JP2008141705A - 放射線撮像装置及び放射線撮像システム - Google Patents

Abstract

【課題】リアルタイムで高品質な画像を出力できるようにする。
【解決手段】入射した放射線を電荷に変換する複数の変換素子と当該各変換素子を動作させる複数のスイッチ素子とを備えるセンサー１７２と、前記複数のスイッチ素子のうちの第１のスイッチ素子群（Ｔ１１〜Ｔ３３）を第１の駆動配線（Ｖｇ１〜Ｖｆ３）を介して駆動させる第１の駆動回路部１７３Ａと、前記第１のスイッチ素子群と異なる第２のスイッチ素子群（Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａ）を介して駆動させる第２の駆動回路部１７３Ｂと、各駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂから供給する駆動信号の波形をそれぞれ整形する波形整形部１７７及び１７８を具備するようにする。
【選択図】図６

Description

本発明は、被写体に対して、可視光等の電磁波やＸ線、α線、β線、γ線などの放射線が照射され、当該被写体に係る画像を撮影する放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関するものである。

近年、半導体技術の進歩により、入射した光等の放射線を電気信号へ変換する変換装置を用いたデジタル放射線撮像装置が実用化され普及している。特に、近時では、放射線としてＸ線を用いたデジタル放射線撮像装置が広く普及している。

このデジタル放射線撮像装置は、従来のフィルム式よりも優れた感度や画質を有するため、より低線量での撮影や診断機能の向上を図ることが可能である。また、デジタルデータにより画像が保存されるため、撮影後に各種の画像処理を行って、より診断しやすい画像に加工できることや、画像管理が容易である等の利点がある。さらに、デジタルデータの利点を生かして画像データをネットワークを利用して転送することで、病院内における画像診断業務の効率化や遠隔診断などの業務の効率化等により、新たな医療サービスを提供することが可能である。

これらの利点を持つデジタル放射線撮像装置としては、絶縁基板上に形成されたアモルファスシリコンなどの非単結晶半導体を用いた２次元エリアセンサと、結晶半導体の駆動回路や信号処理回路とを用いて構成された大面積の撮像装置を有する放射線撮像装置が実用化されてきている。このような大面積の撮像装置を有する放射線撮像装置を用いれば、診断精度の向上や、診断の効率化、新たな医療サービスへの展開など、従来のフィルム式のＸ線撮像装置に比べて質の高い医療サービスを提供できる。

このような大面積の撮像装置を有する放射線撮像装置は、特許文献１または特許文献２に開示されている。特許文献１または特許文献２では、絶縁基板に、変換素子とスイッチ素子を含む画素が２次元状に配列された変換部を有し、行毎の複数の画素のスイッチ素子に接続される駆動配線と、列方向の複数の画素のスイッチ素子に接続される信号配線と、を複数有して２次元エリアセンサが構成されている。また、駆動配線に接続され、画素のスイッチ素子にパルス状の駆動信号を与えるための駆動回路と、信号配線に接続され、画素からの電気信号を読出して処理するための信号処理回路とを有している。

以上に説明した放射線撮像装置の応用事例として、透視画像の撮影が試みられている。ここで、透視画像とは、Ｘ線（放射線）の動画撮影のことであり、この撮影では、静止画に比べ低解像度で１画像あたりＸ線の線量も静止画撮影に比べて１桁以上低い撮影が行われる。

この透視撮影は、主にカテーテル挿入等の手術を行う際のモニタリングや、血管の病変などの診断に用いられる。よって、長時間のＸ線照射が必要となるため、患者のＸ線被爆量を最小限に抑えるために高感度のデジタル放射線撮像装置が用いられている。従来は、デジタル放射線撮像装置として、イメージ・インテンシファイア（Ｉ・Ｉ）と呼ばれる光電子倍増管とＣＣＤカメラを組み合わせた撮影システムが用いられている。

このＩ・Ｉに比べて上述した高感度のデジタル放射線撮像装置は、周囲の画像の歪みが無く、画像のＳ／Ｎが良く、撮像部が小型化できるという利点がある。よって、このデジタル放射線撮像装置を用いたデジタル透視画像撮像装置を用いれば、患者への被爆を抑えることが可能となり、また、透視画像撮像装置の使い勝手も向上する。

このような、大面積の撮像装置を用いた放射線撮像装置では、大面積のため１画像取得するための時間が大きくなってしまう場合がある。また、大面積で且つ画素数の多い撮像装置を用いた放射線撮像装置では、駆動配線の数が多く、１つの辺に駆動回路を集中して配置すると、実装密度が高くなり歩留まりが低下する恐れがある。

そこで、特許文献２では、大面積の撮像装置を駆動するためにパルス状の駆動信号を駆動配線に供給するための駆動回路を複数個配置し、更に対向する両辺それぞれに駆動回路を配置して１つの駆動回路が動作させる画素数を少なくしている。例えば、奇数番目の駆動配線を左側、偶数番目の駆動配線を右側に振り分け、それぞれの側で駆動回路に接続している。また、他の例では、マトリクスを複数のサブマトリクスに分割し、サブマトリクスそれぞれに駆動回路を複数個配置し、１つの駆動回路が動作させる画素数を少なくしている。こうすると各配線は密度の集中がなく歩留まりが向上し、またその駆動回路を並列的に動作させることによって、１画像取得するための時間が短縮される。

特開平０４−２１２４５６公報 特開平０８−１３５０１３号公報

しかしながら、従来の放射線撮像装置においては、駆動回路から各駆動配線に対してパルス状の駆動信号を供給した際に、当該駆動配線の配線抵抗等により、駆動回路から遠い駆動配線の終端部に向かって駆動信号の応答が徐々に悪くなる。即ち、駆動回路から駆動配線に対して駆動信号を供給した際に、駆動回路に近い画素のスイッチ素子よりも、駆動回路から遠い画素のスイッチ素子における駆動信号の応答が悪くなる。これにより、十分なコントラスト等を有する高品質な画像を出力することが困難であるという問題点があった。

本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、リアルタイムで高品質な画像を出力すること実現する放射線撮像装置及び放射線撮像システムを提供することを目的とする。

本発明の放射線撮像装置は、入射した放射線を電荷に変換する複数の変換素子と、前記変換素子を動作させる複数のスイッチ素子とを備えるセンサーと、前記複数のスイッチ素子のうちの第１のスイッチ素子群と接続する第１の駆動配線と、前記複数のスイッチ素子のうちの前記第１のスイッチ素子群と異なる第２のスイッチ素子群と接続する第２の駆動配線と、前記第１の駆動配線に駆動信号を供給して前記第１のスイッチ素子群を駆動させる第１の駆動回路部と、前記センサーを基準として前記第１の駆動回路部と対向する位置に設けられ、前記第２の駆動配線に駆動信号を供給して前記第２のスイッチ素子群を駆動させる第２の駆動回路部と、前記第１の駆動回路部から供給する駆動信号の波形を整形する第１の波形整形部と、前記第２の駆動回路部から供給する駆動信号の波形を整形する第２の波形整形部とを有する。

本発明の放射線撮像システムは、前記放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置に対して放射線を照射する放射線源と、前記放射線撮像装置と前記放射線源とを、被写体に対して一体的に駆動させる駆動機構と、前記放射線撮像装置、前記放射線源及び前記駆動機構を制御して前記被写体に係る撮影を行う制御装置と、前記放射線撮像装置で撮影された前記被写体に係る画像を表示する表示部とを有する。

本発明によれば、リアルタイムで高品質な画像を出力することが可能となる。

以下に図面を用いて本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下に示す本発明の諸実施形態の説明においては、放射線としてＸ線を適用した例を示すが、本発明においてはこれに限定されず、例えば、放射線として、可視光等の電磁波やα線、β線、γ線なども含まれるものとする。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。

図１において、Ｘ線撮像装置は、２次元センサー５１、駆動回路部５２Ａ及び５２Ｂ、信号処理回路部５３、センサー用電源５４、ＡＭＰ基準電源５５、バッファアンプ５６、並びに、Ａ／Ｄコンバータ５７を有して構成されている。また、信号処理回路部５３は、信号増幅部５３１、サンプルホールド回路部５３２、及び、マルチプレクサー５３３を有して構成されている。

図１では、説明の都合上、２次元センサー５１に３×３の画素を示しているが、実際の放射線撮像装置では、撮影目的（部位や、注目する組織）に応じて、様々な画素数及び画素ピッチや有効エリアを持つ２次元センサー５１が作製される。２次元センサー５１の有効エリアは１３ｃｍ×１３ｃｍ程度から４３ｃｍ×４３ｃｍ程度、画素ピッチは１００μｍ〜２００μｍ程度のものが実用化されている。また、画素数は、有効エリアと画素ピッチから決まり、１０００画素×１０００画素から２８００画素×２８００画素程度である。

２次元センサー５１の１画素は、図１に示すように、Ｓ１１〜Ｓ３３で示す１つの変換素子５１２と、Ｔ１１〜Ｔ３３で示すＴＦＴからなる１つのスイッチ素子５１１とを、それぞれ有して構成されている。それぞれの画素は、行方向を駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３、列方向を信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３と共有するよう接続されている。また、変換素子５１２にセンサー用電源５４から電圧を印加するためのバイアス配線（Ｖｓ）は、全画素共通である。

信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３は、信号処理回路部５３の信号増幅部５３１と接続されており、信号増幅部５３１内部で各信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３と信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３は１対１で接続されている。さらに、信号増幅部５３１には、各信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力を一時的に保持するサンプルホールド回路部５３２が接続されている。

各変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３には、共有するＶｓ配線を介してセンサー用電源５４から電圧が供給される。ここで、センサー用電源５４は、各変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３が電荷の生成を行うのに必要な電圧を供給する電源であり、電荷の生成を行うための電圧Ｖｓを供給する電源を内包している。本実施形態では、変換素子５１２はＭＩＳ型の光電変換素子であるため、センサー用電源５４は更にリフレッシュを行うための電圧Ｖｒｅｆを供給する電源を内包している。

図２は、図１に示す２次元センサー５１における１つの画素の概略断面の一例を示す図である。ここで、図２では、変換素子５１２の一例として、ＭＩＳ型光電変換素子を示している。

スイッチ素子５１１は、絶縁性基板であるガラス基板２０１上に、クロム、アルミニウム又はクロム、アルミニウムとの合金からなるゲート電極（駆動配線）２０２と、アモルファスシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２０３と、を有している。ゲート絶縁膜２０３上に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるチャネル層２０４と、チャネル層２０４と後述の金属電極（２０６、２０７）とのオーミックコンタクトをとるためのＮ⁺型アモルファスシリコン層２０５を有している。更に、Ｎ⁺型アモルファスシリコン層２０５上に、アルミニウム又はアルミニウムの合金などの金属からなるソース電極２０６及びドレイン電極２０７が順次形成されて構成されている。

ＭＩＳ型光電変換素子である変換素子５１２は、絶縁性基板であるガラス基板２０１上に、クロム、アルミニウム又はそれらとの合金などの金属からなる下部電極（第１の電極層）２０８を有する。下部電極２０８上に、正負の電荷の両方を遮断するアモルファス窒化シリコンの薄膜からなる絶縁層２０９と、当該絶縁層２０９上に、蛍光体２１６で変換された光の量に比例した電荷を生成する水素化アモルファスシリコンからなる光電変換層２１０を有する。そして、光電変換層２１０上に、Ｎ⁺型アモルファスシリコン層２１１を有する。このＮ⁺型アモルファスシリコン層２１１は、光電変換層２１０と後述の電極等（２１２、２１３）とのオーミックコンタクトを取ると共に、光電変換層２１０に対する後述のセンサーバイアス配線層２１２からの正孔の流入を遮断するブロッキング層として機能する。更に、Ｎ⁺型アモルファスシリコン層２１１上に、当該ＭＩＳ型光電変換素子に電圧を供給する金属層からなるバイアス配線層２１２、及び、透明電極層からなる透明電極２１３を含む電極層（第２の電極層）が順次形成されて構成されている。ここで、バイアス配線層２１２は、クロム、アルミニウム又はそれらとの合金などの金属層からなり、また、透明電極２１３は、例えば、可視光に対して透明なＩＴＯ薄膜から形成されている。

また、図２に示す信号配線５１３は、クロム、アルミニウム又はそれらとの合金などの金属からなる信号配線層２１８を有して構成されている。

さらに、各構成部５１１〜５１３上には、これらを湿度や異物から保護するための保護層２１４及び防湿保護層２１５、入射した放射線を可視光に変換する蛍光体２１６、蛍光体２１６を湿度等から保護するための蛍光体保護層２１５が順次形成されている。なお、本実施形態では、入射した放射線を電荷に変換する変換素子５１２は、上記ＭＩＳ型光電変換素子と、その上に配置され、入射した放射線を可視光に変換する蛍光体２１６を含むものである。

ここで、図２と図３を用いてＭＩＳ型光電変換素子の動作原理について説明する。
図３は、図２に示すＭＩＳ型光電変換素子である変換素子５１２のエネルギーバンドを示す模式図である。

図３（ａ）に示す状態は、ＭＩＳ型光電変換素子のセンサーバイアス配線層２１２に正の電圧を印加した電荷蓄積動作時、即ち、光電変換モード時を示している。この光電変換モードでは、光電変換層２１０に可視光３０１が照射されると、光電変換層２１０内で光電効果によって正孔３０３と電子３０２が発生する。そして、正孔３０３は、電界によって絶縁層２０９と光電変換層２１０の界面に移動し、電子３０２は、Ｎ⁺型アモルファスシリコン層２１１側へと移動する。

このとき、正孔３０３は、絶縁層２０９を通り抜けて移動することができないため、光電変換層２１０の絶縁層２０９との界面に蓄積される。この正孔３０３の蓄積によって、光の照射量や時間に比例した電圧がＭＩＳ型光電変換素子５１２に発生し、下部電極２０８のポテンシャルが下げられる。この状態まま、スイッチ素子５１１をＯＮすることで、下部電極２０８に電流が流れ、この電流を検出することで画像信号を得ることができる。

しかしながら、ある一定量の正孔３０３が蓄積されると、図３（ｂ）に示すように光電変換層２１０の絶縁層２０９との界面に蓄積された正孔３０３に起因する電圧と、ＭＩＳ型光電変換素子５１２に印加している電圧が等しくなる。この状態では、光電変換層２１０に電界が発生しなくなり、この状態を飽和状態と称する。この飽和状態では、光電変換層２１０で発生した正孔３０３は、光電変換層２１０の絶縁層２０９との界面に移動できず、電子３０２と再結合して消滅してしまう。このため、光の照射量や時間に比例した電圧が発生しなくなる。この飽和状態になったＭＩＳ型光電変換素子では、光の照射量や時間に比例した電圧が発生しないため、このままでは正常な画像信号を得ることができない。

再び、図３（ａ）の光電変換モードの状態にするためには、センサーバイアス配線層２１２の電圧を図３（ａ）及び図３（ｂ）の状態よりも低い電圧にして、光電変換層２１０の絶縁層２０９との界面に蓄積された正孔３０３を掃き出す動作が必要である。この状態をリフレッシュモードという。このリフレッシュモードの状態のＭＩＳ型光電変換素子を図３（ｃ）に示す。

図３（ｃ）のリフレッシュモードにおいて掃き出した正孔３０３の量だけ、図３（ａ）の光電変換モードにおいて新たに正孔３０３が蓄積できるようになる。つまり、リフレッシュ動作時にセンサーバイアス配線層２１２に与える電圧（センサーバイアス）をより低く設定することにより、多量の可視光３０１が照射されてもＭＩＳ型光電変換素子が飽和状態なり難くすることができる。

一方で、図３（ｃ）のリフレッシュモードから図３（ａ）の光電変換モードに変わった直後には、リフレッシュモード時にＭＩＳ型光電変換素子に注入された電子３０２によって一時的に暗電流が大きくなる。光電変換層２１０へ注入される電子３０２の量は、リフレッシュモード時のセンサーバイアスを低くすればするほど多くなる。よって、リフレッシュモード及び光電変換モードにおけるセンサーバイアスは、ＭＩＳ型光電変換素子がデジタル放射線撮像装置として望まれるダイナミックレンジと暗電流になるように最適化される。

ＭＩＳ型光電変換素子では、センサーバイアス配線層２１２に供給する光電変換モード用とリフレッシュモード用の電源が必要となるため、図１に示すセンサー用電源５４には２つの異なる電圧が切り替え可能な電源が必要となる。

図１の駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３は、駆動回路部５２Ａ及び５２Ｂと接続されており、この駆動回路部５２Ａ及び５２Ｂから出力される電圧Ｖｃｏｍ並びに電圧Ｖｓｓによって、各スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３はＯＮ／ＯＦＦされる。２次元センサー５１で画像信号を所得するには、各スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３をＯＦＦした状態で放射線であるＸ線を照射し、Ｘ線を受けて発光した蛍光体（図２の２１６）からの可視光を各光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３で受けてから、以下の動作を行えばよい。

まず、第１の駆動回路部５２Ａまたは第２の駆動回路部５２Ｂによって、任意の駆動配線に電圧Ｖｃｏｍを印加して１行のスイッチ素子をＯＮし、変換素子の電荷を信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に転送する。十分な時間、スイッチ素子をＯＮした後、当該駆動配線に電圧Ｖｓｓを印加してスイッチ素子をＯＦＦする。

スイッチ素子をＯＦＦした後、サンプルホールド回路部５３２を動作させて信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力を保持する。その後、マルチプレクサー５３３を動作させてサンプルホールド回路部５３２に保持された信号をバッファアンプ５６を介して時系列的にＡ／Ｄコンバータ５７へ送り、デジタルデータへと変換する。最後に、ＲＣ信号を入力して信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３をリセットする。

１フレーム分の画像信号を読み出すには、全ての行について上記の動作を繰り返せばよい。全ての画素からの電荷（画像信号）の読み出しが完了した後、ＭＩＳ型光電変換素子である変換素子５１２のリフレッシュを行う。

このリフレッシュ動作は、まず、センサー用電源５４の出力電圧を電圧Ｖｓから電圧Ｖｒｅｆに切り替え、さらに、スイッチ素子をＯＮする。電圧Ｖｒｅｆにした後、十分な時間が経過したら、センサー用電源５４の出力電圧を電圧Ｖｓに切り替え、さらに十分な時間が経過した後、スイッチ素子をＯＦＦしてリフレッシュが完了する。

本実施形態では、図１に示すように、第１の駆動回路部５２Ａが奇数行の駆動配線（第１の駆動配線）Ｖｇ１，Ｖｇ３に接続されており、第２の駆動回路部５２Ｂが偶数行の駆動配線（第２の駆動配線）Ｖｇ２に接続されている。ここで、第１の実施形態においては、奇数行のスイッチ素子（Ｔ１１〜Ｔ１３及びＴ３１〜Ｔ３３）が「第１のスイッチ素子群」に相当し、偶数行のスイッチ素子（Ｔ２１〜Ｔ２３）が「第２のスイッチ素子群」に相当する。

第１の波形整形部１７７は、第１の駆動回路部５２Ａと２次元センサー１７２の画素領域との間で、第１の駆動回路部５２Ａと２次元センサー１７２とを接続する奇数行の駆動配線Ｖｇ１，Ｖｇ３に、抵抗１７７１と容量１７７２とを構成要素として形成されている。第２の波形整形部１７８は、第２の駆動回路部５２Ｂと２次元センサー１７２の画素領域との間で、第２の駆動回路部５２Ｂと２次元センサー１７２とを接続する偶数行の駆動配線Ｖｇ２に、抵抗１７８１と容量１７８２と構成要素として形成されている。

ここで、図１に示す波形整形部１７７及び１７８は、それぞれ抵抗と容量を構成要素として形成されているが、本実施形態においては、例えば、抵抗のみを構成要素として形成されているものでも適用できる。

それぞれの波形整形部１７７及び１７８には、抵抗（１７７１、１７８１）と容量（１７７２、１７８２）によりローパスフィルターが形成される。このローパスフィルターによって、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂから出力される駆動信号の２次元センサー１７２の入力部における応答が若干悪くなるが、これにより、パルス状の駆動信号が駆動配線を伝搬する過程での変化を小さくすることができる。そして、駆動回路部と近い画素のスイッチ素子と駆動回路部から遠い画素のスイッチ素子の動作状態及び動作時間の相違を低減することが可能となる。これにより、駆動回路部と近い画素からの信号と駆動回路部から遠い画素からの信号の転送時間が大きく異なることが防止でき、より良好なコントラスト等を有する高品質な画像をリアルタイムで出力することが可能となる。

なお、本実施形態において、変換素子５１２として蛍光体とＭＩＳ型光電変換素子を用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。変換素子５１２として、ＭＩＳ型光電変換素子のかわりにＰＩＮ型光電変換素子を用いでもよい。ここで、ＰＩＮ型光電変換素子においては、上述のＭＩＳ型光電変換素子におけるリフレッシュ動作は必要ない。しかしながら、残像を除去するために再度スイッチ素子を動作させて、ＰＩＮ型光電変換素子を放射線やそれに基づく光を照射する前の状態に近づける初期化動作を行うことはある。また、変換素子５１２として放射線を直接電荷に変換可能なアモルファスセレンなどによって形成された直接型変換素子を用いてもよい。

（第２の実施形態）
ここでは、本発明の第２の実施形態を説明する前に、まず、第２の実施形態の骨子について説明する。
本発明者は、変換素子のリフレッシュ動作による出力画像の途切れを防止すると共に、読み出し動作とリフレッシュ動作とを行う際に生じるオフセットを抑制して、リアルタイムで高品質な画像の出力を実現すべく以下に示す第２の実施形態の骨子を思料した。

本発明者は、まず、変換素子のリフレッシュ動作による出力画像の途切れを防止するために、リフレッシュ動作を全画素同時に行わず、読み出しが完了した駆動配線毎に、順次リフレッシュ動作を行うことを見出した。

図４は、順次リフレッシュ動作に好適な放射線撮像装置の概略構成の一例を示す図である。

図４では、順次リフレッシュ動作を行うため、２次元センサー１７２の１画素につき、２つのスイッチ素子を設けている。１画素に構成された２つのスイッチ素子のうち、一方のスイッチ素子は、ＭＩＳ型光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に蓄積された電荷を任意のタイミングで読み出し、信号処理回路部５３へ転送するための転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３である。また、他方のスイッチ素子は、外部から供給される電圧を任意のタイミングでＭＩＳ型光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に供給し、ＭＩＳ型光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３をリフレッシュするためのリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａである。

さらに、この２種類のスイッチ素子をＯＮ／ＯＦＦさせるための駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂが、２次元センサー１７２が形成されたガラス基板２０１の両端に対向して設けられている。第１の駆動回路部１７３Ａには、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３を駆動させる際の電圧を供給する第１の駆動回路部用電源１７５１が接続されている。また、第２の駆動回路部１７３Ｂには、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａを駆動させる際の電圧を供給する第２の駆動回路部用電源１７５２が接続されている。

１画素につき２つのスイッチ素子を用いることで、あるラインにおいて転送用スイッチ素子による読み出しが終了次第、他のラインの読み出し動作を行っている期間に、当該あるラインにおいてリフレッシュ用スイッチ素子によるリフレッシュ動作が可能となる。即ち、この場合、リフレッシュ動作は、他のラインの読み出し動作の間に行われるので、当該リフレッシュ動作によって画像出力が途切れることはない。また、１行分の画素毎にリフレッシュ動作を行うため、リフレッシュ動作による２次元センサー１７２の電位変動も小さく、即ちリフレッシュ動作が出力画像に与える影響が小さく、ＭＩＳ型光電変換素子の特性安定化も速い。

しかしながら、図４に示すように、２次元センサー１７２を基準として第１の駆動回路部１７３Ａと第２の駆動回路部１７３Ｂを対向させて構成した場合、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａの動作によって、オフセットが発生することが見出された。このオフセットは、抑制することが必要である。この際、発生するオフセットは、駆動配線の寄生容量とその配線抵抗によって駆動信号の応答が悪くなることと、スイッチ素子と信号配線との間で形成される容量に関係していることが見出された。また、このオフセットは、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａを動作、即ち、リフレッシュ動作を行わなければ発生しない。

図５は、オフセットの発生のメカニズムを示す模式図である。
図５（ａ）は、図４で示した２次元センサー１７２のうち、横１ライン（１行）の読み出し動作とリフレッシュ動作に係る構成のみを示したものである。各画素に設けられた２種類のスイッチ素子は、左右に対向して位置する駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの出力する駆動信号によって制御される。この駆動信号の波形は、駆動配線（Ｖｇ、Ｖｇｒ）の終端部に向かって徐々に応答が悪くなっていく傾向にある。これは、駆動配線（Ｖｇ、Ｖｇｒ）には、周囲の画素や各スイッチ素子との寄生容量、自身のもつ抵抗により、当該駆動配線自身がローパスフィルタと同じ特性を持つためである。

また、図５（ａ）に示すように、各画素における各スイッチ素子（Ｔ１〜Ｔ３、Ｔ１ａ〜Ｔ３ａ）と駆動配線（Ｖｇ、Ｖｇｒ）との間には容量が形成されている。具体的に、この容量は、駆動配線（Ｖｇ、Ｖｇｒ）と、各スイッチ素子（Ｔ１〜Ｔ３、Ｔ１ａ〜Ｔ３ａ）のソース電極並びにドレイン電極との間や信号配線（Ｓｉｇ）との間、さらには、ＭＩＳ型光電変換素子（Ｓ１〜Ｓ３）の電極との間に形成されるものである。駆動配線（Ｖｇ、Ｖｇｒ）に駆動信号が供給されると、これらの容量を介して信号配線やＭＩＳ型光電変換素子の電位が振られる。

図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す横１ラインの画素の読み出し動作とリフレッシュ動作を交互に行ったときの駆動信号波形、並びに、ポイントＡ１〜Ａ３、Ｂ１〜Ｂ３の電圧変動を示している。ここで、図５（ｂ）では、センサーの初期電位を０Ｖとしている。

まず、第１の駆動回路部１７３Ａから矩形波のパルス状の駆動信号を出力する。このとき、第１の駆動回路部１７３Ａの出力端近傍の転送用スイッチ素子Ｔ１に印加される駆動信号は、その形を維持した矩形波であるが、転送用スイッチ素子Ｔ２及びＴ３に印加される駆動信号は、形の崩れた矩形波となる。即ち、転送用スイッチ素子Ｔ２及びＴ３では、第１の駆動回路部１７３Ａから印加される駆動信号の応答が悪くなる。

各画素の転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３にパルス状の駆動信号が印加されると、当該転送用スイッチ素子がＯＮすると共に、駆動配線Ｖｇと転送用スイッチ素子との間に形成される容量によって信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３と光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電位が振られる。ここで、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電位は、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３がＯＮするため、最終的に、信号増幅部５３１の各信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の基準電源電圧となるように変化する。

一方、各信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力（Ａ１〜Ａ３）は、信号配線の電位変動と光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電位変動によって各信号増幅器の入力端子に電流が流れこむため、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３から光電子が転送されたのと同様に出力が変化する。転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＦＦすると、今度は、当該転送用スイッチ素子をＯＮしたときとまったく逆の現象が起こる。

このとき、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電圧は、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３がＯＦＦしてしまうため、あるタイミングで保持される。この保持されたときの光電変換素子の電圧は、駆動信号の応答具合によって異なるため、光電変換素子Ｓ１、Ｓ２及びＳ３のそれぞれで異なった電位で保持される。この際、保持される値は、駆動信号の応答が鋭いほど低くなる傾向にある。

信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力（Ａ１〜Ａ３）も、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＮする前と同じ電圧になるように変動する。しかしながら、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＦＦすることによって、当該転送用スイッチ素子と駆動配線Ｖｇとの間に形成される容量のうち、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３側の容量が分離されるため、完全には戻らない。但し、この量はわずかである。ここで、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３のＯＮからＯＦＦまでの時間は、当該転送用スイッチ素子のＯＮ抵抗及び光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の容量で決まる。

続いて、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３をリセットした後、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３のリフレッシュを行う。このリフレッシュ動作は、第２の駆動回路部１７３Ｂから駆動配線Ｖｇｒへ矩形波のパルス状の駆動信号を供給することにより行われる。この際、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａとＴ３ａに印加される駆動信号の形状は、駆動回路部１７３Ａと駆動回路部１７３Ｂとが２次元センサー１７２を基準として対向して設けられているため、第１の駆動回路部１７３Ａから出力された場合と逆になる。即ち、第２の駆動回路部１７３Ｂの出力端近傍のリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａに印加される駆動信号は、その形を維持した矩形波であるが、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ２ａ及びＴ３ａに印加される駆動信号は、形の崩れた矩形波となる。

光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電位は、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａ〜Ｔ３ａがＯＮすることによって、不図示のリフレッシュ用電源の電圧になる。ここでは、説明を容易にするために、リフレッシュ用電源の電圧は、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の基準電源電圧と同じ電圧とする。リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａ〜Ｔ３ａがＯＦＦする際、前述した転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３の場合と同じように、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３の電位は、ある電圧に保持される。前述したように、ここで保持される電圧は、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａ〜Ｔ３ａに供給される駆動信号の応答によって異なる。よって、このとき保持される電圧値は、駆動信号の応答が読み出し時と逆になるため、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａ〜Ｔ３ａをＯＮする前、即ち転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＦＦした時と異なる。

再度、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３をリセットした後、読み出しのため、第１の駆動回路部１７３Ａから駆動信号を送り転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＮすると、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力は、各画素ともに異なった挙動を示す。これは、前の駆動でリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１ａ〜Ｔ３ａをＯＦＦしたときに、光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に保持される電圧と、各転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３に印加される駆動信号の応答が異なるためである。光電変換素子Ｓ１〜Ｓ３に保持された電位が低いほど、当該光電変換素子に保持された電圧と駆動信号の電位変動は相殺する形となるため、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力変化は小さい。

次に、転送用スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３をＯＦＦすると、全ての信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力（Ａ１〜Ａ３）は、基準電源電圧の電位に戻らない。そして、このときの信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力がオフセットとして観測される。

このオフセットは、リフレッシュ動作と読み出し動作とを繰り返しを行う毎に発生するため、動画撮影を行う時には常に発生してしまう。このオフセット成分が大きいと、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３や後段のバッファアンプ５６、Ａ／Ｄコンバータ５７のダイナミックレンジを圧迫する。低線量のＸ線で撮影を行う際などの信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の増幅率を上げて撮影する場合、オフセット自体が増幅率倍されてしまい、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３のダイナミックレンジの大半を占めることになる。そして、この場合、十分なコントラストやリニアリティをもった画像を出力することができなくなる。

このオフセットの発生を抑制するためには、駆動配線の容量や抵抗を低減する方法や、１本の駆動配線の両端から駆動信号を供給する方法等よって駆動信号の応答をなるべく良好にすることが考えられる。

しかしながら、前者の方法では、特に、２次元センサー１７２が４３ｃｍ×４３ｃｍ程度の大きなセンサーになると、抵抗や容量値の低減にも限界がある。また、後者の方法では、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの実装上において配線ピッチが密になり、実装時の歩留まりの低下などが懸念される。

そこで、本発明者は、オフセットの発生を更に簡便かつ効果的に抑制するために、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの出力部、或いは、駆動配線Ｖｇ及びＶｇｒ上の画素エリア外に、抵抗と容量又は抵抗のみからなる波形整形部を設けることを見出した。この波形整形部は、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂから出力される駆動信号波形を整形する。

この波形整形部と画素エリア内の駆動配線が持つ分布定数的なインピーダンスによって、駆動信号の応答は決定される。そして、適当な抵抗や容量を波形整形部として付加することにより、駆動信号は画素エリアの入力側においてある程度応答が悪くなる（駆動信号の波形がなまる）ものの、駆動配線を伝搬する過程での応答の変化を小さくすることができる。よって、波形整形部を設けることにより、上述したオフセットの発生を抑制することができる。

次に、上述した第２の実施形態の骨子を踏まえた本発明の第２の実施形態を説明する。
図６は、第２の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。

図６に示すＸ線撮像装置には、２次元センサー１７２、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂ、信号処理回路部１７４、第１の駆動回路部用電源１７５１、第２の駆動回路部用電源１７５２、リフレッシュ用電源１７５３、センサー用電源１７５４、ＡＭＰ（信号増幅器）基準電源１７５５、バッファアンプ１７５６、Ａ／Ｄコンバータ１７５７、並びに、波形整形部１７７及び１７８が示されている。

ここで、例えば、１７５１〜１７５７に示す各構成部は、後述する図１２に示すシステム回路部１７５に設けられている。さらに、図１２に示すシステム回路部１７５には、２次元センサー１７２、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂ、信号増幅部１７４１等で必要な電圧を作るレギュレータや動作タイミング制御部などを具備している。また、第１の駆動回路部１７３Ａ及び第２の駆動回路部１７３Ｂは、図１２に示す駆動回路部１７３に設けられているが、より詳細には、図６に示すように、それぞれが２次元センサー１７２を基準として対向するように形成されている。また、信号処理回路部１７４は、信号増幅部１７４１、サンプルホールド回路部１７４２、及び、マルチプレクサー１７４３を有して構成されている。

２次元センサー１７２には、図４と同様に、１つの光電変換素子（Ｓ１１〜Ｓ３３）と、１つの転送用スイッチ素子（Ｔ１１〜Ｔ３３）と、１つのリフレッシュ用スイッチ素子（Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａ）とを有する画素が２次元行列状に形成されている。ここで、第２の実施形態においては、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３が「第１のスイッチ素子群」に相当し、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａが「第２のスイッチ素子群」に相当する。光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は、図２に示す蛍光体２１６（図１２に示す蛍光体１７１）からの光を電荷に変換するものである。

転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３は、各光電変換素子で生成された電荷に応じた電気信号を信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３を介して信号処理回路部１７４に転送する際に駆動するものである。リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａは、各光電変換素子のリフレッシュ動作を行う際に駆動するものである。ここで、信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３は、２次元センサー１７２の列方向の複数の画素に共通して設けられており、本発明の「読み出し配線」に相当する。

第１の波形整形部１７７は、第１の駆動回路部１７３Ａと２次元センサー１７２とを接続する各駆動配線（第１の駆動配線）Ｖｇ１〜Ｖｇ３に、抵抗１７７１と容量１７７２と構成要素として形成されている。第２の波形整形部１７８は、第２の駆動回路部１７３Ｂと２次元センサー１７２とを接続する各駆動配線（第２の駆動配線）Ｖｇｒ１〜Ｖｇｒ３に、抵抗１７８１と容量１７８２と構成要素として形成されている。ここで、図６に示す波形整形部１７７及び１７８は、それぞれ抵抗と容量を構成要素として形成されているが、本実施形態においては、例えば、抵抗のみを構成要素として形成されているものでも適用できる。また、駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３及びＶｇｒ１〜Ｖｇｒ３は、それぞれ、２次元センサー１７２の行方向の複数の画素に共通して設けられている。

また、２次元センサー１７２と波形整形部１７７及び１７８は、絶縁性基板であるガラス基板上２０１に形成されており、ガラス基板２０１上の駆動配線（Ｖｇ１〜Ｖｇ３、Ｖｇｒ１〜Ｖｇｒ３）に、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂが接続されている。また、ガラス基板２０１上の信号配線（Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３）に、信号処理回路部１７４が接続されている。

第１の駆動回路部１７３Ａは、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３を駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３を介して駆動制御し、第２の駆動回路部１７３Ｂは、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａを駆動配線Ｖｇｒ１〜Ｖｇｒ３を介して駆動制御する。ここで、第１の駆動回路部１７３Ａ及び第２の駆動回路部１７３Ｂは、例えば、同一の仕様のＩＣを用いて、制御信号を変えることで異なる駆動方法を実現している。

さらに、第１の駆動回路１７３Ａ及び第２の駆動回路１７３Ｂには、各種のスイッチ素子をＯＮするのに必要な電圧Ｖｃｏｍ及び電圧Ｖｓｓを供給する第１の駆動回路部用電源１７５１及び第２の駆動回路部用電源１７５２がそれぞれ接続されている。ここで、電圧Ｖｃｏｍ並びに電圧Ｖｓｓは、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３及びリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａの特性に合った最適な電圧が選択される。よって、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３とリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａが全く同一の特性を持つものであれば、電圧Ｖｃｏｍや電圧Ｖｓｓはそれぞれ共通であってもよい。

信号処理回路部１７４の信号増幅部１７４１には、各信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓ１ｇ３に対応して信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３が構成されている。この信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３は、各信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓ１ｇ３を介して転送された、光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３の電荷に基づく電気信号を増幅する。信号処理回路部１７４のサンプルホールド回路部１７４２は、信号増幅部１７４１の出力をＡ／Ｄコンバータ１７５７に転送するまで保持する。信号処理回路部１７４のマルチプレクサー１７４３は、サンプルホールド回路部１７４２に保持された電気信号を時系列的にバッファアンプ１７５６へ転送する。また、信号増幅部１７４１の信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３には、当該信号増幅器の基準電源となるＡＭＰ基準電源１７５５が接続されている。

２次元センサー１７２内の光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は、例えば、図２の５１２に示すＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型構造で形成されている。ここで、本発明の「変換素子」は、図２に示すように、入射したＸ線を光に変換する蛍光体２１７（図１２の１７１に相当）と、蛍光体２１７により変換された光を電荷に変換する光電変換素子５１２とを有して構成されている。

また、転送用スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３及びリフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａは、例えば、ＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）で形成されている。これら光電変換素子、転送用スイッチ素子及びリフレッシュ用スイッチ素子は、例えば、アモルファスシリコンを主材料として形成されている。その理由としては、これらの能動素子を大面積かつ均一に成膜できることや、アモルファスシリコンが可視光に感度があること、Ｘ線耐性が強いことなど、大面積が要求されるＸ線撮像装置の２次元センサーとして適しているためである。

光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３には、センサーバイアス（Ｖｓ）配線を介してセンサー電源１７５４が接続されており、光電変換素子を光電変換モードやリフレッシュモードにするための電圧が供給される。具体的に、センサー電源１７５４には、光電変換モード用として電圧Ｖｓを供給する電源が設けられ、リフレッシュモード用にとして電圧Ｖｒｅｆを供給する電源の２種類の異なる電圧源を具備している。

また、リフレッシュ用スイッチ素子Ｔ１１ａ〜Ｔ３３ａのドレイン側には、各画素に共通のＶＴ配線を介してリフレッシュ用電源１７５３が接続され、光電変換素子を光電変換モードやリフレッシュモードにするための電圧が供給される。具体的に、リフレッシュ用電源１７５３には、光電変換素子をリフレッシュモードにするための電圧Ｖｒｅｆを与える電源と、リフレッシュの終了後に光電変換素子の下部電極の電位をＡＭＰ基準電源１７５５と同電位にするための電圧Ｖｒを与える電源を備える。

ここで、電圧Ｖｒを与える電源は、ＡＭＰ基準電源１７５５と当該リフレッシュ用電源１７５３の両方に具備されることになるが、同一の電源である必要はない。むしろ、ＡＭＰ基準電源１７５５に用いられる電圧Ｖｒを与える電源は、非常に低ノイズである必要がある。一方、リフレッシュ用電源１７５３に用いられる電圧Ｖｒを与える電源は、低ノイズで、かつ、大電流が出力できることが求められるため、別々である方が望ましい。

本実施形態では、光電変換素子に対する読み出し動作とリフレッシュ動作とを行う際に生じるオフセットを抑制する手段として、絶縁性基板であるガラス基板２０１上の各駆動配線に抵抗と容量からなる波形整形部１７７及び１７８を構成している。それぞれの波形整形部１７７及び１７８には、抵抗（１７７１、１７８１）と容量（１７７２、１７８２）によりローパスフィルターが形成される。このローパスフィルターによって、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂから出力される駆動信号の２次元センサー１７２の入力部における応答が若干悪くなるが、これにより、駆動配線を伝搬する過程での応答の変化を小さくすることができる。この結果、光電変換素子に対する読み出し動作とリフレッシュ動作とを行う際に生じるオフセットの発生を抑制することができる。

図７は、発生するオフセットの量と付加した抵抗及び容量との関係を示す特性図である。
図７（ａ）は、オフセットの量が、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの出力端に付加した抵抗及び容量（以下、「付加ＲＣ」とする）によって、どのように変化するかを示したものである。横軸は、図６に示されたＸ線撮像装置において、Ｘ線照射を行わず、順次リフレッシュ動作を伴う読み出し動作を行った場合の２次元センサー１７２の水平方向の画素出力値を示している。また、図７（ａ）に示す特性図で、出力０はオフセットが０であることを示している。

図７（ａ）では、２次元センサー１７２の中心を境にして正負が逆転するような形でオフセットが発生しているが、波形整形部１７７及び１７８を構成する付加抵抗及び容量を増大させることで、オフセットが０になることがわかる。

図７（ｂ）は、付加ＲＣとオフセット量の変化を示した特性図である。ここで、図７（ｂ）の縦軸は、付加ＲＣ＝０の時からどのくらいオフセットが改善したかを示している。また、横軸は、駆動配線の配線抵抗並びに配線容量の積（以下、「ゲートＲＣ」とする）に対する付加抵抗と付加容量の積（付加ＲＣ）の比で表している。

図７（ｂ）から、ゲートＲＣの１０％程度の付加ＲＣでオフセットが半分以下の４２％になることがわかる。さらに、ゲートＲＣ積の４０％の付加ＲＣを付加すると、オフセットを付加する前の２％以下にすることができる。

以上のように、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの出力端に抵抗と容量を付加することで、順次リフレッシュ動作を伴う読み出し動作時に発生するオフセット量を抑制できる。この際、付加する抵抗と容量は、駆動配線の配線抵抗並びに配線容量の半分以下でよい。ここで、付加する抵抗と容量の値は、駆動配線の抵抗や容量の大きさ、並びに各種のスイッチ素子の能力や電圧Ｖｃｏｍ、さらに、システムで許容されるオフセットの量を考慮して最適な値が用いられる。

図８は、図６に示すＸ線撮像装置のうち、２次元センサー１７２、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂ並びに信号処理回路部１７４の外観図の一例を示す図である。ここで、２次元センサー１７２には、例えば、２０００画素×２０００画素が形成されているセンサーを示している。

図８（ａ）に示す例は、信号処理回路部１７４として８つの読み出し回路がそれぞれガラス基板２０１の上下端に構成され、１つの読み出し回路につき信号配線２５０ライン分の読み出しが可能となっている。また、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂとしてそれぞれ８つの駆動回路がガラス基板２０１のそれぞれ左右端に構成され、１つの駆動回路につき２５０ライン分の駆動配線の制御が可能となっている。これにより、２０００画素×２０００画素の読み出しが可能となっている。

図８（ａ）に示す２次元センサー１７２において、信号配線は、上下端から中心部へ向かって配線されており、また、上下の信号配線は、中心部で接続されていない。このような構成によって、上下の読み出し回路で画素の電気信号を平行して読み出すことができるため、読み出し時間の短縮が可能である。

信号処理回路部１７４の各読み出し回路は、結晶シリコンを用いたＩＣチップ１７４２上に形成されており、さらに、このＩＣチップ１７４２は、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）１７４１上に実装されている。また、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂの各駆動回路は、結晶シリコンを用いたＩＣチップ１７３２上に形成されており、さらに、このＩＣチップ１７３２は、ＴＣＰ１７３１上に実装されている。このＴＣＰ（１７３１、１７４１）には、ＩＣチップ（１７３２、１７４２）の出力・入力を引き出すための配線や、ガラス基板２０１上に実装するための電極が設けられている。信号処理回路部１７４、駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂは、このＴＣＰ（１７３１、１７４１）によってガラス基板２０１と電気的に接続される。

本実施形態において、付加抵抗１７７１並びに付加容量１７７２は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、第１の駆動回路部１７３Ａとガラス基板２０１上の２次元センサー１７２における画素エリアとの間の駆動配線に形成される。同様にして、付加抵抗１７８１並びに付加容量１７８２は、第２の駆動回路部１７３Ｂとガラス基板２０１上の２次元センサー１７２における画素エリアとの間の駆動配線に形成される。

付加抵抗１７７１（１７８１）は、図８（ｂ）に示すように、駆動配線を余分に引き回すことで実現しても良いし、また、図８（ｃ）に示すように、駆動配線と異なる材料の抵抗を用いて形成しても良い。

また、付加容量１７７２（１７８２）は、電極と絶縁性の材料によって形成される。この付加容量１７７２（１７８２）を形成する材料は、例えば、図２に示す光電変換素子５１２やスイッチ素子５１１を形成する際に用いる材料が望ましく、具体的には、電極としてアルミ又はアルミニウムの合金を適用し、容量絶縁膜の材料として窒化アモルファスシリコンを適用することが望ましい。付加容量１７７２（１７８２）を形成する２つ電極のうち、一方は駆動配線と接続され、もう一方は共通グランド線に接続される。この共通グランド線は、ガラス基板２０１外に配線され、不図示の制御回路等のグランド線と接続される。

また、図８（ｃ）に示す付加抵抗１７７１（１７８１）は、図２に示すスイッチ素子５１１や光電変換素子５１２を構成する薄膜のうち、比較的高抵抗率であるＮ⁺型アモルファスシリコンが好適である。

以上のように、ガラス基板２０１上に抵抗並びに容量を形成する場合、市販されている液晶ディスプレイ用のＴＦＴゲートドライバーを駆動回路部１７３Ａ及び１７３Ｂとして利用することが可能である。

以上、本発明の第２の実施形態について説明を行ったが、各画素のスイッチ素子や光電変換素子は、高速動作が可能なように、最適化された層厚や材料を用いて形成され、必要なバイアスが印加されることは言うまでもない。また、図６に示す信号処理回路部１７４では、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を１段のみ示したが、必要に応じて複数の信号増幅器を接続するように構成しても構わない。さらに、Ｓ／Ｎを向上するため、サンプルホールド回路部１７４２と信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の間にローパスフィルターを挿入しても構わない。

（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態における駆動回路部の構成について、図９を用いて説明する。

図９は、第３の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）１７０の概略構成の一例を示す図である。ここで、図９において、図６に示す第２の実施形態に係る放射線撮像装置と同様の構成については、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図９に示すように、第３の実施形態では、第１の駆動回路部２７３Ａ及び第２の駆動回路部２７３Ｂ内に、それぞれ、波形整形部１７７及び１７８を有して構成されている。即ち、各駆動回路部２７３Ａ及び２７３Ｂ内に、上述したオフセットを抑制する付加抵抗（１７７１、１７７２）並びに付加容量（１７７２、１７８２）が形成されている。

具体的に、図９に示すように、第１の駆動回路部２７３Ａ内の駆動信号を出力する出力回路２７３１の各駆動配線Ｖｇ１〜Ｖｇ３との出力端に、付加抵抗１７７１と付加容量１７７２が接続されている。また、第２の駆動回路部２７３Ｂ内の駆動信号を出力する出力回路２７３２の各駆動配線Ｖｇｒ１〜Ｖｇｒ３との出力端に、付加抵抗１７８１と付加容量１７８２が接続されている。ここで、図９に示す波形整形部１７７及び１７８は、それぞれ抵抗と容量を構成要素として形成されているが、本実施形態においては、例えば、抵抗のみを構成要素として形成されているものでも適用できる。

駆動回路部２７３Ａ及び２７３Ｂは、例えば、結晶シリコン基板上に、一般的なＩＣを製造するプロセスで製造される。波形整形部１７７及び１７８を構成する付加抵抗（１７７１、１７８１）並びに付加容量（１７７２、１７８２）もこのシリコン基板上に形成されている。シリコン基板上に付加抵抗や付加容量を作りこむ場合には、バラツキが少なく高精度に、その抵抗値や容量を制御できることが特長である。

本実施形態において、２次元センサー１７２の画素数は、図９に示す３画素×３画素に限られない。例えば、図８（ａ）に示すように、２０００画素×２０００画素の構成であってもよい。また、２次元センサー１７２の形態は、図８（ａ）に示すような形態であってもよい。つまり、結晶シリコン基板を用いたＩＣチップ１７３２として形成された駆動回路部２７３Ａ及び２７３Ｂの各駆動回路に付加抵抗（１７７１、１７８１）並びに付加容量（１７７２、１７８２）を形成する。そして、２次元センサー１７２が形成されているガラス基板２０１には、ＴＣＰ１７３１における、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂テープに導電材料を配線したものを介して接続するようにしてもよい。

図１０は、第３の実施形態における駆動回路部の詳細な構成の一例を示す図である。
図１０（ａ）では、駆動回路部２７３Ａ（２７３Ｂ）内の駆動信号の出力回路２７３１（２７３２）の出力端のそれぞれ（即ち、駆動配線のそれぞれ）に、１つの抵抗と１つの容量からなる波形整形部１７７（１７８）を形成している。この波形整形部１７７（１７８）を設けることにより、出力回路２７３１（２７３２）から出力される駆動信号の２次元センサー１７２の入力部における応答が若干悪くなるが、これにより、駆動配線を伝搬する過程での応答の変化を小さくすることができる。この結果、光電変換素子に対する読み出し動作とリフレッシュ動作とを行う際に生じるオフセットの発生を抑制することができる。ここで、２次元センサー１７２へは、ＴＣＰ１７３１を介して接続されており、駆動回路部２７３Ａ（２７３Ｂ）から出力される駆動信号は、ＴＣＰ上１７３１の駆動配線を介して供給される。

図１０（ｂ）では、駆動回路部２７３Ａ（２７３Ｂ）内に、付加抵抗と付加容量とが複数個形成された波形整形部２７７（２７８）を構成した例を示している。図１０（ｂ）に示す場合は、例えば、外部のシステム制御装置１３０からの制御信号によって各抵抗や各容量の有効／無効を選択できるようになっている。

駆動配線の抵抗や容量は、２次元センサー１７２の大きさに大きく依存している。即ち、駆動信号の応答も２次元センサー１７２の大きさに左右される。２次元センサー１７２は、撮影する部位や撮影シチュエーションに応じて様々な大きさのものが求められる。よって、１種類の駆動回路部で異なるサイズの２次元センサー１７２に対応できるようにすることが望ましい。図１０（ｂ）に示すように駆動回路部２７３Ａ（２７３Ｂ）を構成することで、組み合わせる２次元センサー１７２に応じて最適な付加抵抗と容量を設定することができる。

以上、本発明の第３の実施形態について説明を行ったが、各画素のスイッチ素子や光電変換素子は、高速動作が可能なように、最適化された層厚や材料を用いて形成され、必要なバイアスが印加されることは言うまでもない。また、図９に示す信号処理回路部１７４では、信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を１段のみ示したが、必要に応じて複数の信号増幅器を接続するように構成しても構わない。さらに、Ｓ／Ｎを向上するため、サンプルホールド回路部１７４２と信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の間にローパスフィルターを挿入しても構わない。

（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態について説明する。
第４の実施形態では、図１０に示す第３の実施形態における駆動回路部の構成のみが異なる。以下には、この駆動回路部の構成について説明する。

図１１は、第４の実施形態における駆動回路部の詳細な構成の一例を示す図である。
第４の実施形態では、駆動回路部３７３Ａ（３７３Ｂ）内には、出力回路２７３１（２７３２）のみが形成されており、また、抵抗と容量からなる波形整形部１７７（１７８）がＴＣＰ１７３１上に形成されている。

本実施形態を用いることで、市販の液晶ディスプレイ用のＴＦＴゲートドライバーを駆動回路部３７３Ａ（３７３Ｂ）として用いることが可能である。ＴＣＰ１７３１上に形成する波形整形部１７７（１７８）の抵抗並びに容量は、ＴＣＰ１７３１に用いる配線材料や絶縁材料を用いても良いし、駆動回路部３７３Ａ（３７３Ｂ）とは異なるシリコン基板上に、当該抵抗並びに当該容量を形成したもの実装する形態であってもも良い。

また、図１１に示す波形整形部１７７及び１７８は、それぞれ抵抗と容量を構成要素として形成されているが、本実施形態においては、例えば、抵抗のみを構成要素として形成されているものでも適用できる。

（第５の実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態について説明する。
第５の実施形態は、上述した第１〜第４の実施形態におけるＸ線撮像装置１７０を、実際の医療現場等のＸ線撮像システムに応用した形態である。

図１２は、第５の実施形態に係るＸ線撮像システム（放射線撮像システム）１００の概略構成の一例を示す図である。
図１２に示すＸ線撮像システム１００は、Ｘ線源（放射線源）１１０、Ｘ線制御装置１２０、システム制御装置１３０、操作入力装置１４０、モニター（表示部）１５０、画像処理装置１６０及びＸ線撮像装置１７０を有して構成されている。

Ｘ線源１１０は、被写体２００に対してＸ線を照射するものである。Ｘ線制御装置１２０は、Ｘ線源１１０の動作を制御する。システム制御装置１３０は、例えば、制御ＰＣから構成されており、Ｘ線撮像システム１００における動作を統括的に制御する。

操作入力装置１４０は、例えば、被写体２００の撮影指示や撮影画像のモニター１５０への表示指示等、撮影者による各種の入力指示を行うためのものである。モニター１５０は、撮影画像の表示や、例えば、Ｘ線撮像システム１００における動作状態などの各種の情報の表示等を行う。画像処理装置１６０は、システム制御装置１３０による制御に基づいて、Ｘ線撮像装置１７０の出力画像の画像処理を行う。

Ｘ線撮像装置１７０は、Ｘ線源１１０から照射され、被写体２００を透過したＸ線像の撮像を行うデジタルＸ線撮像装置である。Ｘ線撮像装置１７０は、蛍光体１７１、２次元センサー１７２、駆動回路部１７３、信号処理回路部１７４及びシステム回路部１７５を有して構成されている。ここで、蛍光体１７１は、図２に示した蛍光体２１６に相当するものである。この蛍光体１７１は、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ、Ｇｄ₂Ｏ₃及びＣｓＩのうちのいずれか１つを主成分とする材料からなる波長変換体で形成されている。

Ｘ線撮像装置１７０は、蛍光体１７１によって被写体２００を透過したＸ線を可視光に変換し、その可視光における画像をガラス基板上にアモルファスシリコンプロセスを用いて作製された２次元センサー１７２によって電気信号に変換する。

２次元センサー１７２には、複数の画素が２次元行列状に配置されている。各画素は、駆動回路部１７３により駆動され、駆動された画素から出力される電気信号は、信号処理回路部１７４に読み出される。信号処理回路部１７４に読み出された電気信号は、内部の信号増幅器で増幅された後、システム回路部１７５でデジタルデータに変換されて、画像データとして画像処理装置１６０へ送られる。

この際、システム制御装置１３０は、操作入力装置１４０から入力された入力信号に基づいて、Ｘ線制御装置１２０を介してＸ線源からＸ線を照射させることや、２次元センサー１７２を駆動するための制御信号を画像処理装置を介して信号処理回路部１７４や駆動回路部１７３へ送信すること、画像処理装置１６０にＸ線撮像装置１７０の出力画像の画像処理を行わせること、画像処理装置１６０で処理された画像の保存やモニター１５０に表示すること等を行う。

図１３は、本発明の各実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）１７０を適用したＸ線撮像システムの一例を示す図である。図１３は、天井で支持されたＣアーム１８２と呼ばれるＣ型の懸架装置１８３にＸ線源１１０とＸ線撮像装置１７０を取り付けたＸ線（透視）撮像システムの概念図である。Ｃアーム（駆動機構）１８２には、複数の可動軸が設けられており、Ｘ線源１１０とＸ線撮像装置１７０とを、寝台１８１に載置された被写体（患者）２００に対して一体的に自由な向きに駆動することができる。

図１３の制御装置１０００は、図１３に示すＸ線撮像システムにおける動作を統括的に制御し実行するものであり、例えば、図１２に示すＸ線制御装置１２０、システム制御装置１３０、操作入力装置１４０、及び画像処理装置１６０を有して構成される。透視撮影は、被写体（患者）２００を寝台１８１に寝かせた状態で行い、技師は、モニター１５０を見ながら、手術や診断を行うことができる。

図１４は、本発明の各実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）１７０を適用したＸ線撮像システムの他の一例を示す図である。図１４に示すＸ線（透視）撮像システムは、図１３に示すＸ線（透視）撮像システムに対して、懸架装置１８３を設けずに、台車１８４にＣアーム１８２を装備した形態を示している。このシステムには、台車１８４にＸ線撮影システムを統括的に制御し実行する制御装置１０００が搭載されており、様々な場所で使用することができる。また、台車１８４には、操作入力された操作情報等を表示する操作パネル１４１が設けられている。

Ｘ線撮像装置１７０で撮影されたＸ線画像は、制御装置１０００内の画像処理装置によって、診断に最適な２次元画像へと加工され、モニター１５０に即座に表示される。

技師または医者は、モニター１５０に表示される画像を見ながら診断や手術を行うことができる。また、Ｘ線画像は、制御装置１０００内の記憶装置に保存されて撮影終了後に画像処理を行ったり、病院内のネットワークを介して他のモニターに表示が可能である。また、制御装置１０００内には、透視撮影時に画像が最適な濃度を得られるようにＸ線源１１０とＸ線撮像装置１７０を制御するシステムや、血管造影法などの各種撮影方法に必要な画像処理等を行えるように構成されている。

本発明の実施形態（第２の実施形態等）によれば、光電変換素子のリフレッシュ動作による出力画像の途切れを防止することができると共に、光電変換素子に対する読み出し動作とリフレッシュ動作とを行う際に生じるオフセットを抑制することができる。これにより、リアルタイムで高品質な画像を出力することが可能となる。

さらに、上述したようにオフセットが抑制できるため、広いダイナミックレンジを持つ動画像の撮影が可能となる。また、オフセットが小さくなることで、信号増幅部１７４１の各信号増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の増幅率の自由度が増すため、各信号増幅器の増幅率を上げてより高い感度を得て低被爆線量で透視画像を得ることや、増幅率を下げて高Ｓ／Ｎの画像を得ることもできる。さらに、装置の構造が簡便であるから、信頼性の高い透視撮影装置を実現できる。

また、ＭＩＳ型の光電変換素子は、液晶ディスプレイの生産ラインをそのまま利用可能であるため、その製造コストを抑えることも可能である。さらに、透視撮影を行うことが可能な本実施形態のＸ線撮像装置は、従来のＩ・Ｉに比べて画像の歪みがなく、薄型であり、画質が良いなどの多くの利点がある。よって、画質が良く安価な透視撮影システムを提供することができる。

第１の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。 図１に示す２次元センサーにおける１つの画素の概略断面の一例を示す図である。 図２に示すＭＩＳ型光電変換素子のエネルギーバンドを示す模式図である。 順次リフレッシュ動作に好適なＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。 オフセットの発生のメカニズムを示す模式図である。 第２の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。 発生するオフセットの量と付加した抵抗及び容量との関係を示す特性図である。 図６に示すＸ線撮像装置のうち、２次元センサー、駆動回路部、並びに信号処理回路部の外観図の一例を示す図である。 第３の実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）の概略構成の一例を示す図である。 第３の実施形態における駆動回路部の詳細な構成の一例を示す図である。 第４の実施形態における駆動回路部の詳細な構成の一例を示す図である。 第５の実施形態に係るＸ線撮像システム（放射線撮像システム）の概略構成の一例を示す図である。 本発明の各実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）を適用したＸ線撮像システムの一例を示す図である。 本発明の各実施形態に係るＸ線撮像装置（放射線撮像装置）を適用したＸ線撮像システムの他の一例を示す図である。

符号の説明

１００：Ｘ線撮像システム（放射線撮像システム）
１１０：Ｘ線源
１２０：Ｘ線制御装置
１３０：システム制御装置（制御ＰＣ）
１４０：操作入力装置（制御卓）
１５０：モニター
１６０：画像処理装置
１７０：Ｘ線撮像装置（放射線撮像装置）
１７１：蛍光体
１７２：２次元センサー
１７３：駆動回路部
１７３Ａ：第１の駆動回路部
１７３Ｂ：第２の駆動回路部
１７４：信号処理回路部
１７５：システム回路部
１７７：第１の波形整形部
１７８：第２の波形整形部
２００：被写体
１７４１：信号増幅部
１７４２：サンプルホールド回路部
１７４３：マルチプレクサー
１７５１：第１の駆動回路部用電源
１７５２：第２の駆動回路部用電源
１７５３：リフレッシュ用電源
１７５４：センサー用電源
１７５５：ＡＭＰ（信号増幅器）基準電源
１７５６：バッファアンプ
１７５７：Ａ／Ｄコンバータ
１７７１、１７８１：（付加）抵抗
１７７２、１７８２：（付加）容量

Claims (13)

1. 入射した放射線を電荷に変換する複数の変換素子と、前記変換素子を動作させる複数のスイッチ素子とを備えるセンサーと、
   前記複数のスイッチ素子のうちの第１のスイッチ素子群と接続する第１の駆動配線と、
   前記複数のスイッチ素子のうちの前記第１のスイッチ素子群と異なる第２のスイッチ素子群と接続する第２の駆動配線と、
   前記第１の駆動配線に駆動信号を供給して前記第１のスイッチ素子群を駆動させる第１の駆動回路部と、
   前記センサーを基準として前記第１の駆動回路部と対向する位置に設けられ、前記第２の駆動配線に駆動信号を供給して前記第２のスイッチ素子群を駆動させる第２の駆動回路部と、
   前記第１の駆動回路部から供給する駆動信号の波形を整形する第１の波形整形部と、
   前記第２の駆動回路部から供給する駆動信号の波形を整形する第２の波形整形部と
   を有することを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記第１の波形整形部は、前記第１の駆動配線又は前記第１の駆動回路部内に形成されており、
   前記第２の波形整形部は、前記第２の駆動配線又は前記第２の駆動回路部内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記第１の波形整形部及び前記第２の波形整形部は、抵抗と容量又は抵抗のみで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記第１のスイッチ素子群は、前記変換素子で生成された電荷に基づく電気信号を外部に転送する転送用スイッチ素子であり、
   前記第２のスイッチ素子群は、前記変換素子をリフレッシュするために設けられたリフレッシュ用スイッチ素子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
5. 前記センサーは、１つの前記変換素子と、１つの前記転送用スイッチ素子と、１つの前記リフレッシュ用スイッチ素子をそれぞれ具備する画素が２次元行列状に設けられた２次元センサーであることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記第１の駆動配線及び前記第２の駆動配線は、それぞれ、前記２次元センサーの行方向の複数の画素に共通して設けられており、
   前記２次元センサーの列方向の複数の画素に共通して設けられた読み出し配線と、
   前記読み出し配線を介して前記転送用スイッチ素子から前記電気信号を読み出す信号処理回路部とを更に有することを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
7. 前記２次元センサーは、少なくとも、絶縁性基板上に、アモルファスシリコン、アモルファス窒化シリコン及び金属の薄膜によって形成されており、
   前記第１の駆動回路部及び前記第２の駆動回路部は、テープキャリアパッケージによって前記絶縁性基板上のそれぞれ前記第１の駆動配線及び前記第２の駆動配線に接続されており、
   前記第１の波形整形部及び前記第２の波形整形部は、前記絶縁性基板上のそれぞれ前記第１の駆動配線及び前記第２の駆動配線に形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の放射線撮像装置。
8. 前記２次元センサーは、少なくとも、絶縁性基板上に、アモルファスシリコン、アモルファス窒化シリコン及び金属の薄膜によって形成されており、
   前記第１の駆動回路部及び前記第２の駆動回路部は、テープキャリアパッケージによって前記絶縁性基板上のそれぞれ前記第１の駆動配線及び前記第２の駆動配線に接続されており、
   前記第１の波形整形部及び前記第２の波形整形部は、それぞれ、前記第１の駆動回路部内及び前記第２の駆動回路部内に形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の放射線撮像装置。
9. 前記２次元センサーは、少なくとも、絶縁性基板上に、アモルファスシリコン、アモルファス窒化シリコン及び金属の薄膜によって形成されており、
   前記第１の駆動回路部及び前記第２の駆動回路部は、テープキャリアパッケージによって前記絶縁性基板上のそれぞれ前記第１の駆動配線及び前記第２の駆動配線に接続されており、
   前記第１の波形整形部及び前記第２の波形整形部は、前記テープキャリアパッケージ上に形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の放射線撮像装置。
10. 前記変換素子は、入射した放射線を光に変換する蛍光体と、前記蛍光体により変換された光を前記電荷に変換する光電変換素子とを有して構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
11. 前記光電変換素子は、
    少なくとも、絶縁性基板上に、クロム、アルミニウム又はそれらとの合金からなる第１の電極層と、
    前記第１の電極層上に、正負の電荷の両方を遮断するアモルファス窒化シリコンからなる絶縁層と、
    前記絶縁層上に、前記蛍光体で変換された光の量に比例した電荷を生成する水素化アモルファスシリコンからなる光電変換層と、
    前記光電変換層上に、当該光電変換層への正の電荷の流入を遮断するＮ⁺型アモルファスシリコンからなるブロッキング層と、
    前記ブロッキング層上に、クロム、アルミニウム又はそれらとの合金からなる金属層、及び、可視光に対して透明なＩＴＯ薄膜からなる透明電極層を含む第２の電極層と
    を有することを特徴とする請求項１０に記載の放射線撮像装置。
12. 前記蛍光体は、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ、Ｇｄ₂Ｏ₃及びＣｓＩのうちのいずれか１つを主成分とする材料からなる波長変換体であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の放射線撮像装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置に対して放射線を照射する放射線源と、
    前記放射線撮像装置と前記放射線源とを、被写体に対して一体的に駆動させる駆動機構と、
    前記放射線撮像装置、前記放射線源及び前記駆動機構を制御して前記被写体に係る撮影を行う制御装置と、
    前記放射線撮像装置で撮影された前記被写体に係る画像を表示する表示部と
    を有することを特徴とする放射線撮像システム。

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