JP5466393B2 - Tftアレイの検査方法及びtftアレイの検査装置 - Google Patents
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- TFT基板のTFTアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出することによって得られる各画素電極の電位の分布に基づいてTFTアレイの欠陥を検査するTFT基板の検査方法において、
TFTアレイのソースラインを挟んで隣接する画素電極列に異なる電圧を印加する駆動パターンを用い、当該駆動パターンによって得られる画素電極の電位の分布によって、前記隣接する画素電極間の短絡欠陥を検出する検査方法であり、
前記駆動パターンは、ソースラインに沿って隣接する画素電極列に対して、他方の画素電極列に正電圧を印加し一方の画素電極列に第1の負電圧を印加する第1の期間と、一方の画素電極列のみに第1の負電圧よりも負側の第2の負電圧を印加する第2の期間の2つの期間を時系列に有し、
前記画素電極列に印加する電圧はTFTアレイのソースラインの電圧であり、
前記第1の期間において、TFTアレイのゲートラインに正電圧を印加することによってTFTをオンとして前記ソースラインに電圧を印加し、
前記第2の期間において、ゲート電圧よりも低い負の第2の負電圧を印加し、当該第2の負電圧により一方の画素電極にドレイン電流を流して低い負電位とする検査信号を有し、当該駆動パターンの検査信号をソースラインに沿って隣接する画素電極列に対して極性を入れ替えて交互に印加し、第2の負電圧の印加によって、隣接する画素電極列の他方の画素電極列において短絡欠陥する画素電極を第2の負電位側に強制的にオフセットさせ、
前記第2の期間で取得される各画素電極の電位の分布を画素電極毎に加算し、
加算した電位の分布において、短絡欠陥した隣接する画素電極の電位を正常な画素電極の電位よりも負電位側に偏らせ、正常状態における電位と比較することによってソースラインを挟んで隣接する画素電極間の短絡欠陥を検出することを特徴とするTFT基板の検査方法。 - TFT基板のTFTアレイに対して電圧を印加し、当該電圧印加による電圧状態を電子線照射により得られる二次電子を検出することによって得られる各画素電極の電位の分布に基づいてTFTアレイの欠陥を検査するTFT基板の検査装置であって、
TFT基板に電子線を照射する電子線源と、
TFT基板から放出される二次電子を検出する検出器と、
TFT基板のTFTアレイに検査信号を生成し印加する検査信号生成部と、
前記検出器の検出信号に基づいて前記駆動パターンによって得られる画素電極の電位の分布によって、前記隣接する画素電極間の短絡欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、
前記検査信号生成部は、
TFTアレイのソースラインを挟んで隣接する画素電極列に異なる電圧を印加する駆動パターンの検査信号を生成し、前記駆動パターンの検査信号をソースラインに沿って隣接する画素電極列に対して極性を入れ替えて交互に印加し、
前記駆動パターンは、ソースラインに沿って隣接する画素電極列に対して、他方の画素電極列に正電圧を印加し一方の画素電極列に第1の負電圧を印加する第1の期間と、前記一方の画素電極列のみに前記第1の負電圧よりも負側の第2負電圧を印加する第2の期間の2つの期間を時系列に有し、
前記画素電極列に印加する電圧はTFTアレイのソースラインの電圧であり、
前記第1の期間において、TFTアレイのゲートラインに正電圧を印加することによってTFTをオンとして前記ソースラインに電圧を印加し、
前記第2の期間において、ゲート電圧よりも低い負の第2の負電圧を印加し、当該第2の負電圧により一方の画素電極にドレイン電流を流して低い負電位とすることによって、前記隣接する画素電極列の一方の画素電極列のみに第2の負電圧を印加し、当該第2の負電圧の印加によって、隣接する画素電極列の他方の画素電極列において短絡欠陥する画素電極を第2の負電位側に強制的にオフセットさせ、
前記欠陥検出部は、前記第2の期間で取得される各画素電極の電位の分布を画素電極毎に加算し、加算した電位の分布において、短絡欠陥した隣接する画素電極の電位を正常な画素電極の電位よりも負電位側に偏らせ、正常状態における電位と比較することによってソースラインを挟んで隣接する画素電極間の短絡欠陥を検出することを特徴とする、TFT基板の検査装置。
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