JP2002051262A

JP2002051262A - 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム

Info

Publication number: JP2002051262A
Application number: JP2000234829A
Authority: JP
Inventors: Osamu Yuki; 修結城; Kazuaki Tashiro; 和昭田代; Noriyuki Umibe; 紀之海部; Tetsunobu Kouchi; 哲伸光地
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-08-02
Filing date: 2000-08-02
Publication date: 2002-02-15

Abstract

(57)【要約】【課題】走査回路等を撮像素子の撮像エリアに配置し
ても、光電変換部の重心が等間隔で並ぶ撮像装置、それ
を用いた放射線撮像装置、放射線撮像システムを提供す
る。【解決手段】複数の撮像領域を並べて複数の撮像領域
に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像領域は
複数の光電変換素子を備え、各光電変換素子は光電変換
部６０２を備え、走査回路６０１Ａが一部の光電変換素
子の光電変換部の内部に配設され、前記走査回路が配置
された光電変換部の重心と前記走査回路が配置されない
光電変換部の重心が等間隔で並ぶことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に関し、特
に、放射線撮像装置、放射線撮像装置システムに関す
る。本発明は、更に特には、Ｘ線やガンマ線等の高エネ
ルギー放射線を使って画像を読み取る大面積放射線撮像
装置とそのシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】医療のさまざまな分野でディジタル化が
進んでいる。Ｘ線診断の分野でも、画像のディジタル化
のため２次元の撮像装置が開発されてきている。乳房撮
影用、胸部撮影用には最大４３ｃｍの大板の画像撮像装
置が作られている。

【０００３】［従来技術１］大板化しやすいガラス基板
上のアモルファスシリコン半導体を使ったセンサパネル
を４枚タイル貼りして、大板のＸ線撮像装置を実現して
いる。既にＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤ
ｉｓｐｌａｙ）で確立しているアモルファスシリコン半
導体装置の大板化技術（大板の基板、その上への素子の
形成技術等）を用いる。この種の技術の例として、米国
特許５３１５１０１号に記載のものがある。これに記載
の大面積アクティブアレイマトリックスを図１９に示
す。図１９を参照すると、１９０１は基板、１９０２は
画素、１９０３は接続リード、１９０４は共通ターミナ
ルである。

【０００４】［従来技術２］複数の単結晶撮像素子（シ
リコンなど）を用いて大板のＸ線撮像装置を作る。この
種の技術の例として、米国特許４３２３９２５号や米国
特許６００５９１１号に記載のものがある。単結晶撮像
素子としてはＣＣＤ撮像素子やＭＯＳ型、ＣＭＯＳ型撮
像素子などがある。撮像素子単体はＸ線動画に十分対応
できる性能を有する。

【０００５】米国特許４３２３９２５号に記載のイメー
ジセンサを図２０に示す。図２０を参照すると、２００
１は被写体、２００２はレンズ、２００３は被写体の
像、２００４は表面、２００５は連続する光学的副像、
２００６はテーパ状ＦＯＰ（ファイバーオプティックプ
レート）、２００７は像入力表面、２００８はイメージ
センサモジュール、２００９は非撮像周辺領域、２０１
０はリード線である。光学的副像２００５はテーパ状Ｆ
ＯＰ２００６により縮小されて像入力表面２００７に入
射するので、非撮像周辺領域２００９を設けて、そこに
リード線を接続することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術１は、以下の問題を有する。

【０００７】１つの像を形成するために最大で４枚（２
×２）のセンサパネルしか使用することが出来ない。こ
れは、センサパネルの外周部に外部端子を設け、駆動用
の回路を外付けする構成になっているからである。

【０００８】また、せいぜい画素選択スイッチを画素に
持つことぐらいしかできない程度に撮像素子に搭載でき
る信号処理回路の規模が制限される。信号処理回路（ド
ライバ、アンプ（増幅器）など）は外付けである。

【０００９】更に、アモルファスシリコンは、高速動作
に対しての半導体特性がよくないので、動画対応の大板
撮像装置を作ることが困難である。またアモルファスシ
リコン撮像素子は単結晶シリコン撮像素子に比べて感度
が低いので、高感度が求められるＸ線動画に対応させる
ことが困難である。

【００１０】また、従来技術２は、以下の問題を有す
る。

【００１１】個々の撮像素子の大きさが小さい（現状の
技術ではウエハサイズは８インチが最大）ので２×２以
上の多数枚が必要である。

【００１２】また、単結晶撮像素子を多数用いた単純な
大板撮像装置の構成では各撮像素子の合わせ部に、必ず
デッドスペースができ（シフトレジスタ、アンプ等の周
辺回路や、外部との信号や電源のやり取りのための外部
端子や保護回路を設けるための領域が画素領域とは別に
必ず必要）、この部分がライン欠陥になり、画質が落ち
る。そのためテーパ状ＦＯＰ（ファイバーオプティック
プレート）を用いて、シンチレータからの光を、デッド
スペースを避けて撮像素子に導く構成がとられている
が、余計なＦＯＰが必要で製造コストがかかる。特にテ
ーパ状ＦＯＰは非常にコストがかかる。

【００１３】更に、テーパ状ＦＯＰではテーパ角度に応
じてシンチレータからの光がＦＯＰに入射しにくくな
り、出力光量低下が起こり撮像素子の感度を相殺して装
置全体の感度が悪くなる。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による撮像装置
は、複数の撮像領域を並べて複数の撮像領域に跨る画像
を撮像する撮像装置において、各撮像領域は複数の光電
変換素子を備え、各光電変換素子は光電変換部を備え、
走査回路が一部の光電変換素子の光電変換部の内部に配
設され、前記走査回路が配置された光電変換部の重心と
前記走査回路が配置されない光電変換部の重心が等間隔
で並ぶことを特徴とする。

【００１５】また、本発明による撮像装置は、複数の光
電変換部を含む撮像領域を複数並べて複数の撮像領域に
跨る画像を撮像する撮像装置において、前記複数の撮像
領域のそれぞれは、走査回路が光電変換領域と光電変換
領域の間に配置された第１の領域と、前記走査回路が光
電変換領域と光電変換領域の間に配置されてない第２の
領域とを有し、前記第１の領域の光電変換部の重心と、
前記第２の領域の光電変換部の重心が等間隔で並ぶこと
を特徴とする。

【００１６】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は垂直走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００１７】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は水平走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００１８】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はシフトレジスタを備え
ることを特徴とする。

【００１９】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記シフトレジスタはスタティック型
であることを特徴とする。

【００２０】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はデコーダを備えること
を特徴とする。

【００２１】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路の上に電源ラインを配し
たことを特徴とする。

【００２２】更に、本発明による撮像装置は、複数の撮
像領域を並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮
像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備
え、各光電変換素子は光電変換部を備え、垂直方向の複
数の光電変換素子からの信号が読み出される垂直出力線
からの信号を選択的に水平出力線を経由して外部に出力
するための共通処理回路が一部の光電変換素子の光電変
換部の内部に配設され、前記共通処理回路が配置された
光電変換部の重心と前記共通処理回路が配置されない光
電変換部の重心が等間隔で並ぶことを特徴とする。

【００２３】更に、本発明による撮像装置は、複数の光
電変換部を含む撮像領域を複数並べて複数の撮像領域に
跨る画像を撮像する撮像装置において、前記複数の撮像
領域のそれぞれは、垂直方向の複数の光電変換部からの
信号が読み出される垂直出力線からの信号を選択的に水
平出力線を経由して外部に出力するための共通処理回路
が、光電変換領域と光電変換領域の間に配置された第１
の領域と、前記共通回路が光電変換領域と光電変換領域
の間に配置されてない第２の領域とを有し、前記第１の
領域の光電変換部の重心と、前記第２の領域の光電変換
部の重心が等間隔で並ぶことを特徴とする。

【００２４】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路はマルチプレクサを
備えることを特徴とする。

【００２５】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路は、前記水平出力線
に転送された信号を増幅する増幅器を備えることを特徴
とする。

【００２６】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路の上に電源ラインを
配したことを特徴とする。

【００２７】更に、本発明による撮像装置は、複数の撮
像領域を並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮
像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備
え、各光電変換素子は光電変換部を備え、遮光部が一部
の光電変換素子の光電変換部の内部に配設され、前記遮
光部が配置された光電変換部の重心と前記遮光部が配置
されない光電変換部の重心が等間隔で並ぶことを特徴と
する。

【００２８】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、走査回路が前記遮光部の下に配置され
ることを特徴とする。

【００２９】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は垂直走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００３０】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は水平走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００３１】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はシフトレジスタを備え
ることを特徴とする。

【００３２】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記シフトレジスタはスタティック型
であることを特徴とする。

【００３３】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はデコーダを備えること
を特徴とする。

【００３４】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、垂直方向の複数の光電変換素子からの
信号が読み出される垂直出力線からの信号を選択的に水
平出力線を経由して外部に出力するための共通処理回路
が前記遮光部の下に配置されることを特徴とする。

【００３５】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路はマルチプレクサを
備えることを特徴とする。

【００３６】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路は、前記水平出力線
に転送された信号を増幅する増幅器を備えることを特徴
とする。

【００３７】更に、本発明による撮像装置は、複数の撮
像領域を並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮
像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備
え、各光電変換素子は光電変換部を備え、遮光部が全て
の光電変換素子の光電変換部の内部に配設され、前記遮
光部が配置された光電変換部の重心が等間隔で並ぶこと
を特徴とする。

【００３８】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、走査回路が前記遮光部の下に配置され
ることを特徴とする。

【００３９】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は垂直走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００４０】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路は水平走査回路を備える
ことを特徴とする。

【００４１】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はシフトレジスタを備え
ることを特徴とする。

【００４２】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記シフトレジスタはスタティック型
であることを特徴とする。

【００４３】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記走査回路はデコーダを備えること
を特徴とする。

【００４４】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、垂直方向の複数の光電変換素子からの
信号が読み出される垂直出力線からの信号を選択的に水
平出力線を経由して外部に出力するための共通処理回路
が前記遮光部の下に配置されることを特徴とする。

【００４５】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路は容量の断続などに
よる雑音除去回路を備えることを特徴とする。

【００４６】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路は画素毎の光電変換
アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器を
備えることを特徴とする。

【００４７】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通処理回路は、マルチプレクサ
を備えることを特徴とする。

【００４８】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記共通化路は、前記水平出力線に転
送された信号を増幅する増幅器を備えることを特徴とす
る。

【００４９】更に、本発明による撮像装置は、複数の光
電変換部を含む撮像領域を複数並べて複数の撮像領域に
跨る画像を撮像する撮像装置において、前記複数の撮像
領域のそれぞれは、走査回路及び／又は垂直方向の複数
の光電変換部からの信号が読み出される垂直出力線から
の信号を選択的に水平出力線に出力するための共通処理
回路が、光電変換領域と光電変換領域の間に配置された
第１の領域と、前記走査回路及び前記共通回路が光電変
換領域と光電変換領域の間に配置されてない第２の領域
とを有し、前記第１の領域の光電変換部の重心と、前記
第２の領域の光電変換部の重心が等間隔で並ぶように、
遮光部を配置したことを特徴とする。

【００５０】本発明による放射線撮像装置は、上記の撮
像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプティック
プレートを備えることを特徴とする。

【００５１】本発明による放射線撮像システムは、上記
の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を
処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号
を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの
信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段か
らの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線
を発生させるための放射線源とを具備することを特徴と
する。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。

【００５３】高性能な複数の単結晶シリコンの撮像素子
を用いて、繋ぎ目のない画像を提供できるようにするこ
とを目的として、本願出願人は、図２１に左下端部付近
を示すような撮像素子を有する撮像装置を提案した。

【００５４】図２１を参照すると、２１０１は、撮像素
子に備わる複数の光電変換素子の各々が有する光電変換
部（フォトダイオード）、２１０２は垂直走査回路の一
種である垂直シフトレジスタ、２１０３は水平走査回路
の一種である水平シフトレジスタ、２１０４は垂直読出
線に読み出された信号を択一的に水平読出線に供給する
ためのマルチプレクサを構成するスイッチ、２１０５は
外部から電源や信号を供給したり外部に信号を供給する
ための外部端子（バンプ２１０６を有する。）、２１０
７は、外部からの高電圧、大電流から撮像素子を保護す
るための保護回路２１０７である。

【００５５】図２１に示す撮像素子においては、以下の
問題があった。すなわち、図２１において「×」で示す
光電変換部の重心が等間隔に並ばないことである。垂直
シフトレジスタ２１０２により左側が侵食される光電変
換部の重心は右に移動し、水平シフトレジスタ２１０
３、スイッチ２１０４により下側が侵食される光電変換
部の重心は上に移動し、保護回路２１０７により上側が
侵食される光電変換部の重心は下に移動するからであ
る。

【００５６】そこで、上述の問題点に鑑みて、下記の実
施形態では、走査回路等を撮像素子の有効画素領域であ
る撮像エリアに配置しても、光電変換部の重心が等間隔
で並ぶ撮像装置、それを用いた放射線撮像装置、放射線
撮像システムについて、説明する。

【００５７】［実施形態１］実施形態１は、本発明の撮
像装置の基本構成を示すものである。

【００５８】図１は１３８ｍｍ□の撮像素子１０１を９
枚タイル状に張り合わせて形成した４１４ｍｍ□の大面
積Ｘ線撮像装置の撮像素子部分を示す。

【００５９】図２は図１のＡ−Ａ’断面を示す。ユウロ
ピウム、テルビウム等を付活性体として用いたＧｄ₂Ｏ₂
ＳやＣｓＩなどのシンチレータからなるシンチレータ板
２０１をＦＯＰ２０２の上に設置する。Ｘ線２０３はシ
ンチレータに当たり、可視光に変換される。この可視光
を撮像素子１０１で検出する。シンチレータは、その発
光波長が撮像素子１０１の感度に適合するように選択す
るのが好ましい。２０４は、撮像素子１０１の電源、ク
ロック等を供給し、又、撮像素子から信号を取り出して
処理する回路を有する外部処理基板である。２０５は、
各撮像素子１０１と外部処理基板とを電気的に接続する
ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)である。

【００６０】９枚の撮像素子１０１は、実質的に撮像素
子間に隙間ができないように貼り合わせる。ここで、実
質的に隙間ができないこととは、９枚の撮像素子により
形成される画像に撮像素子間の欠落ができないというこ
とである。撮像素子１０１のクロック等や電源の入力、
画素からの信号の出力は撮像素子端部に設けた電極パッ
ドに接続したＴＡＢ２０５を通して、撮像素子１０１の
裏側に配置した外部処理基板２０４との間で行う。ＴＡ
Ｂ２０５の厚さは画素サイズに対して十分薄く撮像素子
１０１の間の隙間を通しても、画像上の欠陥は生じな
い。

【００６１】図３は現在主流の８インチウエハ３００か
ら一個の撮像素子を取り出す場合を示す。８インチウエ
ハ３００はＮ型ウエハであり、これを用い、ＣＭＯＳプ
ロセスによって１３８ｍｍ□のＣＭＯＳ型撮像素子１０
１を１枚取りで作成する。

【００６２】図４にＣＭＯＳ型撮像素子１０１の各画素
を構成する画素部の構成図を示す。４０１は光電変換を
するフォトダイオード（光電変換部）、４０２は電荷を
蓄積するフローティングディフュージョン、４０３はフ
ォトダイオードが生成した電荷をフローティングディフ
ュージョンに転送する転送ＭＯＳトランジスタ（転送ス
イッチ）、４０４はフローティングディフュージョンに
蓄積された電荷を放電するためのリセットＭＯＳトラン
ジスタ（リセットスイッチ）、４０５は行選択をするた
めの行選択ＭＯＳトランジスタ（行選択スイッチ）、４
０６はソースフォロワーとして機能する増幅ＭＯＳトラ
ンジスタ（画素アンプ）である。

【００６３】図５に３×３画素での全体回路の概略図を
示す。

【００６４】転送スイッチ４０３のゲートは垂直走査回
路の一種である垂直シフトレジスタ５０１からのΦＴＸ
５０２に接続され、リセットスイッチ４０４のゲートは
垂直走査回路５０１からのΦＲＥＳ５０３に接続され、
行選択スイッチ４０５のゲートは垂直走査回路５０１か
らのΦＳＥＬ５０４に接続されている。

【００６５】光電変換はフォトダイオード４０１でおこ
なわれ、光量電荷の蓄積期間中は、転送スイッチ４０３
はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロ
ア４０６のゲートにはこのフォトダイオードで光電変換
された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソ
ースフォロア４０６のゲートは、蓄積開始前にリセット
スイッチ４０４がオンし、適当な電圧に初期化されてい
る。これがノイズ成分を含んだ基準信号となる。このノ
イズ信号は、行選択スイッチ４０５がオンにされると負
荷電流源と画素アンプ４０６で構成されるソースフォロ
ワー回路が動作状態になり、さらに転送スイッチ４０３
をオンさせることでリセット時の電荷が該画素アンプを
構成するソースフォロア４０６のゲートに転送され、読
み出し可能となる。そして、行選択MOS405により選択さ
れた行のノイズ信号出力が垂直出力線（信号出力線）５
０５上に発生し、図示されない記憶素子に蓄積される。
次にリセットスイッチ４０４をオフし、行選択スイッチ
４０５がオンにされると、負荷電流源と画素アンプ４０
６で構成されるソースフォロワー回路が動作状態にな
り、ここで転送スイッチ４０３をオンさせることで該フ
ォトダイオードに蓄積されていた電荷は、該画素アンプ
を構成するソースフォロア４０６のゲートに転送され
る。ここで、行選択MOS405により選択された行のフォト
ダイオード蓄積信号出力が垂直出力線（信号出力線）５
０５上に発生する。

【００６６】このフォトダイオードの蓄積信号にはノイ
ズ信号が混在しており、前記、ノイズ信号と図示されな
い撮像素子内の引き算回路で引き算されて、撮像信号が
得られる。この出力は列選択スイッチ（マルチプレク
サ）５０６を水平走査回路の一種である水平シフトレジ
スタ５０７によって駆動することにより水平出力線を介
して順次出力部アンプ５０８へ読み出される。

【００６７】図６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブ
ロック（一行を選択し駆動するための単位）６０１を１
画素領域（１セル）の光電変換部６０２の内部に配置し
た様子を示す。垂直シフトレジスタは転送信号ΦＴＸ、
リセット信号ΦＲＥＳ、行選択信号ΦＳＥＬを作り出す
ためにスタティック型シフトレジスタ６０４と転送ゲー
ト６０５で構成した回路である。これらはクロック信号
線（不図示）からの信号により駆動する。シフトレジス
タの回路構成はこの限りではなく、画素加算や間引き読
み出し等のさまざまな駆動のさせ方により、任意の回路
構成をとることができる。

【００６８】本発明は、垂直シフトレジスタやｎ対２ⁿ
デコーダ等の垂直走査回路、水平シフトレジスタやｎ対
２ⁿデコーダ等の水平走査回路を光電変換部の内部に配
置することにより、撮像素子の全表面に亘る撮像エリア
に垂直走査回路及び水平走査回路を配置しても光電変換
部の重心が等間隔に揃うようにしたことを特徴とする。

【００６９】同様に、本発明は、共通処理回路を光電変
換部の内部に配置することにより、撮像素子の全表面に
亘る撮像エリアに共通処理回路を配置しても光電変換部
の重心が等間隔に揃うようにしたことを特徴とする。こ
こで、共通処理回路とは、最終信号出力アンプ、シリア
ル・パラレル変換マルチプレクサ、アンプ、各種ゲート
回路等の複数画素を一括して共通に処理する回路を意味
する。共通処理回路は、機能的には、垂直読出線に読み
出された各画素の画像信号を水平読出線、アンプを経由
して外部に出力するための回路である。

【００７０】これに対して個別回路とは、フォトダイオ
ード、転送スイッチ、画素選択スイッチ、画素出力増幅
回路等の１画素のみを処理する回路を意味する。

【００７１】図７に本実施形態の撮像素子の構成（平面
図）を示す。

【００７２】本実施形態では垂直シフトレジスタ５０１
Ｂと水平シフトレジスタ５０７Ｂと共通処理回路（マル
チプレクサを含む）を撮像素子の有効画素領域に配置す
る。

【００７３】６０１Ａは、垂直走査回路のうちの１行分
の回路を示し、６０１Ｂは、水平走査回路のうちの１列
分の回路（単位ブロック）を示し、６０１Ｃは、共通処
理回路のうちの１列分の回路（単位ブロック）を示す。
回路６０１Ａが中心に配置された光電変換部６０２の重
心は、回路６０１Ａが配置されないときの光電変換部６
０２の重心と同一である。同様に、回路６０１Ｂが中心
に配置された光電変換部６０２の重心は、回路６０１Ｂ
が配置されないときの光電変換部６０２の重心と同一で
あり、回路６０１Ｃが中心に配置された光電変換部６０
２の重心は、回路６０１Ｃが配置されないときの光電変
換部６０２の重心と同一である。更に、回路６０１Ａと
回路６０１Ｂが光電変換部６０２の中心線に対して対象
に配置された光電変換部６０２の重心は、回路６０１Ａ
と回路６０１Ｂが配置されないときの光電変換部６０２
の重心と同一であり、同様に、回路６０１Ａと回路６０
１Ｃが光電変換部６０２の中心線に対して対象に配置さ
れた光電変換部６０２の重心は、回路６０１Ａと回路６
０１Ｃが配置されないときの光電変換部６０２の重心と
同一である。一方、回路６０１Ａ、６０１Ｂ、６０１Ｃ
を配置しないときには、光電変換部６０２の重心は等間
隔に並ぶ。従って、回路６０１Ａ、６０１Ｂ、６０１Ｃ
を配置しても、光電変換部６０２の重心は等間隔に並
ぶ。

【００７４】なお、走査回路の一例であるシフトレジス
タとしてスタティックシフトレジスタを用いる。シフト
レジスタの回路構成は、設計でいろいろなものが適用で
きる。この実施形態では一般的な回路例を取り上げた。
重要なのはスタチィック型を用いる点である。

【００７５】本実施形態では、シフトレジスタを有効画
素領域内に配置するので、シンチレータ板を抜けたＸ線
が直接シフトレジスタに当たる。Ｘ線は素子にダメージ
を与えたり、エラーを生じたりするので問題である。

【００７６】エラーの例としてあげられるのは、絶縁酸
化膜ＳｉＯ₂とシリコンの界面に電荷が蓄積され、閾値
の変動やリーク電流の増加が起きる現象である。また、
ダメージの例としてあげられるのは、ｐｎ接合面に生じ
る欠陥であり、この欠陥がリーク電流の増大を引き起こ
す。

【００７７】エラーの他の例としてあげられるのは、Ｍ
ＯＳ型ダイナミックＲＡＭでの誤動作として知られるホ
ットエレクトロンの作用によるエラー（ソフトエラー）
と同様なものである。

【００７８】電界により発生するホットエレクトロン
は、電界が高くなる短チャンネル構造で起こりやすい
が、Ｘ線により発生するホットエレクトロンはサイズに
よらず発生するので、平面的なサイズによらずＸ線が当
たると撮像装置は不安定になりやすい。

【００７９】次に、撮像素子の画素を駆動するために用
いられるシフトレジスタについて説明する。シフトレジ
スタ回路は、パルス信号を順次転送するために用いられ
ている。

【００８０】スタティック型シフトレジスタ回路の構成
例を図８及び図９に示す。このシフトレジスタ回路は、
特開平９−２２３９４８号公報で開示されたものであ
る。シフトレジスタ回路の１段分は、図８の構成では１
個のインバータと２個のクロックトインバータ、図９の
構成では３個のインバータと２個のＣＭＯＳ転送ゲート
から成っている。ここで２個のクロックトインバータま
たは２個のＣＭＯＳ転送ゲートには、それぞれ逆位相の
クロック信号ＣＬＫと／ＣＬＫ（”／”は負論理を示
す。）が入力されている。また、隣接するシフトレジス
タ回路には、それぞれ逆位相のクロック信号が入力され
ている。

【００８１】図１０はインバータの内部構成図を示す。

【００８２】図１１は、クロックトインバータの内部構
成図を示し、電源とグランド間にｐチヤネル型入力トラ
ンジスタＴｒ１、ｐチヤネル型クロックトトランジスタ
Ｔｒ２、ｎチヤネル型クロックトトランジスタＴｒ３、
ｎチヤネル型入力トランジスタＴｒ４を直列接続して構
成され、トランジスタＴｒ２とトランジスタＴｒ３の接
続点より出力が取り出される。

【００８３】上述のように、駆動回路に用いられるシフ
トレジスタ回路は、通常、位相が逆の２つのクロック信
号でクロックに同期して駆動されている。

【００８４】ダイナミック型シフトレジスタ回路の構成
例を図１２に示す。スタティック型ではフィードバック
用のクロックトインバータ（または、転送ゲートとイン
バータ）を設けるのに対し、図１２に示すように、ダイ
ナミック型ではインバータ間にクロックがゲートに印加
されるトランジスタＴＲとキャパシタＣを設けることで
素子数を削減し、低消費電力化を図っている。このシフ
ト回路は、特開平５−２１８８１４号公報で開示された
ものである。原理的にダイナミック型はキャパシタに電
荷を蓄えることでデータを保持する動作を行う。

【００８５】ダイナミック型では、ｐｎ接合面や絶縁層
とシリコンの界面にリークがあるとキャパシタでの電荷
保持ができなくなり正常な動作をしなくなる。ダイナミ
ック型をＸ線が照射するところで用いるとＸ線のダメー
ジを受けやすく、リーク電流の増加が起こって動作しな
くなり、信頼性上の問題を引き起こす。またＸ線によっ
て生じたホットエレクトロンによる誤動作で正常な画像
を得ることができなくなる。

【００８６】これに比べ原理的にはスタティック型はＸ
線の影響を比較的受けにくく、本実施形態のようにＸ線
が直接当たる場所に用いることができる。従って、スタ
ティック型シフトレジスタを用いれば、Ｘ線ダメージや
エラーの少なく、信頼性が向上した撮像装置を実現でき
る。

【００８７】また、走査回路として、シフトレジスタで
はなく、ｎ対２ⁿデコーダを使用することもできる。デ
コーダの入力に順次インクリメントするカウンタの出力
を接続することにより、シフトレジスタと同様に順次走
査することが可能となり、一方、デコーダの入力に画像
を得たい領域のアドレスを入力することにより、ランダ
ム走査による任意の領域の画像を得ることができる。

【００８８】本実施形態は、撮像素子として、ＣＭＯＳ
センサを用いているので、消費電力が少なく、大板の撮
像装置を構成する場合に好適である。

【００８９】なお、撮像素子内にマルチプレクサを作り
こむのは、撮像素子での動作を早くするためである。

【００９０】また、撮像素子からは電極パッドを経由し
て外部に信号を取り出すが、この電極パッド周りには大
きな浮遊容量がある。従って、電極パッドの前段にアン
プ５０８を設けることにより、信号の伝送特性を補償す
ることができる。

【００９１】［実施形態２］実施形態２の撮像装置は、
基本構成は実施形態１と同じであるが、走査回路及び共
通処理回路の配列の様式が実施形態１と異なる。

【００９２】図１３に本実施形態の撮像素子の構成（平
面図）を示す。

【００９３】６０１Ｄは、垂直走査回路のうちの１行分
の回路を示し、６０１Ｅは、水平走査回路のうちの１列
分の回路を示し、６０１Ｆは、共通処理回路のうちの１
列分の回路を示す。回路６０１Ｄが四隅に配置された光
電変換部６０２の重心は、回路６０１Ｄが配置されない
ときの光電変換部６０２の重心と同一である。同様に、
回路６０１Ｅが四隅に配置された光電変換部６０２の重
心は、回路６０１Ｅが配置されないときの光電変換部６
０２の重心と同一であり、回路６０１Ｆが四隅に配置さ
れた光電変換部６０２の重心は、回路６０１Ｆが配置さ
れないときの光電変換部６０２の重心と同一である。更
に、回路６０１Ｄと回路６０１Ｅが光電変換部６０２の
四隅に配置された光電変換部６０２の重心は、回路６０
１Ｄと回路６０１Ｅが配置されないときの光電変換部６
０２の重心と同一であり、同様に、回路６０１Ｄと回路
６０１Ｆが光電変換部６０２の四隅に配置された光電変
換部６０２の重心は、回路６０１Ｄと回路６０１Ｆが配
置されないときの光電変換部６０２の重心と同一であ
る。一方、回路６０１Ｄ、６０１Ｅ、６０Ｆを配置しな
いときには、光電変換部６０２の重心は等間隔に並ぶ。
従って、回路６０１Ｄ、６０１Ｅ、６０１Ｆを配置して
も、光電変換部６０２の重心は等間隔に並ぶ。

【００９４】［実施形態３］実施形態３の撮像装置は、
基本構成は実施形態１と同じであるが、走査回路及び共
通処理回路の配列の様式が実施形態１と異なる。

【００９５】図１４に本実施形態の撮像素子の構成（平
面図）を示す。

【００９６】５０１Ｂは、垂直走査回路を示し、５０７
Ｂは、水平走査回路を示し、５０９は、共通処理回路を
示す。垂直走査回路５０１Ｂが中央に配置された光電変
換部６０２の重心は、垂直走査回路５０１Ｂが配置され
ないときの光電変換部６０２の重心と同一である。同様
に、水平走査回路５０７Ｂが中央に配置された光電変換
部６０２の重心は、水平走査回路５０７Ｂが配置されな
いときの光電変換部６０２の重心と同一であり、共通処
理回路５０９が中心に配置された光電変換部６０２の重
心は、共通処理回路５０９が配置されないときの光電変
換部６０２の重心と同一である。更に、垂直走査回路５
０１Ｂと水平走査回路５０７Ｂが中央に配置された光電
変換部６０２の重心は、垂直走査回路５０１Ｂと水平走
査回路５０７Ｂが配置されないときの光電変換部６０２
の重心と同一であり、同様に、垂直走査回路５０１Ｂと
共通処理回路５０９が中央に配置された光電変換部６０
２の重心は、垂直走査回路５０１Ｂと共通処理回路５０
９が配置されないときの光電変換部６０２の重心と同一
である。一方、垂直走査回路５０１Ｂ、水平走査回路５
０７Ｂ、共通処理回路５０９を配置しないときには、光
電変換部６０２の重心は等間隔に並ぶ。従って、垂直走
査回路５０１Ｂ、水平走査回路５０７Ｂ、共通処理回路
５０９を配置しても、光電変換部６０２の重心は等間隔
に並ぶ。

【００９７】なお、本実施形態では、走査回路、共通処
理回路は、分断されていないので、電源ラインをＸ線遮
蔽用として、走査回路及び／又は共通処理回路の上に配
置することができる。電源ラインの材質としては、Ｘ線
の吸収率が高い銅等を使用する。

【００９８】［実施形態４］実施形態１〜３では、走査
回路、共通処理回路の光電変換部の内部における配置を
光電変換部の重心が移動しないようなものにしたが、実
施形態４では、遮光部を光電変換部の一部を覆うように
配置し、遮光部の光電変換部の内部における配置を光電
変換部の重心が移動しないようなものにする。そして、
遮光部の下に走査回路、共通処理回路を設ける。なお、
遮光部は、例えば、配線用の金属より成る。本実施形態
では、走査回路の各行又は各列分の回路が相互に同一形
状とならない場合であっても、遮光部の配置を工夫する
ことにより、光電変換部の重心の移動を避けることがで
きる。また、共通処理回路の各列分の回路が相互に同一
形状とならない場合であっても、遮光部の配置を工夫す
ることにより、光電変換部の重心の移動を避けることが
できる。

【００９９】図１５に本実施形態の撮像素子の構成（平
面図）を示す。

【０１００】６１１Ａは、垂直走査回路のうちの１行分
の回路を覆う遮光部を示し、６１１Ｂは、水平走査回路
のうちの１列分の回路を覆う遮光部を示し、６１１Ｃ
は、共通処理回路のうちの１列分の回路を覆う遮光部を
示す。また、６１１Ｄは、垂直走査回路のうちの１行分
の回路及び水平走査回路のうちの１列分の回路を覆う遮
光部を示し、６１１Ｅは、垂直走査回路のうちの１行分
の回路及び共通処理回路のうちの１列分の回路を覆う遮
光部を示す。遮光部６１１Ａが中心に配置された光電変
換部６０２の重心は、遮光部６１１Ａが配置されないと
きの光電変換部６０２の重心と同一である。同様に、遮
光部６１１Ｂ、６１１Ｃ、６１１Ｄ、６１１Ｅが中心に
配置された光電変換部６０２の重心は、それぞれ、遮光
部６１１Ｂ、６１１Ｃ、６１１Ｄ、６１１Ｅが配置され
ないときの光電変換部６０２の重心と同一である。一
方、遮光部６１１Ａ〜６１１Ｅを配置しないときには、
光電変換部６０２の重心は等間隔に並ぶ。従って、遮光
部６１１Ａ〜６１１Ｅを配置しても、光電変換部６０２
の重心は等間隔に並ぶ。

【０１０１】［実施形態５］実施形態４では、走査回路
及び／又は共通処理回路を配置する光電変換部のみに遮
光部を配置したが、本実施形態では、走査回路及び／又
は共通処理回路を配置する光電変換部にも、走査回路及
び共通処理回路の何れをも配置しない光電変換部にも遮
光部を配置する。すなわち、全ての光電変換部に遮光部
を配置する。

【０１０２】図１６に本実施形態の撮像素子の構成（平
面図）を示す。

【０１０３】６１１Ｆは、遮光部を示し、全ての光電変
換部に配置される。一部の遮光部（例えば遮光部６１１
Ａの位置にある遮光部）は、垂直走査回路のうちの１行
分の回路を覆う。また、他の一部の遮光部（例えば遮光
部６１１Ｂの位置にある遮光部）は、水平走査回路のう
ちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮光部（例
えば遮光部６１１Ｃの位置にある遮光部）は、共通処理
回路のうちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮
光部（例えば遮光部６１１Ｄの位置にある遮光部）は、
垂直走査回路のうちの１行分の回路及び水平走査回路の
うちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮光部
（例えば遮光部６１１Ｅの位置にある遮光部）は、垂直
走査回路のうちの１行分の回路及び共通処理回路のうち
の１列分の回路を覆う。遮光部６１１Ｆが中心に配置さ
れた光電変換部６０２の重心は、遮光部６１１Ａが配置
されないときの光電変換部６０２の重心と同一である。
一方、遮光部６１１Ｆを配置しないときには、光電変換
部６０２の重心は等間隔に並ぶ。従って、遮光部６１１
Ｆを配置しても、光電変換部６０２の重心は等間隔に並
ぶ。

【０１０４】［実施形態６］実施形態５では、遮光部６
１１Ｆを光電変換部６０２の重心が移動しないように光
電変換部６０２の中心に配置したが、全ての光電変換部
６０２に遮光部が配置されるのであれば、遮光部が配置
された光電変換部６０２の重心が等間隔で並ぶという条
件を満たす限り、必ずしも遮光部を光電変換部６０２の
重心が移動しないように配置する必要があるわけではな
い。

【０１０５】図１７に本実施形態の撮像素子の構成（平
面図）を示す。

【０１０６】６１１Ｇは、遮光部を示し、全ての光電変
換部に配置される。一部の遮光部（例えば遮光部６１１
Ａの位置にある遮光部）は、垂直走査回路のうちの１行
分の回路を覆う。また、他の一部の遮光部（例えば遮光
部６１１Ｂの位置にある遮光部）は、水平走査回路のう
ちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮光部（例
えば遮光部６１１Ｃの位置にある遮光部）は、共通処理
回路のうちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮
光部（例えば遮光部６１１Ｄの位置にある遮光部）は、
垂直走査回路のうちの１行分の回路及び水平走査回路の
うちの１列分の回路を覆う。更に、他の一部の遮光部
（例えば遮光部６１１Ｅの位置にある遮光部）は、垂直
走査回路のうちの１行分の回路及び共通処理回路のうち
の１列分の回路を覆う。

【０１０７】本実施形態では、遮光部６１１Ｇを光電変
換部６０２の重心が移動するように配置しているが、全
ての光電変換部６０２に遮光部６１１Ｇが配置され、遮
光部６１１Ｇが配置された光電変換部６０２の重心の移
動方向、移動量が等しいので、遮光部６１１Ｇを設けて
も光電変換部６０２の重心は等間隔に並ぶ。

【０１０８】［実施形態７］図１８は本発明による放射
線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したもの
である。

【０１０９】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータ２０１、ＦＯＰ２０２、撮像素子１
０１、外部処理基板２０４を備える放射線撮像装置６０
４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の
体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシ
ンチレータは発光し、これを撮像素子が光電変換して、
電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換されイ
メージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の
ディスプレイ６０８０で観察できる。

【０１１０】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
撮像素子の全表面を有効画素領域として、有効画素領域
内の各画素についての光電変換部の内部に走査回路及び
共通処理回路を配した。また、撮像素子の全表面を有効
画素領域として、有効画素領域内の各画素についての光
電変換部の内部に遮光部を配置し、その下に走査回路及
び共通処理回路を配した。従って、撮像素子間に実質的
な隙間が生じないように撮像素子を並べることができる
ので、ある撮像素子の全周を他の撮像素子で囲んで５個
（十字状領域の場合）又は９個（３個／行×３個／列の
矩形領域の場合）以上の撮像素子により１の画像を形成
する撮像装置を形成しても、撮像素子間で画像の不連続
性や欠落が生じない。

【０１１２】また、光電変換部の内部における走査回
路、共通処理回路、遮光部の配置を工夫することによ
り、光電変換部の重心を等間隔に並べることが可能とな
った。従って、光電変換部の重心が不均等に並ぶことに
よる画像の歪みの問題点を回避することが可能となっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態による撮像装置における撮像
素子の配列及び走査回路の配列を示す平面図である。

【図２】本発明の実施形態による撮像装置の構成を示す
断面図であり、図１のＡ−Ａ’断面を示す。

【図３】本発明の実施形態による撮像素子とその元とな
るウエハを示す平面図である。

【図４】本発明の実施形態による撮像素子内の１画素回
路の回路図である。

【図５】本発明の実施形態による撮像素子の回路図であ
る。

【図６】本発明の実施形態１による１画素領域（セル）
の構成を示す概念的平面図であり、光電変換部の内部に
走査回路の要素が配置される様子を示す。

【図７】本発明の実施形態１による撮像素子のレイアウ
トを示す平面図である。

【図８】スタティック型シフトレジスタの第１例を示す
回路図である。

【図９】スタティック型シフトレジスタの第２例を示す
回路図である。

【図１０】シフトレジスタに使用されるインバータの例
を示す回路図である。

【図１１】スタティック型シフトレジスタに使用される
クロックトインバータの例を示す回路図である。

【図１２】ダイナミック型シフトレジスタの例を示す回
路図である。

【図１３】本発明の実施形態２による撮像素子のレイア
ウトを示す平面図である。

【図１４】本発明の実施形態３による撮像素子のレイア
ウトを示す平面図である。

【図１５】本発明の実施形態４による撮像素子のレイア
ウトを示す平面図である。

【図１６】本発明の実施形態５による撮像素子のレイア
ウトを示す平面図である。

【図１７】本発明の実施形態６による撮像素子のレイア
ウトを示す平面図である。

【図１８】本発明の実施形態７による放射線撮影システ
ムの構成を示す概念図である。

【図１９】従来技術１の説明図である。

【図２０】従来技術２の説明図である。

【図２１】本願出願人が提案した撮像素子のレイアウト
を示す平面図である。

【符号の説明】

１０１撮像素子２０１シンチレータ板２０２ＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート）２０３Ｘ線２０４外部処理基板２０５ＴＡＢ５０１垂直走査回路５０６列選択スイッチ（マルチプレクサ）５０７水平走査回路５０８出力部アンプ５０９共通処理回路６０１Ａ、６０１Ｄ垂直走査回路の１行分の回路要素６０１Ｂ、６０１Ｅ水平走査回路の１列分の回路要素６０１Ｃ、６０１Ｆ共通処理回路の１列分の回路要素６１１Ａ〜６１１Ｇ遮光部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者海部紀之東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者光地哲伸東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5C024 AX11 AX17 CY49 EX17 EX54 GX03 GY31 GZ36

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の撮像領域を並べて複数の撮像領域
に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素
子は光電変換部を備え、走査回路が一部の光電変換素子の光電変換部の内部に配
設され、前記走査回路が配置された光電変換部の重心と
前記走査回路が配置されない光電変換部の重心が等間隔
で並ぶことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】複数の光電変換部を含む撮像領域を複数
並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置に
おいて、前記複数の撮像領域のそれぞれは、走査回路が光電変換
領域と光電変換領域の間に配置された第１の領域と、前
記走査回路が光電変換領域と光電変換領域の間に配置さ
れてない第２の領域とを有し、前記第１の領域の光電変
換部の重心と、前記第２の領域の光電変換部の重心が等
間隔で並ぶことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の撮像装置
において、前記走査回路は垂直走査回路を備えることを
特徴とする撮像装置。
【請求項４】請求項１又は請求項２に記載の撮像装置
において、前記走査回路は水平走査回路を備えることを
特徴とする撮像装置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
撮像装置において、前記走査回路はシフトレジスタを備
えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】請求項５に記載の撮像装置において、前
記シフトレジスタはスタティック型であることを特徴と
する撮像装置。
【請求項７】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
撮像装置において、前記走査回路はデコーダを備えるこ
とを特徴とする撮像装置。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
撮像装置において、前記走査回路の上に電源ラインを配
したことを特徴とする撮像装置。
【請求項９】複数の撮像領域を並べて複数の撮像領域
に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素
子は光電変換部を備え、垂直方向の複数の光電変換素子からの信号が読み出され
る垂直出力線からの信号を選択的に水平出力線を経由し
て外部に出力するための共通処理回路が一部の光電変換
素子の光電変換部の内部に配設され、前記共通処理回路
が配置された光電変換部の重心と前記共通処理回路が配
置されない光電変換部の重心が等間隔で並ぶことを特徴
とする撮像装置。
【請求項１０】複数の光電変換部を含む撮像領域を複
数並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置
において、前記複数の撮像領域のそれぞれは、垂直方向の複数の光
電変換部からの信号が読み出される垂直出力線からの信
号を選択的に水平出力線を経由して外部に出力するため
の共通処理回路が、光電変換領域と光電変換領域の間に
配置された第１の領域と、前記共通回路が光電変換領域
と光電変換領域の間に配置されてない第２の領域とを有
し、前記第１の領域の光電変換部の重心と、前記第２の
領域の光電変換部の重心が等間隔で並ぶことを特徴とす
る撮像装置。
【請求項１１】請求項９又は請求項１０に記載の撮像
装置において、前記共通処理回路はマルチプレクサを備
えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】請求項９乃至１１のいずれか１項に記
載の撮像装置において、前記共通処理回路は、前記水平
出力線に転送された信号を増幅する増幅器を備えること
を特徴とする撮像装置。
【請求項１３】請求項９乃至１２のいずれか１項に記
載の撮像装置において、前記共通処理回路の上に電源ラ
インを配したことを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】複数の撮像領域を並べて複数の撮像領
域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素
子は光電変換部を備え、遮光部が一部の光電変換素子の光電変換部の内部に配設
され、前記遮光部が配置された光電変換部の重心と前記
遮光部が配置されない光電変換部の重心が等間隔で並ぶ
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】請求項１４に記載の撮像装置におい
て、走査回路が前記遮光部の下に配置されることを特徴
とする撮像装置。
【請求項１６】請求項１５に記載の撮像装置におい
て、前記走査回路は垂直走査回路を備えることを特徴と
する撮像装置。
【請求項１７】請求項１５に記載の撮像装置におい
て、前記走査回路は水平走査回路を備えることを特徴と
する撮像装置。
【請求項１８】請求項１５乃至１７のいずれか１項に
記載の撮像装置において、前記走査回路はシフトレジス
タを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１９】請求項１８に記載の撮像装置におい
て、前記シフトレジスタはスタティック型であることを
特徴とする撮像装置。
【請求項２０】請求項１５乃至１７のいずれか１項に
記載の撮像装置において、前記走査回路はデコーダを備
えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２１】請求項１４に記載の撮像装置におい
て、垂直方向の複数の光電変換素子からの信号が読み出
される垂直出力線からの信号を選択的に水平出力線を経
由して外部に出力するための共通処理回路が前記遮光部
の下に配置されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２２】請求項２１に記載の撮像装置におい
て、前記共通処理回路はマルチプレクサを備えることを
特徴とする撮像装置。
【請求項２３】請求項２１又は２２に記載の撮像装置
において、前記共通処理回路は、前記水平出力線に転送
された信号を増幅する増幅器を備えることを特徴とする
撮像装置。
【請求項２４】複数の撮像領域を並べて複数の撮像領
域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像領域は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素
子は光電変換部を備え、遮光部が全ての光電変換素子の光電変換部の内部に配設
され、前記遮光部が配置された光電変換部の重心が等間
隔で並ぶことを特徴とする撮像装置。
【請求項２５】請求項２４に記載の撮像装置におい
て、走査回路が前記遮光部の下に配置されることを特徴
とする撮像装置。
【請求項２６】請求項２５に記載の撮像装置におい
て、前記走査回路は垂直走査回路を備えることを特徴と
する撮像装置。
【請求項２７】請求項２５に記載の撮像装置におい
て、前記走査回路は水平走査回路を備えることを特徴と
する撮像装置。
【請求項２８】請求項２５乃至２７のいずれか１項に
記載の撮像装置において、前記走査回路はシフトレジス
タを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２９】請求項２８に記載の撮像装置におい
て、前記シフトレジスタはスタティック型であることを
特徴とする撮像装置。
【請求項３０】請求項２５乃至２７のいずれか１項に
記載の撮像装置において、前記走査回路はデコーダを備
えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３１】請求項２４に記載の撮像装置におい
て、垂直方向の複数の光電変換素子からの信号が読み出
される垂直出力線からの信号を選択的に水平出力線を経
由して外部に出力するための共通処理回路が前記遮光部
の下に配置されることを特徴とする撮像装置。
【請求項３２】請求項３１に記載の撮像装置におい
て、前記共通処理回路は雑音除去回路を備えることを特
徴とする撮像装置。
【請求項３３】請求項３１又は３２に記載の撮像装置
において、前記共通処理回路はＡ／Ｄ変換器を備えるこ
とを特徴とする撮像装置。
【請求項３４】請求項３１乃至３３のいずれか１項に
記載の撮像装置において、前記共通処理回路は、マルチ
プレクサを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３５】請求項３１乃至請求項３４のいずれか
１項に記載の撮像装置において、前記共通化路は、前記
水平出力線に転送された信号を増幅する増幅器を備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項３６】複数の光電変換部を含む撮像領域を複
数並べて複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置
において、前記複数の撮像領域のそれぞれは、走査回路及び／又は
垂直方向の複数の光電変換部からの信号が読み出される
垂直出力線からの信号を選択的に水平出力線に出力する
ための共通処理回路が、光電変換領域と光電変換領域の
間に配置された第１の領域と、前記走査回路及び前記共
通回路が光電変換領域と光電変換領域の間に配置されて
ない第２の領域とを有し、前記第１の領域の光電変換部
の重心と、前記第２の領域の光電変換部の重心が等間隔
で並ぶように、遮光部を配置したことを特徴とする撮像
装置。
【請求項３７】請求項１乃至３６のいずれか１項に記
載の撮像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプテ
ィックプレートを備えることを特徴とする放射線撮像装
置。
【請求項３８】請求項３７に記載の放射線撮像装置
と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。