ２により直列変換動作をする間
に、同時に２行目の光電変換素子Ｓ2-1〜Ｓ2-3の信号電
荷をＳＲ１により転送することができる。

【００１２】以上の動作により、第１行から第３行全て
の光電変換素子の信号電荷を出力することができる。

【００１３】図１３は、従来の光電変換装置の実装図を
示している。絶縁基板１０３の上に光電変換回路部１０
０が配置されており、図１３においては上辺に読み出し
用回路１１０、左辺にシフトレジスタ回路ＳＲ１が配置
されている例である。読み出し用回路１１０は集積回路
（ＩＣ）化されており、図１１においてはマトリクス信
号配線３本分を処理する３チャンネル（３ｃｈ）分の回
路を示しているが、実際は多数のチャンネル（ｃｈ）で
構成される。１１１はＴＣＰ（テープキャリアパッケー
ジ）で、ＰＩ（ポリイミド）の材料で、パターンニング
された銅の配線が引き回されたフレキシブルな部材であ
り、通称「フレキ」と呼ばれている。読み出し用の集積
回路１１０は、ＴＣＰ１１１の上に実装されている。

【００１４】例えば、読み出し用回路１１０が１つのＩ
Ｃあたり２５６ｃｈを読み出しすることができ、シフト
レジスタＳＲ１が１つのＩＣあたり２５６本のゲート配
線を駆動できると仮定すると図１３では、それぞれ６個
分実装されているので、（２５６×６）×（２５６×
６）＝１５３６×１５３６＝２３５９２９６画素の光電
変換素子を読み取ることができる。

【００１５】医療用のＸ線撮像装置を例に取ると、胸部
の単純撮影を行う場合、４０ｃｍ×４０ｃｍ以上の面積
が必要といわれている。また画素間の間隔（画素ピッ
チ）は２００μｍ以下が望まれている。例として画素ピ
ッチが１５０μｍで４６ｃｍ角のＸ線撮像装置を、２５
６ｃｈの読み出し回路及びシフトレジスタを用いて構成
する場合、上辺が１２個の読み出し回路で、左辺が１２
個のシフトレジスタ回路になる。

【００１６】その場合、１２個のシフトレジスタ回路を
並列に、同時に動作させることはできない。なぜなら
ば、図１０で示される様に、列方向の全ての光電変換素
子は、ＴＦＴを介してそれぞれ読み出しされる信号配線
が、共通の配線であるからである。

【００１７】従って、シフトレジスタのスキャンは、図
１３に示している用に、上から下まで、順次走査してい
かなければならない。すなわち１個目のシフトレジスタ
が、１本目から２５６本のゲート配線を順次駆動した
後、２個目のシフトレジスタが、２５７本目からのゲー
ト配線を順次駆動していく。図１３では、上から下へス
キャンしているように表されているが、その逆でもかま
わない。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べてきたような従来の光電変換装置には以下に述べる２
つの課題を有している。

【００１９】まず、１つ目の課題を説明する。医療用で
用いられる胸部単純撮影などのＸ線撮像装置では大面積
で多数の画素が要求されていることは先に述べた。その
場合、全てのシフトレジスタが、順次スキャンしていく
場合、読み出し開始から終了までのスキャンの時間が増
えてしまうという課題を有している。光電変換素子とス
イッチング素子（ＴＦＴ）をアモルファスシリコン半導
体薄膜で作成した場合、そのデバイス設計とその作成プ
ロセスにも依存するが、１６０μｍの画素ピッチの場
合、光電変換素子の容量は１〜１０（ｐＦ）、ＴＦＴの
オン抵抗は１〜１０（ＭΩ）程度である。

【００２０】例として、光電変換素子の容量が５ｐＦ、
ＴＦＴのオン抵抗が５ＭΩとすると、シフトレジスタが
オンすることにより、ＴＦＴを介し信号電荷を転送する
ための時定数τは２５μｓｅｃであり、十分転送させる
ために５τ必要と考えればシフトレジスタのオン時間は
１２５μｓｅｃである。その他ＣＲＥＳ信号の時間やＳ
ＭＰＬ信号の時間を加味すると、１ライン（１行）の読
み出しに概２００μｓｅｃ必要となる。２００μｓｅｃ
／ラインで読み出し動作を行うとすると、先の例の場合
２５６×１２個分＝３０７２ライン分のゲート配線を全
て駆動するまでには、２００μｓｅｃ×３０７２＝０．
６１４４秒、必要となる。

【００２１】この時間は、Ｘ線照射時間のほか、更に光
電変換素子の暗電流の蓄積時間になるため、あまり長く
なると、暗電流による固定パターンノイズの増加や、シ
ョットノイズによるランダム性のノイズになり画質を低
下させる問題にもつながる。またこの時間が長くなる
と、静止画撮影において静止していなければならないと
いった患者への心的負担が増大する。

【００２２】次に、２つめの課題を説明する。Ｘ線照射
により、光電変換素子に蓄えられた信号電荷が、シフト
レジスタによる転送動作を開始する前に、ＴＦＴを介し
て信号配線側（読み出し容量側）へリークするという課
題である。

【００２３】図１４は、ＴＦＴを介したリーク現象を説
明するための図である。リークの現象を説明しやすくす
るため、図１４では６×６＝３６画素を記載している。

【００２４】図１４においてハッチングされている４つ
の画素にＸ線照射期間に光（Ｘ線）が照射されたとす
る。画素の座標で言えば、Ｓ3-3、Ｓ3-4、Ｓ4-3、Ｓ4-4
である。この光電変換素子の蓄積電荷は、本来転送用の
ゲート配線がオンするまで保持していなければならな
い。しかしながら、画素数が多数であることにより転送
までの時間が長くなったり、周囲の温度によっては、リ
ーク現象を引き起こす。リークの経路を図１４中、矢印
で示している。リーク量は光の量とＴＦＴのオフ抵抗に
依存する。

【００２５】図１５は、６×６の２次元の光電変換回路
における、リーク現象が発生した場合の画像を説明する
ためのイメージ図である。

【００２６】図１５（ａ）は光の照射を示したものであ
り、白部の４画素に光が照射されたことを示している。
ハッチング部は光が照射されていない。図１５（ｂ）
は、シフトレジスタＳＲ１を上から下へスキャンした場
合の、リーク現象の発生を示したイメージ図である。

【００２７】１行目のゲート配線がオンすることによ
り、１行目の光電変換素子の信号電荷が転送される。こ
の場合、１行目の光電変換素子には光が照射されていな
いため、本来、信号電荷はない。しかしながら、光電変
換素子Ｓ3-3，Ｓ4-3からのリーク電荷が信号配線Ｍ３側
にリークしてくるために、Ｓ1-3の画素に対応する出力
が増大する。これを図１５（ｂ）の破線ハッチング部で
示している。

【００２８】また、光電変換素子Ｓ3-4，Ｓ4-4からのリ
ーク電荷が信号配線Ｍ４側にリークしてくるために、Ｓ
1-4の画素に対応する出力が増大する。これも図１５
（ｂ）の破線ハッチング部で示している。２行目につい
ても同様である。３行目、４行目については、本来、画
素の蓄積信号電荷が転送されることになるが、ＴＦＴを
オンするまでに既にリークしていることにより幾分かの
信号を失っているため、信号は少なくなる。５行目、６
行目については、光が照射された光電変換素子の信号電
荷は３行目、４行目の転送動作により、既に転送されて
なくなっているために、１、２行目に現れたリークによ
る出力の上昇はない。

【００２９】図１５（ｃ）は、図１５（ｂ）のスキャン
方向と逆であり、シフトレジスタＳＲ１を下から上へス
キャンした場合の、リーク現象の発生を示したイメージ
図である。その説明は、図１５（ｂ）と同様なので、省
略する。

【００３０】図１５の説明から想像されるように、光の
量が多ければ多いほど、光が照射されていない他画素へ
の影響は大きくなる。また、同一の信号配線において、
光が照射されている光電変換素子の数が多ければ多いほ
ど、光が照射されていない他画素への影響は大きくな
る。

【００３１】図１６は、検出体を光電変換画素面近傍に
配置したイメージ図であり、（ａ）は手部、（ｂ）は頭
部である。

【００３２】通常、光電変換素子が２次元アレー状に配
列されている光電変換領域の中で検出体は中央に配置さ
れ撮影が行なわれる。検出体が存在しない領域（素抜け
領域と称す）には、多量の光が照射されるため、ＴＦＴ
を介したリーク現象により、素抜け領域より光が弱い検
出体の方へ、電荷が流入しノイズとなる。

【００３３】検出体の厚さが厚くなればなるほど、Ｘ線
の透過量が減少するため、ある程度鮮明な画像を得るた
めには、線量が多くなる。その場合、特に、素抜け領域
には多量の光が照射されるため、リーク量が大きくなる
といった課題を有している。

【００３４】そこで本発明の目的は、光電変換素子の信
号電荷の読み出し時間を減少することによって蓄積暗電
流を減少できる撮像装置、放射線撮像装置、撮像素子の
走査方法を提供することにある。

【００３５】本発明の別の目的は、素抜け領域への光照
射に伴い検出体領域への電荷のリークを抑制して、中央
部に配置された検出体の画像品位を向上させられる撮像
装置、放射線撮像装置、撮像素子の走査方法を提供する
ことにある。

【００３６】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の骨子は、画素を２次元アレー状に複数配置
した画素アレーと、前記画素の行を順次選択するための
複数の走査配線と、前記画素から信号を読み出すための
複数の信号配線と、前記複数の走査配線に選択パルスを
与えるための走査回路と、前記複数の信号配線から信号
を読み出すための読み出し用回路とを備えた撮像装置に
おいて、前記走査回路による走査方向が、互いに逆向き
の２方向からなることを特徴とする。

【００３７】又、本発明の別の骨子は、絶縁基板上に、
１個の光電変換素子と１個のスイッチング素子からなる
Ｍ×Ｎ個（Ｍ、Ｎ≧２の整数）の複数の画素を２次元ア
レー状に配置した光電変換画素と、前記スイッチング素
子をオン／オフするＭ本のゲート配線と前記光電変換素
子からの信号を読み出すＮ本のマトリクス信号配線を備
えた光電変換基板と、前記Ｍ本のゲート配線にパルスを
与えるためのシフトレジスタ回路と、前記Ｎ本のマトリ
クス信号配線からの信号を読み出すための読み出し用回
路とを含む光電変換回路部を２つ組み合わせ、第１及び
第２の光電変換回路部の前記シフトレジスタ回路及び読
み出し用回路を周辺部に配置し、かつ前記２つの光電変
換基板の光電変換画素を近接配置することにより、画素
数として２Ｍ×Ｎ個の光電変換画素を有する放射線撮像
装置において、前記第１及び第２の光電変換回路部のシ
フトレジスタ回路によるスキャンを同時に開始させ、ス
キャン方向が、第１、第２の光電変換回路部ともに読み
出し用回路がある外側から内側にスキャンを行うことを
特徴とする。

【００３８】そして、本発明の更に別の骨子は、画素を
２次元アレー状に複数配置した画素アレーと、前記画素
の行を順次選択するための複数の走査配線と、前記画素
から信号を読み出すための複数の信号配線と、を備えた
撮像素子の走査方法において、前記画素アレーの走査方
向が、互いに逆向きの２方向からなることを特徴とす
る。

【００３９】本発明によれば、２次元の光電変換装置に
おいて、ＴＦＴを駆動するためのシフトレジスタを二分
割して駆動する。それに伴い信号配線と読み出し用回路
も分割し、それぞれのシフトレジスタを、同時にスキャ
ニングさせる手段を有する。それにより、従来必要とさ
れていた読み出し時間が半分になる。すなわち蓄積暗電
流が半減する。

【００４０】加えて、それぞれのシフトレジスタのスキ
ャン方向を読み出し用回路側から開始する、すなわち、
周辺側から中央側に向かってスキャンを行う手段を有し
ている。多量の光が照射された素抜け領域をまず先に読
み出し、後から中央部の検出体領域を読み出しすること
により、素抜け領域からのＴＦＴを介し電荷のリーク成
分が、検出体の出力に含まれず良好の検出体画像が得ら
れる。

【００４１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。（実施形態１）図１は、本発明の実施形態を示すＸ線撮
像装置に含まれる光電変換回路の回路図である。説明の
簡単化のために、６×６の３６画素分の回路で示してい
る。Ｓ1-1〜Ｓ6-6は光電変換素子、Ｔ1-1〜Ｔ6-6はスイ
ッチング素子（ＴＦＴ）、Ｇ１（Ｌ）〜Ｇ６（Ｌ）及び
Ｇ１（Ｒ）〜Ｇ６（Ｒ）はＴＦＴをオン／オフさせるた
めのゲート配線（走査配線）、Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６（Ｕ）
及びＭ１（Ｄ）〜Ｍ６（Ｄ）は信号配線である。光電変
換素子は、ホトダイオードと容量を並列接続で表してお
り、逆方向バイアスが印加される。すなわち、ホトダイ
オードのカソード電極側は＋（プラス）にバイアスされ
る。バイアス配線は、図１中では共通の配線としてはホ
トダイオードのカソード側電極に接続されている。光電
変換された電荷は容量に蓄積される。Ｓ1-1〜Ｓ6-6、Ｔ
1-1〜Ｔ6-6、Ｇ１（Ｌ）〜Ｇ６（Ｌ）、Ｇ１（Ｒ）〜Ｇ
６（Ｒ）、Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６（Ｕ）、Ｍ１（Ｄ）〜Ｍ６
（Ｄ）、Ｖｓ線、これらを総じて光電変換回路部と称す
る。ＳＲ１はゲート配線にパルスを印加する走査回路と
してのシフトレジスタ、１１０は光電変換回路部内のマ
トリクス信号配線Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６（Ｕ）やＭ１（Ｄ）
〜Ｍ６（Ｄ）の並列信号出力を増幅し、直列変換して出
力するための読み出し用回路である。

【００４２】なお、読み出し用回路１１０は集積回路
（ＩＣ）化されており、電気的回路図は図１１と同じで
あり、その動作は、図１１で説明した従来技術と同様な
のでここでは省略する。

【００４３】本実施形態１は、６×６の画素を有する図
１の光電変換回路が、右上、左上、右下、左下の３×３
の画素を有する光電変換回路（１／４光電変換回路と称
す）に分割されており、その１／４光電変換回路が
「田」の字の形に配列されていることと、図１において
読み出し用回路が上辺と下辺の２辺に、シフトレジスタ
を左辺と右辺の２辺に配置していることと、各１／４光
電変換回路におけるシフトレジスタのスキャン方向（走
査方向）が、読み出し用回路側から中央側、すなわち外
側から内側であることである。

【００４４】図２は図１で示されるシフトレジスタＳＲ
１の動作を示すタイムチャートである。Ｇ１（Ｌ）〜Ｇ
６（Ｌ）とＧ１（Ｒ）〜Ｇ６（Ｒ）の１２本分のゲート
配線に印加するシフトレジスタの駆動パルスを表記して
いる。左上の１／４光電変換回路の動作については、図
１２のタイムチャートと同様であり、先の従来例で説明
しているので、ここでは省略する。また、右上、左下、
右下の他の１／４光電変換回路の動作についても、基本
的に図１２のタイムチャートと同様なので、重複した説
明は省略する。特筆すべき点は、各１／４光電変換回路
の動作が同じ動作タイミングで行われ、あくまでシフト
レジスタＳＲ１のスキャン方向が、図２に記載している
ような外側から内側へ向かうタイミングで動作させる点
である。シフトレジスタとして、そのシフト方向が、外
部の制御回路から入力される制御信号に応じて、一方向
或いはそれと逆の方向のいずれか一方に定めることがで
きる、所謂双方向シフトレジスタを用いれば、より好ま
しいものである。

【００４５】図３は、本実施形態の光電変換装置の実装
図であり、あわせて各１／４光電変換回路におけるシフ
トレジスタのスキャン方向を示している。絶縁基板１０
３の上に光電変換回路１００が配置されており、図３に
おいては上辺と下辺の２辺に読み出し用回路１１０を、
左辺と右辺の２辺に同一種類のＩＣチップからなるシフ
トレジスタ回路ＳＲ１が配置されている。読み出し用回
路１１０は集積回路（ＩＣ）化されており、図１１にお
いてはマトリクス信号配線３本分を処理する３チャンネ
ル（３ｃｈ）分の回路で示しているが、実際は更に多数
のチャンネル（ｃｈ）で構成される。好ましくは、シフ
トレジスタ回路のチップと同様に、全ての読み出し用回
路１１０を、読み出した信号の並べ替え順序を双方向に
駆動可能で、外部の制御回路から入力される信号に応じ
て、一方向に定めることができる、同一種類のＩＣチッ
プで作製するとよい。１１１はＴＣＰ（テープキャリア
パッケージ）で、材料にＰＩ（ポリイミド）を用い、パ
ターンニングされた銅の配線が引き回されたフレキシブ
ルな部材であり、通称「フレキ」と呼ばれている。ＳＲ
１は、ＴＣＰ１１１の上に実装されている。

【００４６】例えば、読み出し用回路１１０が１つのＩ
Ｃあたり２５６ｃｈを読み出しすることができ、シフト
レジスタＳＲ１が１つのＩＣあたり２５６本のゲート配
線を駆動できると仮定すると図３では、それぞれ１２個
分実装されているので、（２５６×１２）×（２５６×
１２）＝３０７２×３０７２＝９４３７１８４画素の光
電変換素子を読み取ることができる。

【００４７】また、全ての読み出し用回路１１０におい
て、同時に画素からの信号読み出しを行い、信号の並べ
替え順序を図中右から左或いは左から右のいずれか一方
の方向に揃えることも好ましいものである。

【００４８】図４は、本実施形態の光電変換回路部の断
面を表す概略図である。アモルファスシリコン半導体に
よる光電変換素子１０１とスイッチ素子（ＴＦＴ）１０
２が絶縁基板１０３上に配置されている。二つの１／４
光電変換回路が左右に近接して配置されている。図に示
すように近接部分において、画素のピッチをほとんど保
った状態で２つの１／４光電変換回路を配置している。
２つの１／４光電変換回路はベース基板１０４上に接着
剤で接着し、固定される。ベース基板１０４は、ガラ
ス、ステンレス（ＳＵＳ）板、マグネシウム合金、鉄板
などが用いられる。特に絶縁基板１０３とベース基板１
０４が同一の材料であれば、熱変化によるたわみが少な
い。１０５はＸ線を可視光に変換する蛍光体（波長変換
体）であり、光電変換素子の近傍に配置されている。こ
の蛍光体はＧｄ₂Ｏ₂Ｓ、Ｇｄ₂Ｏ₃、ＣｓＩのいずれかを
主成分とする。あるいは蛍光体を用いずに、光電変換素
子にＸ線を直接吸収し電気信号に変換する材料（ＧａＡ
ｓ等）を用い、アモルファスシリコン半導体によるＴＦ
Ｔと組み合わせる構成とすることもできる。

【００４９】図５は、本実施形態の光電変換回路部の断
面を表す概略図であり、図４とは異なる例である。アモ
ルファスシリコン半導体による光電変換素子１０１とス
イッチ素子１０２が絶縁基板１０３上に配置されてお
り、二つの１／４光電変換回路が左右に近接して配置さ
れている点は図４と同じである。図４では、二つの１／
４光電変換回路が、左右でミラー対称に配置されている
のに対し、図５では、二つの１／４光電変換回路の光電
変換素子とＴＦＴの並びが同じ方向である。この場合、
二つの１／４光電変換回路の接合部における画素ピッチ
の乱れが図４に比べ小さくできる。二つの１／４光電変
換回路は、図４と同様にベース基板１０４上に接着剤で
接着し、固定される。１０５はＸ線を可視光に変換する
蛍光体であり、光電変換素子の近傍に配置されている。

【００５０】図６は、本実施形態の光電変換回路部の断
面を表す概略図であり、図４、図５とは異なる例であ
る。アモルファスシリコン半導体による光電変換素子１
０１とスイッチ素子１０２が絶縁基板１０３上に配置さ
れている点では、図４、図５と同じであるが、二つの１
／４光電変換回路に絶縁基板１０３が共通になってい
る。図４、図５では、絶縁基板上に光電変換素子１０１
やスイッチ素子１０２を成膜した２つの１／４光電変換
回路をベース基板に接着しているのに対し、図６では１
枚の大きな絶縁基板上に、２つの１／４光電変換回路分
の光電変換素子１０１やスイッチ素子１０２を成膜して
いる。図６では、成膜した時点で、画素ピッチが揃って
いるため、ベース基板に接着させる必要はない。１０５
はＸ線を可視光に変換する蛍光体であり、光電変換素子
の近傍に配置されている。

【００５１】図７は、本実施形態の光電変換装置に検出
体を配置した時の光の照射状態を模式的に表した図であ
る。図７では、説明を簡単化するために１２×１２画素
の例で示している。また図中、黒（ハッチング）四角は
検出体の存在を示しており、白四角は、検出体が存在し
ない状態すなわち素抜け領域を示している。黒四角は、
検出体でのＸ線の吸収により、素抜け部分よりも光の照
射量は小さくなっている。図７では、本発明の特徴であ
るシフトレジスタのスキャン方向が、読み出し用回路側
から中央側になっており図中矢印で示している。

【００５２】一般の撮影おいて、検出体は、光電変換装
置の受光面の中央に配置されるため、周辺部分が素抜け
領域になる傾向がある。本発明では、シフトレジスタの
スキャン動作を読み出し用回路側から開始することを特
徴としている。中央部側に配置された検出体の信号電荷
を読み出しする前に、多大な光が照射された素抜け領域
の光電変換素子の電荷が先に転送されるために、ＴＦＴ
を介したリーク現象による検出体部への影響が少なくな
り、画質が向上する。

【００５３】また、本発明によれば、２Ｍ行×Ｎ列の多
数の画素数を有する２次元アレー状の光電変換装置にお
いて、シフトレジスタによる２Ｍ本のゲート配線の駆動
を、上側と下側に分割して同時に行うために、Ｍ本分の
駆動で読み出し動作が完了する。すなわち、従来例に比
べ読み出し時間が半分ですむ。これにより、暗電流によ
る固定パターンノイズの増加や、ショットノイズによる
ランダムノイズが小さくなり画質も向上する。（実施形態２）図８は、本発明の実施形態２を示すＸ線
撮像装置に含まれる光電変換回路の回路図である。説明
の簡単化のために、６×６の３６画素分の回路で示して
いる。Ｓ1-1〜Ｓ6-6は光電変換素子、Ｔ1-1〜Ｔ6-6はス
イッチング素子（ＴＦＴ）、Ｇ１〜Ｇ６はＴＦＴをオン
／オフさせるためのゲート配線、Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６
（Ｕ）及びＭ１（Ｄ）〜Ｍ６（Ｄ）は信号配線である。
光電変換素子は、ホトダイオードと容量を並列接続で表
しており、逆方向バイアスが印加される。すなわち、ホ
トダイオードのカソード電極側は＋（プラス）にバイア
スされる。バイアス配線は、図８中では共通の配線とし
てはホトダイオードのカソード側電極に接続されてい
る。光電変換された電荷は容量に蓄積される。Ｓ1-1〜
Ｓ6-6、Ｔ1-1〜Ｔ6-6、Ｇ１〜Ｇ６、Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６
（Ｕ）、Ｍ１（Ｄ）〜Ｍ６（Ｄ）、Ｖｓ線、これらを総
じて光電変換回路部と称する。ＳＲ１はゲート配線にパ
ルスを印加するシフトレジスタ、１１０は光電変換回路
部内のマトリクス信号配線Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６（Ｕ）やＭ
１（Ｄ）〜Ｍ６（Ｄ）の並列信号出力を増幅し、直列変
換して出力するための読み出し用回路である。なお、読
み出し用回路１１０は集積回路（ＩＣ）化されており、
図１１と同じであり、その動作は、図１１で説明した従
来技術と同様なのでここでは省略する。

【００５４】本実施形態の特徴は、６×６の画素を有す
る図１の光電変換回路が、上下の３行×６列の画素を有
する光電変換回路（１／２光電変換回路と称す）に分割
しておりその１／２光電変換回路が「日」の字の形に配
列されていることと、図８において読み出し用回路が上
辺と下辺の２辺に、シフトレジスタが左辺の１辺に配置
していることと、各１／２光電変換回路におけるシフト
レジスタのスキャン方向が、読み出し用回路側から中央
側になっていることである。

【００５５】シフトレジスタＳＲ１の動作を示すタイム
チャートは、図２のＧ１（Ｌ）〜Ｇ６（Ｌ）と同じであ
る。上の１／２光電変換回路の動作または、下の１／２
光電変換回路の動作については、図１２のタイムチャー
トに示したものと同様なので説明を省略する。特筆すべ
き点は、各１／２光電変換回路の動作が同じ動作タイミ
ングで行われ、シフトレジスタＳＲ１のスキャン方向
が、図２のＧ１（Ｌ）〜Ｇ６（Ｌ）に記載しているよう
な外側から内側へ向かうタイミングで動作させる点であ
る。

【００５６】本実施形態２が実施形態１と異なる点は、
実施形態１が１／４光電変換回路に４分割されているこ
とに対し、本実施形態が１／２光電変換回路に２分割さ
れている点である。図４または図５に示すような、ベー
ス基板１０４に接着する場合の位置合わせの点で、実施
形態１では「十」字の中央４辺で、画素ピッチをつなげ
なければならないのに対し、本実施形態では、「一」字
の１辺だけでよいため、実装の点で有利である。また、
本実施形態は、実施形態１と同様、２Ｍ行×Ｎ列の多数
の画素数を有する２次元アレー状の光電変換装置におい
て、シフトレジスタによる２Ｍ本のゲート配線の駆動
を、上側と下側に分割して同時に行うために、Ｍ本分の
駆動で読み出し動作が完了する。すなわち、従来例に比
べ読み出し時間が半分ですむ。これにより、暗電流によ
る固定パターンノイズの増加や、ショットノイズによる
ランダムノイズが小さくなり画質も向上する。

【００５７】以上をまとめるに、本発明の撮像装置は、
画素を２次元アレー状に複数配置した画素アレーと、前
記画素の行を順次選択するための複数の走査配線と、前
記画素から信号を読み出すための複数の信号配線と、前
記複数の走査配線に選択パルスを与えるための走査回路
と、前記複数の信号配線から信号を読み出すための読み
出し用回路とを備えた撮像装置において、前記走査回路
による走査方向が、互いに逆向きの２方向からなること
を特徴とする。

【００５８】より好ましくは、画素アレーの一部の領域
では、図１の下向き矢印に示すように第１の方向に走査
され、残りの領域では、図１の上向き矢印に示すよう
に、第１の方向とは逆向きの第２の方向に走査がなされ
るとよい。隣接領域の境界に向けて外側から内側に、或
いは境界側である内側から外側にスキャンさせることに
より、２つの基板の境界にある行のような隣接行におけ
る画素の蓄積時間を揃えることができる。

【００５９】更には、上述したように、画素アレーの中
央の行に向かって、画素アレーの対向する両端（図中の
上下の端）にある行からそれぞれ逆方向に走査がなされ
るとよい。

【００６０】より詳しくは、図２などに示すように、画
素アレーの一部の領域では、第１の方向に走査され、残
りの領域では、第１の方向とは逆向きの第２の方向に走
査がなされるとともに、一部の領域のある一行が選択さ
れる時に同時に前記残りの領域のある一行が選択される
ようにゲート配線を駆動することが好ましい。

【００６１】本発明に用いられる画素としては、前述し
たような光電変換素子とスイッチング素子を有する画素
や、放射線を直接電荷に変換する変換素子とスイッチン
グ素子を有する画素や、アレー状に配されたスイッチン
グ素子に放射線や光を電荷に変換する変換機能をもつ共
通の部材を貼り合せ接続したもの、ホトトランジスタの
ようなスイッチング機能をもつ変換素子からなる画素、
などが挙げられる。さらに必要に応じて、各画素をリセ
ットするためのリセット素子を設けたり、増幅素子を設
けたものであってもよい。

【００６２】スイッチング素子としては、トランジス
タ、とりわけ、チャネル部分が非晶質半導体や多結晶半
導体や単結晶半導体からなる薄膜トランジスタが好まし
く用いられる。

【００６３】本発明に用いられる、走査回路や、読み出
し回路としては、上述したように単結晶半導体を用いた
ＩＣチップを複数用いて形成してもよいし、半導体薄膜
を用いて走査回路を構成するトランジスタなどを作製
し、スイッチング素子とともに同一基板に集積化したも
のを用いてもよい。

【００６４】本発明に用いられる画素アレーは、一枚の
基板上に形成されてもよいが、より大面積の撮像素子を
提供するために、前述したように複数の基板に亘って配
置されてもよい。

【００６５】そして、読み出し用回路が配置された、画
素アレーの対向する両端側にある行から、複数の基板の
境界側にある行に向かう方向に走査がなされるとよい。

【００６６】更には、走査方向や信号の並べ替え方向
は、外部の制御回路から制御信号を走査回路や読み出し
用回路に入力することにより、決定できるようにするこ
とが好ましいものである。

【００６７】図９は、本発明による放射線撮像装置のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。

【００６８】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線撮像装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体に
よって可視光に変換し、これを光電変換して、電気信号
を得る。この電気信号はディジタル変換されイメージプ
ロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプ
レイ６０８０で観察できる。

【００６９】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。

【００７０】以上の実施形態では、Ｘ線撮像システムを
例に説明したが、α，β，γ線等の放射線を光に変換
し、この光を光電変換する装置構成としても、同様であ
る。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２Ｍ行×Ｎ列の多数の画素数を有する２次元アレー状の
光電変換装置の駆動において、シフトレジスタによる２
Ｍ本のゲート配線を２分割して、Ｍ本それぞれ独立に、
同時にスキャン動作を行うことにより、読み出し時間を
半分に減らすことができる。しかも、それぞれ、外側か
ら内側或いは内側から外側にスキャンさせることによ
り、２つの基板の境界にある行のような隣接行における
画素の蓄積時間を揃えることができる。特に、外側から
内側にスキャンさせることにより、周辺部の素抜け領域
に照射された強い光により発生した電荷が、ＴＦＴを介
してリークすることがないため、中央部に配置された検
出体の画像の品位が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示すＸ線撮像装置に含まれ
る光電変換回路の回路図

【図２】シフトレジスタＳＲ１の動作を示すタイムチャ
ート

【図３】実施形態１の光電変換装置の実装図

【図４】実施形態１の光電変換回路部の断面を表す概略
図

【図５】実施形態１の光電変換回路部の断面を表す他の
例の概略図

【図６】実施形態１の光電変換回路部の断面を表すさら
に他の例の概略図

【図７】実施形態１の光電変換装置に検出体を配置した
時の光の照射状態を模式的に表した図

【図８】本発明の実施形態２を示すＸ線撮像装置に含ま
れる光電変換回路の回路図

【図９】本発明による放射線撮像装置のＸ線診断システ
ムへの適用例を示す図

【図１０】従来の光電変換装置の２次元的回路図

【図１１】読み出し用回路の内部を示す電気回路図

【図１２】従来の光電変換装置の動作を示すタイムチャ
ート

【図１３】従来の光電変換装置の実装図

【図１４】ＴＦＴを介したリーク現象を説明するための
図

【図１５】リーク現象が発生した場合の画像を説明する
ためのイメージ図

【図１６】検出体を光電変換画素面近傍に配置したイメ
ージ図

【符号の説明】

１０１光電変換素子１０２スイッチング素子（ＴＦＴ）１０３絶縁基板１０４ベース基板１０５Ｘ線を可視光に変換する蛍光体Ａ１〜Ａ３，Ｂ１〜Ｂ３，ＡｂバッファアンプＣＭ１〜ＣＭ３マトリクス信号配線に付加している読
み出し容量Ｇ１〜Ｇ３ゲート駆動配線Ｇ１（Ｌ）〜Ｇ６（Ｌ）、Ｇ１（Ｒ）〜Ｇ６（Ｒ）ゲ
ート駆動配線Ｍ１〜Ｍ３マトリクス信号配線Ｍ１（Ｕ）〜Ｍ６（Ｕ）、Ｍ１（Ｄ）〜Ｍ６（Ｄ）マ
トリクス信号配線ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３ＣＭ１〜ＣＭ３をリセットするス
イッチＳ1-1〜Ｓ3-3 光電変換素子Ｔ1-1〜Ｔ3-3 スイッチング素子Ｓｎ１〜Ｓｎ３読み出し容量に信号を転送するための
転送スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３読み出し容量の信号を順次読み出すた
めの読み出し用スイッチＳＲ１シフトレジスタ（スイッチング素子用）ＳＲ２シフトレジスタ（読み出しスイッチ用）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０１Ｌ 27/14 ＡＨ０４Ｎ 5/335 31/10 Ｇ 27/14 ＤＦターム(参考） 2G088 EE01 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 JJ05 KK00 KK15 4M118 AA05 AB01 BA04 BA05 CA02 CA11 CB02 CB06 CB07 CB11 FB03 FB09 FB13 FB16 GA10 HA21 HA22 HA26 HA27 5C024 AX11 AX16 CX32 CX38 GX02 GX07 GX09 GX21 GY31 GY37 GZ47 GZ49 JX36 5F049 NA04 NB05 RA08 UA14 WA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に、１個の光電変換素子と１
個のスイッチング素子からなるＭ×Ｎ個（Ｍ、Ｎ≧２の
整数）の複数の画素を２次元アレー状に配置した光電変
換画素と、前記スイッチング素子をオン／オフするＭ本
のゲート配線と前記光電変換素子からの信号を読み出す
Ｎ本のマトリクス信号配線を備えた光電変換基板と、前
記Ｍ本のゲート配線にパルスを与えるためのシフトレジ
スタ回路と、前記Ｎ本のマトリクス信号配線からの信号
を読み出すための読み出し用回路とを含む光電変換回路
部を２つ組み合わせ、第１及び第２の光電変換回路部の前記シフトレジスタ回
路及び読み出し用回路を周辺部に配置し、かつ前記２つ
の光電変換基板の光電変換画素を近接配置することによ
り、画素数として２Ｍ×Ｎ個の光電変換画素を有する放
射線撮像装置において、前記第１及び第２の光電変換回路部のシフトレジスタ回
路によるスキャンを同時に開始させ、スキャン方向が、
第１、第２の光電変換回路部ともに読み出し用回路があ
る外側から内側にスキャンを行うことを特徴とする放射
線撮像装置。
【請求項２】前記第１及び第２の光電変換回路部のＭ
×Ｎ個の光電変換画素を有する光電変換基板を、それぞ
れＭ×Ｎ１個の光電変換画素を有する光電変換基板とＭ
×Ｎ２個の光電変換画素を有する光電変換基板とに分け
て（Ｎ１＋Ｎ２＝Ｎ）、それらの分割した光電変換基板
毎に前記シフトレジスタ回路及び読み出し用回路を設け
て新たな第１〜４の光電変換回路部とし、これら第１〜
４の光電変換回路部を組み合わせた周辺部のうち、前記
読み出し用回路を対向する２辺側に、前記シフトレジス
タ回路を別の対向する２辺側に配置した放射線撮像装置
において、前記第１〜４の光電変換回路部のシフトレジスタ回路に
よるスキャンを同時に開始させ、スキャン方向が、第１
〜４の光電変換回路部ともに読み出し用回路がある外側
から内側にスキャンを行うことを特徴とする請求項１記
載の放射線撮像装置。
【請求項３】前記光電変換基板上に配置した光電変換
素子及びスイッチング素子の材料としてアモルファスシ
リコン半導体を用いることを特徴とする請求項１又は２
記載の放射線撮像装置。
【請求項４】前記光電変換回路部の光電変換素子の近
傍に、放射線を吸収し可視光を発する波長変換体を配置
させたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
記載の放射線撮像装置。
【請求項５】前記波長変換体は、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ、Ｇｄ₂
Ｏ₃、ＣｓＩのいずれかを主成分とすることを特徴とす
る請求項４記載の放射線撮像装置。
【請求項６】前記第１及び第２の光電変換回路部にお
ける光電変換基板を別のベース基板に接着させたことを
特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項７】前記ベース基板に、ガラス、ステンレ
ス、マグネシウム合金、鉄のいずれかを用いたことを特
徴とする請求項６記載の放射線撮像装置。
【請求項８】前記ベース基板と前記光電変換基板の材
料が同一であることを特徴とする請求項６又は７記載の
放射線撮像装置。
【請求項９】前記第１及び第２の光電変換回路部にお
ける絶縁基板は、同一の絶縁基板であることを特徴とす
る請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】前記光電変換素子が、放射線を直接吸
収し電気信号に変換する材料を用いたことを特徴とする
請求項１又は２記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】被験者または被験物に放射線を照射す
るための放射線源と、この放射線を検出する請求項１ないし１０のいずれかに
記載の放射線撮像装置と、この検出された信号をディジタル変換して画像処理する
画像処理手段と、この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１２】画素を２次元アレー状に複数配置した
画素アレーと、前記画素の行を順次選択するための複数
の走査配線と、前記画素から信号を読み出すための複数
の信号配線と、前記複数の走査配線に選択パルスを与え
るための走査回路と、前記複数の信号配線から信号を読
み出すための読み出し用回路とを備えた撮像装置におい
て、前記走査回路による走査方向が、互いに逆向きの２方向
からなることを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】前記画素アレーの一部の領域では、第
１の方向に走査され、残りの領域では、前記第１の方向
とは逆向きの第２の方向に走査がなされる請求項１２に
記載の撮像装置。
【請求項１４】前記画素アレーの中央の行に向かっ
て、前記画素アレーの対向する両端にある行からそれぞ
れ逆方向に走査がなされる請求項１２に記載の撮像装
置。
【請求項１５】前記画素アレーの一部の領域では、第
１の方向に走査され、残りの領域では、前記第１の方向
とは逆向きの第２の方向に走査がなされるとともに、前
記１部の領域のある一行が選択される時に同時に前記残
りの領域のある一行が選択される請求項１２に記載の撮
像装置。
【請求項１６】前記画素は、前記走査配線に接続され
たゲート電極を有するトランジスタを含む請求項１２に
記載の撮像装置。
【請求項１７】前記トランジスタは、光又は放射線を
受けて電荷を発生する変換素子に接続されている請求項
１２に記載の撮像装置。
【請求項１８】前記画素アレーは、複数の基板に亘っ
て配置されている請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項１９】前記画素アレーは、複数の基板に亘っ
て配置されており、前記画素アレーの対向する両端に前
記読み出し用回路が配置され、前記両端側にある行か
ら、前記複数の基板の境界側にある行に向かう方向に走
査がなされる請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項２０】前記走査回路による走査方向が、互い
に逆向きの２方向からなるように前記走査回路を制御す
る制御回路を有する請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項２１】画素を２次元アレー状に複数配置した
画素アレーと、前記画素の行を順次選択するための複数
の走査配線と、前記画素から信号を読み出すための複数
の信号配線と、を備えた撮像素子の走査方法において、前記画素アレーの走査方向が、互いに逆向きの２方向か
らなることを特徴とする撮像素子の走査方法。
【請求項２２】前記画素アレーの一部の領域では、第
１の方向に走査され、残りの領域では、前記第１の方向
とは逆向きの第２の方向に走査がなされる請求項２１に
記載の撮像素子の走査方法。
【請求項２３】前記画素アレーの中央の行に向かっ
て、前記画素アレーの対向する両端にある行からそれぞ
れ逆方向に走査がなされる請求項２１に記載の撮像素子
の走査方法。
【請求項２４】前記画素アレーの一部の領域では、第
１の方向に走査され、残りの領域では、前記第１の方向
とは逆向きの第２の方向に走査がなされるとともに、前
記１部の領域のある一行が選択される時に同時に前記残
りの領域のある一行が選択される請求項２１に記載の撮
像素子の走査方法。
【請求項２５】前記画素は前記走査配線に接続された
ゲート電極を有するトランジスタを含み、前記走査配線
に前記トランジスタをオンする選択パルスを順次供給す
ることにより走査がなされる請求項２１に記載の撮像素
子の走査方法。
【請求項２６】前記トランジスタは、光又は放射線を
受けて電荷を発生する変換素子に接続されている請求項
２１に記載の撮像素子の走査方法。
【請求項２７】前記画素アレーは、複数の基板に亘っ
て配置されている請求項２１に記載の撮像素子の走査方
法。
【請求項２８】前記画素アレーは、複数の基板に亘っ
て配置されており、前記画素アレーの対向する両端に前
記読み出し用回路が配置され、前記両端側にある行か
ら、前記複数の基板の境界側にある行に向かう方向に走
査がなされる請求項２１に記載の撮像素子の走査方法。