JP4622560B2 - 液晶アレイ検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶ディスプレイ等に使われる液晶基板の検査に使用する液晶アレイ検査装置に関し、特に、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給して当該液晶基板上に形成された液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、プローブピンと電極との接触状態の判定に関する。

液晶アレイ基板は、ガラス基板等の基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリックス状に配置されてなるＴＦＴアレイと、このＴＦＴアレイに駆動信号を供給する信号電極とを備え、ＴＦＴアレイはソース電極やゲート電極等の電極を通して供給される信号によって駆動される。

液晶ガラス基板に形成されるアレイを検査する装置として、各電極と電気的に接続して検査信号を印加するプローバと検査回路を備えた液晶アレイ検査装置が知られている。液晶アレイ検査装置は、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給し、このときの液晶アレイの電位状態や電流状態を測定することにより、ゲート−ソース間の短絡、点欠陥、断線等を検査する。

液晶アレイを検査する際には、液晶ガラス基板上にプローバフレームを載置し、プローバフレームの下方に備えるプローブピンを液晶ガラス基板の電極に接触させ、このプローブピンと電極との接触によって液晶ガラス基板側とプローバ側とに間を電気的に接続している。

液晶アレイ検査装置によって検査を行うには、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との間の電気的接触が正常であることが求められる。プローバフレームと電極と間に接触不良がある場合、液晶アレイ検査装置は接触不良を液晶アレイの欠陥と誤って判定するおそれがあり、正確な検査が望めないことになる。

従来、この接触不良を検出する機構として、例えばプローバフレームにコンタクトチェック機能を備えたものが提案されている。このコンタクトチェック機能は、通常の導通検査に用いられるハードウエアによって構成される。

コンタクトチェック機能をハードウエアで構成する場合には、当然プローバフレームにハードウエアを設ける必要となり、構成要素が増加するという問題があるほか、液晶ガラス基板のサイズや、基板上に形成されるアレイ構成が変更された場合には、それごとにハードウエアの構成を変更しなければならないという問題もある。

そこで、コストの点の他、液晶ガラス基板の変更に対する自由度等の点からも、ハードウエアによらずソフトウエアの構成によって接触不良を検出するものが望ましい。

従来、ソフトウエアによって接触不良を検出する方法として、液晶ガラス基板全体について測定を行って測定データを取得し、測定データをデータ処理して線欠陥を抽出し、その欠陥が繰り返して発生するといった発生状況から判断する方法が知られている。これは、接触不良による発生する測定データには、所定の繰り返しパターンが含まれるという特徴を利用するものである。

従来知られているソフトウエアによる接触不良の検出方法では、結局、液晶ガラス基板に形成されたアレイについて全て測定を行って欠陥分析を行った後に、その分析データを利用して接触不良を検出するに過ぎず、限られた時間内で接触不良を検出するには不向きである。

接触不良の検出では、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することが望まれる。

そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、測定信号を信号処理することでソフトウエアによって検出することを目的とする。

また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することを目的とする。

本発明は、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、液晶アレイ検査装置の測定信号を信号処理することでソフトウエアによって自動判定するものであり、液晶ガラス基板の各電極に接続されるソースラインやゲートライン等の複数のラインの中から不良ラインを検出する第１の段階と、検出した不良ラインの本数に基づいて接触不良を判定する第２の段階の２つの段階により行う。

この２つの段階は測定信号のソフトウエア処理によって行うことができる。また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することができる。

本発明の液晶アレイ検査装置は、プローバフレームのプローブピンを液晶基板の電極に接触させて検査信号を供給して当該液晶基板上に形成された液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、前記した２つの段階を実行する手段として、液晶アレイの各ラインの測定信号強度を用いて不良ラインを抽出し、各電極に接続されるライン中の不良ラインの本数を求める不良ライン抽出手段と、不良ライン数を用いて電極とプローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段とを備える。

ここで、不良ライン抽出手段を構成する第１の態様は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの平均強度を算出する平均強度演算部と、平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部と、強度比較部の比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備える構成とすることができる。

測定信号の強度は、接触が良好である場合にはライン内においてばらつきはあるものの、ほぼ所定の強度レベルを中心に分布し、接触が不良である場合には当該強度レベルよりも低いレベルで分布する。第１の態様はこの良・不良による測定信号強度の分布特性を利用するものであり、測定信号強度の分布特性を測定点の測定信号強度の平均強度によって求め、この平均強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。

平均強度演算部は、各ラインに含まれる測定信号強度の平均値を算出し、平均値の算出処理はソフトウエアによる通常の演算処理により行うことができる。

強度比較部は、平均強度演算部で算出した平均値と第１のしきい値とを比較する。第１のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値に許容値を加えた値、又は接触良好時の測定信号強度の平均値から許容値を差し引いた値により設定する。

接触が良好な場合の測定信号強度の平均値は第１のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度の平均値は第１のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は平均強度が第１のしきい値よりも小さい場合に、当該ラインを不良ラインとして判定する。

不良ライン計数部は、強度比較部で不良ラインを判定する毎にその本数を計数し、各パネルにおいて電極毎の不良ラインを計数する。

また、不良ライン抽出手段を構成する第２の態様は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部と、強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部と、接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較する測定点数比較部と、測定点数比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備える構成とすることができる。

第２の態様は、一ライン中における測定信号強度の分布範囲は、接触の良・不良によって異なることを利用するものであり、各測定信号強度が予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。

強度比較部は、各測定信号強度と第３のしきい値とを比較する。第３のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値又は中心値に許容値を加えた値、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値又は中心値から許容値を差し引いた値により設定する。

接触が良好な場合の測定信号強度は第３のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度は第３のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に、当該測定信号を不良して判定する。

測定点計数部は、強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する。

一ラインにおいて、当該ラインと接続する電極の接触が良好である場合には、当該ラインにおいて測定信号強度が第３のしきい値を越える測定点の個数は少なく、当該電極の接触が不良である場合には、当該ラインにおいて測定信号強度が第３のしきい値を越える測定点の個数は多くなる。

測定点数比較部は、測定点計数部で計数した接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較し、計数値が第４のしきい値よりも大きい場合に当該ラインを不良ラインと判定する。

本発明の接触状態判定手段は、不良ライン計数部が計数した不良ライン数と第２のしきい値とを比較するライン数比較部を備える。ライン数比較部は、電極と接続するラインの内で不良ライン数が第２のしきい値が定める範囲内である場合に接触状態を接触不良と判定する。

接触不良と判定する範囲は、上限値と下限値とを含む第２のしきい値により設定することができ、不良ライン数が上限値を越える場合にはパネルに欠陥が存在すると判定し、不良ライン数が上限値と下限値との間である場合には接触不良であると判定し、不良ライン数が下限値以下の場合には接触は良好であると判定する。

本発明によれば、液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との接触不良を、測定信号を信号処理することでソフトウエアによって検出することができる。

また、欠陥分析を行う前の測定信号の段階で接触不良を検出することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。

図１は本発明の液晶アレイ検査装置を説明するために各構成部分を分離して示した概略図である。

液晶ガラス基板２１の基板上にはアレイが生成されたパネル２３ａ〜２３ｄが形成されている。この液晶ガラス基板２１の各パネル２３ａ〜２３ｄのサイズや配置、パネル上に生成されるアレイのレイアウト、電極、配線パターン等は仕様に応じて種々に設定される。アレイには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリックス状に生成され、各薄膜トランジスタを駆動する電極端子が形成され、また、アレイの外側にはプローバフレーム１にプローブピン２と電気的に接続するための電極２２が形成される。

本発明のプローバは、液晶ガラス基板２１に検査信号を印加するためのプローバフレーム１を備え、このプローバフレーム１には液晶ガラス基板２１の電極２２と接触して電気的に接続するためのプローブピン２を備える。プローブピン２のピン数及び配列は、液晶ガラス基板２１の電極２２に対応して設けられる。プローバフレーム１は、例えばアルミニウムやＳＵＳ等の金属材料で形成される。

液晶ガラス基板２１のアレイ検査を行うには、ステージ（図示しない）上に液晶ガラス基板２１を配置し、さらに液晶ガラス基板２１上にプローバフレーム１を載置し、プローブピン２を電極２２に電気的に接触させ（図１（ａ））、液晶ガラス基板２１に検査信号を供給して所定の駆動パターンで駆動する。

この液晶ガラス基板２１に対して電子源３から電子線を照射し、アレイから放出される二次電子を検出器４で検出する。測定装置１０は、検出信号を用いてアレイの欠陥分析を行う（図１（ｂ））。

パネル上で電子線を走査させ、検出器４は走査に伴って検出することにより、パネル上の二次元の測定信号強度の分布を取得する。本発明の液晶アレイ検査装置において、プローバフレームのプローブピンと液晶ガラス基板の電極との電気的接触の良否判定は、このパネル上の測定信号強度を二次元データ（イメージデータ）から縦方向、横方向のライン方向で測定信号強度を読み出し、これらのライン上の測定信号強度を用いることで電極の良否判定を行う。この縦方向のラインを用いた良否判定は、例えばパネルのゲート電極の良否判定に対応し、横方向のラインを用いた良否判定は、例えばパネルのソース電極の良否判定に対応する。

本発明による電極の良否判定の概略構成を図２の概略ブロック図を用いて説明する。

本発明による電極の良否判定は、接触不良ラインを抽出する第１の段階と、電極の良・不良の判定する第２の段階からなる。

第１の段階は接触不良ラインの抽出であり、液晶ガラス基板の各電極に接続されるソースラインやゲートライン等の複数のラインの中から不良ラインを検出する。液晶ガラス基板に設けられる電極には複数のラインが接続され、当該電極での接触が不良である場合には、これらラインで検出される測定信号強度は正常な接触状態に比較して低下する。各ラインについて測定信号強度を正常な接触状態の場合と比較することによって、当該ラインが正常であるか否かを判定し、接触不良のラインを抽出する。

第２の段階は電極の良・不良の判定であり、第１の段階で抽出した接触不良のラインの本数に基づいて接触不良を判定する。一つの電極には複数のラインが接続されており、これら複数のラインの多くが接触不良と判定されている場合には、当該電極に接触不良が発生していると判定し、接触不良と判定されるライン数が少ない場合には、当該電極には接触不良が発生していないと判定する。

上記の各段階は、検出器が検出した測定信号を用いて行うため、欠陥検査を行う前の段階で行うことができる。

２つの段階を実行する手段として、液晶アレイの各ラインの測定信号強度を用いて不良ラインを抽出し、各電極に接続されるライン中の不良ラインの本数を求める不良ライン抽出手段１２と、不良ライン数を用いて電極とプローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段１３とを備える。

次に、本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様について、図３〜図９を用いて説明する。

図３は本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。

液晶アレイ検査装置の第１の態様は、電極の良・不良による各ラインの測定信号強度の分布特性を利用する態様であり、測定信号強度の分布特性を測定点の測定信号強度の平均強度によって求め、この平均強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。

第１の態様による構成は、測定データ記憶部１１と、不良ライン抽出手段１２と、接触状態判定手段１３と、判定データ記憶部１４を備える。

測定データ記憶部１１は、検出器４による測定信号強度を液晶ガラス基板のパネル毎に記憶する。測定データはシグナルイメージの形態で記憶され、例えば各パネルの二次元配列で記憶される。

不良ライン抽出手段１２は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの平均強度を算出する平均強度演算部１２ａと、平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部１２ｂと、強度比較部１２ｂの比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部１２ｃとを備える。

平均強度演算部１２ａは、測定データ記憶部１１に記憶される測定信号強度をラインデータとして読み込み、各ラインの測定信号強度の平均値をソフトウエアによる演算処理によって算出する。

強度比較部１２ｂは、平均強度演算部１２ａで算出した平均値を判定データ記憶部１４に記憶する第１のしきい値と比較し、当該ラインの良否判定を行う。

図４は、ラインの良否判定を説明するための図である。第１のしきい値は、例えば接触不良時の測定信号強度の平均値に許容値を加えた値（図４（ａ））、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値から許容値を差し引いた値（図４（ｂ））により設定することができる。

図４（ｃ）において、接触が良好な場合には、測定値３０の平均強度３１は第１のしきい値３２より大となる。強度比較部１２ｂによる比較において、平均強度３１が第１のしきい値３２より大の場合には当該ラインは“良”と判定される。

一方、図４（ｄ）において、接触が不良な場合には、測定値３０の平均強度３１は第１のしきい値３２より小となる。強度比較部１２ｂによる比較において、平均強度３１が第１のしきい値３２より小の場合には当該ラインは“不良”と判定される。

接触状態判定手段１３は、不良ライン計数部１２ｃが計数した不良ライン数と第２のしきい値とを比較するライン数比較部１３ａを備える。

図５は不良ライン数による接触状態の判定を説明するための図である。図５（ａ）において、電極ａ，ｂにはそれぞれ複数のライン（ソースライン、ゲートライン）が接続される。各ラインは、前記不良ライン抽出手段１２によって良否判定される。不良ライン計数部１２ｃは、不良ラインと判定したラインに本数を計数している。ここで、電極ａに接続されるラインの内で不良ラインと判定された本数をＮａ本、電極ｂに接続されるラインの内で不良ラインと判定された本数をＮｂ本とする。

ライン数比較部１３ａは、不良ライン数と第２のしきい値とを比較する。第２のしきい値は、例えば図５（ｂ）に示すように、 “接触良”と“接触不良”とを識別する値Ｎ１と、“接触不良”と“パネル不良” とを識別する値Ｎ２を備える。

ここで、不良ライン数ＮａがＮ１以下の場合には“接触良”と判定し、不良ライン数ＮｂがＮ１とＮ２との範囲内である場合には“接触不良”と判定し、不良ライン数がＮ２を越える場合には“パネル不良”と判定する。

また、判定データ記憶部１４は、不良ライン抽出手段１２による不良ラインの抽出に用いる第１のしきい値と、接触状態判定手段１３による電極状態の判定に用いる第２のしきい値を備える。

次に、不良ライン抽出手段の動作について図６のフローチャートを用いて説明し、接触状態判定手段の動作について図７のフローチャートを用いて説明する。また、図８，９は不良ラインの抽出と接触状態判定を説明するための図である。

はじめに、プローバフレームを液晶ガラス基板上に載置し、プローブピンを液晶ガラス基板上の電極に当て（S1a)、プローバフレームに検査信号を印加して検出器から測定信号を取得し（S1b）、取得した測定信号の強度データを測定データ記憶部に記憶する。測定データ記憶部では、液晶ガラス基板上にパネル毎にシグナルイメージとしてパネルの二次元配列と対応可能に記憶する（S1c）。

少なくとも一パネルについて測定信号を記憶した後、電極の良否を行うパネルを選択する（S1d）。選択したパネルにおいて横方向あるいは縦方向の一ラインを選択する。横方向のラインは例えばソース電極に接続されるラインに関わり、縦方向のラインは例えばゲート電極に接続されるラインに関わる（S1ｅ）。

選択した一ライン分のラインデータ（測定信号強度）を測定データ記憶部から読み出し（S1ｆ）、平均強度を演算する（S1ｇ）。ライン不良判定用の強度データを判定データ記憶部から読み出し（S1h）、演算で求めた平均強度を読み出したライン不良判定用の強度データと比較する（S1i）。

比較の結果、平均強度が判定強度よりも大きい場合には（S1j）、良ラインと判定する（S1k）。一方、平均強度が判定強度よりも小さい場合には（S1j）、不良ラインと判定し（S1L）、不良ライン数を計数する（S1m）。

上記した（S1e）〜（S1m）の工程を、１パネルに含まれる全ライン（横方向のラインと縦方向のライン）について行って、全ライン中の不良ラインの本数を計数する（S1n）。

次に、電極の良否判定を行う。電極の良否判定は、計数した不良ラインの本数を読み出し（S2a）、接触不良判定用のライン数データを判定データ記憶部から読み出し（S2b）、不良ラインの本数を接触不良判定用のライン数データと比較する（S2c）。

比較の結果、不良ライン数が判定データよりも小さい場合には（S2d）、接触良の電極と判定する（S2e）。一方、不良ライン数が判定データよりも大きい場合には（S2d）、接触不良の電極と判定し（S2f）、判定結果を表示する（S2g）。これにより、一パネル内の電極の接触の良否判定を行うことができる。

（S1d）〜（S2g）の各工程を繰り返すことによって、液晶ガラス基板上に生成される全パネルが備える電極について電極の接触の良否判定を行う。

ここで、図８はソース電極の接触の良否判定を行う場合を示し、図９はゲート電極の接触の良否判定を行う場合を示している。

図８のソース電極の接触の良否判定では、例えばソース電極Saに接続される複数のソースラインについて、平均強度ｍsa1〜ｍsa4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭsと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎsa本を判定データＮsと比較し、Ｎsa＜Ｎsから接触良と判定する。

また、ソース電極Sbに接続される複数のソースラインについて、平均強度ｍsb1〜ｍsb4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎsb本を判定データＮsと比較し、Ｎsb＞Ｎsから接触不良と判定する。

図９のゲート電極の接触の良否判定では、例えばゲート電極Gaに接続される複数のゲートラインについて、平均強度ｍga1〜ｍga4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭgと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎga本を判定データＮgと比較し、Ｎga＜Ｎgから接触良と判定する。

また、ゲート電極Gbに接続される複数のゲートラインについて、平均強度ｍgb1〜ｍgb4，…を演算し、ライン不良判定用の強度データＭgと比較してラインの良否判定を行う。このラインの良否判定において、不良ラインの本数Ｎgb本を判定データＮgと比較し、Ｎgb＞Ｎgから接触不良と判定する。

次に、本発明の液晶アレイ検査装置の第２の態様について、図１０〜図１２を用いて説明する。

図１０は本発明の液晶アレイ検査装置の第２の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。

液晶アレイ検査装置の第２の態様は、一ライン中における各測定信号強度を予め定めたしきい値と比較することによってラインの良・不良の判定を行う。

第２の態様による構成は、第１の態様と同様に、測定データ記憶部１１と、不良ライン抽出手段１２と、接触状態判定手段１３と、判定データ記憶部１４を備え、第１の態様とは不良ライン抽出手段１２の構成、判定データ記憶部１４に記憶するデータの点で相違し、その他の構成については第１の態様と同様である。

以下、第１の態様と相違する構成についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。

第２の態様が備える不良ライン抽出手段１２は、各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部１２ｄと、強度比較部１２ｄの比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部１２ｅと、接触不良の測定点の計数値と第４のしきい値と比較する測定点数比較部１２ｆと、測定点数比較部１２ｆの比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部１２ｇとを備える。

強度比較部１２ｄは、各測定信号強度と第３のしきい値とを比較する。第３のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値又は中心値に許容値を加えた値、あるいは接触良好時の測定信号強度の平均値又は中心値から許容値を差し引いた値により設定する。

接触が良好な場合の測定信号強度は第３のしきい値より大きくなり、接触が不良な場合の測定信号強度は第３のしきい値よりも小さくなる。強度比較部は測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に、当該測定信号を不良して判定する。

図１１は、ラインの良否判定を説明するための図である。第３のしきい値は、例えば接触不良時の基準強度（測定信号強度の平均値又は中心値）に許容値を加えた値（図１１（ａ））、あるいは接触良好時の基準強度（測定信号強度の平均値又は中心値）から許容値を差し引いた値（図１１（ｂ））により設定することができる。

図１１（ｃ）において、接触が良好な場合には、各測定値３０は第３のしきい値３３より大となる。強度比較部１２ｂによる比較において、測定値３０が第３のしきい値３３より小となる測定点を抽出し、一ライン中において不良と判定される測定点の個数を計数部１２ｅで計数する。測定点数比較部１２ｆは、計数部１２ｅで計数した測定点の個数n1を第４のしきい値と比較し、個数n1が第４のしきい値Ｎより小である場合には当該ラインは“良”と判定される。

一方、図１１（ｄ）において、接触が不良な場合には、測定値３０は第３のしきい値３３より小となる。強度比較部１２ｂによる比較において、測定値３０が第３のしきい値３３より小となる測定点を抽出し、一ライン中において不良と判定される測定点の個数を計数部１２ｅで計数する。測定点数比較部１２ｆは、計数部１２ｅで計数した測定点の個数n1を第４のしきい値と比較し、個数n1が第４のしきい値Ｎより大である場合には当該ラインは“不良”と判定される。

判定データ記憶部１４は、不良ライン抽出手段１２による不良ラインの抽出に用いる第３のしきい値と第４のしきい値、接触状態判定手段１３による電極状態の判定に用いる第２のしきい値を備える。

次に、第２の態様の不良ライン抽出手段の動作について図１２のフローチャートを用いて説明する。図１２に示すフローチャートは、前記図６のフローチャート中の（S1g）〜（S1j）の工程において相違し、その他の工程は共通している。

以下では、第１の態様と相違するいかでは（S1G）〜（S1J）の工程についてのみ説明し、その他の工程については説明を省略する。

選択した一ライン分のラインデータ（測定信号強度）を測定データ記憶部から読み出した後（S1ｆ）、測定値を第３のしきい値と比較し（S1G）、第３のしきい値を下回る測定点の個数を計数する（S1H）。計数値を第４のしきい値と比較する（S1I）。

比較の結果、計数値が第４のしきい値よりも小さい場合には（S1J）、接触良ラインと判定する（S1K）。一方、計数値が第４のしきい値よりも大きい場合には（S1J）、不良ラインと判定し（S1L）、不良ライン数を計数する（S1m）。

なお、前記した各態様のしきい値は一例であり、液晶ガラス基板やパネルの仕様に応じて変更することができる。本発明の液晶アレイ検査装置によれば、全ての処理をソフトウエアにより行うため、ハードウエアを追加することなく接触の良否判定を行うことができる。

また、本発明の液晶アレイ検査装置による測定信号の平均強度の演算は、欠陥抽出の処理と比較して処理の容易さや計算時間等の点において優れている。

本発明の液晶パネルのほか、有機ＥＬパネルの検査等に適用することができる。

本発明の液晶アレイ検査装置を説明するために各構成部分を分離して示した概略図である。 本発明による電極の良否判定の概略構成を説明するための概略ブロック図である。 本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。 本発明の液晶アレイ検査装置の第１の態様のラインの良否判定を説明するための図である。 本発明の不良ライン数による接触状態の判定を説明するための図である。 本発明の第１の態様の不良ライン抽出手段の動作を説明するためのフローチャートである。 本発明の第１の態様の接触状態判定手段の動作を説明するためのフローチャートである。 不良ラインの抽出と接触状態判定を説明するための図である。 不良ラインの抽出と接触状態判定を説明するための図である。 本発明の液晶アレイ検査装置の第２の態様の構成を説明するための概略ブロック図である。 本発明のラインの良否判定を説明するための図である。 本発明の第２の態様の不良ライン抽出手段の動作を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１…プローバフレーム、２…プローブピン、３…電子源、４…検出器、１０…測定装置、１１…測定データ記憶部、１２…不良ライン抽出手段、１２ａ…平均強度演算部、１２ｂ…強度比較部、１２ｃ…不良ライン計数部、１２ｄ…強度比較部、１２ｅ…測定点計数部、１２ｆ…測定点数比較部、１２ｇ…不良ライン計数部、１３…電極状態判定手段、１３ａ…不良ライン数比較部、１４…判定データ記憶部、１４ａ…第１のしきい値、１４ｂ…第２のしきい値、１４ｃ…第３のしきい値、１４ｄ…第４のしきい値、２１…液晶ガラス基板、２２…電極、２３ａ〜２３ｄ…パネル、３０…測定値、３１…平均強度、３２…第１のしきい値、３３…第３のしきい値。

Claims (7)

1. 複数本のラインと複数の電極が設けられ、前記ラインは前記電極の何れか一つの電極に接続されてなる液晶基板に対し、前記各電極にプローバフレームが備える複数のプローブピンの何れか一つを接触させ各電極に接続される各ラインに検査信号を供給し、前記液晶基板上に形成された液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、
   前記プローブピンと前記電極との間の接触状態の良・不良による測定信号強度の強度分布のレベルの違いを識別するしきい値を定めておき、
   パネル上で電子線を走査させ、検出器によってパネル上の二次元の測定信号強度の分布を取得し、
   前記パネル上の二次元の測定信号強度から各ラインの測定信号強度の強度分布のレベルを求め、
   前記求めた強度分布のレベルを前記しきい値と比較し、
   前記比較によって、各電極に接続される各ラインの中から、前記接触状態が不良である場合の強度分布のレベルを有するラインを不良ラインとして抽出し、
   各電極に接続される複数本のラインの中から不良ラインとして抽出したラインの本数を求める不良ライン抽出手段と、
   前記不良ラインとして抽出したラインの本数に基づいて前記電極と前記プローブピンとの接触状態の良・不良を判定する接触状態判定手段とを備えることを特徴とする、液晶アレイ検査装置。
2. 前記不良ライン抽出手段は、
   パネル上の二次元の測定信号強度の分布から読み出した各ラインに含まれる測定点の測定信号強度を用いて当該ラインの測定信号強度の平均強度を算出する平均強度演算部と、
   前記平均強度と第１のしきい値とを比較する強度比較部と、
   前記強度比較部の比較結果に基づいて、接触不良と判定した不良ラインの数を計数する不良ライン計数部とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の液晶アレイ検査装置。
3. 前記第１のしきい値は、接触不良時の前記ラインの測定信号強度の平均値に許容値を加えた値、又は接触良好時測定信号強度の平均値から所定値を差し引いた値により設定し、
   前記強度比較部は、前記平均強度演算部が算出した平均強度が第１のしきい値よりも小さい場合に、当該ラインを不良ラインと判定することを特徴とする、請求項２に記載の液晶アレイ検査装置。
4. 不良ライン抽出手段は、
   各ラインに含まれる測定点の測定信号強度と第３のしきい値とを比較する強度比較部と、前記強度比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した測定点の数を計数する測定点計数部と、
   前記測定点計数部の測定点の計数値と第４のしきい値とを比較する測定点数比較部と、
   前記測定点数比較部の比較結果に基づいて接触不良と判定した不良ライン数を計数する不良ライン計数部とを備え、
   第３のしきい値は、一ライン中において接触の良不良を判定するために、ライン上の測定点の測定信号強度と比較するための値であり、
   第４のしきい値は、ラインの良不良を判定するために、測定点計数部で計数した測定点の個数と比較するための値であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶アレイ検査装置。
5. 前記第３のしきい値は、接触不良時の測定信号強度の平均値又は中心値に所定値を加えた値、あるは接触良好時の測定信号強度の平均値又は中心値から所定値を差し引いた値に設定し、
   前記強度比較部は、測定信号強度が第３のしきい値よりも小さい場合に当該測定点を接触不良と判定し、
   前記第４のしきい値は接触不良とみなす測定点数であり、
   前記測定点比較部は測定点の計数値が第４のしきい値よりも大きい場合に当該ラインを不良ラインと判定することを特徴とする、請求項４に記載の液晶アレイ検査装置。
6. 前記接触状態判定手段は、
   前記不良ライン数計数部が計数した不良ライン数と接触良と接触不良とを識別するための異なる２つの値を有する第２のしきい値とを比較するライン数比較部を備え、
   前記ライン数比較部は、前記不良ライン数が前記第２のしきい値が定める範囲内である場合に前記接触状態を接触不良と判定することを特徴とする、請求項１乃至５の何れかに記載の液晶アレイ検査装置。
7. 前記接触状態判定手段のライン数比較部は、
   前記不良ライン数が前記第２のしきい値の異なる２つの値が定める範囲以上である場合に前記液晶アレイの欠陥と判定することを特徴とする、請求項６に記載の液晶アレイ検査装置。