KR20130104563A - 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명의 어레이 시험 방법은 제어장치와 구동부를 포함하는 어레이 시험 장치를 이용하여, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 적용되고, 상기 유기 발광 다이오드의 완성 전에 상기 적어도 하나의 커패시터의 일전극의 노출부에 전자 빔을 1차 조사하는 단계, 상기 커패시터에서 방출되는 2차 전자에 근거하여 상기 어레이 시험 장치의 제어장치의 캘리브레이션(Calibration)을 수행하는 단계, 상기 화소 회로의 애노드 전극에 전자 빔을 2차 조사하는 단계, 및 상기 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자의 출력량으로부터 상기 제1 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검출하는 단계를 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ARRAY TEST DEVICE AND ARRAY TEST METHOD FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치의 시험 장치 및 시험 방법과 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치의 화소 어레이의 시험 장치 및 시험 방법과, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode display, OLED)는 자발광 특성을 가져 별도의 광원을 필요로 하지 않고, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 장점으로 인하여 차세대 표시 장치로서 주목 받고 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 전자 이동도(carrier mobility)가 우수하여 고속 동작 회로에 적용이 가능하다.
유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 다이오드로 구동 전류를 전달하는 것은 각 화소 회로를 구성하는 트랜지스터에 의해 제어된다. 그래서, 화소 회로의 트랜지스터가 제대로 동작하지 않거나 배선이 절단되거나 단락되면, 소정의 구동 전류가 유기 발광 다이오드에 인가될 수 없다.
그러므로, 유기 발광 다이오드의 형성 전에 화소 회로를 구성하는 트랜지스터들의 정상 동작 여부를 체크하여 불량을 수리하거나 수리가 불가능한 경우에는 이후의 패널(셀) 공정 및 모듈 공정을 진행하지 않도록 하는 것이 제조 시간 및 비용의 관점에서 유리하다.
그런데, 화소 회로의 구성 트랜지스터들의 정상 동작 여부를 시험함에 있어서 기존에 이용되어 왔던 전자 빔(E-beam) 주사 방식은 전자 빔 조사로 인하여 화소 회로에 손상이 가해질 염려가 있다. 그리고, 시험 장치의 모듈레이터와 글래스 기판 사이의 거리가 엄밀하게는 화소마다 상이하여 불균일하므로 그에 따른 노이즈 성분이 생성될 수 있다. 따라서, 어레이 기판에 포함된 화소의 측정 전압 산포가 화소 회로의 손상 여부와 노이즈 성분으로 인해 커지게 되어 전자빔을 이용한 시험 장치의 정밀도, 정확도, 신뢰도가 현저히 떨어질 수 있다.
따라서 화소 어레이 상에서 각 화소의 트랜지스터의 성능을 정확하고 정밀하게 시험할 수 있는 장치와 방법에 대한 개발이 요구된다.
본 발명의 실시 예를 통해 해결하려는 과제는 화소의 트랜지스터의 정확한 동작 여부를 측정할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치와 시험 방법을 제공하는 것이다. 특히 화소 회로의 손상과 노이즈 성분을 최소화하고 화소의 측정 전압 산포를 줄임으로써 다수의 화소에 대하여 정밀하게 측정하는 어레이 시험 장치와 시험 방법을 제공한다.
또한, 화소 어레이 시험 장치와 방법을 이용하여 품질 신뢰성이 우수한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법은 제어장치와 구동부를 포함하는 어레이 시험 장치를 이용하여, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 적용된다.
상기 어레이 시험 방법은 상기 유기 발광 다이오드의 완성 전에 상기 적어도 하나의 커패시터의 일전극의 노출부에 전자 빔을 1차 조사하는 단계, 상기 커패시터에서 방출되는 2차 전자에 근거하여 상기 어레이 시험 장치의 제어장치의 캘리브레이션(Calibration)을 수행하는 단계, 상기 화소 회로의 애노드 전극에 전자 빔을 2차 조사하는 단계, 및 상기 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자의 출력량으로부터 상기 제1 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검출하는 단계를 포함한다.
이때 상기 전자 빔의 1차 조사는, 화소 어레이 기판에 포함된 복수의 화소 회로 중 소정의 일 화소 회로의 커패시터에 대하여 수행될 수 있다.
또한 상기 전자 빔의 2차 조사는, 화소 어레이 기판에 포함된 복수의 화소 회로에 대하여 수행될 수 있다.
그리고 상기 전자 빔의 1차 조사 단계 이전에, 상기 화소 회로를 연결하는 적어도 하나의 신호선에 공급되는 전압을 미리 설정하여 상기 커패시터에 충전 전압을 소정의 기준 전압으로 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 캘리브레이션을 수행하는 단계는, 상기 커패시터에서 방출되는 2차 전자에 근거한 검출 전압이 상기 기준 전압과 일치하도록 상기 제어장치를 조정하는 단계이다.
그리고 상기 제1 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검출하는 단계는, 상기 전자 빔의 2차 조사에서 애노드 전극에 인가되는 입력 전압과 상기 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자의 출력량에 대응하는 출력 전압과 비교하고, 상기 입력 전압의 소정의 임계 범위를 벗어나는 화소 회로의 어드레스를 추적하여 해당 화소를 비정상 화소로 판정하는 단계이다.
한편 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치는 전자 빔 조사부, 신호 해석부, 제어부, 및 캘리브레이션부를 포함한다.
상기 전자 빔 조사부는, 애노드 전극, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 구동 트랜지스터, 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 화소가 복수 개 포함된 화소 어레이 중 선택된 일 화소의 커패시터에 제1 전자 빔을 조사하고, 상기 복수 개 화소의 각 애노드 전극에 제2 전자 빔을 조사한다.
상기 신호 해석부는 상기 제1 전자 빔의 조사에 대응하여 방출되는 2차 전자의 제1 출력량 및 상기 제2 전자 빔의 조사에 대응하여 방출되는 2차 전자의 제2 출력량을 각각 검출하고, 상기 제1 출력량 및 상기 제2 출력량에 각각 대응하는 제1 검출 전압 및 제2 검출 전압을 산출한다.
상기 제어부는 상기 커패시터에 충전되는 충전 전압 및 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔의 조사량을 각각 설정하고, 상기 제1 검출 전압과 상기 충전 전압을 비교하고, 상기 제2 검출 전압에 근거하여 상기 화소 어레이의 동작 상태를 판정한다.
그리고 상기 캘리브레이션부는 상기 제어부에서 상기 제1 검출 전압과 상기 충전 전압이 소정의 임계 범위를 벗어나 불일치하는 경우 일치될 때까지 캘리브레이션을 수행한다.
상기 어레이 시험 장치는, 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔을 조사하는 전자 빔 방출 수단과 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔의 조사에 대응하여 각각 방출되는 2차 전자를 검출하는 전자 검출 수단을 포함하고, 상기 화소 어레이 상부와 이격되어 이동하는 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 제어부는 상기 복수 개의 화소를 연결하는 적어도 하나의 신호선에 공급되는 전압을 미리 설정하여 상기 커패시터의 충전 전압을 소정의 기준 전압으로 설정할 수 있다.
그리고 상기 제어부는 상기 제2 검출 전압과 상기 제2 전자 빔 조사에서 애노드 전극으로 인가되는 입력 전압을 비교하고, 상기 입력 전압의 소정의 임계 범위를 벗어나는 화소 회로의 어드레스를 추적하여 해당 화소를 비정상 화소로 판정할 수 있다.
다른 실시 예로서 상기 화소는, 상기 주사 신호에 따라 상기 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제1 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극에 각각 연결되고 제1 제어 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 제어 신호에 따라 상기 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제3 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 데이터 신호를 저장하는 제1 커패시터, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 저장하는 제2 커패시터, 및 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극 전압을 유지하는 제3 커패시터를 더 포함할 수 있다.
이때 상기 제1 커패시터 내지 제3 커패시터 중 어느 하나의 커패시터에 상기 제1 전자 빔이 조사된다.
그리고 다른 실시 예로서 상기 화소는, 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 연결되어, 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 트랜지스터로부터 전달되는 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
한편 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법은 애노드 전극, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 구동 트랜지스터, 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 복수의 화소를 구성되는 화소 어레이를 형성하고, 상기 화소 어레이 중에서 선택된 일 화소의 커패시터에 제1 전자 빔을 조사하고, 검출되는 2차 전지의 출력량에 대응하는 제1 검출 전압과 상기 커패시터의 기준 충전 전압이 소정의 임계 범위를 벗어나 불일치하는 경우 일치될 때까지 캘리브레이션을 수행하고, 상기 화소 어레이의 복수의 화소의 각 애노드 전극에 제2 전자 빔을 조사하고, 검출되는 2차 전지의 출력량에 대응하는 제2 검출 전압과 상기 애노드 전극으로 인가되는 입력 전압을 비교하여 상기 화소 어레이의 동작 상태를 판정하고, 불량품으로 판정되면 상기 화소 어레이를 수리하고, 양품으로 판정되거나 또는 상기 수리가 완료되면 상기 화소 어레이에 포함된 화소의 유기 발광 다이오드를 완성하는 과정을 포함한다.
본 발명에 따르면 패널(셀) 공정 전에 화소 어레이 시험을 통해 미리 트랜지스터의 동작 불량을 정확하게 판별하고, 화소 어레이의 불량을 미리 수리하여 제조 수율을 높일 수 있다. 특히 화소 회로의 손상과 노이즈 성분을 최소화하고 화소의 측정 전압 산포를 줄임으로써, 시험 장치의 모듈레이터와 기판 사이의 정밀한 거리 차이에도 불구하고 각 화소에 대하여 균일하고 정확하게 불량 여부를 측정할 수 있다.
화소의 어레이 시험 장치의 정밀도가 증가됨으로써 품질 신뢰성이 우수한 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 어레이 테스트 과정을 설명하기 위한 흐름도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 시험 방법을 설명하기 위한 개략도.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 어레이 시험 장치와 시험 방법이 적용될 수 있는 유기 발광 표시 장치의 단위 화소의 등가 회로도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 시험 방법을 적용한 어레이 시험 장치의 개략도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 시험 방법의 단계에 따른 화소별 전압 분포를 예시한 그래프.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 실시 예를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저 기판 상에 화소 회로 어레이를 형성하는 어레이 공정(S1)을 실시한다. 화소 회로 어레이는 2 이상의 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터로 구성될 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 다만, 어레이 공정(S1)시 최상면에는 커패시터의 전극의 일부가 노출되도록 형성된다. 이어서, 어레이 테스트(S2)를 실시한다. 어레이 테스트(S2)에서 본 발명의 실시 예에 따라 트랜지스터의 정상 동작 여부를 시험한다. 본 발명의 실시 예에 따른 구체적인 트랜지스터의 정상 동작 여부에 대한 테스트 과정은 이하 도 2에서 후술하기로 한다.
어레이 테스트(S2)에서 불량품이라고 판단되는 화소 어레이는 수리(repair) 공정(S21)을 거치거나 수리 불능일 경우에는 다음 공정으로 이행되지 않고 종료 처리된다. 양품이라고 판단되거나 수리가 완료된 화소 어레이에 대해서는 유기 발광층 및 캐소드 전극을 형성하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 완성하는 패널(셀) 공정(S3)을 거쳐 패널 테스트(S4)로 이행한다. 마찬가지로 패널 테스트(S4)에서 불량품이라고 판단되는 패널은 수리 공정(S41)을 거치거나 수리 불능일 경우에는 다음 공정으로 이행되지 않고 종료 처리된다. 양품이라고 판단되거나 수리가 완료된 패널에 대해서는 모듈 공정(S5)을 거쳐 최종 테스트(S6)를 실시하여 최종 완성품과 불량을 선별한다. 최종 테스트(S6)에서 불량품이라고 판단되는 모듈은 수리 공정(S61)을 거치거나 수리 불능일 경우에는 종료 처리된다. 도 1에서 알 수 있듯이 어레이 공정(S1) 후 트랜지스터의 동작 불량을 테스트하기 때문에 화소 회로 어레이의 불량을 미리 수리하여 제조 수율을 높일 수 있다. 또한, 수리가 불가능한 화소 회로 어레이 불량품에 대해 패널(셀) 공정 및 모듈 공정 등을 수행하지 않음으로써 제조 시간 및 비용 등을 낭비하지 않을 수 있다.
이하 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 어레이 테스트 과정(S2)의 구체적인 방법에 대해서 설명한다.
먼저 어레이 공정이 끝난 화소 회로의 신호선에 인가 전압을 설정하고 이에 따른 전압을 공급하는 공정(S11)이다. 본 발명에서 화소 회로 구조는 특별히 제한되지 않기 때문에 각 화소 회로에 연결되는 신호선은 다양할 수 있으며, 각 신호선에 인가되는 신호 전압의 레벨을 미리 설정하고 그에 따른 전압을 공급하는 것이다. 이때 상기 신호선은 외부 전원에서 전압이 공급되는 전원 공급선을 포함하는 개념이다.
그러면, 화소 회로 내에 포함된 소정의 커패시터에 전하가 축적된다(S12). 상기 소정의 커패시터는 화소 회로 내에 포함된 복수의 커패시터 중에서 어레이 시험 장치의 정확도를 검정하기 위해 어레이 시험 전에 일정 전압값이 축적되도록 선택된 커패시터이다. 선택되는 커패시터는 화소 회로 구성에 따라 달라질 수 있다.
상기 S11 공정에서 신호선으로 미리 설정된 전압을 인가하기 때문에 선택된 커패시터에 저장되는 전압은 예측 가능하다. 회로 소자와 신호선의 연결 구조에 따라서 선택된 커패시터에 축적되는 전압이 달라질 수 있다.
예측 가능한 전압으로 커패시터를 충전하고 난 후 상기 커패시터의 일 전극에 전자 빔을 1차로 조사한다(S13). 전자 빔을 조사하는 장치는 어레이 시험 장치에 포함될 수 있다.
화소 어레이를 형성하고 난 후 커패시터의 일 전극에 전자 빔을 조사하는 것이므로, 전자 빔 조사의 대상으로 선택되는 커패시터는 일 전극이 화소 어레이 공정 과정에서 외부에 일정 부분 노출되어야 한다.
전자 빔을 조사한 후 커패시터의 일전극에 충돌되어 반사되는 2차 전자를 검출하고, 2차 전자의 검출양을 이용하여 실제 커패시터에 저장된 전압을 측정한다(S14).
상기 S12의 공정에서 화소 회로에서 선택되어 전하를 축적한 커패시터는 예측 가능한 전압을 저장하게 되는데, 화소 어레이 기판의 공정과정이나 재료의 특성, 전자 빔 장치의 모듈레이터와 어레이 기판 사이의 거리 간격 등에 따라 실제 측정된 커패시터의 전압은 예상과 달리 미세한 오차값을 가질 수 있다. 따라서, 커패시터의 전자 빔 조사 후 검출되는 2차 전자로부터 환산된 전압값을 기준 전압으로 재보정하는 공정(S15)이 이어져야 한다.
즉, 소정의 커패시터에 축적되어야 할 예상 전압과 실제 전자 빔 조사를 통해 측정된 산출 전압이 달라질 경우 상기 예상 전압을 기준 전압으로 하여 어레이 테스터의 눈금을 재조정하는 캘리브레이션(Calibration) 공정을 수행한다.
이와 같이 캘리브레이션 공정을 수행한 어레이 테스터를 이용하여 실제 시험 공정에서 인 시츄(In Situ)로 화소의 어레이 기판의 불량 여부를 판정하는 공정(S16)을 수행한다. 캘리브레이션 과정을 거친 어레이 테스터는 해당 시험 공정에서 어레이 기판에 대한 정밀 조작에 대한 검정을 끝낸 상태이므로 실제 표시 패널의 어레이 테스트 과정에서 발생될 수 있는 노이즈를 최소화할 수 있게 된다.
화소 어레이 기판이 시험 과정에서 컨베이어 벨트를 지나갈 때 상기 검정된 어레이 테스터에 포함된 전자 빔 장치는 화소 회로의 애노드 전극으로 전자 빔을 조사한다(S16). 이때 전자 빔 조사는 본 발명의 실시 예에 따르면 실제 화소 어레이의 불량을 검사하기 위한 2차적 조사이다.
그러면 화소 회로의 애노드 전극에 충돌하여 반사되는 2차 전자가 검출되고 이를 이용하여 화소 회로의 애노드 전극의 전압을 측정하게 된다(S17). 화소 회로의 애노드 전극의 측정 전압은 화소의 구동시 동작하는 트랜지스터의 상태의 불량 여부를 판정할 수 있는 척도가 된다. 특히 화소의 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동 전류를 흘려보내는 구동 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검사할 수 있다. 즉, 상기 S17 공정에서 2차 전자를 이용하여 측정된 전압으로부터 화소의 구동 트랜지스터의 동작 상태를 판정할 수 있다(S18).
만일 화소의 구동 트랜지스터가 정상 동작하지 않고 누설 전류를 발생한다면 S17 공정에서 측정 전압이 원래 입력된 값이 아닌 다른 값을 가지게 될 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 시험 방법을 설명하기 위한 어레이 시험 장치의 개략도를 나타내었다.
도 3을 참조하면 본 발명의 어레이 시험 장치는 검사 대상이 되는 어레이 기판(1)에 전자 빔(201)을 1차 및 2차로 조사하는 전자 빔 방출원(29), 상기 기판으로부터 반사되는 전자 빔의 2차 전자(202)를 수용하는 전자 검출원(30), 및 상기 1차 및 2차의 전자 빔 조사량을 결정하고 각 시기별 2차 전자를 이용하여 눈금 조정을 통해 정밀도를 조정하거나 실제적으로 화소 회로의 트랜지스터의 동작 상태를 측정하는 제어 장치(2)로 구성될 수 있다.
도 3에 나타난 바와 같이 전자 빔 조사(201)와 2차 전자(202)의 검출에 대한 도식화는 편의상 1차와 2차 조사를 구분하지 않고 도시하였다. 따라서, 어레이 기판(1)에 구비된 화소부(10)에서 전자 빔이 조사되는 컨택홀(101)은 외부로 노출된 커패시터의 일부 전극이거나 화소의 애노드 전극의 일부일 수 있다.
도 3의 실시 예에서 제어 장치(2)는 전자 빔 조사부(21), 제어부(23), 신호 해석부(25), 및 캘리브레이션부(27)로 구성될 수 있다.
전자 빔 조사부(21)는 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 테스트 방법에서 1차 및 2차의 시기별로 구분하여 어레이 기판(1)에 대하여 전자 빔을 조사한다. 상술한 바와 같이 1차 조사 기간 동안 전자 빔 조사부(21)는 전자 빔 방출원(29)과 컨택홀(101)을 통하여 화소의 커패시터의 일전극의 노출 부분으로 전자 빔을 조사한다. 또한 2차 조사 기간은 실질적으로 화소 어레이 기판을 직접 검사하는 공정이므로, 전자 빔 조사부(21)는 전자 빔 방출원(29)과 컨택홀(101)을 통하여 화소의 애노드 전극의 노출 부분으로 전자 빔을 조사한다.
이때 각 시기별로 조사되는 전자 빔의 조사량은 제어부(23)에서 결정한다. 전자 빔 조사부(21)에서 어레이 기판에 대하여 1차적으로 장치의 정밀도를 검정하기 위하여 조사하는 전자 빔의 조사량과, 실제 어레이 기판의 화소 회로의 상태를 판정하기 위하여 2차적으로 조사하는 전자 빔의 조사량은 상이할 수 있다.
제어부(23)는 제어 장치의 정밀도를 검정하기 위한 공정과 실제 어레이 기판 검사 공정에서 제어 장치를 구성하는 구성부 전반의 기능을 제어한다.
즉, 상술한 바와 같이 전자 빔 조사부(21)에서 조사할 전자 빔의 1차 또는 2차 조사량을 결정하거나, 2차 전자의 검출량으로부터 해석된 결과값을 이용하여 제어장치의 캘리브레이션을 수행하거나 화소 회로의 정상 상태 여부를 판정한다.
또한 제어부(23)는 어레이 시험 장치의 구동부의 동작을 제어하여 어레이 기판 위에서 검정 공정 및 화소 회로 검사 공정이 수행될 수 있도록 조정할 수 있다.
경우에 따라서, 화소 회로의 실제 검사 공정 전에 수행되는 캘리브레이션 공정은 모든 화소 회로에 대해서 수행하지 않고 선택된 화소 회로에 대해서 수행할 수 있다.
신호 해석부(25)는 1차 및 2차 전자 빔 조사 후 컨택홀(101)을 통해 취출되는 2차 전자를 전자 검출원(30)을 경유하여 전달받는다. 신호 해석부(25)는 검출된 2차 전자를 이용하여 그에 대응하는 전압을 산출한다. 즉, 1차 전자 빔 조사 후의 검출된 2차 전자를 이용하여 실제 커패시터의 충전 전압을 계산할 수 있다. 또한, 2차 전자 빔 조사 후의 검출된 2차 전자를 이용하여 화소 회로의 애노드 전극 전압을 계산할 수 있다.
신호 해석부(25)에서 산출된 측정 전압은 제어부(23)에 전달되고, 제어부(23)는 상기 측정 전압을 이용하여 제어 장치의 정밀도를 조정하거나, 화소 회로에서 동작 상태가 불량한 구동 트랜지스터의 존부를 판정할 수 있다.
제어 장치의 정밀도는 어레이 시험 장치와 어레이 기판과의 정확한 거리 간격의 불균일에서 발생할 수 있는 노이즈 성분을 최소화할 수 있도록 캘리브레이션부(27)를 이용하여 측정 눈금을 조정할 수 있다. 즉, 1차 전자 빔 조사 후 취득된 2차 전자를 이용하여 신호 해석부(25)가 측정 전압을 산출하면, 제어부(23)는 기 설정된 신호선의 인가 전압으로부터 예상되는 커패시터의 충전 전압과 상기 측정 전압을 비교하여 동일하지 않은 경우 캘리브레이션부(27)를 이용하여 캘리브레이션을 수행할 수 있다.
캘리브레이션부(27)는 제어 장치의 실제 화소 어레이 테스트 공정 시 화소의 불량 여부를 판정하도록 전자 빔 조사에 대한 검출 전압의 눈금이 표시된 표시 수단의 정밀도를 조정하는 수단이다. 상기 표시 수단은 특별히 제한되지 않으며 아날로그와 디지털의 표시 수단을 모두 포함하는 개념이다.
캘리브레이션부(27)는 제어부(23)에서 1차적으로 측정한 전압이 커패시터의 충전 전압과 불일치하는 경우에 정확하게 상기 충전 전압과 일치하도록 전자 빔 조사와 측정 전압 산출을 반복하면서 캘리브레이션을 수행할 수 있다. 1차적으로 측정한 측정 전압과 커패시터의 충전 전압의 일치 여부는 소정의 임계 범위 내에서 동일한 것으로 하고, 그 임계 범위를 벗어나면 불일치하는 것으로 결정한다.
캘리브레이션 과정을 통해 제어 장치의 정확도가 셋팅된 후에 제어부(23)는 어레이 테스트를 위하여 화소의 애노드 전극에 전자 빔이 2차적으로 조사되도록 구동시킬 수 있다.
한편, 실제 화소 어레이 기판에 대한 전자 빔의 2차 조사 후에 제어부(23)는 신호 해석부(25)를 통하여 검출된 측정 전압 정보를 이용하여 구동 트랜지스터가 불량인 화소를 판정한다. 즉, 2차 전자를 통해 검출한 화소의 애노드 전극 전압이 전자 빔 조사 전에 설정한 조사량의 전압 계산값과 다를 경우 위치 정보(검출한 화소부의 어드레스)를 참조하여 해당 화소를 찾아낼 수 있다. 해당 화소의 애노드 전극 전압이 기 설정한 전압 계산값과 다른 것은 구동 트랜지스터가 정상 동작 하지 않거나 누설 전류가 발생한 것이므로 불량으로 판정할 수 있다. 그러면 어레이 기판의 해당 화소 회로의 불량 부분을 수리하는 과정으로 연결된다.
본 발명의 어레이 시험 장치는 제어 장치(2)의 정밀도를 검정하기 위하여 화소 어레이 기판에서 손상되기 쉬운 애노드 전극 부분을 이용하지 않고 커패시터의 충전 전압을 측정하기 때문에 기판의 손상을 최소화 할 수 있다. 동시에 어레이 시험 장치와 어레이 기판 사이의 미세한 거리차이로 인하여 발생될 노이즈 성분을 제거하도록 캘리브레이션을 수행함으로써 인 시츄로 검사되는 화소 회로에 대한 검출력이 상당한 수준으로 상승될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 어레이 시험 장치와 시험 방법이 적용될 수 있는 유기 발광 표시 장치의 단위 화소의 등가 회로도이다.
도 4 및 도 5에서 예시된 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)와 5개의 트랜지스터와 3개의 커패시터로 이루어진 화소 회로를 가진다.
도 4는 본 발명의 어레이 시험 장치의 정밀도 셋팅을 위한 캘리브레이션 공정에서 전자 빔이 1차적으로 조사되는 위치를 표시하였고, 도 5는 실제 어레이 시험 과정에서 화소 회로의 정상 동작 여부를 검사하는 공정에서 전자 빔이 2차적으로 조사되는 위치를 표시하였다. 따라서, 화소 회로에 대하여 도 4를 중심으로 설명하고, 도 5에서는 전자 빔 조사를 제외한 회로 부분에 대한 중복적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4의 회로에서, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 소스 전극은 제1 전원전압(ELVDD)에 연결되며, 드레인 전극은 제4 노드(N4)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(M1)의 드레인 전극은, 셀 공정 이후에, 제4 노드(N4)와 공통적으로 접속하는 유기 발광 다이오드(OLED)를 통해 제2 전원전압(ELVSS)과 연결될 것이지만, 어레이 테스트 단계의 현재 정밀도 셋팅(캘리브레이션) 단계에서는 아직 유기 발광 다이오드가 형성되지 않았다.
스위칭 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 주사 신호를 전달하는 주사선(Scan)에 연결되고, 소스 전극은 데이터 신호를 전달하는 데이터선(Data)에 연결되며, 드레인 전극은 제1 노드(N1)에 연결되어 있다.
제1 제어트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제1 제어신호를 전달하는 제1 제어선(GW)에 연결되고, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 연결되며, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결되어 있다.
보상 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 구동 트랜지스터(M1)의 문턱 전압 보상을 조절하는 제2 제어신호를 전달하는 제2 제어선(GC)에 연결되고, 소스 전극은 제4 노드(N4)와 연결되며, 드레인 전극은 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극이 연결된 제3 노드(N3)에 접속되어 있다.
제2 제어트랜지스터(M5)의 게이트 전극은 제5 노드(N5)에 접속되어 상기 제2 제어신호를 전달하는 제2 제어선(GC)에 연결되어 있다. 그리고 제2 제어트랜지스터(M5)의 소스 전극은 데이터 신호를 전달하는 데이터선(Data)에 연결되고, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결된다.
제1 커패시터(Cst)의 일전극은 제2 노드(N2)에서 제2 커패시터(Cvth)의 일전극 및 제1 제어트랜지스터(M3)의 드레인 전극과 연결되고, 타전극은 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하기 위해 필요한 제1 전원전압(ELVDD)에 연결되어 있다. 제1 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 인가되는 데이터 신호를 저장하기 위한 저장 용량이다.
제2 커패시터(Cvth)의 일전극은 제2 노드(N2)에서 제1 커패시터(Cst)의 일전극 및 제1 제어트랜지스터(M3)의 드레인 전극과 연결되고, 타전극은 제3 노드(N3)에서 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극 및 보상 트랜지스터(M4)의 드레인 전극과 연결된다. 제2 커패시터(Cvth)는 구동 트랜지스터(M1)의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 저장하기 위한 보상 용량이다.
제3 커패시터(Chold)의 일전극은 제5 노드(N5)에서 제2 제어트랜지스터(M5)의 게이트 전극과 연결되고, 타전극은 제1 노드(N1)에서 스위칭 트랜지스터(M2)의 드레인 전극 및 제1 제어트랜지스터(M3)의 소스 전극과 연결된다.
도 4의 화소를 참조하면, 데이터 신호는 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극으로 두 개의 경로를 통해 인가될 수 있다. 그 중 제1 경로는 데이터선(Data)으로부터 스위칭 트랜지스터(M2) 및 제1 제어트랜지스터(M3)를 통한 경로이고, 제2 경로는 데이터선(Data)으로부터 제2 제어트랜지스터(M5)를 통한 경로이다. 제3 커패시터(Chold)는 상기 제2 경로를 통하여 데이터 신호가 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 전달되도록 제2 제어트랜지스터(M5)의 게이트 전극 전압을 유지하는 제어 용량이다.
도 4와 같이, 구동 트랜지스터(M1), 스위칭 트랜지스터(M2), 제1 제어트랜지스터(M3), 보상 트랜지스터(M4), 및 제2 제어트랜지스터(M5)는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 전계 효과 트랜지스터의 예로는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 사용될 수 있다. 그러나, 도 4의 트랜지스터(M1-M5)의 채널형(channel type)은 n-채널형으로 바뀔수 있으며, 이 경우에는 이들을 구동하는 신호의 파형 또한 반전될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 어레이 시험에서는 화소 회로에 대한 어레이 테스트 이전에 어레이 시험 장치의 제어 장치의 정밀도를 조정하기 위하여 1차 전자 빔을 도 4의 제3 커패시터(Chold)의 일전극에 조사할 수 있다. 다른 실시 예로서, 제1 커패시터(Cst) 및 제2 커패시터(Cvth)의 일전극에 조사하는 것도 가능하다.
도 4의 실시 예와 같이 제3 커패시터(Chold)의 일전극에 전자 빔(201)이 조사되면, 2차 전자(202)가 방출되는데, 이를 검출하여 어레이 시험 장치의 제어장치의 캘리브레이션을 수행한다. 제3 커패시터(Chold)의 충전 전압은 일전극과 타전극의 전압 차이에 대응하므로, 일전극에 연결된 제2 제어트랜지스터(M5), 및 타전극에 연결된 스위칭 트랜지스터(M2) 및 제2 제어트랜지스터(M3) 중 어느 하나의 트랜지스터라도 정상 동작하지 않거나 누설 전류가 발생한다면 제3 커패시터(Chold)의 충전 전압이 원래 입력된 전압값과 다른 값을 가지게 된다. 여기서, 원래 입력된 전압값이란 각 신호선에 미리 설정된 전압을 인가하고 났을 때 제3 커패시터(Chold)의 양단 전압차에 대응하여 저장되어야 할 예상 기준 전압값을 의미한다.
일례로서, 도 4의 화소 회로의 일부 신호선, 즉 제1 제어선(GW), 제2 제어선(GC), 및 데이터선(Data) 각각에 인가되는 전압을 각각 -5V, -5V, 및 10V로 설정할 수 있다.
그러면, 제1 제어선(GW)의 인가 전압에 의해 제1 제어트랜지스터(M3)가 턴 온 되고, 제2 제어선(GC)의 인가 전압에 의해 제2 제어트랜지스터(M5)가 턴 온 된다. 그래서 점선과 같은 경로를 따라 데이터선(Data)을 통해 제3 커패시터(Chold)의 타전극이 연결된 제1 노드(N1)에 10V의 전압이 공급된다. 그리고 제2 제어선(GC)의 인가 전압에 의해 제3 커패시터(Chold)의 일전극이 연결된 제5 노드(N5)에 -5V의 전압이 인가된다.
그러면 제3 커패시터(Chold)의 예상 기준 전압값은 15V로 계산될 수 있다.
이렇게 신호선에 인가되는 전압과 화소 회로를 통해 전자 빔이 조사되는 커패시터의 예상 기준 전압값을 계산한 후, 커패시터에 전자 빔을 조사하여 검출된 측정 전압이 상기 예상 기준 전압값과 오차가 있는지 판정한다.
오차가 있을 경우 어레이 시험 장치의 제어장치에서 캘리브레이션을 통해 이러한 측정 오차를 없애고 예상 기준 전압값이 검출되도록 어레이 시험 장치를 재설정한다.
어레이 시험 장치를 재설정하는 과정에서 신호선에 따라 인가 전압을 설정하고 커패시터의 예상 기준 전압값을 계산하는 것은 화소 회로의 구조에 따라 달라질 수 있음은 물론이다.
화소 어레이 구조에서 특히 커패시터의 일전극의 일부 노출부분에 전자 빔을 조사하는 것은, 커패시터에 연결된 신호선들로부터 모든 화소가 일정한 전압을 인가받아 유지될 수 있으므로 전자 빔의 2차 전자에 의한 검출 전압이 전체 화소에서 일정하다. 따라서, 어레이 시험 장치의 사전 셋팅을 위해 모든 화소에 대하여 전자 빔을 조사할 필요가 없으며, 전체 화소의 재료 특성이나 제조 과정에 기인한 산포에 관계없이 정확한 어레이 시험 장치를 제공할 수 있다
어레이 시험 장치의 측정 오차를 보상하게 되면 도 5와 같이 실제 화소 회로를 검사한다. 도 5를 참조하여 알 수 있듯이, 검사 대상이 되는 화소 어레이 기판의 화소 회로는, 각 구동 트랜지스터(M1)의 드레인 전극이 연결된 제4 노드(N4)에 애노드 전극(300)이 형성된 상태이다.
도 5와 같이, 제4 노드(N4)에 연결된 애노드 전극(300)에 전자 빔(301)을 2차적으로 조사한다. 도 5의 전자 빔의 2차 조사는 실제 어레이 기판의 화소 불량을 검사하는 것이므로 어레이 기판에 포함된 모든 화소 회로에 대해 수행된다. 화소 어레이에 포함된 화소 각각의 애노드 전극에 동일하게 전자 빔 조사를 통해 전자가 주입되므로, 만약 화소 어레이 중 어떤 화소의 구동 트랜지스터(M1)가 정상 동작하지 않는다면, 해당 화소의 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자(302)의 출력 전압값이 다른 정상 화소들과 다른 값을 가지게 된다.
도 4와 같이 어레이 시험 장치의 정밀도를 재설정하였으므로, 도 5의 실제 검사 과정에서 다른 정상적인 화소들의 2차 전자의 검출 전압값과 비정상적인 화소들의 2차 전자의 검출 전압값이 정확하게 대비될 수 있다. 이러한 대비를 통해 비정상적으로 구동하지 않거나 누설 전류가 발생하는 구동 트랜지스터(M1)를 가지는 화소를 손쉽게 확인할 수 있다.
도 5의 화소 회로를 검사하는 어레이 시험 장치를 이용한 검사 방법은 도 6에 개략적으로 도시하였다.
어레이 시험 방법은 도 6에 도시되어 있는 어레이 시험 장치(600)를 사용하면 대면적 유기 발광 표시 장치에서도 단시간 내에 고속으로 테스트가 가능해진다.
설명의 편의상 도 6의 어레이 시험 장치(600)는 모든 구성 요소를 도시한 것이 아니라, 일부만을 도시하였다. 도 6을 참조하면 어레이 시험 장치(600)는 각각 전자 빔 방출원(도 3의 29) 및 전자 검출원(도 3의 30)을 내부에 포함하는 다수의 마이크로 칼럼(610)이 일렬로 배열되어 고정축(620)에 고정되어 있다. 구동부(630)에 의해 고정축(620)이 제1 방향(650)으로 이동하며 하나의 라인(열) 전체에 전자 빔을 모두 주사하여 하나의 라인(열)에 존재하는 다수의 화소 회로를 동시에 검사할 수 있다. 다수의 마이크로 칼럼(610)이 일렬로 배열된 고정축(620)은 다수 존재하여 테스트 속도를 더 향상시킬 수 있다. 또한, 고정축(620)이 이동 대신 어레이 공정이 완료된 어레이 기판(100)이 제2 방향(640)으로 이동하면서 테스트가 이루어질 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 인 시츄의 어레이 테스트(도 1의 S2)가 완료되면 양품은 후속의 패널(셀) 공정(도 1의 S3)으로 이송되고 불량품은 수리 단계(도 1의 S21)를 거쳐 다시 패널(셀) 공정(도 1의 S3)으로 이송된다. 수리 단계(도 1의 S21)시 도 6에 예시되어 있는 어레이 시험 장치(600)가 인 시츄 방식으로 그대로 적용될 수도 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 패널(셀) 공정 전에 어레이 시험 장치의 캘리브레이션 공정과 어레이 테스트 공정을 통해 미리 트랜지스터의 동작 불량을 테스트하기 때문에 화소 어레이의 불량을 미리 수리하여 제조 수율을 높일 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 시험 방법의 단계에 따른 화소별 전압 분포를 예시한 그래프이다.
구체적으로 도 7은 화소 위치에 따라 해당 화소의 커패시터(도 4의 Chold)에 기 설정된 신호선의 인가 전압에 의해 축적되는 예상 기준 전압값(Vref)과 상기 커패시터에 전자 빔을 1차 조사하여 측정한 검출 전압값(Vt)을 개략적으로 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 어레이 시험 장치에 대한 정밀도 재설정 이전에 커패시터의 검출 전압값(Vt)이 측정 화소에 따라 오차가 검출되는 것을 나타냈는데, 이러한 검출 전압값의 표시는 예시적인 것이다. 따라서, 만일 화소 어레이 기판에서 신호선을 공유하는 구역에 포함된 화소들의 커패시터의 검출 전압값은 동일한 측정 오차를 가질 수 있다.
도 8은 상기 도 7과 같은 측정 오차를 가지는 경우 어레이 시험 장치의 캘리브레이션 공정을 통해 커패시터의 2차 전자의 검출 전압값(Vt)이 예상 기준 전압값(Vref)으로 설정된 것을 도시하였다.
그리고 도 9는 도 8의 캘리브레이션 공정을 통해 재설정된 정밀한 어레이 시험 장치를 사용하여 실제 화소의 어레이 테스트 공정을 수행한 것을 그래프로 나타낸 것이다. 즉, 전자 빔의 2차 조사를 통해 화소에 인가되는 입력 전압(Vi)과 출력되는 2차 전자의 검출 전압(Vdet)을 나타낸 것이다.
바람직하게는 어레이 기판의 정상 화소들이 출력하는 2차 전자의 검출 전압은 기 설정된 기준 전압인 입력 전압과 일치한다. 그러나 검출 전압이 입력 전압을 기준으로 소정의 임계 범위 내에 포함되면 정상 화소로 판단할 수 있다.
그러나, 도 9의 (a) 및 (b)와 같이 입력 전압의 정상 임계 범위를 벗어나는 검출 전압을 가지는 화소들은 비정상적으로 동작하는 구동 트랜지스터를 가진 것으로 판단하고, 수리 공정을 진행하거나 불량품으로 처분한다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
1, 100: 어레이 기판 2: 제어장치
10: 화소부 21: 전자 빔 조사부
23: 제어부 25: 신호 해석부
27: 캘리브레이션부 29: 전자 빔 방출원
30: 전자 검출원 101: 컨택홀
201, 301: 전자 빔 202, 302: 2차 전자
300: 애노드 전극 600: 어레이 시험 장치
610: 마이크로 칼럼 620: 고정축
630: 구동부

Claims (16)

  1. 제어장치와 구동부를 포함하는 어레이 시험 장치를 이용하여, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 대한 어레이 시험 방법에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드의 완성 전에 상기 적어도 하나의 커패시터의 일전극의 노출부에 전자 빔을 1차 조사하는 단계,
    상기 커패시터에서 방출되는 2차 전자에 근거하여 상기 어레이 시험 장치의 제어장치의 캘리브레이션(Calibration)을 수행하는 단계,
    상기 화소 회로의 애노드 전극에 전자 빔을 2차 조사하는 단계, 및
    상기 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자의 출력량으로부터 상기 제1 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검출하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 빔의 1차 조사는, 화소 어레이 기판에 포함된 복수의 화소 회로 중 소정의 일 화소 회로의 커패시터에 대하여 수행되는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 빔의 2차 조사는, 화소 어레이 기판에 포함된 복수의 화소 회로에 대하여 수행되는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 빔의 1차 조사 단계 이전에,
    상기 화소 회로를 연결하는 적어도 하나의 신호선에 공급되는 전압을 미리 설정하여 상기 커패시터에 충전 전압을 소정의 기준 전압으로 설정하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 캘리브레이션을 수행하는 단계는, 상기 커패시터에서 방출되는 2차 전자에 근거한 검출 전압이 상기 기준 전압과 일치하도록 상기 제어장치를 조정하는 단계인 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 정상 동작 여부를 검출하는 단계는,
    상기 전자 빔의 2차 조사에서 애노드 전극에 인가되는 입력 전압과 상기 애노드 전극에서 방출되는 2차 전자의 출력량에 대응하는 출력 전압과 비교하고,
    상기 입력 전압의 소정의 임계 범위를 벗어나는 화소 회로의 어드레스를 추적하여 해당 화소를 비정상 화소로 판정하는 단계인 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 방법.
  7. 애노드 전극, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 구동 트랜지스터, 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 화소가 복수 개 포함된 화소 어레이 중 선택된 일 화소의 커패시터에 제1 전자 빔을 조사하고, 상기 복수 개 화소의 각 애노드 전극에 제2 전자 빔을 조사하는 전자 빔 조사부,
    상기 제1 전자 빔의 조사에 대응하여 방출되는 2차 전자의 제1 출력량 및 상기 제2 전자 빔의 조사에 대응하여 방출되는 2차 전자의 제2 출력량을 각각 검출하고, 상기 제1 출력량 및 상기 제2 출력량에 각각 대응하는 제1 검출 전압 및 제2 검출 전압을 산출하는 신호 해석부,
    상기 커패시터에 충전되는 충전 전압 및 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔의 조사량을 각각 설정하고, 상기 제1 검출 전압과 상기 충전 전압을 비교하고, 상기 제2 검출 전압에 근거하여 상기 화소 어레이의 동작 상태를 판정하는 제어부, 및
    상기 제어부에서 상기 제1 검출 전압과 상기 충전 전압이 소정의 임계 범위를 벗어나 불일치하는 경우 일치될 때까지 캘리브레이션을 수행하는 캘리브레이션부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 어레이 시험 장치는, 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔을 조사하는 전자 빔 방출 수단과 상기 제1 전자 빔과 상기 제2 전자 빔의 조사에 대응하여 각각 방출되는 2차 전자를 검출하는 전자 검출 수단을 포함하고, 상기 화소 어레이 상부와 이격되어 이동하는 구동부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수 개의 화소를 연결하는 적어도 하나의 신호선에 공급되는 전압을 미리 설정하여 상기 커패시터의 충전 전압을 소정의 기준 전압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제2 검출 전압과 상기 제2 전자 빔 조사에서 애노드 전극으로 인가되는 입력 전압을 비교하고,
    상기 입력 전압의 소정의 임계 범위를 벗어나는 화소 회로의 어드레스를 추적하여 해당 화소를 비정상 화소로 판정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 화소는,
    상기 주사 신호에 따라 상기 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제1 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극에 각각 연결되고 제1 제어 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 제2 트랜지스터,
    상기 제1 제어 신호에 따라 상기 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제3 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 데이터 신호를 저장하는 제1 커패시터,
    상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 저장하는 제2 커패시터, 및
    상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극 전압을 유지하는 제3 커패시터를 더 포함하고,
    상기 제1 커패시터 내지 제3 커패시터 중 어느 하나의 커패시터에 상기 제1 전자 빔이 조사되는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 화소는, 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 연결되어, 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 트랜지스터로부터 전달되는 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전달하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치.
  13. 애노드 전극, 주사 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 전달하는 구동 트랜지스터, 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 복수의 화소를 구성되는 화소 어레이를 형성하고,
    상기 화소 어레이 중에서 선택된 일 화소의 커패시터에 제1 전자 빔을 조사하고,
    검출되는 2차 전지의 출력량에 대응하는 제1 검출 전압과 상기 커패시터의 기준 충전 전압이 소정의 임계 범위를 벗어나 불일치하는 경우 일치될 때까지 캘리브레이션을 수행하고,
    상기 화소 어레이의 복수의 화소의 각 애노드 전극에 제2 전자 빔을 조사하고,
    검출되는 2차 전지의 출력량에 대응하는 제2 검출 전압과 상기 애노드 전극으로 인가되는 입력 전압을 비교하여 상기 화소 어레이의 동작 상태를 판정하고,
    불량품으로 판정되면 상기 화소 어레이를 수리하고,
    양품으로 판정되거나 또는 상기 수리가 완료되면 상기 화소 어레이에 포함된 화소의 유기 발광 다이오드를 완성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 화소 어레이의 동작 상태를 판정하는 것은,
    상기 입력 전압의 소정의 임계 범위를 벗어나는 화소의 어드레스를 추적하여 해당 화소를 포함하는 화소 어레이를 불량품으로 판정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드를 완성하는 단계는, 상기 애노드 전극에 유기 발광층 및 캐소드 전극을 형성하여 이루어지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 커패시터의 기준 충전 전압은 상기 복수의 화소를 연결하는 적어도 하나의 신호선에 공급되는 전압을 미리 설정하여 산출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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