JP2013205136A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置自体で放射線の照射開始を検出する放射線画像撮影装置において、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、二次元状に配列された複数の放射線検出素子のうち、放射線画像取得用の放射線検出素子７に接続されたスイッチ手段８には第１走査線５を介して走査駆動手段１５からオン電圧を印加し、放射線検出用の放射線検出素子７Ａに接続されたスイッチ手段８Ａには第２走査線５Ａを介して電圧印加手段２５からオン電圧を印加し、制御手段２２は放射線検出用の放射線検出素子７Ａから読み出された照射開始検出用データｄに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するように構成されており、スイッチ手段８、８Ａは、放射線検出素子７、７Ａにより光または放射線から遮蔽されることなく、光または放射線に暴露される状態に形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線の照射開始を検出して放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置に関する。

照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレーター等で可視光等の他の波長の光に変換した後、変換され照射された光のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号（すなわち画像データ）に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。

このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台と一体的に形成された、いわゆる専用機型として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。

このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図２等に示すように、通常、複数の放射線検出素子７が、検出部Ｐ上に二次元状（マトリクス状）に配列され、各放射線検出素子７にそれぞれ薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８で形成されたスイッチ手段が接続されて構成される。

そして、通常、放射線発生装置の放射線源から放射線画像撮影装置に対して、被撮影者の身体等すなわち被写体を介して放射線が照射されることで、放射線画像撮影が行われる。そして、撮影後、ゲートドライバー１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各ＴＦＴ８を順次オン状態として、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生して蓄積された電荷を各信号線６に順次放出させて、各読み出し回路１７で画像データＤとしてそれぞれ読み出すように構成される。

ところで、このような放射線画像撮影装置を用いた従来の放射線画像撮影システムでは、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間で信号のやり取りを行って放射線画像撮影を行っていた。しかし、例えば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置の製造元が異なっているような場合には、両者の間でインターフェースを構築することが必ずしも容易でない場合があり、或いは、インターフェースを構築できない場合もある。

このような場合、放射線画像撮影装置側から見ると、放射線源からどのようなタイミングで放射線が照射されるかが分からない。そのため、このような場合には、放射線画像撮影装置が、放射線源から放射線が照射されたことを装置自体で検出できるように構成される必要がある。そして、このように放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始を検出して撮影を行うことが可能な放射線画像撮影装置が種々開発されている。

その際、例えば、複数の放射線検出素子７が二次元状に配列された領域（以下、後述するように検出部Ｐという。）外に放射線を検出可能なセンサーを配置すると、照射野が狭められた状態で放射線が照射された場合に、センサーで放射線の照射が開始されたことを検出できなくなる場合が生じる。

そこで、特許文献４に記載の放射線画像撮影装置では、二次元状に配列された放射線検出素子７の一部を上記のセンサーとして用いるように構成することが提案されている。そして、センサーとして用いる放射線検出素子７を、二次元状の各放射線検出素子７の中に適切に散りばめて配置することで、照射される放射線の照射野が狭められても、いずれかのセンサーとしての放射線検出素子７で放射線の照射開始を検出することができる。

そのため、上記のように構成することで、二次元状に配列された放射線検出素子７の中に散りばめられたセンサーとしての放射線検出素子７により、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。

特開平９−７３１４４号公報 特開２００６−０５８１２４号公報 特開平６−３４２０９９号公報 特開２０１２−０１５９１３号公報

ところで、本発明者らも、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始を検出する技術について研究を重ねる中で、上記の放射線画像撮影装置の構成をさらに工夫すれば、放射線の照射が開始されたことをより的確に検出することが可能であることが分かってきた。

本発明は、上記の点を鑑みてなされたものであり、装置自体で放射線の照射開始を検出する放射線画像撮影装置において、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記各放射線検出素子のうち、放射線画像取得用の前記放射線検出素子に接続された前記スイッチ手段に、第１走査線を介してオン電圧を印加する走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子のうち、放射線検出用の前記放射線検出素子に接続された前記スイッチ手段に、第２走査線を介してオン電圧を印加する電圧印加手段と、
前記放射線画像取得用の放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出し、前記放射線検出用の放射線検出素子から放出された前記電荷を照射開始検出用データに変換して読み出す読み出し回路と、
放射線の照射が開始されたことを検出し、前記放射線画像取得用の放射線検出素子からそれぞれ前記画像データを読み出す制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記放射線検出用の放射線検出素子から読み出された前記照射開始検出用データに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するとともに、検出後、少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路とを制御して前記放射線画像取得用の放射線検出素子からそれぞれ前記画像データを読み出させるように構成されており、
前記スイッチ手段は、前記放射線検出素子により光または放射線から遮蔽されることなく、光または放射線に暴露される状態に形成されていることを特徴とする。

本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、照射された放射線（直接型の場合）やシンチレーターからの光（間接型の場合）がスイッチ手段であるＴＦＴに到達するように構成したため、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されると、ＴＦＴにも放射線や光が照射される。そして、放射線や光が照射されると、ＴＦＴを介して放射線画像取得用の放射線検出素子からリークする電荷がより大きな電荷に増加する。

そのため、特許文献４に記載された、ＴＦＴに放射線や光が照射されない構造の放射線画像撮影装置に比べて、放射線画像撮影装置に対して放射線の照射が開始された時点での照射開始検出用データの増加の度合を、放射線画像取得用の各放射線検出素子からＴＦＴを介してリークする電荷が増加する分だけ大きくすることが可能となる。

そのため、放射線画像撮影装置に放射線が照射された場合に、読み出される照射開始検出用データがより確実に閾値以上になり、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。

また、特に放射線画像撮影装置に照射される放射線の線量率が小さい場合には、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始される前後の照射開始検出用データの増加の度合が小さくなるが、そのような場合でも、本発明のような方式の放射線画像撮影装置は上記のような特性を有するため、読み出される照射開始検出用データが確実に閾値以上になる。そのため、放射線の線量率が小さいような場合でも、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。

放射線画像撮影装置の断面図である。 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。 放射線検出素子やＴＦＴの構成を説明する断面図である。 画像データの読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。 読み出される照射開始検出用データの時間的推移等を表すグラフである。 各ＴＦＴを介して放射線検出素子から信号線に僅かに電荷がリークしていることを説明する図である。 放射線検出用の放射線検出素子から流入する電荷と他の放射線画像取得用の放射線検出素子からＴＦＴを介してリークする電荷の合計値に応じた信号が照射開始検出用データとして読み出されることを説明する図である。 特許文献４に記載された放射線画像撮影装置で生じている状況を説明する図である。 本実施形態に係る放射線画像撮影装置では放射線が照射されると放射線画像取得用の各放射線検出素子からＴＦＴを介してリークする電荷が増加することを説明する図である。 第１走査線にオン電圧を順次印加させて放射線画像取得用の各放射線検出素子のリセット処理を行うように構成した構成例におけるタイミングチャートである。 全ての第１走査線にオン電圧を同時に印加させて放射線画像取得用の各放射線検出素子のリセット処理を行うように構成した構成例におけるタイミングチャートである。 一部の複数の第１走査線にオン電圧を同時に印加させて放射線画像取得用の各放射線検出素子のリセット処理を行うように構成した構成例におけるタイミングチャートである。 電流検出手段を設けた場合の放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレーター等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の光に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレーター等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。

また、放射線画像撮影装置がいわゆる可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型の放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することが可能である。

本実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の断面図である。

本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、図１に示すように、放射線が照射される側の面である放射線入射面Ｒを有する筐体２内に、シンチレーター３や基板４等で構成されるセンサーパネルＳＰが収納されて構成されている。また、図１では図示を省略するが、本実施形態では、筐体２には、外部装置と信号の送受信を行ったり画像データＤ等を無線方式で外部装置に送信する通信手段であるアンテナ装置４１（後述する図２参照）が設けられている。

また、図１では図示を省略するが、本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、筐体２の側面等にコネクターを備えており、コネクターを介して外部装置との間で有線方式で信号等の送受信を行うことができるようになっている。そのため、このコネクターも放射線画像撮影装置１の通信手段として機能するようになっている。

図１に示すように、筐体２内には、基台３１が配置されており、基台３１の放射線入射面Ｒ側に図示しない鉛の薄板等を介して基板４が設けられている。そして、基板４の放射線入射面Ｒ側の面側には、照射された放射線を可視光等の光に変換するシンチレーター３が設けられている。そして、本実施形態では、シンチレーター３はシンチレーター基板３４上に設けられ、シンチレーター３が基板４側に対向する状態で設けられている。

また、基台３１の基板４が設けられた面とは反対側の面側には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３やバッテリー２４等が取り付けられている。本実施形態では、このようにして、基台３１や基板４等でセンサーパネルＳＰが形成されている。また、本実施形態では、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。

本実施形態では、基板４はガラス基板で構成されており、基板４の、シンチレーター３に対向する面上には、複数の第１走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。また、基板４の当該面上の複数の第１走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域には、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。

このように、第１走査線５と信号線６で区画された各小領域に二次元状（マトリクス状）に複数の放射線検出素子７が配列された小領域の全体、すなわち後述する図２に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。本実施形態では、放射線検出素子７はフォトダイオードが用いられているが、例えばフォトトランジスター等を用いることも可能である。

ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図２は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図３は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。

各放射線検出素子７のうちの大多数は、通常の放射線画像撮影装置における放射線検出素子と同様に、放射線画像を生成するためのデータである上記の画像データＤを取得するための放射線画像取得用の放射線検出素子７として構成されている。なお、放射線画像取得用の放射線検出素子７を、以下、単に放射線検出素子７という。

そして、放射線検出素子７の第１電極７ａには、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図２や図３の「Ｓ」参照）が接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄおよびゲート電極８ｇ（図２や図３の「Ｄ」および「Ｇ」参照）は信号線６および第１走査線５にそれぞれ接続されている。

そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５から第１走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させる。また、第１走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。

一方、各放射線検出素子７のうちの一部の放射線検出素子７Ａは、後述する制御手段２２が放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたか否かを判定するために用いる照射開始検出用データｄを取得するための放射線検出用の放射線検出素子７Ａとして構成されている。

本実施形態では、放射線検出用の放射線検出素子７Ａは、二次元状に配列された各放射線検出素子７のうち、例えばｍ×ｎ個（ｍ、ｎは所定の自然数）の放射線検出素子７につき１個の割合で設ける等の所定の仕方で設けられる。

そして、放射線検出用の放射線検出素子７Ａの第１電極７Ａａには、スイッチ手段であるＴＦＴ８Ａのソース電極８Ａｓ（図２や図３の「Ｓ」参照）が接続されている。また、ＴＦＴ８Ａのドレイン電極８Ａｄおよびゲート電極８Ａｇ（図２や図３の「Ｄ」および「Ｇ」参照）は信号線６および第２走査線５Ａにそれぞれ接続されている。

本実施形態では、放射線検出用の放射線検出素子７ＡのＴＦＴ８Ａは、後述するように、前述した放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８と全く同様に構成されており、全く同様に機能する。

すなわち、ＴＦＴ８Ａは、後述する電圧印加手段２５から第２走査線５Ａを介してゲート電極８Ａｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８Ａｓやドレイン電極８Ａｄを介して放射線検出素子７Ａ内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させる。また、第２走査線５Ａを介してゲート電極８Ａｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７Ａから信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７Ａ内に電荷を蓄積させるようになっている。

ここで、放射線検出素子７やスイッチ手段としてのＴＦＴ８の構成について、図４に示す断面図を用いて説明する。なお、本実施形態では、放射線画像取得用の放射線検出素子７と放射線検出用の放射線検出素子７Ａ、およびＴＦＴ８とＴＦＴ８Ａはそれぞれ同じ構成であるため、以下、放射線検出素子７やＴＦＴ８等として説明する。

基板４のシンチレーター３（図４では図示省略）に対向する面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが図示しない第１走査線５（或いは第２走査線５Ａ）と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７ａと接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。

ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてスイッチ手段であるＴＦＴ８が形成されている。

一方、本実施形態では、放射線検出素子７は、基板４の面４ａ上におけるＴＦＴ８の側方の位置に設けられる。すなわち、放射線やシンチレーター３からの光が図４の上方から照射される場合、放射線検出素子７とスイッチ手段としてのＴＦＴ８は、放射線や光の進行方向（すなわち図４では下向きの方向）に対して直交する方向（図４では左右方向）に並設されるように設けられるようになっている。

そして、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上に、前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７２が積層されており、絶縁層７２上にＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７ａが積層されている。第１電極７ａは、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。

第１電極７ａの上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７４、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７５、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７６が下方から順に積層されて形成されている。

放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレーター３で可視光等の光に変換され、変換された光が図中上方から照射されると、光は放射線検出素子７のｉ層７５に到達して、ｉ層７５内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレーター３から照射された光を電荷に変換するようになっている。

また、ｐ層７６の上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極とされた第２電極７ｂが積層されて形成されており、照射された光がｉ層７５等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７６、ｉ層７５、ｎ層７４の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７６、ｉ層７５、ｎ層７４の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。

放射線検出素子７の第２電極７ｂの上面には、後述するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７ｂやバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７ａ、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第２パッシベーション層７８で被覆されている。

また、図４では図示を省略するが、本実施形態では、第２パッシベーション層７８の上方には、放射線検出素子７やＴＦＴ８等が形成されていることに伴う基板４の表面の凹凸を平坦化するための平坦化層が、アクリル樹脂等で形成される。そして、この平坦化層に当接するようにして図示しないシンチレーター３が配置されるようになっている。

上記のように、本実施形態では、放射線検出素子７は、基板４の面４ａ上におけるＴＦＴ８の側方の位置に設けられる。すなわち、放射線検出素子７は、ＴＦＴ８に対して、放射線や光の進行方向に対して直交する方向に並設される。

このように、本実施形態では、スイッチ手段であるＴＦＴ８は、図４では上方に設けられるシンチレーター３からの光（或いは放射線画像撮影装置１が直接型である場合には放射線画像撮影装置１に照射され図４では上方から照射される放射線）が直接到達する状態に形成される。

すなわち、本実施形態では、スイッチ手段であるＴＦＴ８は、放射線検出素子７によりシンチレーター３からの光（或いは直接型の場合の放射線）から遮蔽されることがなく、それらに曝露される状態に形成されるようになっている。なお、図４では、見易くするために放射線検出素子７とＴＦＴ８の大きさがほぼ同程度に表現されているが、実際には、ＴＦＴ８の大きさは、通常、放射線検出素子７よりも小さい。

一方、図２に示すように、本実施形態では、放射線検出用の放射線検出素子７Ａを含む１列の各放射線画像取得用の放射線検出素子７ごとに１本の割合で各放射線検出素子７、７Ａの第２電極７ｂ、７Ａｂにそれぞれバイアス線９が接続されている。そして、各バイアス線９は結線１０に結束されており、結線１０はバイアス電源１４に接続されている。そして、バイアス電源１４から結線１０や各バイアス線９を介して放射線検出素子７の第２電極７ｂや放射線検出用の放射線検出素子７Ａの第２電極７Ａｂに逆バイアス電圧が印加されるようになっている。

また、各信号線６は、各入出力端子１１を介して読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。本実施形態では、読み出し回路１７は、主に増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図２や図３等では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。

本実施形態では、図３に示すように、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサー１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えたチャージアンプ回路で構成されている。そして、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子に信号線６が接続されている。

また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。なお、本実施形態では、オペアンプ１８ａと相関二重サンプリング回路１９との間には、電荷リセット用スイッチ１８ｃと連動して開閉するスイッチ１８ｅが設けられており、スイッチ１８ｅは、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン／オフ動作と連動してオフ／オン動作するようになっている。

放射線画像取得用の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際には、図５に示すように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから各第１走査線５を介して各放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧が印加される。

そして、ＴＦＴ８にオン電圧が印加されてＴＦＴ８がオン状態とされると、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７内から信号線６に電荷がそれぞれ放出され、各読み出し回路１７の増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに流れ込んで蓄積される。そして、増幅回路１８では、コンデンサー１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力されるようになっている。

相関二重サンプリング回路１９は、各放射線検出素子７から電荷が流れ込む前後の増幅回路１８からの出力値の増加分をアナログ値の画像データＤとして下流側に出力する。そして、出力された各画像データＤがアナログマルチプレクサー２１を介してＡ／Ｄ変換器２０に順次送信され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値の画像データＤに順次変換されて記憶手段２３に出力されて順次保存される。このようにして画像データＤの読み出し処理が行われるようになっている。

制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。

そして、制御手段２２は、後述するように電圧印加手段２５を制御して放射線の照射開始の検出処理を行ったり走査駆動手段１５や読み出し回路１７を制御して画像データＤの読み出し処理を行わせるなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御するようになっている。

また、図２に示すように、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、走査駆動手段１５や読み出し回路１７、電圧印加手段２５、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各機能部に必要な電力を供給するバッテリー２４が接続されている。

次に、本実施形態に係る放射線検出用の放射線検出素子７Ａ等に関する構成や制御の仕方等について説明する。また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用についてもあわせて説明する。

前述したように、制御手段２２は、被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われた後の本画像としての画像データＤの読み出し処理では、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから各第１走査線５を介して放射線画像取得用の各放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧を順次印加させ、読み出し回路１７で放射線画像取得用の各放射線検出素子７から放出された電荷を画像データＤに変換させて、画像データＤをそれぞれ読み出す（図５参照）。

一方、本実施形態では、制御手段２２は、放射線画像撮影前（すなわち放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前）から、読み出し回路１７等を制御して放射線検出用の放射線検出素子７Ａ（図２参照）から、照射開始検出用データｄを読み出すようになっている。

本実施形態では、この場合も、図５に示した放射線画像取得用の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理と同様にして、放射線検出用の各放射線検出素子７Ａから照射開始検出用データｄを読み出すようになっている。

すなわち、放射線検出用の放射線検出素子７Ａから信号線６を介して電荷が読み出し回路１７の増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに流れ込んで蓄積されると、コンデンサー１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値が増幅回路１８のオペアンプ１８ａの出力側から出力される。それを相関二重サンプリング回路１９で上記のようにサンプリングすることで、照射開始検出用データｄが読み出されるようになっている。

しかし、この場合、放射線検出用の放射線検出素子７ＡのＴＦＴ８Ａにオン電圧を印加するのは、放射線画像取得用の各放射線検出素子７の場合のような走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂではなく、図２に示すように、電圧印加手段２５から各第２走査線５Ａを介して放射線検出用の放射線検出素子７ＡのＴＦＴ８Ａにオン電圧が印加されるようになっている。

なお、本実施形態では電圧印加手段２５は、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂと同じ構造のドライバーが用いられている。また、図２では、ゲートドライバー１５ｂと電圧印加手段２５とが検出部Ｐを介して互いに反対側に設けられるように記載されているが、両者を検出部Ｐの同じ側に設けるように構成してもよく、それらを設ける位置は適宜決められる。

本実施形態では、制御手段２２は、放射線画像撮影前に、電圧印加手段２５から所定の時間間隔で各第２走査線５Ａに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り換えて、放射線検出用の各放射線検出素子７Ａの各ＴＦＴ８Ａのオン／オフを上記の所定の時間間隔で切り換えるようになっている。

このように構成すると、放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射される以前の時点では、放射線検出用の各放射線検出素子７Ａ内では、少なくとも放射線の照射による電荷の発生はなく、放射線検出素子７Ａ自体の熱（温度）による熱励起等による、いわゆる暗電荷（暗電流等ともいう。）が発生しているだけである。

そのため、放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射される以前に読み出し回路１７で読み出される照射開始検出用データｄの値は、図６に示す、放射線の照射が開始される時刻ｔ１より前の時点のように、小さな値の照射開始検出用データｄが読み出される状態になる。

そして、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、放射線検出用の各放射線検出素子７Ａ内で、暗電荷だけでなく、前述したように、そのｉ層７５（図４参照）内で電荷（すなわち電子正孔対）が発生して読み出し回路１７に流れ込むため、図６の時刻ｔ１に示すように、読み出される照射開始検出用データｄの値が、それ以前の値よりも大きくなる。

そこで、本実施形態では、これを利用して、例えば図６に示すように、照射開始検出用データｄに対して閾値ｄthを設定しておき、制御手段２２は、読み出された照射開始検出用データｄが閾値ｄth以上になった時点で、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたことを検出するように構成されている。

ところで、このような制御の仕方は、上記の特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合と同様である。しかし、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合とは異なり、本実施形態では、放射線の照射が開始された時点で読み出し回路１７に流れ込む電荷の量が多くなるため、放射線の照射開始を、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合よりも的確に検出することが可能となる。以下、この点について具体的に説明する。

よく知られているように、ＴＦＴ８（ＴＦＴ８Ａを含む。）は、図７に示すように、ゲート電極にオフ電圧が印加されても放射線検出素子７（放射線検出素子７Ａを含む。）から信号線６への電荷の流出を完全に遮断できず、ＴＦＴ８を介して放射線検出素子７から信号線６に僅かに電荷ｑがリークしている。

そして、照射開始検出用データｄの読み出し処理の際に、電圧印加手段２５から第２走査線５Ａを介してＴＦＴ８Ａにオン電圧が印加されると、図８に示すように、放射線検出用の放射線検出素子７Ａから、蓄積された暗電荷Ｑｄがオン状態のＴＦＴ８Ａを介して読み出し回路１７に流入する。また、他の放射線画像取得用の放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑも読み出し回路１７に流れ込む。

そして、読み出し回路１７では、放射線検出用の放射線検出素子７Ａからの暗電荷Ｑｄと放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑとが増幅回路１８のコンデンサー１８ｂに蓄積され、それらの電荷Ｑｄ、ｑの合計値に応じた信号が照射開始検出用データｄとして読み出される。

そのため、図６に示したように、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始される前の時点（図６の時刻ｔ１より前の時点）においても、読み出される照射開始検出用データｄは０にはならず、小さな値ではあるが０とは有意に異なる値が読み出される。ここまでは、本実施形態の場合も特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合も同様である。

しかし、放射線画像撮影装置に放射線が照射された時点で生じる現象が、本実施形態の場合と、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合とで異なる状態になる。

すなわち、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置では、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、放射線の照射により放射線検出用の放射線検出素子７Ａ（放射線画像取得用の放射線検出素子７においても同様。）内で電荷Ｑが発生する。そして、図９に示すように、照射開始検出用データｄの読み出し処理の際に、その電荷Ｑが放射線検出用の放射線検出素子７Ａからオン状態のＴＦＴ８Ａを介して読み出し回路１７に流入する。

また、その際、他の放射線画像取得用の放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑも読み出し回路１７に流れ込むが、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置では、図示を省略するが、シンチレーター側から見た場合、スイッチ手段であるＴＦＴが放射線検出素子によって覆い隠される位置に設けられているため、シンチレーターからの光が放射線検出素子によって遮られてＴＦＴには届かない（詳しくは特許文献４参照）。

そのため、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合には、放射線の照射が開始された時点で読み出される照射開始検出用データｄは、図９に示すように、放射線の照射により放射線検出用の放射線検出素子７Ａ内で発生した電荷Ｑと、他の放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑとの合計値に相当するデータになる。

それに対して、本実施形態では、図４に示したように、ＴＦＴ８は、基板４の面４ａ上における放射線検出素子７（放射線検出素子７Ａを含む。以下同じ。）の側方の位置に設けられる。すなわち、本実施形態の場合には、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、シンチレーター３から照射された光が、放射線検出素子７に遮蔽されることなく、スイッチ手段であるＴＦＴ８に照射される。

すなわち、本実施形態では、ＴＦＴ８は、放射線検出素子７によりシンチレーター３からの光から遮蔽されることなく、光に暴露される状態に形成されている。そして、本発明者らの研究では、ＴＦＴ８に光（或いは放射線画像撮影装置１が直接型の場合には放射線）が照射されると、ＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑがより大きな電荷ｑ^＊に増加することが分かっている。

そのため、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、本実施形態では、図１０に示すように、放射線画像取得用の各放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷が電荷ｑ^＊に増加する。

そのため、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始された時点での照射開始検出用データｄの増加の度合が、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合に比べて、放射線画像取得用の各放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷が電荷ｑから電荷ｑ^＊に増加する分だけより大きくなる。

このように、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合と比較して、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射開始前に読み出される照射開始検出用データｄに対して、放射線の照射開始時に読み出される照射開始検出用データｄがより大きく増加するようになる。

そのため、放射線画像撮影装置１に放射線が照射された場合に、読み出される照射開始検出用データｄがより確実に閾値ｄth（図６参照）以上になり、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。

また、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線量率（すなわち単位時間当たりの線量）が小さい場合、すなわち放射線画像撮影装置１に対していわば弱い放射線が照射される場合には、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射開始前に読み出される照射開始検出用データｄに対する、放射線の照射開始時に読み出される照射開始検出用データｄの増加の度合が、線量率が小さい分だけ小さくなる。

しかし、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、上記のように、照射開始時の照射開始検出用データｄの増加の度合を、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置の場合よりも高めることが可能となるため、上記のように照射される放射線の線量率が小さい場合でも照射開始検出用データｄの増加の度合をより高めて確実に閾値ｄth以上になるように構成することが可能となる。そのため、放射線の線量率が小さいような場合でも、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。

ところで、放射線画像撮影前の照射開始検出用データｄの読み出し処理（すなわち放射線の照射開始の検出処理）では、上記のように、放射線検出用の放射線検出素子７ＡのＴＦＴ８Ａには電圧印加手段２５から所定の時間間隔でオン電圧が印加される。そのため、放射線検出用の放射線検出素子７Ａ内で発生する暗電荷は、所定の時間間隔で信号線６に放出されるため、放射線検出用の放射線検出素子７Ａに蓄積され続けることが回避される。

それと同様にして、他の放射線画像取得用の放射線検出素子７に対しても、放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷等を除去するために、各放射線検出素子７のリセット処理を行うことが必要となる。

そこで、本実施形態では、走査駆動手段１５と電圧印加手段２５との間で同期をとり、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから第１走査線５にオン電圧を印加するタイミングと、電圧印加手段２５から第２走査線５Ａにオン電圧を印加するタイミングが互いに交互になるようにして、ＴＦＴ８、８Ａにそれぞれオン電圧を印加するようになっている。

すなわち、放射線検出用の放射線検出素子７ＡのＴＦＴ８Ａにオン電圧を印加して行う照射開始検出用データｄの読み出し処理（すなわち放射線の照射開始の検出処理）と、放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧を印加して行う放射線画像取得用の各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に行うようになっている。

そして、放射線画像取得用の各放射線検出素子７のリセット処理を行う際、例えば図１１に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから第１走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加するようにしてリセット処理を行うように構成することが可能である。

また、例えば図１２に示すように、ゲートドライバー１５ｂから第１走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を同時に印加させて放射線画像取得用の各放射線検出素子７のリセット処理を行うように構成することも可能である。

さらに、例えば図１３に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂから、ゲートドライバー１５ｂに接続されている全ての第１走査線５のうちの一部の複数の第１走査線５にオン電圧を同時に印加させて放射線画像取得用の各放射線検出素子７のリセット処理を行うように構成することも可能である。

そして、その際、例えば図１３に示したように、ゲートドライバー１５ｂから、第１走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｍへのオン電圧の印加と、第１走査線５の各ラインＬm+1〜Ｌｘへのオン電圧の印加とを交互に繰り返すように構成することも可能である。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、照射された放射線やシンチレーター３からの光がスイッチ手段であるＴＦＴ８に到達するように構成したため、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、ＴＦＴ８にも放射線や光が照射される。そして、放射線や光が照射されると、ＴＦＴ８を介して放射線画像取得用の放射線検出素子７からリークする電荷ｑがより大きな電荷ｑ^＊に増加する。

そのため、特許文献４に記載された、ＴＦＴに放射線や光が照射されない構造の放射線画像撮影装置に比べて、放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始された時点での照射開始検出用データｄの増加の度合を、放射線画像取得用の各放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷が電荷ｑから電荷ｑ^＊に増加する分だけ大きくすることが可能となる。

そのため、放射線画像撮影装置１に放射線が照射された場合に、読み出される照射開始検出用データｄがより確実に閾値ｄth（図６参照）以上になり、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。

また、特に放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線量率が小さい場合には、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始される前後の照射開始検出用データｄの増加の度合が小さくなるが、そのような場合でも、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は上記のような特性を有するため、読み出される照射開始検出用データｄが確実に閾値ｄth以上になる。そのため、放射線の線量率が小さいような場合でも、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。

なお、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１においても、放射線検出用の放射線検出素子７Ａが検出部Ｐ（図２参照）に散りばめられて形成されているため、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置と同様に、放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射野が狭められて照射された場合でも、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射開始を確実に検出することが可能となるといった効果を奏することが可能であることは言うまでもない。

また、例えば、少なくとも放射線検出用の放射線検出素子７Ａが接続されている信号線６に接続されている読み出し回路１７については、放射線の照射開始の検出処理を行っている間、増幅回路１８のコンデンサー１８ｂ（図３参照）の容量ｃｆを、その後の本画像としての画像データＤの読み出し処理時における容量よりも小さな容量に設定しておくことが可能である。

このように構成すれば、増幅回路１８における増幅率を上昇させて、照射開始検出用データｄをより大きな値として読み出すことが可能となり、照射開始検出用データｄが閾値ｄth以上になったか否かをより的確に判定することが可能となる。そのため、放射線の照射が開始されたか否かをより的確に検出することが可能となる。

その際、上記のように構成した場合には、放射線の照射開始を検出した後、本画像としての画像データＤの読み出し処理を開始するまでの間に、コンデンサー１８ｂの容量ｃｆを、元の画像データＤの読み出し処理時における容量に戻すように構成される。正しい値の画像データＤが読み出されるようにするためである。

また、図１０に示したように、上記の本実施形態では、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、少なくとも放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８に放射線やシンチレーター３からの光が照射されるため、ＴＦＴ８を介してリークする電荷が、図９に示した特許文献４に記載された放射線画像撮影装置等の場合の電荷ｑからより大きな電荷ｑ^＊に増加する。

そして、放射線検出素子７の第１電極７ａ（図２等参照）から信号線６側にリークする電荷が増加すると、それに相応する分だけ放射線検出素子７の第２電極７ｂからバイアス線９側に流出する電荷も増加する。

放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射開始を検出する方法としては、上記の本実施形態のように、各放射線検出素子７、７Ａから信号線６に流出したりリークしたりする電荷を読み出し回路１７で読み出す方法があるが、例えば米国特許第７２１１８０３号明細書や特開２００９−２１９５３８号公報に記載されているように、各放射線検出素子７、７Ａからバイアス線９側に流れ出してバイアス線９を流れる電流を利用する方法も知られている。

この検出方法については詳しくは上記の公報等を参照されたい。この場合、基本的には放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、各放射線検出素子７からバイアス線９に流れ出す電流Ｉの値が増加する。そのため、バイアス線９やそれらを結束する結線１０にそれらの内部を流れる電流Ｉの値を検出する電流検出手段２６を設け、電流検出手段２６から出力される電流Ｉの値が例えば閾値Ｉth以上になった時点で、放射線の照射が開始されたことを検出することができる。

そして、上記の技術を上記の実施形態に応用した場合、例えば、図１４に示すように、図２における放射線画像撮影装置１のバイアス線９やそれらを結束する結線１０に、それらの内部を流れる電流Ｉの値を検出する電流検出手段２６を設けるように構成される。そして、電圧印加手段２５から放射線検出用の放射線検出素子７Ａにオン電圧を印加した際に電流検出手段２６から出力される、バイアス線９や結線１０中を流れる電流Ｉの値を制御手段２２で監視し、上記と同様にして電流検出手段２６から出力される電流Ｉの値に基づいて放射線の照射開始を検出するように構成することが可能である。

このように構成すると、バイアス線９や結線１０には、ＴＦＴ８Ａにオン電圧が印加された放射線検出用の放射線検出素子７Ａから流れ出した電荷だけでなく、他の放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８を介して信号線６にリークする電荷と等価で正負が逆の電荷も流れ込む。

そして、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置のように、シンチレーターからの光が放射線検出素子によって遮られてＴＦＴには届かない構成では、放射線画像撮影装置に放射線が照射されてもＴＦＴを介して放射線検出素子から信号線にリークする電荷の大きさは変わらない。

それに対して、上記の本実施形態と同様に、放射線検出素子７とＴＦＴ８を、図４に示したように、基板４の面４ａ上において、図中の上方から照射されるシンチレーター３からの光の進行方向に対して直交する方向に並設されるように設けることで、シンチレーター３からの光がＴＦＴ８にも照射されるようになる。

そして、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されるとシンチレーター３から放射線画像取得用の放射線検出素子７のＴＦＴ８に光が照射されるようになり、ＴＦＴ８を介してリークする電荷が増大するため（図１０参照）、それに対応してバイアス線９や結線１０に流れ込む電荷の量も多くなる。

そのため、特許文献４に記載された放射線画像撮影装置に電流検出手段を設けた場合に比べて、電流検出手段２６で読み出される電流Ｉの値が、放射線画像取得用の放射線検出素子７からバイアス線９や結線１０に流れ込む電荷の量が多くなる分だけ大きくすることが可能となる。

そのため、放射線画像撮影装置１に放射線が照射された場合に、読み出される電流Ｉの値がより確実に閾値Ｉth以上になり、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。

なお、本発明が上記の実施形態や各変形例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。

１ 放射線画像撮影装置
５ 第１走査線
５Ａ 第２走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子（放射線画像取得用の放射線検出素子）
７Ａ 放射線検出用の放射線検出素子
８ ＴＦＴ（スイッチ手段）
８Ａ ＴＦＴ（放射線検出用の放射線検出素子に接続されたスイッチ手段）
９ バイアス線
１０ 結線（バイアス線）
１５ 走査駆動手段
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段
２５ 電圧印加手段
２６ 電流検出手段
Ｄ 画像データ
ｄ 照射開始検出用データ
Ｉ 電流
Ｑ、ｑ 電荷

Claims (2)

1. 二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
   前記各放射線検出素子に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を信号線に放出させるスイッチ手段と、
   前記各放射線検出素子のうち、放射線画像取得用の前記放射線検出素子に接続された前記スイッチ手段に、第１走査線を介してオン電圧を印加する走査駆動手段と、
   前記各放射線検出素子のうち、放射線検出用の前記放射線検出素子に接続された前記スイッチ手段に、第２走査線を介してオン電圧を印加する電圧印加手段と、
   前記放射線画像取得用の放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出し、前記放射線検出用の放射線検出素子から放出された前記電荷を照射開始検出用データに変換して読み出す読み出し回路と、
   放射線の照射が開始されたことを検出し、前記放射線画像取得用の放射線検出素子からそれぞれ前記画像データを読み出す制御手段と、
   を備え、
   前記制御手段は、前記放射線検出用の放射線検出素子から読み出された前記照射開始検出用データに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するとともに、検出後、少なくとも前記走査駆動手段と前記読み出し回路とを制御して前記放射線画像取得用の放射線検出素子からそれぞれ前記画像データを読み出させるように構成されており、
   前記スイッチ手段は、前記放射線検出素子により光または放射線から遮蔽されることなく、光または放射線に暴露される状態に形成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
2. 前記各放射線検出素子には、当該放射線検出素子に逆バイアス電圧を印加するためのバイアス線がそれぞれ接続されており、
   前記バイアス線には、その内部を流れる電流を検出する電流検出手段が設けられており、
   前記制御手段は、前記放射線検出用の放射線検出素子から読み出された前記照射開始検出用データに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する代わりに、前記放射線検出素子から前記バイアス線に流出する電流を検出した前記電流検出手段から出力される電流の値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。

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