WO2011070663A1 - Ｔｆｔ基板検査装置およびｔｆｔ基板検査方法 - Google Patents

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WO2011070663A1
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defect
short
detection
drive signal
substrate
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大輔 今井
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株式会社島津製作所
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    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Definitions

  • the present invention relates to a TFT substrate inspection apparatus used for TFT substrate inspection in a manufacturing process of a TFT panel such as a liquid crystal substrate.
  • the present invention relates to a TFT substrate inspection apparatus suitable for short-circuit (short-circuit) defect inspection.
  • a TFT array inspection process is included in the manufacturing process, and the TFT array is inspected for defects in this TFT array inspection process.
  • the TFT array is used as a switching element for selecting a pixel (pixel electrode) of a liquid crystal display device, for example.
  • a substrate including a TFT array for example, a plurality of gate lines functioning as scanning lines are arranged in parallel, and a plurality of source lines described as signal lines are arranged orthogonal to the gate lines.
  • a TFT Thin film transistor
  • a TFT is disposed in the vicinity of the intersection of the lines, and a drive signal is supplied to the pixel (pixel electrode) through the TFT.
  • a liquid crystal display device is configured by sandwiching a liquid crystal layer between a substrate provided with the TFT array described above and a counter substrate, and a pixel capacitance is formed between a counter electrode and a pixel (pixel electrode) provided in the counter substrate. Is done.
  • an additional capacitance is connected to the pixel (pixel electrode).
  • One of the additional capacitors (Cs) is connected to a pixel (pixel electrode), and the other is connected to a common line or a gate line.
  • a TFT array configured to be connected to the common line is called a Cs on Com TFT array, and a TFT array configured to be connected to the gate line is called a Cs on Gate TFT array.
  • a scanning line (gate line) or a signal line (source line) is disconnected, a scanning line (gate line) and a signal line (source line) are short-circuited, or a pixel defect due to a characteristic defect of a TFT driving a pixel.
  • the counter electrode is grounded, a DC voltage of, for example, ⁇ 15 V to +15 V is applied to all or a part of the gate line at a predetermined interval, and a driving signal for inspection is applied to all or a part of the source line. Is performed by applying. (For example, the prior art of patent document 1 and patent document 2.)
  • the TFT substrate inspection apparatus can detect a defect by inputting a driving signal for inspection to the TFT array and detecting the voltage state at that time.
  • a pixel In a TFT substrate inspection apparatus using an electron beam, a pixel (pixel electrode) is irradiated with an electron beam, secondary electrons emitted by this electron beam irradiation are detected, and the intensity of the secondary electrons changes to change the pixel. Determine the presence or absence of defects in units.
  • the obtained secondary electron intensity signal is converted into an analog signal by a photomultiplier, etc., obtained by coordinate conversion, the data is allocated in units of pixels, defects are extracted by image processing, and the obtained defect data Perform defect inspection based on As the inspection signal used for this inspection, one type of inspection signal pattern is set for each substrate.
  • TFT array may have various defects during its manufacturing process.
  • the types of defects include, for example, a short-circuit defect (S-Dshort) between the pixel and the source line, a short-circuit defect between the pixel and the gate line (G-Dshort), and between the pixel and the common line (Cs line).
  • Short circuit defect (D-Cs short) line defect between source line and gate line, short circuit defect between source line and common line (Cs line), short circuit defect between gate line and common line (Cs line), etc. is there.
  • defects between the source line and the common line (Cs line), between the gate line and the common line (Cs line), and between the source line and the gate line are line defects, such as S-Dshort and G- Dshort and D-Cs short are known as point defects.
  • line defects can be detected by driving each panel using one type of inspection signal pattern set for the substrate.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining line defects and point defects.
  • FIG. 12 shows a configuration example having a common line (Cs line).
  • the panel is provided with a TFT 35 in the vicinity of the intersection of the source line 31 and the gate line 32 arranged in a grid pattern, and a pixel electrode 34 is connected to the drain of the TFT 35.
  • the pixel electrode 34 is capacitively connected to the Cs line 33.
  • FIG. 12 (a) shows an example of a line defect.
  • a short defect may occur between the source line 31 and the Cs line (common line) 33, or between the gate line 32 and the Cs line (common line) 33, and appears as a line defect.
  • FIG. 12B shows an example of a point defect.
  • a short circuit defect (SD short) may occur between the pixel and the source line, a short circuit defect (GD short) between the pixel and the gate line may occur, and the pixel and Cs line.
  • D-Cs short short-circuit defect
  • short-circuit defects short-circuit defects between the source line and the common line (Cs line) or between the gate line and the common line (Cs line) are measured by changing the resistance value between the lines before scanning with the electron beam. Based on this resistance value, the presence / absence of a short circuit (short circuit) between the lines and which line is short-circuited are determined.
  • a prober is set on the board, and a short circuit is checked from the electrical continuity of the prober contacts.
  • This short check is performed depending on whether the resistance value between the pads is a small resistance, a large resistance, or an insulation.
  • the resistance value between the pads is a small resistance, it indicates the possibility of a large short-circuit between the lines connected to each pad, and the resistance value between the pads is within a predetermined resistance range. This case represents the possibility that a short defect (short circuit defect) exists between the lines to which the pads are connected.
  • a signal scan is performed by applying an inspection signal pattern to the panel, line defects are extracted by image processing from the voltage image obtained by the signal scan, and linked to the short check result.
  • defect information relating to the type and position of the defect is output (Patent Document 3).
  • the presence or absence of a defect can be detected in the defect inspection by the signal scan described above, but it may be difficult to determine the position of the line defect depending on the type of defect. For example, when the gate line and the Cs line are short-circuited, it is possible to determine which panel's gate line and the Cs line are short-circuited by a short check, and a defect occurs due to the signal image. It is possible to detect the lines that are present. It is possible to determine the short-circuit defect between the gate line and Cs line up to the occurrence range.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a line defect
  • FIG. 14 is a diagram showing a signal image due to the line defect.
  • FIG. 13A shows a case where the source line and the Cs line (common line) are short-circuited.
  • the pixels arranged along the source line are driven, so that they are displayed as the line 51 on the signal image. And determined as a line defect of the source line.
  • FIG. 13B shows a case where the gate line and the Cs line (common line) are short-circuited.
  • the pixels arranged along the gate line are driven, so that it is displayed as the line 52 on the signal image. And determined as a line defect of the gate line.
  • a method and a system for detecting an electrical short-circuit defect by applying a predetermined voltage to a plate structure of a flat display and obtaining a defect area from an infrared thermal map of a cathode has been proposed.
  • a defect region is determined by detecting a difference in radiance between a region including an electrical short-circuit defect of the cathode and a peripheral region by the first infrared array, and an infrared thermal map is formed by the first infrared array, A point is detected (Patent Document 4).
  • Patent Document 5 shows that in infrared thermography for defect detection and analysis, each part of a test target device is heated by a test vector, a thermograph image is acquired by an infrared device, and a defect position is specified.
  • defect detection can be performed as a line defect in units of lines, but the coordinates of the defect point are specified to identify which pixel is a defect. There is a problem that is difficult.
  • defect detection by heat detection it is possible to detect short defects that are difficult to detect by defect detection by electron beam irradiation.
  • the defect detection process by electron beam irradiation and the defect detection process by thermal detection can be performed in one processing process.
  • the detection time of the entire substrate is the time obtained by adding at least the detection time of each defect detection. There is a problem that the defect detection time becomes longer. As described above, when the defect detection time is increased, the time required for the manufacturing process of the TFT substrate is also increased.
  • the present invention solves the above-described problem and shortens the defect detection time of the entire substrate when performing defect detection by electron beam irradiation and short defect detection by thermal detection for a substrate on which a plurality of panels are formed. For the purpose.
  • the TFT substrate inspection when performing defect detection by electron beam irradiation and short-circuit defect detection by heat detection, a plurality of panels on the substrate are driven to detect the heat radiation of all the panels and the short-circuit defects are detected.
  • the defect detection time of the entire substrate is shortened by irradiating an electron beam to a panel sequentially selected from all the panels and detecting secondary electrons to detect defects.
  • the present invention can be configured as a TFT substrate inspection apparatus and a TFT substrate inspection method.
  • the TFT substrate inspection apparatus of the present invention includes a vacuum chamber for storing a substrate in a vacuum state, a drive signal supply unit for supplying a drive signal to the TFT array on the substrate, an electron beam source for irradiating the substrate with an electron beam, and an electron beam
  • a secondary electron detector for detecting secondary electrons emitted from the substrate by the irradiation of, a heat detector for detecting heat radiation emitted from the substrate to which the drive signal is supplied, a detection signal of the secondary electron detector, and
  • a defect detection unit that detects a defect of the TFT substrate based on a detection signal of the heat detector.
  • the defect detection unit includes a TFT array defect detection unit that detects a defect of the TFT array based on a scanning image obtained from the detection signal of the secondary electron detector, and a heat distribution image obtained from the detection signal of the heat detector. And a short defect detector for detecting a short defect.
  • the TFT array defect detection unit performs TFT array defect detection by sequentially selecting one panel from a plurality of panels included in the substrate.
  • the short defect detection unit simultaneously detects short defects for all the panels included in the substrate.
  • TFT array defect detection can be performed by comparing the signal intensity of the scanned image with a predetermined threshold value. This threshold value can be determined based on the signal intensity of the scanned image obtained when the TFT array has a defect.
  • short defect detection can be performed by comparing the signal intensity of the heat distribution image with a predetermined threshold value. This threshold value can be determined based on the signal intensity of the heat distribution image obtained when there is a short defect.
  • Detecting TFT array defects is sequentially performed for a plurality of panels, so that the detection time required to detect TFT array defects for all the panels is substantially the sum of the detection times of each panel.
  • the detection time required for detecting a short defect of each panel can be made the same by detecting the short defect simultaneously for all the panels.
  • secondary electron detection by electron beam scanning for TFT array defect detection and thermal detection for short defect detection can be performed independently without interfering with each other, so each of TFT array defect detection and short defect detection The time required for this can be arbitrarily determined according to the detection accuracy.
  • the detection time required for short defect detection can be set longer than the detection time required for TFT array defect detection, it can be determined according to the detection time required for TFT array defect detection for all panels.
  • the TFT array defect detection can be performed over the entire period.
  • the present invention by performing the TFT array defect detection and the short defect detection at the same time, the time required for the defect detection can be reduced as compared with the case where the TFT array defect detection and the short defect detection are sequentially performed.
  • the detection time for detecting the short defect of the present invention can be at least the detection time required for detecting the TFT array defects of all the panels, even if the amount of heat generated by the short defect portion is small and the temperature rise is small, By increasing the detection time, the detection accuracy can be increased.
  • the drive signal supply unit of the present invention applies a drive signal having a predetermined pattern for detecting a defect to a selected panel, and applies a drive signal having a predetermined pattern for detecting a short defect to a non-selected panel.
  • the predetermined pattern for performing defect detection can be set according to the defect type to be detected.
  • a panel for detecting a defect is selected, a drive signal of a predetermined pattern for detecting a defect is applied to this panel, and a panel for detecting a short defect for a panel not performing other defect detection.
  • a drive signal having a predetermined pattern is applied.
  • the detection time of the array defect detection is shorter than the detection time of the short defect detection, so even if there is a short defect in the array part to which the drive signal is supplied, The influence can be made negligible by not being heated at the time of defect detection.
  • the drive signal supply unit of the present invention interrupts the supply of the drive signal to the TFT array at the defect point of the short defect detected by the short defect detection unit during the defect detection of the short defect detection unit.
  • the short defect detection unit of the present invention evaluates the correctness of the detected short defect based on the detection signal of the heat detector after the supply of the drive signal is interrupted.
  • the heat generation at that point is stopped.
  • the location where the temperature has increased due to heat generation decreases after the heat generation stops after the heat generation stops.
  • This temperature change is detected based on the detection signal of the heat detector.
  • the drive signal supply unit of the present invention interrupts the supply of the drive signal to the TFT array at the defect point of the short defect detected by the short defect detection unit during the defect detection of the short defect detection unit, and after a predetermined time has elapsed.
  • the supply of drive signals to the TFT array is resumed.
  • the correctness of the detected short-circuit defect is evaluated based on the detection signal of the heat detector after the drive signal supply is reunited.
  • the temperature change at this time is detected based on the detection signal of the heat detector. If a rise in temperature is detected after the temperature has dropped, it can be confirmed that the detection position is a defect position of a short defect. On the other hand, when the temperature rise is not detected, it can be understood that the detection position is not the defect position of the short defect.
  • the TFT substrate inspection method of the present invention is a TFT substrate inspection method for inspecting a TFT substrate for a defect, and includes a drive signal supply step for supplying a drive signal to a TFT array of a substrate housed in a vacuum chamber, A TFT array defect that detects a defect of a TFT array based on a scanning image obtained from a detection signal of the secondary electron, by detecting secondary electrons emitted from the substrate by the electron beam irradiation. And a short defect detection step of detecting heat radiation radiated from the substrate supplied with the drive signal and detecting a short defect based on a heat distribution image obtained from the heat radiation detection signal.
  • one panel is sequentially selected from a plurality of panels included in the substrate to detect TFT array defects, and in the short defect detection step, short defect detection is performed simultaneously on all the panels included in the substrate.
  • a drive signal having a predetermined pattern for detecting a defect is applied to a selected panel, and a drive signal having a predetermined pattern for detecting a short defect is applied to a non-selected panel.
  • the supply of the drive signal to the TFT array at the defect point of the short defect detected in the short defect detection process is interrupted. This can prevent damage to the substrate due to heat generation.
  • the correctness of the detected short defect is evaluated based on the detection signal of heat dissipation after the supply of the drive signal is interrupted.
  • the supply of the drive signal to the TFT array at the defect point of the short defect detected by the short defect detection process is interrupted, and after the predetermined time has elapsed, the TFT The supply of the drive signal to the array is resumed, and the correctness of the detected short defect is evaluated based on the detection signal of the heat radiation after the drive signal supply is reunited.
  • the TFT substrate inspection method of the present invention it is possible to confirm whether or not the detected position of the detected short defect is correct.
  • the defect detection time of the entire substrate can be shortened.
  • FIG. 1 is a schematic view of a TFT substrate inspection apparatus of the present invention.
  • the TFT substrate inspection apparatus 1 detects an array defect and a short defect of the TFT substrate 20 placed on a stage 11 provided in a vacuum chamber (not shown).
  • an electron beam source 6 for irradiating the TFT substrate 20 with an electron beam, a stage 11 for moving the TFT substrate 20 in the x and y directions, an electron beam source 6 and the stage 11 are controlled to control the electron beam.
  • An array defect detection unit 2b for detecting defects is provided.
  • a heat detection unit 9 that detects heat radiation from the TFT substrate 20, a thermal frame image capturing unit 10 that forms a thermal frame image from a detection signal of the heat distribution detected by the heat detection unit 9, and a thermal image Are processed, and an image processing unit 2a for obtaining a coordinate position and a signal intensity at the position, and a short defect detecting unit 2c for detecting a short defect based on the obtained signal intensity are provided.
  • an infrared sensor or a thermography can be used for the heat detection unit.
  • an infrared sensor for example, an IR focal plane array thermal imaging camera using an InSb detector is known (Patent Document 5).
  • the defect detection unit 2 includes a defect position calibration unit 2d and a defect data storage unit 2e in addition to the image processing unit 2a, the array defect detection unit 2b, and the short defect detection unit 2c.
  • the defect position calibration unit 2d calibrates the coordinate position of the short defect at the same point based on the coordinate position of the array defect detected by the array defect detection unit 2b and the coordinate position of the short defect detected by the short defect detection unit 2c. .
  • the main control unit 3 and the scan control unit 5 include a CPU and storage means (not shown) such as a ROM for driving the CPU to execute a predetermined operation.
  • FIG. 1 shows an example of the configuration of the TFT substrate 20 shown in FIG.
  • a plurality of panels are provided on the TFT substrate 20, and a plurality of pixels 40 are arranged on each panel to form an array.
  • Each pixel 40 is provided with a source line 31, a gate line 32, and a common line 33.
  • the plurality of source lines 31 are connected to the source bar 21 and applied with the source signal supplied from the drive signal supply unit 4.
  • the plurality of gate lines 32 are connected to the gate bar 22 and a gate signal supplied from the drive signal supply unit 4 is applied thereto.
  • the plurality of common lines 33 are connected to the common bar 23, and a common signal supplied from the drive signal supply unit 4 is applied thereto.
  • the drive signal supply unit 43 generates and supplies a drive signal signal pattern for driving the TFT array formed on the TFT substrate 20.
  • the drive signal supply unit 4 can generate a plurality of types of drive patterns. For example, a signal pattern for supplying the same voltage to all pixels is generated as a signal pattern for detecting a point defect in the TFT array. Further, in order to determine the defect type of the TFT array, a signal pattern for supplying a voltage having a periodicity in pixel units is generated.
  • the image processing unit 2a converts the frame image into an image and forms a scanned image.
  • the array defect detection unit 2b compares with the potential state in the normal state based on the potential state of the pixel acquired by the image processing unit 2a, and a pixel in a potential state different from the potential in the normal state is connected to the pixel.
  • the TFT array is detected as defective. Further, the defect type of the detected defective pixel is determined.
  • the defect type determination stores at least two determination threshold values for determining the defect type of the defective pixel, and defect type data of the defective pixel in association with a plurality of intensity ranges set by the plurality of determination threshold values. .
  • the signal intensity of the scanned image obtained by applying the drive pattern is compared with the determination threshold value, and is classified into a plurality of intensity ranges based on the comparison result, and the defect type of the defective pixel is determined.
  • the position of the defective pixel is specified based on the position of the defective pixel detected by the point defect detection, the geometrical arrangement of the pixel detected by the defect type discrimination, the design position of the pixel formed on the substrate, and the like.
  • the short defect detection unit 2c compares the signal intensity representing the heat distribution acquired by the image processing unit 2a with the signal intensity of the heat distribution in the normal state. It is detected that the part has a short defect. In addition, the position of the short defect is specified based on the position of the detected short defect and the design position of the pixels and lines formed on the substrate.
  • the scanning control unit 5 controls the stage 11 and the electron beam source 6 in order to scan the inspection position of the TFT array on the TFT substrate 20.
  • the stage 11 moves the TFT substrate 20 to be placed in the XY direction, and the electron beam source 6 scans the irradiation position of the electron beam by shaking the electron beam irradiating the TFT substrate 20 in the XY direction.
  • the above-described configuration of the TFT array inspection apparatus is an example, and is not limited to this configuration.
  • FIGS. 2, 3 and 4 are a flowchart, a timing chart, and a panel operation diagram for explaining operations of array defect detection and short-circuit defect detection by the TFT substrate inspection apparatus.
  • Detecting array defects by irradiating and scanning an electron beam on a panel arranged on a TFT substrate.
  • a single panel is selected from a plurality of panels provided on the TFT substrate, and the selected panel is irradiated with an electron beam and scanned to detect secondary electrons, thereby detecting array defects.
  • Short defect detection is performed by detecting heat dissipation for all panels.
  • the timing chart of FIG. 3 shows the timing of performing array defect detection and the timing of performing short defect detection for each of the panels A to I arranged on the TFT substrate.
  • FIG. 3 (a) to 3 (i) show timings of array defect detection and short-circuit defect detection in panels A to I.
  • FIG. Here, an example in which array defect detection is performed in order from panel A is shown. Panel A performs array defect detection first in all panels (FIG. 3A), and panel B performs array defect detection second after the completion of array defect detection in panel A ( Similarly, as shown in FIG. 3B, array defect detection is performed in order for panels C to I. During this time, short defect detection is performed for all panels.
  • the time required for defect detection can be shortened by performing short defect detection for all the panels while performing array defect detection in order.
  • FIG. 4A shows panels A to I arranged on the TFT substrate. Array defect detection is performed in units of each panel, while short defect detection is performed simultaneously with array defects for all panels.
  • array defect detection is performed for panel A, and short defect detection is performed for all panels A to I.
  • array defect detection is performed for panel B, and short defect detection is performed for all panels A to I.
  • FIG. 4D array defect detection is performed for panel I, and short defect detection is performed for all panels A to I.
  • a panel for scanning an electron beam is selected (S2).
  • Array defect detection is performed for the selected panel (S3 to S7), and short defect detection is performed for the selected panel and the non-selected panel.
  • short defect detection a drive signal for detecting a short defect is applied to a non-selected panel, and a drive signal for detecting an array defect is supplied to the selected panel. Since the drive signal for detecting the array defect is applied to the selected panel instead of the drive signal for detecting the short defect, the drive signal may not be applied to the defective portion of the short defect depending on the signal pattern. .
  • the selected panel it is determined whether the selected panel is a panel that detects heat generation (S3). If the selected panel is a panel in which heat generation is being detected, application of a drive signal for detecting a short defect for measuring heat generation is interrupted, and it is determined in S5 whether or not the panel has already been selected. If the selected panel is not a panel for which heat generation is being detected, it is determined whether or not the panel has already been selected in S5.
  • step S5 If the selected panel is not already selected (S5), array defect detection processing by electron beam scanning is performed (S6). If the selected panel has already been selected (S5), the array defect detection process is skipped. Steps S3 to S6 are performed for all the panels, and array defect detection is performed for all the panels on the TFT substrate (S7).
  • Defective points detected by array defect detection may include defective points due to short-circuit defects depending on the drive signal pattern. Therefore, the coordinate position of the short defect detected by the array defect detection and the coordinate position of the short defect detected by the short defect detection process of S8 are collated (S9), and the coordinate position does not match for the same short defect To calibrate the coordinate position. Calibration of the coordinate position of the short defect can be performed based on the arrangement position information of the array and lines on the TFT substrate, the image image obtained by the array defect detection and the short defect detection, and the like (S10). The detected coordinate position of the short defect point is stored in the defect data storage unit 2e or the like (S11).
  • FIG. 5 is a flowchart for explaining the array defect detection operation by the TFT substrate inspection apparatus of the present invention.
  • the processing of this array defect detection operation corresponds to the step S6 in FIG.
  • the panel that irradiates the electron beam is selected (S101), and a drive signal for array defect detection is applied to the selected panel (S102).
  • the selected panel is scanned while being irradiated with an electron beam, and secondary electrons emitted from the TFT substrate are detected by a secondary electron detector (S103).
  • Image data related to the array defect is acquired from the detected secondary electron detection signal.
  • the image data includes the data of the detection signal intensity and the coordinate position (S104).
  • the defect detection can be performed by comparing the intensity of the detection signal with a predetermined threshold value (S105).
  • the coordinate position of the array defect point detected in step S105 is obtained (S106).
  • Steps S101 to S106 are performed for all the panels, and array defects are detected for all the panels on the TFT substrate (S107).
  • a drive signal for detecting a short defect is applied to all the panels on the TFT substrate.
  • a current flows through the defective point, and heat is generated by the electric resistance.
  • the amount of heat generation depends on the short state of the defect point.
  • the short defect is small, the amount of heat generated is small because of the high resistance.
  • the short-circuit defect is large, the amount of heat generation increases because of the low resistance.
  • the time from when the drive signal is applied to the TFT substrate until the short defect is detected is determined in advance, and the drive signal is continuously applied until the set time elapses (S202). After the set time has elapsed, the heat generation of all the panels on the TFT substrate is measured with a heat detector (S203).
  • the image data of the short defect is obtained from the detection signal measured by the thermal detector.
  • the image data includes the data of the detection signal intensity and the coordinate position (S204).
  • the defect detection can be performed by comparing the intensity of the detection signal with a predetermined threshold value (S205).
  • the coordinate position of the short defect point detected in step S205 is obtained (S206).
  • FIG. 7A shows the signal intensity and applied signal of a detection signal in a normal state without a short defect
  • FIGS. 7B and 7C show the signal intensity and applied signal of a detection signal in a state of a short defect
  • FIG. 7D shows the measurement timing.
  • FIG. 7B shows the case of a small short defect. In this case, since the short circuit current is small, the temperature increase rate is small.
  • FIG. 7C shows the case of a large short defect. In this case, since the short-circuit current is large, the rate of temperature rise increases.
  • the determination of the short defect can be performed by comparing the signal intensity of the detection signal with the threshold at the time of the measurement timing in FIG.
  • the application of the drive signal is interrupted to stop the temperature rise at the short defect point and prevent the damage due to heat at that point. Further, it can be evaluated whether or not the detection point of short defect detection is correctly detected.
  • a drive signal for detecting a short defect is applied to all the panels on the TFT substrate (S301).
  • heat generation is measured by the heat detector at the measurement timing (S302, S303).
  • Short defect image data is acquired from the detection signal of the thermal detector.
  • the image data includes data of the detection signal intensity and coordinate position (S304).
  • a short defect is detected using image data.
  • Defect detection can be performed by comparing the intensity of the detection signal with a predetermined threshold (S307).
  • the coordinate position of the short defect point detected in step S307 is obtained and recorded (S308).
  • S305 to S306 are processes for evaluating whether or not the position where the application of the drive signal is stopped is a short defect point.
  • the stop position is a short defect point
  • heat is not generated at the short defect point, and the temperature is lowered by heat dissipation.
  • it can be confirmed whether or not the detected point is a short defect point. If it is a correct short defect point, a temperature drop is detected, and if the detected point is incorrect, a temperature drop is not detected and heat generation is detected.
  • FIG. 8A shows the signal intensity and applied signal of a detection signal in a normal state without a short defect
  • FIG. 8B shows the signal intensity and applied signal of a detection signal in a state of a short defect
  • c) shows the measurement timing. 8 (a) and 8 (b), black dots indicate detection points measured at the measurement timing in FIG. 8 (c).
  • the intensity of the detection signal is determined in advance as a threshold for detecting a short defect, and the signal intensity of the detection signal is compared with the threshold. When the signal intensity of the detection signal exceeds the threshold value, the application of the drive signal corresponding to the position of the short defect is stopped.
  • the application of the drive signal is interrupted and then the drive signal is applied again to evaluate whether or not the short defect has been correctly detected. It is a form to do.
  • a drive signal for detecting a short defect is applied to all the panels on the TFT substrate (S401).
  • heat generation is measured by the heat detector at the measurement timing (S402, 403).
  • Short defect image data is acquired from the detection signal of the thermal detector.
  • the image data includes detection signal intensity and coordinate position data (S404).
  • a short defect is detected using image data.
  • the defect detection can be performed by comparing the intensity of the detection signal with a predetermined threshold value (S4052).
  • the coordinate position of the short defect point detected in step S405 is obtained and recorded (S406).
  • the drive signal is re-applied to the defective point where the application is stopped in S407, and the defective point is caused to generate heat (S409).
  • the temperature rises due to heat generation (S410), and then heat generation is measured by a heat detector (S411).
  • Short defect image data is acquired from the detection signal of the thermal detector.
  • the image data includes the data of the detection signal intensity and the coordinate position (S412).
  • the intensity of the defect point detection signal is compared with a predetermined threshold value (S413). If the detected signal intensity is greater than the threshold value, the detected position can be evaluated as a correct short defect detected position. On the other hand, if the detected signal intensity is less than the threshold value, the detected position is incorrect.
  • the detected position of the short defect is evaluated (S413), detected, and the coordinate position of the short defect position is deleted from the record (S414). The above steps S402 to S414 are repeated until the set time for short defect detection elapses (S415).
  • FIG. 11 (a) shows the signal intensity and applied signal of the detection signal in a state where there is a short defect
  • FIG. 11 (b) shows the measurement timing.
  • black dots indicate detection points measured at the measurement timing in FIG.
  • the intensity of the detection signal is determined in advance as a threshold for detecting a short defect, and the signal intensity of the detection signal is compared with the threshold. When the signal intensity of the detection signal exceeds the threshold value, the application of the drive signal corresponding to the position of the short defect is stopped.
  • the present invention can be applied not only to a TFT array inspection process in a liquid crystal manufacturing apparatus but also to a defect inspection of a TFT array provided in an organic EL or various semiconductor substrates.

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Abstract

二次電子検出器の検出信号および熱検出器の検出信号に基づいてＴＦＴ基板の欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、欠陥検出部は、二次電子の検出器の検出信号に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出部と、熱検出器の検出信号に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部とを備え、ＴＦＴアレイ欠陥検出部は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、ショート欠陥検出部は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行う。複数のパネルが形成された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う際において、基板全体の欠陥検出時間を短縮する。

Description

ＴＦＴ基板検査装置およびＴＦＴ基板検査方法
　本発明は、液晶基板等のＴＦＴパネルの製造工程におけるＴＦＴ基板検査に用いられるＴＦＴ基板検査装置に関する。特に、ショート（短絡）欠陥検査に好適なＴＦＴ基板検査装置に関する。
　液晶基板や有機ＥＬ基板等のＴＦＴアレイが形成された半導体基板の製造過程では、製造過程中にＴＦＴアレイ検査工程を含み、このＴＦＴアレイ検査工程において、ＴＦＴアレイの欠陥検査が行われている。
　ＴＦＴアレイは、例えば液晶表示装置のピクセル（画素電極）を選択するスイッチング素子として用いられる。ＴＦＴアレイを備える基板は、例えば、走査線として機能する複数本のゲートラインが平行に配設されると共に、信号線として記載する複数本のソースラインがゲートラインに直交して配設され、両ラインが交差する部分の近傍にＴＦＴ（Thin film transistor）が配設され、このＴＦＴを介してピクセル（画素電極）に駆動信号が供給される。
　液晶表示装置は、上記したＴＦＴアレイが設けられた基板と対向基板との間に液晶層を挟むことで構成され、対向基板が備える対向電極とピクセル（画素電極）との間に画素容量が形成される。ピクセル（画素電極）には、上記の画素容量以外に付加容量（Ｃｓ）が接続される。この付加容量（Ｃｓ）の一方はピクセル（画素電極）に接続され、他方は共通ラインあるいはゲートラインに接続される。共通ラインに接続される構成のＴＦＴアレイはCs on Com型ＴＦＴアレイと呼ばれ、ゲートラインに接続される構成のＴＦＴアレイはCs on Gate型ＴＦＴアレイと呼ばれる。
　このＴＦＴアレイにおいて、走査線（ゲートライン）や信号線（ソースライン）の断線、走査線（ゲートライン）と信号線（ソースライン）の短絡、画素を駆動するＴＦＴの特性不良による画素欠陥等の欠陥検査は、例えば、対向電極を接地し、ゲートラインの全部あるいは一部に、例えば、－１５Ｖ～＋１５Ｖの直流電圧を所定間隔で印加し、ソースラインの全部あるいは一部に検査用の駆動信号を印加することによって行っている。（例えば、特許文献１の従来技術、特許文献２。）
　ＴＦＴ基板検査装置は、ＴＦＴアレイに検査用の駆動信号を入力し、そのときの電圧状態を検出することで欠陥検出を行うことができる。
　電子線を用いたＴＦＴ基板検査装置では、ピクセル（画素電極）に対して電子線を照射し、この電子線照射によって放出される二次電子を検出し、この二次電子の強度変化によって、画素単位での欠陥有無を判別する。ここで、得られる二次電子強度の信号は、フォトマルチプライヤなどでアナログ信号に変換し、座標変換によって得られてデータを画素単位に割付け、画像処理によって欠陥を抽出し、得られた欠陥データに基づいて欠陥検査を行う。この検査に用いる検査信号は、基板を単位として１種類の検査信号パターンが設定されている。
　ＴＦＴアレイには、その製造プロセス中に様々な欠陥が発生する可能性がある。欠陥の種類としては、例えば、ピクセルとソースラインとの間の短絡欠陥（Ｓ－Ｄshort）、ピクセルとゲートライン間の短絡欠陥（Ｇ－Ｄshort）、ピクセルと共通ライン（Ｃｓライン）との間の短絡欠陥（Ｄ－Ｃｓ short）、ソースラインとゲートラインとの間のライン欠陥、ソースライン－共通ライン（Ｃｓライン）間の短絡欠陥、ゲートライン－共通ライン（Ｃｓライン）間の短絡欠陥等がある。
　これら欠陥の内、ソースライン－共通ライン（Ｃｓライン）間、ゲートライン－共通ライン（Ｃｓライン）間、およびソースラインとゲートラインとの間の欠陥はライン欠陥であり、Ｓ－ＤshortやＧ－ＤshortやＤ－Ｃｓ shortは点欠陥として知られている。
　通常、基板に対して設定された１種類の検査信号パターンを用いて各パネルを駆動することによって、ライン欠陥を検出が可能となる。
　図１２は、ライン欠陥および点欠陥を説明するための図である。図１２は、共通ライン（Ｃｓライン）を備える構成例を示している。パネルには、格子状に配置されたソースライン３１とゲートライン３２の交差位置の近傍にＴＦＴ３５が設けられ、ＴＦＴ３５のドレインには画素電極３４が接続される。画素電極３４はＣｓライン３３に容量接続されている。
　図１２（ａ）は、ライン欠陥の例を示している。ソースライン３１とＣｓライン（共通ライン）３３の間や、ゲートライン３２とＣｓライン（共通ライン）３３の間は、ショート欠陥（短絡欠陥）が発生する可能性があり、ライン欠陥として現れる。
　図１２（ｂ）は、点欠陥の例を示している。ピクセルとソースラインとの間は短絡欠陥（Ｓ－Ｄshort）が発生する可能性があり、ピクセルとゲートライン間の短絡欠陥（Ｇ－Ｄshort）が発生する可能性があり、また、ピクセルとＣｓライン（共通ライン）間の短絡欠陥（Ｄ－Ｃｓ short）が発生する可能性がある。これらの欠陥は点欠陥として現れる。
　従来、このソースライン－共通ライン（Ｃｓライン）間やゲートライン－共通ライン（Ｃｓライン）間のショート欠陥（短絡欠陥）は、電子線による走査を実行する前に、各ライン間の抵抗値を測定し、この抵抗値に基づいて各ライン間のショート（短絡）の有無やどのラインがショート（短絡）しているかの判定を行っている。
　従来のショート欠陥検出では、基板にプローバをセットし、このプローバの接点の電気的な導通状態からショート（短絡）をチェックしている。
　このショートチェックは、パッド間の抵抗値が小抵抗であるか、あるいは大抵抗であるか、もしくは絶縁とみなせるかによって行う。パッド間の抵抗値が小抵抗である場合は、各パッドが接続されるライン間がショート（短絡）している大ショートである可能性を表し、パッド間の抵抗値が所定の抵抗範囲である場合は、各パッドが接続されるライン間にショート欠陥（短絡欠陥）が存在する可能性を表している。
　ショート欠陥を判定した場合には、さらに、パネルに検査信号パターンを印加してシグナルスキャンを行い、シグナルスキャンで得られた電圧イメージから、画像処理によってライン欠陥を抽出し、ショートチェックの結果とリンクさせて、欠陥の種類と位置に係わる欠陥情報を出力している（特許文献３）。
　上記したシグナルスキャンにより欠陥検査では、欠陥の有無を検出することができるが、欠陥の種類によっては、ライン欠陥の欠陥位置を求めることは困難な場合がある。例えばゲートライン－Ｃｓライン間が短絡している場合には、ショートチェックによって、どのパネルのゲートライン－Ｃｓライン間が短絡しているかを判定することができ、また、シグナルイメージによって欠陥が発生しているラインを検出することは可能である。ゲートライン－Ｃｓライン間でのショート欠陥について、発生範囲までの判別は可能である
　しかしながら、ゲートラインとＣｓラインは並行して配設されているため、シグナルイメージ上において、短絡している位置を求めることは極めて困難であり、通常は欠陥ラインとして判別できるにとどまっている。
　図１３は、ライン欠陥を説明するための図であり、図１４は、ライン欠陥によるシグナルイメージを示す図である。図１３（ａ）はソースラインとＣｓライン（共通ライン）との間が短絡した場合を示している。この場合には、図１４（ａ）に示すように、欠陥点５０が１カ所の場合であっても、ソースラインに沿って配列される画素が駆動するため、シグナルイメージ上ではライン５１として表示され、ソースラインのライン欠陥として判定される。
　また、図１３（ｂ）はゲートラインとＣｓライン（共通ライン）との間が短絡した場合を示している。この場合には、図１４（ｂ）に示すように、欠陥点５０ｂが１カ所の場合であっても、ゲートラインに沿って配列される画素が駆動するため、シグナルイメージ上ではライン５２として表示され、ゲートラインのライン欠陥として判定される。
　また、フラットディスプレイのプレート構造に所定電圧を印加し、陰極の赤外線熱地図から欠陥領域を求めることによって電気短絡欠陥を検出する方法およびシステムが提案されている。第１の赤外線アレイによって、陰極の電気短絡欠陥を含む領域と周辺領域との間の放射輝度の差を検出して欠陥領域を決定し、第１の赤外線アレイによって赤外線熱地図を形成し、欠陥点を検出している（特許文献４）。
　また、特許文献５には、欠陥検出および解析用赤外線サーモグラフィにおいて、テストベクタによってテスト対象デバイスの各部を加熱して赤外線装置によってサームグラフ画像を取得し欠陥位置を特定する点が示されている。
特開平５－３０７１９２号公報 特開２００８－０５８７６７号公報 特開２００７－２７１５８５号公報 特表２００５-５０３５３２号公報 特表２００６-５０５７６４号公報
　上記したように、電子線照射による欠陥検出では、ラインを単位とするライン欠陥として欠陥検出を行うことができるが、欠陥ポイントの座標を特定して、どの画素が欠陥であるかを識別することは困難であるという問題がある。
　欠陥ポイントの座標を特定するには、上記した通常の検査信号パターンに代えて、欠陥ポイントを検出する専用の検査信号パターンを用いて、基板上に形成されたパネルを再度駆動する必要がある。
　したがって、従来のＴＦＴ基板装置による欠陥検査では、欠陥の種類によって、欠陥位置を特定することが困難であるため、欠陥位置を特定するには、通常の欠陥検査で用いる検査信号パターンとは別に、欠陥に応じた特殊な検査信号パターンが必要となり、その分、検査のタスクが増加するという問題がある。
　また、一つの基板上に複数種のパネルが形成されている場合には、各パネル種に対応した検査信号パターンを用いて基板上に全パネルを駆動して欠陥検査を行う操作を、パネルの種類数分だけ繰り返さなければ成らず、検査のタスクが増加するという問題もある。
　一方、熱検出による欠陥検出によれば、電子線照射による欠陥検出では検出が難しいショート欠陥を検出することができる。
　しかしながら、各種の欠陥検出とショート欠陥とを一つの欠陥検出工程で行う場合には、電子線照射による欠陥検出の工程と、熱検出による欠陥検出の工程とを一つの処理工程で行うことができず、各欠陥検出工程を時系列に並べて行う必要がある。
　そのため、複数のパネルが搭載された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う場合には、基板全体の検出時間は、少なくとも各欠陥検出の検出時間を加算した時間が必要となり、欠陥検出時間が長時間化するという問題がある。このように欠陥検出時間が長くなると、ＴＦＴ基板の製造工程に要する時間も長くなることにもなる。
　そこで、本発明は上記課題を解決して、複数のパネルが形成された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う際において、基板全体の欠陥検出時間を短縮することを目的とする。
　本発明は、ＴＦＴ基板検査において、電子線照射による欠陥検出と、熱検出によるショート欠陥検出とを行うに際して、基板上の複数の全パネルを駆動して全パネルの放熱を検出してショート欠陥を検出するとともに、全パネルから順次選択したパネルに対して電子線を照射して二次電子を検出して欠陥検出を行うことによって、基板全体の欠陥検出時間を短縮する。
　本発明はＴＦＴ基板検査装置の態様とＴＦＴ基板の検査方法の態様とすることができる。
　本発明のＴＦＴ基板検査装置は、基板を真空状態に収納する真空チャンバと、基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給部と、基板に電子線を照射する電子線源と、電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出器と、駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出する熱検出器と、二次電子検出器の検出信号および前記熱検出器の検出信号に基づいてＴＦＴ基板の欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。
　欠陥検出部は、二次電子の検出器の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出部と、熱検出器の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部とを備える。
　ＴＦＴアレイ欠陥検出部は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行う。ショート欠陥検出部は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行う。
　ＴＦＴアレイ欠陥検出は、走査画像の信号強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することによって行うことができる。この閾値は、ＴＦＴアレイに欠陥があるときに得られる走査画像の信号強度に基づいて定めることができる。
　また、ショート欠陥検出は、熱分布画像の信号強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することによって行うことができる。この閾値は、ショート欠陥があるときに得られる熱分布画像の信号強度に基づいて定めることができる。
　ＴＦＴアレイ欠陥検出は複数のパネルについて順次行うことにより、全パネルをＴＦＴアレイ欠陥検出するに要する検出時間は、ほぼ各パネルの検出時間を加算したものとなる。一方、ショート欠陥検出は全パネルについて同時に行うことにより、各パネルのショート欠陥検出に要する検出時間は同一とすることができる。
　また、ＴＦＴアレイ欠陥検出の電子線走査による二次電子検出と、ショート欠陥検出の熱検出とは、互いに干渉することなく独立して行うことができるため、ＴＦＴアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出のそれぞれに要する時間は、検出精度に応じて任意に定めることができる。
　ショート欠陥検出に要する検出時間は、ＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間よりも長く設定することができるため、全パネルのＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間に合わせて定めることができ、ショート欠陥検出は、ＴＦＴアレイ欠陥検出を行う全期間にわたって行うことができる。
　したがって、本発明によれば、ＴＦＴアレイ欠陥検出とショート欠陥検出とを同時に行うことによって、ＴＦＴアレイ欠陥検出とショート欠陥検出とを順次行う場合よりも欠陥検出に要する時間を短縮することができる。
　また、本発明のショート欠陥検出の検出時間を、少なくとも全パネルのＴＦＴアレイ欠陥検出に要する検出時間とすることができるため、ショート欠陥部分の発熱量が小さく温度上昇が小さい場合であっても、検出時間を長くすることによって検出精度を高めることができる。
　本発明の駆動信号供給部は、選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加する。欠陥検出を行うための所定パターンは、検出する欠陥種に応じて設定することができる。
　基板上の全パネルにおいて、欠陥検出を行うパネルを選択し、このパネルに対して欠陥検出用の所定パターンの駆動信号を印加し、他の欠陥検出を行わないパネルに対してショート欠陥検出用の所定パターンの駆動信号を印加する。
　このとき、欠陥検出を行うパネルには欠陥検出用の駆動信号が供給されるため、パネルの全アレイについてショート欠陥検出は行われないものの、駆動信号が供給されたアレイについてはショート欠陥検出を行うことができる。
　また、選択されたパネルについては、アレイ欠陥検出の検出時間はショート欠陥検出の検出時間よりも短時間であるため、駆動信号が供給されたアレイ部分にショート欠陥がある場合であっても、アレイ欠陥検出時に加熱されないことにより影響は無視できる程度とすることができる。
　また、本発明の駆動信号供給部は、ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断する。
　特定のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することによって、その箇所に対する電圧の印加を中断する。この箇所にショート欠陥がある場合には、発熱作用が停止するため、温度が低下する。これによって、基板上に設けられたアレイやラインの加熱による損傷を防ぐことができる。
　また、本発明のショート欠陥検出部は、駆動信号の供給中断後の熱検出器の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。ショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断するとその箇所の発熱が停止する。発熱で温度が上昇していた箇所は、発熱が停止した後、放熱によって温度が低下する。この温度変化を熱検出器の検出信号に基づいて検出する。温度低下が検出された場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置であったことを確認することができる。一方、温度低下が検出されない場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置でなかったことが分かる。
　また、本発明の駆動信号供給部は、ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、所定時間経過後にＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開する。駆動信号の供給再会後の熱検出器の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。
　ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給中断することによって欠陥箇所の加熱を停止し、放熱によって温度が低下した後、駆動信号の供給を再開する。このときの温度変化を熱検出器の検出信号に基づいて検出する。温度低下した後、温度の再上昇が検出された場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置であったことを確認することができる。一方、温度の再上昇が検出されないた場合には、検出位置がショート欠陥の欠陥位置でなかったことが分かる。
　また、本発明のＴＦＴ基板検査方法は、ＴＦＴ基板の欠陥を検査するＴＦＴ基板の検査方法であって、真空チャンバ内に収納した基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給工程と、基板に電子線を照射し、前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥工程と、駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出し、前記放熱の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出工程とを備える。
　ＴＦＴアレイ欠陥検出工程は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、ショート欠陥検出工程は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行う。
　本発明の駆動信号供給工程は、選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加する。
　本発明の駆動信号供給工程は、ショート欠陥検出工程中に、そのショート欠陥検出工程で検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断する。これによって、発熱による基板の損傷を防ぐことができる。
　本発明のショート欠陥検出工程は、駆動信号の供給中断後の放熱の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。
　また、本発明の駆動信号供給工程は、ショート欠陥検出工程中に、そのショート欠陥検出工程が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、駆動信号の供給再会後の放熱の検出信号に基づいて、検出したショート欠陥の正否を評価する。
　本発明のＴＦＴ基板検査方法によれば、検出したショート欠陥の検出位置が正しいか否かを確認することができる。
　本発明によれば、複数のパネルが形成された基板について、電子線照射による欠陥検出と熱検出によるショート欠陥検出とを行う際において、基板全体の欠陥検出時間を短縮することができる。
本発明の基板検査装置の概略図である。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのパネル動作図である。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出動作を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態を説明するためのタイミングチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態を説明するためのタイミングチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第３の形態を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第３の形態を説明するためのタイミングチャートである。 ライン欠陥および点欠陥を説明するための図である。 ライン欠陥を説明するための図である。 ライン欠陥によるシグナルイメージを示す図である。
　１ 基板検査装置
　２ 欠陥検出部
　２ａ 画像処理部
　２ｂ アレイ欠陥検出部
　２ｃ ショート欠陥検出部
　２ｄ 欠陥位置校正部
　２ｅ 欠陥データ格納部
　３ 主制御部
　４ 駆動信号供給部
　５ 走査制御部
　６ 電子線源
　７ 二次電子検出部
　８ 二次電子フレーム画像取り込み部
　９ 熱検出部
　１０ 熱フレーム画像取り込み部
　１１ ステージ
　２０ 基板
　２１ ソースバー
　２２ ゲートバー
　２３ 共通バー
　３１ ソースライン
　３２ ゲートライン
　３３ 共通ライン
　３４ 画素電極
　４０ 画素
　５１ ライン
　５２ ライン
　以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明のＴＦＴ基板検査装置の概略図である。
　ＴＦＴ基板検査装置１は、真空チャンバ（図示していない）内に設けられたステージ１１に載置されたＴＦＴ基板２０のアレイ欠陥およびショート欠陥を検出する。
　アレイ欠陥を検出する構成として、ＴＦＴ基板２０上に電子線を照射する電子線源６、ＴＦＴ基板２０をｘ，ｙ方向に移動させるステージ１１、電子線源６およびステージ１１を制御して電子線をＴＦＴ基板２０上で走査させる走査制御部５、ＴＦＴ基板２０から放出される二次電子を検出する二次電子検出部７、二次電子検出部７で検出した二次電子の検出信号から二次電子フレーム画像を形成する二次電子フレーム画像取り込み部８、二次電子フレーム画像を画像処理して、座標位置とその位置の信号強度を求める画像処理部２ａ、求めた信号強度に基づいてアレイ欠陥を検出するアレイ欠陥検出部２ｂを備える。
　ショート欠陥を検出する構成として、ＴＦＴ基板２０からの放熱を検出する熱検出部９、熱検出部９で検出した熱分布の検出信号から熱フレーム画像を形成する熱フレーム画像取り込み部１０、熱画像を画像処理して、座標位置とその位置の信号強度を求める画像処理部２ａ、求めた信号強度に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部２ｃを備える。熱検出部は、例えば、赤外線センサーやサーモグラフィを用いることができる。赤外線センサーとして、例えば、InSb検出器を用いたＩＲ焦点面アレイ熱撮像カメラが知られている（特許文献５）。
　欠陥検出部２は、前記した画像処理部２ａ、アレイ欠陥検出部２ｂ、およびショート欠陥検出部２ｃの他に、欠陥位置校正部２ｄ、欠陥データ格納部２ｅを備える。欠陥位置校正部２ｄは、アレイ欠陥検出部２ｂで検出したアレイ欠陥の座標位置と、ショート欠陥検出部２ｃで検出したショート欠陥の座標位置に基づいて、同一点のショート欠陥の座標位置を校正する。
　欠陥検出部２、駆動信号供給部４，走査制御部５等の各部は、主制御部３によって制御される。主制御部３および走査制御部５は、ＣＰＵおよびこのＣＰＵを駆動して所定の動作を実行させるためプログラムをＲＯＭ等の記憶手段（図示していない）を備えている。
　図１中に示すＴＦＴ基板２０の構成は一例を示している。図示する構成では、ＴＦＴ基板２０上に複数のパネルが設けられ、各パネルには複数の画素４０が配置されてアレイが構成されている。
　各画素４０には、ソースライン３１、ゲートライン３２、および共通ライン３３が配されている。複数のソースライン３１はソースバー２１に接続され、駆動信号供給部４から供給されるソース信号が印加される。複数のゲートライン３２はゲートバー２２に接続され、駆動信号供給部４から供給されるゲート信号が印加される。また、複数の共通ライン３３は共通バー２３に接続され、駆動信号供給部４から供給される共通信号が印加される。
　駆動信号供給部４３、ＴＦＴ基板２０上に形成されるＴＦＴアレイを駆動する駆動信号の信号パターンを生成し供給する。駆動信号供給部４は、複数種の駆動パターンを生成することができる。例えば、ＴＦＴアレイの点欠陥を検出する信号パターンとして、全ピクセルに同一の電圧を供給する信号パターンを生成する。また、ＴＦＴアレイの欠陥種を判別するために、ピクセル単位の周期性を有する電圧を供給する信号パターンを生成する。
　画像処理部２ａは、フレーム画像を信号処理してイメージ化し走査画像を形成する。アレイ欠陥検出部２ｂは、画像処理部２ａで取得したピクセルの電位状態に基づいて正常状態における電位状態と比較し、正常状態の電位と異なる電位状態にあるピクセルについては、そのピクセルに接続されるＴＦＴアレイに欠陥があるものとして検出する。また、検出した欠陥ピクセルについて、その欠陥ピクセルの欠陥種を判別する。
　欠陥種判別は、欠陥ピクセルの欠陥種を判別する少なくとも２つの判定閾値、および、この複数の判定閾値で設定される複数の強度範囲に対応付けて欠陥ピクセルの欠陥種のデータを記憶している。駆動パターンの印加で得られる走査画像の信号強度をこの判定閾値と比較し、比較結果に基づいて複数の強度範囲に仕分けし、欠陥ピクセルの欠陥種を判定する。
　また、点欠陥検出で検出した欠陥ピクセルの位置、欠陥種判別で検出したピクセルの幾何的配置、および基板上に形成されるピクセルの設計上の位置等に基づいて欠陥ピクセルの位置を特定する。
　ショート欠陥検出部２ｃは、画像処理部２ａで取得した熱分布を表す信号強度と正常状態にある熱分布の信号強度と比較し、正常状態の信号強度と異なる信号強度にある部位については、その部位にショート欠陥があるものとして検出する。また、検出したショート欠陥の位置、および基板上に形成されるピクセルやラインの設計上の位置等に基づいてショート欠陥の位置を特定する
　走査制御部５は、ＴＦＴ基板２０上のＴＦＴアレイの検査位置を走査するために、ステージ１１や電子線源６を制御する。ステージ１１は、載置するＴＦＴ基板２０をＸＹ方向に移動し、また、電子線源６はＴＦＴ基板２０に照射する電子線をＸＹ方向に振ることで、電子線の照射位置を走査する。
　なお、上記したＴＦＴアレイ検査装置の構成は一例であり、この構成に限られるものではない。
　 [ＴＦＴ基板検査装置の欠陥検出動作]
　以下、図２～図４を用いて、本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作について説明する。図２，３，４は、ＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出およびショート欠陥検出の動作を説明するためのフローチャート、タイミングチャート、およびパネル動作図である。
　なお、ここでは、ＴＦＴ基板上に９枚のパネル（パネルＡ～パネルＩ）が設けられた例を用いて説明するが、ＴＦＴ基板上に設けるパネルの枚数、各パネルのサイズ、および配置位置は任意に設定することができる。
　ＴＦＴ基板上の配置されたパネルに電子線を照射して走査することによってアレイ欠陥検出を行う。ここでは、ＴＦＴ基板上に設けられた複数のパネルの内から一枚のパネルを選択し、選択したパネルに電子線を照射して走査し二次電子を検出することによってアレイ欠陥検出を行い、全パネルについて放熱を検出することによってショート欠陥検出を行う。
　図３のタイミングチャートはＴＦＴ基板上に配置されたパネルＡ～パネルＩの各パネルについて、アレイ欠陥検出を行うタイミングとショート欠陥検出を行うタイミングを示している。
　図３（ａ）～図３（ｉ）は、パネルＡ～パネルＩにおけるアレイ欠陥検出とショート欠陥検出の各タイミングを示している。ここでは、パネルＡから順にアレイ欠陥検出を行う例を示している。パネルＡは全パネルの内で第１番目にアレイ欠陥検出を行い（図３（ａ））、パネルＢは、パネルＡのアレイ欠陥検出が終了した後、第２番目にアレイ欠陥検出を行い（図３（ｂ））、同様に、パネルＣ～パネルＩについて順にアレイ欠陥検出を行う。この間、全パネルについてショート欠陥検出を行う。
　本発明によれば、アレイ欠陥検出を順に行っている間に、全パネルについてショート欠陥検出を行うことによって、欠陥検出に要する時間を短縮することができる。
　図４（ａ）は、ＴＦＴ基板上に配置されたパネルＡ～パネルＩを示している。アレイ欠陥検出は各パネルを単位として行い、一方、ショート欠陥検出は全パネルについてアレイ欠陥と同時に行う。
　図４（ｂ）において、パネルＡについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ～パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。図４（ｃ）において、パネルＢについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ～パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。同様に、図４（ｄ）において、パネルＩについてアレイ欠陥検出を行い、パネルＡ～パネルＩの全パネルについてショート欠陥検出を行う。
　図２のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルに駆動信号を印加してアレイを駆動する。これによってショート欠陥検出の準備が開始し、ショート欠陥部分は短絡電流によって発熱が始まる(S1)。
　アレイ欠陥検出を行うために、電子線を走査するパネルを選択する（S2）。選択したパネルについてアレイ欠陥検出を行い（S3～S7）、選択パネルおよび非選択パネルについてショート欠陥検出を行う。なお、ショート欠陥検出において、非選択パネルにはショート欠陥を検出するための駆動信号が印加され、選択パネルにはアレイ欠陥を検出するための駆動信号が供給される。選択パネルには、ショート欠陥を検出するための駆動信号ではなく、アレイ欠陥を検出するための駆動信号が印加されるため、信号パターンによってはショート欠陥の欠陥部分に駆動信号が印加されない場合がある。
　しかしながら、次のパネルを選択したときには前回選択されたパネルにはショート欠陥検出用の駆動信号が供給されることになり、また、アレイ欠陥検出用の駆動信号を印加する期間は、全パネルについてアレイ欠陥検出を行う全期間と比較すると短期間であり、ショート欠陥検出用の信号が印加されないことによる影響は無視することができる程度に小さいとすることができる(S8)。
　選択パネルについて、その選択したパネルが発熱を検出しているパネルであるかを判定する（S3）。選択パネルが発熱検出中のパネルである場合には、発熱を測定するためのショート欠陥検出用の駆動信号の印加を中断し、S5でパネルが既選択であるか否かを判定する。また、選択パネルが発熱検出中のパネルでない場合には、そのままS5でパネルが既選択であるか否かを判定する。
　選択したパネルが既選択でない場合には（S5）、電子線走査によるアレイ欠陥検出処理を行う(S6)。選択したパネルが既選択済みである場合には（S5）、アレイ欠陥検出処理をスキップする。S3～S6の工程を全パネルについて行って、ＴＦＴ基板上の全パネルについてアレイ欠陥検出を行う（S7）。
　アレイ欠陥検出で検出した欠陥点の中には、駆動信号パターンによってショート欠陥による欠陥点が含まれる場合がある。そこで、アレイ欠陥検出で検出されたショート欠陥の座標位置と、S8のショート欠陥検出処理で検出されたショート欠陥の座標位置とを照合し(S9)、同一のショート欠陥について座標位置が一致ない場合には、座標位置を校正する。ショート欠陥の座標位置の校正は、ＴＦＴ基板上のアレイやラインの配置位置情報、アレイ欠陥検出やショート欠陥検出で得られたイメージ画像等に基づいて行うことができる(S10)。検出したショート欠陥点の座標位置を、欠陥データ格納部２ｅ等に記憶する（S11）。
　 [アレイ欠陥検出動作] 
　次に、アレイ欠陥検出の動作について、図５のフローチャートを用いて説明する。図５は本発明のＴＦＴ基板検査装置によるアレイ欠陥検出動作を説明するためのフローチャートである。このアレイ欠陥検出動作の処理は、図２中のS6の工程に相当するものである。
　電子線を照射するパネルを選択し(S101)、選択したパネルにアレイ欠陥検出用の駆動信号を印加する(S102)。選択したパネル上に電子線を照射しながら走査し、ＴＦＴ基板から放出される二次電子を二次電子検出器で検出する(S103)。検出した二次電子の検出信号からアレイ欠陥に係る画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S104)。
　欠陥画像データを用いてアレイ欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S105)。S105の工程で検出したアレイ欠陥点の座標位置を求める（S106）。
　S101～S106の工程を全パネルについて行って、ＴＦＴ基板の全パネルについてアレイ欠陥を検出する（S107）。
　 [ショート欠陥検出動作] 
　次に、本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出動作について、図６～図１１について説明する。以下、ショート欠陥検出動作について第１の形態～第３の形態について説明する。第２，３の形態は、検出したショート欠陥の正否を評価する形態である。
　 [ショート欠陥検出動作の第１の形態]
　図６，７を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第１の形態について説明する。
　図６のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する。この駆動信号の印加によって、ライン間にショート欠陥がある場合にはその欠陥点に電流が流れ、電気抵抗によって発熱が生じる。発熱量は欠陥点のショート状態に依存する。ショート欠陥が小さい場合には、高抵抗であるため発熱量は少ない。ショート欠陥が大きい場合には、低抵抗であるため発熱量は多くなる。
　発熱量が小さい場合には、温度の上昇速度が小さいため、所定の温度に達するまでに要する時間は長くなる。一方、発熱量が大きい場合には、温度の上昇速度が大きいため、所定の温度に達するまでに要する時間は短くなる(S201)。
　ＴＦＴ基板に駆動信号を印加してからショート欠陥を検出するまでの時間をあらかじめ定めておき、この設定時間が経過するまで駆動信号の印加を続ける(S202)。設定時間が経過した後、ＴＦＴ基板上の全パネルの発熱を熱検出器で測定する(S203)。熱検出器で測定した検出信号からショート欠陥の画像データを所得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S204)。
　画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S205)。S205の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求める（S206）。
　図７（ａ）はショート欠陥が無い正常状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図７（ｂ），（ｃ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図７（ｄ）は測定タイミングを示している。
　ショート欠陥が無い正常状態では、短絡電流による発熱が無いためほぼ一定温度を維持する（図７（ａ））。
　これに対して、ショート欠陥がある状態では、短絡電流によって発熱が発生し、温度が時間と共に上昇する。図７（ｂ）は、小さなショート欠陥の場合を示している。この場合には、短絡電流が小さいため、温度の上昇速度は小さい。一方、図７（ｃ）は、大きなショート欠陥の場合を示している。この場合には、短絡電流が大きいため、温度の上昇速度は大きくなる。
　ショート欠陥の判定は、図７（ｄ）の測定タイミングの時点において、検出信号の信号強度と閾値と比較することで行うことができる。
　 [ショート欠陥検出動作の第２の形態]
　図８，９を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態について説明する。
　第２の形態は、ショート欠陥による温度上昇が所定温度に達したときに、駆動信号の印加を中断することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させて、その箇所の熱による損傷を防ぐ形態であり、さらに、ショート欠陥検出の検出点が正しく検出されたか否かを評価することもできる。
　図８のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する（S301）。以下、測定タイミングで熱検出器によって発熱を測定する（S302,S303）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S304)。
　前記したS205、S206と同様に、画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S307)。S307の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求めて記録する（S308）。
　次に、検出したショート欠陥点への駆動信号の印加を停止する。ショート欠陥点への駆動信号の印加を停止することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させ、ショート欠陥点付近が熱によって損傷することを防ぐ(S309)。
　S305～S306は、駆動信号の印加を停止した位置が、ショート欠陥点であるか否かを評価する工程である。駆動信号の印加を停止すると、その停止位置がショート欠陥点である場合には、ショート欠陥点での発熱が無くなり、放熱によって温度が低下する。この温度変化を検出することによって、検出した点がショート欠陥点であるか否かを確認することができる。正しいショート欠陥点である場合には温度低下が検出され、検出した点が誤りである場合には温度低下は検出されず、発熱が検出される。
　S305において、駆動信号の印加を停止した位置の検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較し、検出信号の強度が閾値よりも小さく、温度低下が確認された場合には、正しいショート欠陥点であることが確認される。一方、検出信号の強度が閾値よりも大きく、温度低下が確認されない場合には、検出した点はショート欠陥点でないことが確認される。検出した点がショート欠陥点でない場合には、その点への駆動信号の印加を再開し、次の測定タイミングでショート欠陥検出を繰り返す(S306,S310)。
　図８（ａ）はショート欠陥が無い正常状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図８（ｂ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図８（ｃ）は測定タイミングを示している。図８（ａ），（ｂ）において、黒点は図８（ｃ）の測定タイミングで測定される検出点を示している。
　ショート欠陥が無い正常状態では、短絡電流による発熱が無いためほぼ一定温度を維持する（図８（ａ））。
　これに対して、ショート欠陥がある状態では、短絡電流によって発熱が発生し、温度が時間と共に上昇する。図８（ｂ）において、ショート欠陥の短絡電流によって発熱し、温度が上昇する。ここで、ショート欠陥を検出する閾値として、あらかじめ検出信号の強度を定めており、検出信号の信号強度と閾値とを比較する。検出信号の信号強度が閾値を越えた時点で、そのショート欠陥の位置に対応する駆動信号の印加を停止する。
　 [ショート欠陥検出動作の第３の形態]
　図１０，１１を用いて本発明のＴＦＴ基板検査装置によるショート欠陥検出の第２の形態について説明する。
　第３の形態は、ショート欠陥による温度上昇が所定温度に達したときに、駆動信号の印加を中断した後、再度駆動信号を印加することによって、ショート欠陥検出が正しく行われたか否かを評価する形態である。
　図１０のフローチャートにおいて、はじめに、ＴＦＴ基板上の全パネルにショート欠陥検出用の駆動信号を印加する（S401）。以下、測定タイミングで熱検出器によって発熱を測定する（S402,403）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S404)。
　前記したS307、S308と同様に、画像データを用いてショート欠陥を検出する。欠陥検出は、検出信号の強度をあらかじめ定めておいた閾値と比較することで行うことができる(S4052)。S405の工程で検出したショート欠陥点の座標位置を求めて記録する（S406）。
　次に、検出したショート欠陥点への駆動信号の印加を停止する。ショート欠陥点への駆動信号の印加を停止することによって、ショート欠陥点の温度上昇を停止させ、ショート欠陥点付近が熱によって損傷することを防ぐことができる(S407)。
　測定タイミングにおいて（S408）、S407で印加を停止した欠陥点に駆動信号を再印加し、欠陥点に発熱させる（S409）。所定時間が経過して、発熱によって温度が上昇した後(S410)、熱検出器によって発熱を測定する（S411）。熱検出器の検出信号からショート欠陥画像データを取得する。画像データは、検出信号の強度と座標位置のデータを含んでいる(S412)。
　欠陥点の検出信号の強度をあらかじめ決めておいた閾値と比較する(S413)。検出信号の強度が閾値よりも大きい場合には、検出位置が正しいショート欠陥検出位置であると評価することができ、一方、検出信号の強度が閾値よりも小さい場合には、検出した位置は誤ったショート欠陥検出位置であると評価し（S413）、検出してショート欠陥位置の座標位置を記録から削除する(S414)。上記S402～S414の工程をショート欠陥検出の設定時間が経過するまで繰り返す（S415）。
　図１１（ａ）はショート欠陥がある状態の検出信号の信号強度と印加信号を示し、図１１（ｂ）は測定タイミングを示している。図１１（ａ）において、黒点は図１１（ｂ）の測定タイミングで測定される検出点を示している。
　ショート欠陥による短絡電流が流れ、ショート欠陥点に発熱すると、温度が時間と共に上昇する。図８（ｂ）において、ショート欠陥の短絡電流によって発熱し、温度が上昇する。ここで、ショート欠陥を検出する閾値として、あらかじめ検出信号の強度を定めており、検出信号の信号強度と閾値とを比較する。検出信号の信号強度が閾値を越えた時点で、そのショート欠陥の位置に対応する駆動信号の印加を停止する。
　本発明の態様によれば、検出したショート欠陥点への駆動信号の停止、再印加を行うことによって、正しくショート欠陥を検出したか否かを確認することができる。
　本発明は、液晶製造装置におけるＴＦＴアレイ検査工程の他、有機ＥＬや種々の半導体基板が備えるＴＦＴアレイの欠陥検査に適用することができる。

Claims (10)

  1. 　基板を真空状態に収納する真空チャンバと、
    　前記基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給部と、
    　前記基板に電子線を照射する電子線源と、
    　前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出器と、
    　前記駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出する熱検出器と、
    　前記二次電子検出器の検出信号および前記熱検出器の検出信号に基づいてＴＦＴ基板の欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、
    　前記欠陥検出部は、
    　前記二次電子の検出器の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥検出部と、
    　前記熱検出器の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出部とを備え、
    　前記ＴＦＴアレイ欠陥検出部は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、
    　前記ショート欠陥検出部は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行うことを特徴とする、ＴＦＴ基板検査装置。
  2. 　前記駆動信号供給部は、
    　前記選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、
    　非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ基板検査装置。
  3. 　前記駆動信号供給部は、
    　前記ショート欠陥部の欠陥検出中に、当該ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴ基板検査装置。
  4. 　前記ショート欠陥検出部は、
    　前記駆動信号の供給中断後の熱検出器の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴ基板検査装置。
  5. 　前記駆動信号供給部は、
    　前記ショート欠陥検出部の欠陥検出中に、当該ショート欠陥検出部が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、
    　所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、
    　前記駆動信号の供給再会後の熱検出器の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴ基板検査装置。
  6. 　ＴＦＴアレイの欠陥を検査するＴＦＴ基板の検査方法であって、
    　真空チャンバ内に収納した基板のＴＦＴアレイに駆動信号を供給する駆動信号供給工程と、
    　前記基板に電子線を照射し、前記電子線の照射によって基板から放出される二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号から得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイ欠陥工程と、
    　前記駆動信号が供給された基板から放射される放熱を検出し、前記放熱の検出信号から得られる熱分布画像に基づいてショート欠陥を検出するショート欠陥検出工程とを備え、
    　前記ＴＦＴアレイ欠陥検出工程は、基板が備える複数のパネルから一つのパネルを順に選択してＴＦＴアレイ欠陥検出を行い、
    　前記ショート欠陥検出工程は、基板が備える全パネルについて同時にショート欠陥検出を行うことを特徴とする、ＴＦＴ基板検査方法。
  7. 　前記駆動信号供給工程は、
    　前記選択したパネルに欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加し、
    　非選択のパネルにショート欠陥検出を行うための所定パターンの駆動信号を印加することを特徴とする、請求項６に記載のＴＦＴ基板検査方法。
  8. 　前記駆動信号供給工程は、
    　前記ショート欠陥検出工程中に、当該ショート欠陥検出工程で検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断することを特徴とする、請求項６又は７に記載のＴＦＴ基板検査方法。
  9. 　前記ショート欠陥検出工程は、
    　前記駆動信号の供給中断後の放熱の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ基板検査方法。
  10. 　前記駆動信号供給工程は、
    　前記ショート欠陥検出工程中に、当該ショート欠陥検出工程が検出したショート欠陥の欠陥点のＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を中断し、
    　所定時間経過後に前記ＴＦＴアレイへの駆動信号の供給を再開し、
    　前記駆動信号の供給再会後の放熱の検出信号に基づいて、前記検出したショート欠陥の正否を評価することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ基板検査方法。
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