JP5163948B2 - 走査ビーム検査装置、および欠陥検出の信号処理方法 - Google Patents
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- 荷電粒子ビームをTFTアレイ上で二次元的に走査して走査画像を形成し、当該走査画像から欠陥ピクセルを検出する欠陥検出の信号処理方法であって、
TFTアレイに相対的に高い電位と低い電位の2種類の電位を二次元的に所定パターンで形成する検査信号を印加する検査信号印加工程と、
前記検査信号を印加したTFTアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、当該走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出工程と、
前記信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理工程とを備え、
前記データ処理工程は、
前記ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、前記ピクセルの信号強度が、前記複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較工程と、
前記比較結果により、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定工程とを備えることを特徴とする、欠陥検出の信号処理方法。 - 前記データ処理工程において、
前記比較工程は、
前記ピクセルの信号強度を4つの異なるレベルの閾値と比較し、前記4つの閾値で形成される5つの信号強度範囲の内の何れの信号強度範囲にあるかを検出するものであり、
前記5つの信号強度範囲は、正常ピクセルに前記2種類の電位をそれぞれ形成した際に検出される信号強度の分布である2つの正常強度範囲、および、前記正常強度範囲から外れた3つの欠陥強度範囲であり、
前記判定工程は、信号強度が3つの欠陥強度範囲の何れかの欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定することを特徴とする、請求項1に記載の欠陥検出の信号処理方法。 - 前記データ処理工程において、
前記比較工程は、
前記2種類の電位の内で相対的に高い電位のピクセルから検出される第1の信号強度と、相対的に低い電位のピクセルから検出される第2の信号強度に区分し、
前記第1の信号強度を第1の閾値と比較し、前記第1の信号強度が前記第1の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出し、
前記第2の信号強度を第2の閾値と比較し、前記第2の信号強度が前記第2の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出するものであり、
前記第1の閾値は、相対的に高い電位を正常ピクセルに形成した際に検出される信号強度の分布の下方の閾値であり、
前記第2の閾値は、相対的に低い電位を正常ピクセルに形成した際に検出される信号強度の分布の上方の閾値であり、
前記判定工程は、前記第1の信号強度の比較結果と、前記第2の信号強度の比較結果とに基づいてピクセルの欠陥を判定することを特徴とする、請求項1に記載の欠陥検出の信号処理方法。 - 前記検査信号印加工程は、二次元配列される複数のピクセルの内で隣接するピクセル間において、互いに相対的に高い電位と低い電位とを交互に印加する検査信号を印加し、
TFTアレイに相対的に高い電位と低い電位が市松パターンで配置される電位パターンを形成することを特徴とする、請求項1から3の何れか一つに記載の欠陥検出の信号処理方法。 - 荷電粒子ビームをTFTアレイ上で二次元的に走査して走査画像を形成し、当該走査画像から欠陥ピクセルを検出する走査ビーム検査装置であって、
荷電粒子ビームをTFTアレイ上で走査する荷電粒子ビーム源および走査制御部と、
前記荷電粒子ビームの走査によってTFTアレイからTFT基板から放出される二次電子を検出する検出器と、
TFT基板のTFTアレイに相対的に高い電位と低い電位の2種類の電位を二次元的に所定パターンで形成する検査信号を生成し印加する検査信号印加部と、
前記検査信号を印加したTFTアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、当該走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出部と、
前記信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理部とを備え、
前記データ処理部は、
前記ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、前記ピクセルの信号強度が、前記複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較部と、
前記比較結果により、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定部とを備えることを特徴とする、走査ビーム検査装置。 - 前記データ処理部において、
前記比較部は、信号強度について4つの異なるレベルの閾値を有し、前記信号強度検出部で検出した各ピクセルの信号強度と4つの閾値とを比較し、4つの閾値で形成される2つの正常強度範囲、および、3つの欠陥強度範囲の信号強度範囲の内の何れの信号強度範囲にあるかを検出し、
前記判定部は、信号強度が3つの欠陥強度範囲の何れかの欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定するものであり、前記5つの信号強度範囲の内、前記正常強度範囲は正常ピクセルに電位をそれぞれ形成した際に検出される2つの信号強度の分布であり、前記欠陥強度範囲は前記正常強度範囲から外れた3つの欠陥強度範囲であることを特徴とする、請求項5に記載の走査ビーム検査装置。 - 前記データ処理部において、
前記比較部は、
前記2種類の電位の内で相対的に高い電位のピクセルから検出される第1の信号強度と、相対的に低い電位のピクセルから検出される第2の信号強度に区分し、
前記第1の信号強度を第1の閾値と比較し、前記第1の信号強度が前記第1の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出し、
前記第2の信号強度を第2の閾値と比較し、前記第2の信号強度が前記第2の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出するものであり、
前記第1の閾値は、相対的に高い電位を正常ピクセルに形成した際に検出される信号強度の分布の下方の閾値であり、
前記第2の閾値は、相対的に低い電位を正常ピクセルに形成した際に検出される信号強度の分布の上方の閾値であり、
前記判定部は、前記第1の信号強度の比較結果と、前記第2の信号強度の比較結果とに基づいてピクセルの欠陥を判定することを特徴とする、請求項5に記載の走査ビーム検査装置。 - 前記検査信号印加部は、二次元配列される複数のピクセルの内で隣接するピクセル間において、互いに相対的に高い電位と低い電位とを交互に印加する検査信号を印加し、
TFTアレイに相対的に高い電位と低い電位が市松パターンで配置される電位パターンを形成することを特徴とする、請求項5から7の何れか一つに記載の走査ビーム検査装置。
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