CN1996032A - 布线不良检查方法以及布线不良检查装置 - Google Patents

Abstract

一种检查装置，检测在形成像素部之前的TFT基板中的栅极布线的断线及短路。它是检查TFT基板(1)中的栅极布线(2)的不良的检查装置，该TFT基板(1)具有作为检查对象的多条栅极布线(2)和在与栅极布线(2)之间可分别构成布线间电容的多条COM布线3。它包括：对栅极布线(1)施加电压的脉冲发生部；检测在栅极布线(2)和COM布线(3)之间的布线间电容的电容检测器(50)；以及在COM布线(3)和电容检测器(5)之间连接的电容器。

Description

布线不良检查方法以及布线不良检查装置

技术领域

本发明涉及一种布线不良检查方法以及布线不良检查装置。

背景技术

如图7中所示，为了检查TFT基板1000的点缺陷及线缺陷，通过使测量探针1003、1004与在TFT基板上形成的漏极布线1001及栅极布线1002的端子部(漏极端子1001A、栅极端子1002A)接触，而使TFT基板1000与未图示的测试器(包括电容检测器及控制装置而构成测试器)连接。在此状态下，从测试器对TFT基板1000施加规定的电压，对在TFT基板1000上形成的像素电容进行电荷的写入、读出。由此，检测出不良位置。这种检测方式称为像素保持电容检测方式。

此外，如图8中所示，在形成像素和晶体管之前(例如，形成栅极布线为止的阶段)的TFT基板2000中，通过利用未图示的电流检测器，对栅极端子1002A上施加规定电压，检测从COM端子1005A流入的电流，来实施栅极布线1002和COM布线1005之间有无短路的检查。尽管在未发生短路的栅极布线1002中不会产生电流流入电流检测器的情况，但在栅极布线-COM布线之间短路产生的线中，由于产生电流流入电流检测器的情况，因此就能够判断出存在短路。

但是，由于在现有的像素保持电容检测方式中，检测TFT基板1000上的像素部1007的保持电容以检测点缺陷·线缺陷，所以就会存在所谓不能够检测在未形成有像素部1007的状态下的栅极布线1002的断线的问题。

鉴于上述问题而提出的现有技术，例如，专利文献1中就进行了公开。

专利文献1的技术是一种通过采用由装载在探针单元中的晶体管及电容构成的栅极线测试用基板及数据线测试用基板就能够检测像素部形成前的有源矩阵基板的线缺陷的技术。

专利文献1  特开2002-40075号公报

发明内容

但是，在上述专利文献1的技术中，存在所谓必须采用栅极线测试用基板和数据线测试用基板而检查装置不简便的问题。

为了解决上述问题而提出本发明，本发明的目的在于，提供一种可更加简便地检测基板上的布线不良的布线不良检查方法及布线不良检查装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的布线不良检查方法，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第二布线，该检查方法的特征在于，包括：对上述第1布线施加电压的第1过程；在进行上述第1过程的同时，检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的第2过程。

在本发明的布线不良检查方法中，优选利用与上述第2布线连接的电容检测装置来进行上述第2过程。

在本发明的布线不良检查方法中，优选在上述第2布线和上述电容检测装置之间连接电容器的状态下进行上述第2过程。

此外，本发明的布线不良检查方法，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，该检查方法的特征在于，包括：对上述第2布线施加电压的第1过程；在进行上述第1过程的同时，检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的第2过程。

在本发明的布线不良检查方法中，优选利用与上述第1布线连接的电容检测装置来进行上述第2过程。

在本发明的布线不良检查方法中，优选在上述第1布线和上述电容检测装置之间连接电容器的状态下进行上述第2过程。

在本发明的布线不良检查方法中，优选相互大致平行地形成上述第1布线和上述第2布线。

在本发明的布线不良检查方法中，优选在同层中形成上述第1布线和上述第2布线。

在本发明的布线不良检查方法中，优选多个上述第2布线汇集在1个端子。

此外，本发明的布线不良检查装置，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，该检查装置的特征在于，包括：对上述第1布线施加电压的电压施加装置；检测在上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的电容检测装置。

在本发明的布线不良检查装置中，优选上述电容检测装置与上述第2布线连接。

在本发明的布线不良检查装置中，优选还包括在上述第2布线和上述电容检测装置之间连接的电容器。

在本发明的布线不良检查装置中，优选还包括：可连接在上述第2布线和上述电容检测装置之间的电容器；以及用于切换通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第2布线的状态和不通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第2布线的状态的开关。

此外，本发明的布线不良检查装置，检测基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，其特征在于，包括：对上述第2布线施加电压的电压施加装置；检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的电容检测装置。

在本发明的布线不良检查装置中，优选上述电容检测装置与上述第1布线连接。

在本发明的布线不良检查装置中，优选还包括在上述第1布线和上述电容检测装置之间连接的电容器。

在本发明的布线不良检查装置中，优选还包括：可连接在上述第1布线和上述电容检测装置之间的电容器；以及用于切换通过上述电容器对上述电容检测装置连接的状态和不通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第1布线的状态的开关。

在本发明的布线不良检查装置中，优选相互大致平行地形成上述第1布线和上述第2布线。

在本发明的布线不良检查装置中，优选在同层中形成上述第1布线和上述第2布线。

在本发明的布线不良检查装置中，优选多个上述第2布线汇集在1个端子。

发明效果

根据本发明，由于在对第1布线和第2布线施加电压的同时，利用电容检测装置来检测第1布线和第2布线之间的布线间电容，例如，就能够采用简单的装置来更好地检查形成像素部和晶体管之前的TFT基板的栅极布线等中的断线。

此外，在第2布线或第1布线和电容检测装置之间连接电容器的状态下，通过利用电容检测装置检测第1布线和第2布线之间的布线间电容，即使在第1布线的断线和短路同时存在的情况下，使用简单的装置也能够更好地检查断线及短路。

附图说明

图1是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。

图2是表示根据实施方式的检测装置的结构的方框图。

图3是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。

图4是在电容检测器中直接连接检测用探针的情况下、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容曲线的示意图。

图5是在通过散热器将检测用探针连接到电容检测器的情况下、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容的曲线的图。

图6是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。

图7是用于说明现有的断线检查方法的TFT基板的典型平面图。

图8是用于说明现有的短路检查方法的TFT基板的典型平面图。

符号说明

1   TFT基板

2   栅极布线(第1布线)

3   COM布线(第2布线)

3A  COM端子(端子)

10  脉冲产生部(脉冲产生装置)

30  开关

40  电容器

50  电容检测器(电容检测装置)

100 检查装置

具体实施方式

下面，参照附图，说明根据本发明的实施方式。

在本实施方式中，说明检测在TFT基板上形成的栅极布线的断线及短路的检查装置及检查方法。

首先，说明具有作为检查对象的栅极布线的TFT基板的结构。

图1是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。

如图1中所示，在TFT基板1中，形成有多个COM布线(第2布线)3和作为检查对象的多个栅极布线(第1布线)2。

各栅极布线2直线状延伸，相互平行且等间隔地排列。

此外，各COM布线3也直线状延伸，相互平行且等间隔地排列。

进一步地，在相互平行地形成栅极布线2和COM布线3的同时，栅极布线2和COM布线3还一条一条交替地进行配置。

此外，在TFT基板1中的同一层中(同层)形成各栅极布线2和各COM布线3。

在各栅极布线2的一个端部处，形成有接触后述的施加用探针11的栅极端子2A。

此外，各COM布线3在各栅极端子2A的相反侧处汇集成1条，并导向COM端子3A。使后述的检测用探针21接触到此COM端子3A。

接着，说明检查装置的结构。

图2是表示根据实施方式的检查装置100的结构的方框图。

如图2中所示，检查装置100构成为包括：与检查对象的布线(例如，栅极布线2)的端子(例如，栅极端子2A)接触的施加用探针11；产生对此施加用探针11供给的电压脉冲的脉冲发生部(电压施加装置)10；与在与检查对象的布线间构成布线电容的布线(例如，COM布线3)的端子(例如，COM端子3A)接触的检测用探针21；开关30；电容器40；检测电容的电容检测器(电容检测装置)50；进行控制操作的控制部60；以及进行显示操作的显示部70。

开关30在控制部60的控制之下进行以下切换：对电容检测器50直接(不通过电容器40)连接检测用探针21、或通过电容器40使检测用探针21与电容检测器50连接。

接着，说明检查方法。

如图1中所示，使施加用探针11接触各栅极端子2A，另一方面，使检测用探针21接触COM端子3A。

此外，在控制部60的控制之下，开关30处于使检测用探针21直接(不通过电容器40)连接到电容检测器50的状态。

在此状态下，在控制部60的控制之下，脉冲发生部10产生脉冲电压，通过各施加用探针11在各栅极端子2A上顺序施加该脉冲电压。

这里，具体地，例如，在1个TFT基板1上形成大约1600条栅极布线2及COM布线3，对各栅极布线2赋予方便的编号。即，对各栅极布线2，例如，赋予从1号至大约1600号的栅极编号。并且，例如，按从栅极编号小起的顺序，顺序地对这些栅极布线2(栅极端子2A)施加脉冲电压。再有，例如，可列举此脉冲电压是矩形波。

此外，当这样对栅极布线2施加脉冲电压时，电容检测器50就通过检测用探针21及开关30来检测输入的电容值。此电容值就是在各栅极布线2和相邻的COM布线3之间形成的电容(以下，栅极-COM布线间电容)(参照图1)。

这里，与栅极布线2及COM布线3的布线长度相比，相邻的栅极布线2-COM布线3间的距离就非常短。

由此，如果电容检测器5是能够检测像素保持电容的检测器(例如，积分电路)的话，栅极-COM布线间电容就为完全可能检测出的值。即，作为电容检测器50，可以采用包括现有像素保持电容检测方式的检查装置的电容检测器。

这里，如图1中所示，当将产生断线的栅极布线2特别地作为栅极布线201时，与正常(无断线)栅极布线2构成的栅极-COM布线间电容相比，此栅极布线201构成的栅极-COM布线间电容的值变小。

由此，当检测出比在对正常栅极布线2施加脉冲电压时利用电容检测器50检测出的电容值小的电容值的情况下，就能够判断为产生断线。

但是，如上所述，对于使检测用探针21直接连接电容检测器50检测断线而言，当在任何一条栅极布线2和与该栅极布线2相邻的COM布线3之间发生短路时，由于对于电容检测器50正常地施加脉冲电压的Lo电压，所以总会产生流入电容检测器50的电流，不能检测出正常的栅极-COM布线间电容，结果，就不能够正确地检测出断线。

因此，在控制部60的控制之下切换开关30，如图3中所示，形成通过电容器40将检测用探针21连接到电容检测器50的状态，就能够抑制从短路发生位置向电容检测器50流入电流，确实地检测栅极布线2的断线。

这里，如图3中所示，虽然通过电容器40将检测用探针21连接到电容检测器50的情况下的栅极-COM布线间电容C比对于电容检测器50直接连接检测用探针21的情况下(图1)变小，但检测断线/短路时，能获得充分的电容，通过插入电容器40就使S/N比变得良好。

此外，在对电容检测器50直接连接检测用探针21的情况下(图1)，由于栅极布线-COM布线间的电容差比正常布线的小，所以栅极布线2的末端附近的断线难于检测，在通过电容器40在电容检测器50连接检测用探针21的情况下(图3)，即使栅极布线2的末端附近的断线也能够更好地检测。

接着，说明实际的实施例。

图4是在对电容检测器50直接连接检测用探针21的情况下(图1)、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容曲线的图。

这里，在大约1600条栅极布线2之中，从栅极编号100号的栅极布线2起每隔200号形成有断线。此外，栅极编号越大，越会在栅极端子2A附近的位置形成断线。

再有，作为脉冲电压，例如，采用电压25V、施加时间255毫秒的矩形波。再有，由于当脉冲电压的电压值越大时，或者施加时间越长时，就越有希望提高检测精度，所以在布线的耐压特性允许的范围之内，优选加大脉冲电压的电压值、增长其施加时间。

如图4中所示，在断线的某一栅极布线2之中，断线位置越接近栅极端子2A时，栅极-COM布线间电容越小，可知容易检测出断线。

这里，由于栅极-COM布线间电容，与栅极端子2A和断线位置的距离之间存在相关关系，所以就能给定在检测出断线的栅极布线2的什么位置发生断线。

再有，在如图4中所示的实例中，在栅极编号100号和300号的栅极布线2的情况下，在布线末端附近形成有断线，因未发生断线的栅极布线2的栅极-COM布线间电容的电容差过小而不能容易地检测出断线(根据条件可检测出)。

此外，在任何一个栅极布线2与COM布线3之间发生短路的TFT基板1中，由于利用图1的检查方法不能完全检测出栅极-COM布线间电容，所以虽然能够判定存在短路的情况，但却不能判定是否存在断线，因此，适用于图3的检查方法，即在通过电容器40将检测用探针21连接到电容检测器50的状态下进行的检查。

图5是在通过电容器40将检测用探针21连接到电容检测器50的情况下(图3)、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容的曲线的图。

通过电容器40进行连接的情况下，如图5中所示可知，当检查了存在断线及短路的TFT基板1时，断线·短路都能够检测出，即便在栅极布线末端部分处栅极-COM布线间电容比正常布线变小，也能够检测出断线。

再有，将利用电容检测器50检测结果的数据输入到控制器60，控制部60根据此数据，生成如图4及5中所示的曲线，就能够在显示部70中显示此曲线。

根据如上所述的实施方式，由于在对栅极布线2施加电压的同时，利用与COM布线3连接的电容检测器50检测栅极-COM布线间电容，所以能够采用简便的检查装置100来很好地检查形成像素部和晶体管之前的TFT基板1的栅极布线2中的断线。

由此，就能够通过早期地发现线缺陷来提高产品的合格率。这是因为，即使是TFT基板完成之后不能修正的缺陷，也能够通过修理和再加工进行修正。

此外，如图3中所示，由于在通过电容器40将检测用探针21连接到电容检测器50的状态下进行检测，就能够采用简单的检查装置100来适当地检查存在断线和短路的TFT基板1的栅极布线2中的断线以及短路。

再有，在上述实施方式中，虽然说明了作为检查对象的布线是栅极布线2，在与此栅极布线2之间构成布线间电容的布线是COM布线3的例子，但如果是相互平行地形成的布线，即便是栅极布线2与COM布线3之外组合，也同样能够检测出不良。

此外，在上述实施方式中，虽然说明了在基板(TFT基板1)中的同一层中形成作为检查对象的布线(栅极布线2)和在与此布线之间构成布线间电容的布线(COM布线3)的一个实例，但如果这些布线相互平行的话，即使在基板中，在互不相同层中形成，也同样能够检测出不良。

进一步地，在上述实施方式中，虽然说明了作为检查对象的布线(栅极布线2)和在与此布线之间构成布线间电容的布线(COM布线3)是相互平行的例子，但即使这些布线彼此不平行，原理上，也能够与上述相同，检测出的不良。对于这种情况下面参照图6进行说明。

图6是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。如图6中所示，形成多个漏极布线201和多个COM布线3以使它们彼此正交，在各漏极布线201的端部处形成有漏极端子201A。在此情况下，在漏极布线201和COM布线3的交叉部处构成布线间电容，所以与上述同样，也能够检测出不良。

此外，在上述实施方式中，虽然说明了包括用于切换在COM布线3和电容检测器50之间连接电容器40的状态和不连接电容器40的状态的开关30的例子，但也可以是不包含开关30而总是连接电容器40的状态。

此外，在上述实施方式中，虽然说明了包含可在COM布线3和电容检测器50之间连接的电容器40的实例，但也可以不包含电容器40。

进一步地，在上述实施方式中，虽然举例示出了栅极布线2侧作为脉冲电压的输入侧、COM布线3侧作为电容检测器50侧的结构，但与此实例相反，也可以是COM布线3侧作为脉冲电压的输入侧、栅极布线2侧作为电容检测器50侧。即，在检查基板中的第1布线不良的装置中，基板具有作为检查对象的多条第1布线(例如，栅极布线2)和在与第1布线之间可分别构成布线间电容的多条第2布线(例如，COM布线3)，该装置也可以按以下构成，包括：对第2布线施加电压的电压施加装置(脉冲发生部10)和检测第1布线和第2布线之间的布线间电容的电容检测装置(电容检测器50)。在此情况下，优选电容检测器50与栅极布线2连接，还包括连接在栅极布线2和电容检测器50之间的电容器40。或者，优选包括可连接在栅极布线2和电容检测器50之间电容器40，和用于切换通过电容器40对电容检测器50连接栅极布线2的状态和不通过电容器40对电容检测器50连接栅极布线2的状态的开关30。

Claims (13)

1.一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中，检查上述第1布线是否不良的方法，包括：

(a)对上述第1布线或上述第2布线施加电压；以及

(b)在进行上述步骤(a)时，检测在上述第1布线和上述第2布线之间构成的电容。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用与上述第2布线或上述第1布线电连接的电容检测装置来进行上述步骤(b)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在上述第2布线或上述第1布线和上述电容检测装置之间电连接了电容器的状态下进行上述步骤(b)。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，上述第1和第2布线大致相互平行地延伸。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，在同层上形成上述第1和第2布线。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，上述第2布线汇集于1个端子。

7、一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中，检查上述第1布线是否不良的装置，包括：

(a)对上述第1布线或上述第2布线施加电压的电压施加装置；以及

(b)检测在上述第1布线和上述第2布线之间构成的电容的电容检测装置。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，电容检测装置与上述第2布线或上述第1布线电连接。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，还包括电连接在上述第2布线或上述第1布线和上述电容检测装置之间的电容器。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，还包括：

电连接在上述第2布线或上述第1布线和上述电容检测装置之间的电容器；以及

给定第1状态和第2状态之一的开关，其中，第1状态是通过上述电容器而对上述电容检测装置电连接上述第2布线或上述第1布线，第2状态是不通过上述电容器而对上述电容检测装置电连接上述第2布线或上述第1布线。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的装置，其中，上述第1和第2布线大致相互平行地延伸。

12.根据权利要求7至10中任意一项所述的装置，其中，在同层上形成上述第1和第2布线。

13.根据权利要求7至10中任意一项所述的装置，其中，上述第2布线汇集于1个端子。

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