JP5617913B2 - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

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Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線の照射を検出可能な放射線画像撮影装置に関する。
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
このような放射線画像撮影装置では、放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置との間のインターフェースの構築が必ずしも容易でない場合があり、放射線を照射した旨の信号を放射線発生装置等の外部装置から入手せず、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始や照射終了を検出できるように構成されていると便利である場合がある。
そこで、例えば特許文献４や特許文献５に記載の発明では、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されて各放射線検出素子内に電荷が発生すると、各放射線検出素子から、各放射線検出素子に接続されているバイアス線に電荷が流れ出してバイアス線を流れる電流が増加することを利用して、その電流値の増減に基づいて放射線の照射の開始等を検出することが提案されている。
特開平９−７３１４４号公報 特開２００６−５８１２４号公報 特開平６−３４２０９９号公報 米国特許第７２１１８０３号明細書 特開２００９−２１９５３８号公報
ところで、放射線検出素子は、放射線の照射を受けると、その内部で電荷（正確には電子正孔対）が発生し、その発生する電荷の電荷量が放射線の線量に応じて変わるため、照射された放射線の線量を電気信号（すなわち画像データ）に変換して読み出すことができる。しかし、その一方で、放射線検出素子では、放射線画像撮影装置に放射線が照射されていない状態でも、放射線検出素子自体の熱による熱励起等によりその内部で電子正孔対（すなわちいわゆる暗電荷）が常時発生している。
そして、この暗電荷等の余分な電荷が放射線検出素子内に溜まった状態で放射線が照射されると、放射線の照射により放射線検出素子内で発生した電荷（すなわち画像データとしての電荷）に比べて暗電荷の割合が大きくなり、いわゆるＳ／Ｎ比の悪い画像データしか得られなくなる。そこで、放射線画像撮影装置に放射線を照射して行われる放射線画像撮影の前には、通常、各放射線検出素子に蓄積された暗電荷等の余分な電荷を各放射線検出素子内から除去するためのリセット処理が行われる。そして、放射線検出素子内の余分な電荷をできるだけ排除するために、各放射線検出素子のリセット処理は、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始される直前まで行われることが望ましい。
一方、各放射線検出素子７のリセット処理は、例えば後述する図７等に示すように、互いに交差するように配設された複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７と、放射線検出素子７ごとに設けられ、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下ＴＦＴという。）８で形成されたスイッチ手段を備えて構成された放射線画像撮影装置においては、例えば図２２に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂからオン電圧を印加する走査線５のラインＬ１〜Ｌｘを順次切り替えるようにして、オン状態とするＴＦＴ８を順次切り替えながら行われる場合が多い。
このようにして各放射線検出素子７のリセット処理が行われると、ゲートドライバ１５ｂ（図７等参照）からオン電圧が印加された走査線５に各ＴＦＴ８を介してそれぞれ接続されている数百から数千の各放射線検出素子７から各ＴＦＴ８を介して各信号線６に、暗電荷としての電子正孔対のうち例えば電子がそれぞれ流出し、また、各放射線検出素子７から各バイアス線９に例えば正孔が流出する。
そのため、例えば各バイアス９が収束された結線１０上に形成されている電流検出手段４３には、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧が印加されるたびに、１本の走査線５に接続された数百から数千個分の各放射線検出素子７から暗電荷としての正孔が電流検出手段４３に流れ込む。
そのため、電流検出手段４３がバイアス線９や結線１０中を流れる電流を例えば電圧値Ｖに変換して検出するように構成されている場合、各放射線検出素子７のリセット処理中に電流検出手段４３で検出される電流に相当する電圧値Ｖは、例えば図２３に示すように、オン電圧が印加される走査線５が切り替わるごとに増減を繰り返すように検出される。なお、図２３で矢印を付して示される「ＯＮ」は、オン電圧が印加される走査線５が切り替えられるタイミングを表す。
このような状態で、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、照射された放射線の線量が比較的大きい場合には、各放射線検出素子７内で線量に応じて比較的大きな電荷量の電荷（電子正孔対）が発生し、その瞬間にオン電圧が印加されている走査線５に各ＴＦＴ８を介して接続されている各放射線検出素子７から各信号線６に比較的大きな電荷量の電子がそれぞれ流出し、また、各バイアス線９には比較的大きな電荷量の正孔が流出して結線１０に集まる。
そのため、電流検出手段４３で検出される結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖは、図２４に示すように比較的大きな値となる。そして、その際に各放射線検出素子７から流出する暗電荷としての正孔分と合わさって図２５に示すように検出される。そのため、例えば、結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖに対して予め適切な値の閾値Ｖthを設定しておくことにより、電圧値Ｖがこの閾値Ｖthを越えたことを検出することで、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されたことを検出することが可能となる。
しかしながら、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線量が小さいと、電流検出手段４３で検出される結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖは、図２６に示すように小さな値にしかならず、その際に各放射線検出素子７から流出する図２３に示したような暗電荷に相当する電圧値Ｖと合わさると、電流検出手段４３で検出される結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖは図２７に示すような状態で検出される。
このように、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線量が小さいと、放射線の照射により各放射線検出素子７内では小さい電荷量の電荷しか発生せず、それによってバイアス線９や結線１０中を流れる電流は小さくなる。そして、放射線の照射により発生した電荷に起因して結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖが、暗電荷に起因する電流に相当する電圧値Ｖにいわば埋もれてしまう。
また、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂからある走査線５にオン電圧が印加されるたびにバイアス線９や結線１０に流出する暗電荷に起因する電流は、いつも同じ値であるとは限らず、ばらつく値になるのが通常である。そのため、図２７に示したグラフからも分かるように、放射線画像撮影装置に照射された放射線の線量が小さい場合には、例えば電圧値Ｖに対して予め適切な閾値を設定することが困難であり、図２５に示したように閾値に基づいて放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されたことを検出することができない。
しかし、放射線画像撮影装置を例えば患者の病変部を撮影するための医療用に用いる場合などには、放射線発生装置から照射された放射線が患者の身体等で散乱されたり吸収されたりして、放射線画像撮影装置に弱い放射線しか到達しないような場合もある。従って、放射線画像撮影装置には、このように放射線画像撮影装置に対して弱い放射線すなわち線量が小さい放射線が照射されるような場合であっても、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射の開始等を的確に検出することができることが望まれる。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、線量が小さな放射線が照射された場合であっても少なくとも放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオフ状態とオン状態とが切り替えられ、前記オフ状態では前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、前記オン状態では前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
電流検出手段が検出した前記電流の値に基づいて、少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
を備え、
前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧を印加して前記スイッチ手段をオン状態として当該スイッチ手段に接続された前記放射線検出素子から前記電荷を放出させた後、全ての前記走査線にオフ電圧を印加する動作を繰り返して、前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
前記制御手段は、前記走査駆動手段の前記ゲートドライバから全ての前記走査線にオフ電圧が印加されている間に前記電流検出手段が検出した前記電流の値に基づいて放射線の照射の開始を検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させて、全ての前記走査線にオフ電圧が印加されている状態で、前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させることを特徴とする。
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、走査駆動手段のゲートドライバから全ての走査線にオフ電圧が印加されている間に、電流検出手段で、バイアス線や走査線等を流れる電流等の装置内を流れる電流を検出するように構成することで、放射線画像撮影装置に照射された放射線の線量が小さいような場合であっても、放射線の照射により発生した電荷に起因して増加するバイアス線や走査線等を流れる電流を的確に検出することが可能となり、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。
各実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。 図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 基板の構成を示す平面図である。 図３の基板上の領域ｒに形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。 図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。 ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。 第１および第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。 電流検出手段の構成の構成を表す等価回路図である。 各放射線検出素子のリセット処理におけるオン時間およびオンタイミングを説明するタイミングチャートである。 全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。 バイアス線等を流れる電流に相当する電圧値の例を示すグラフであり、（Ａ）は電圧値を常時監視した場合、（Ｂ）全走査線にオフ電圧を印加している間だけ監視した場合の例を示すグラフである。 放射線が照射されるとバイアス線等を流れる電流に相当する電圧値が上昇することを表すグラフである。 図１３において弱い放射線が照射された場合を表すグラフであり、電圧値に対して設定された閾値を説明するグラフである。 走査線にオン電圧が印加されている間に放射線の照射が開始された場合の実際の照射開始時と検出される照射開始時を説明するグラフである。 放射線の照射開始が検出されると全走査線にオフ電圧が印加された状態が維持されることを説明するタイミングチャートである。 各放射線検出素子のリセット処理時に印加される電圧値が高いオフ電圧と電荷蓄積時に印加される電圧値が低いオフ電圧を説明するタイミングチャートである。 全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。 通常の一括リセット方式のリセット処理およびそれから全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理への切り替えを説明するタイミングチャートである。 第３の実施形態で電流検出手段を走査線等に接続させるように構成された形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 第３の実施形態の変形例における電流検出手段の構成およびゲートドライバの内部構成等を表す等価回路図である。 通常の順次リセット方式のリセット処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。 通常の順次リセット方式のリセット処理時に検出されるバイアス線等を流れる電流に相当する電圧値の例を示すグラフである。 放射線画像撮影装置に放射線が照射されたことに起因してバイアス線等を流れる電流に相当する電圧値の例を示すグラフである。 図２３と図２４の各電流が合わさった電流に相当する電圧値の例を示すグラフであり、電圧値に設定される閾値を説明するグラフである。 放射線画像撮影装置に弱い放射線が照射されたことに起因してバイアス線等を流れる電流に相当する電圧値の例を示すグラフである。 図２３と図２６の各電流が合わさると放射線の照射により発生した電流に相当する電圧値が暗電荷に起因する電流に相当する電圧値に埋もれてしまうことを説明するグラフである。
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４等が収納された可搬型（カセッテ型）の装置として構成されている。
筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、図１に示すように、筐体２の側面部分には、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７、図示しないバッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材３８の側面部には、アンテナ装置３９が埋め込まれている。
なお、アンテナ装置３９の設置位置は蓋部材３８の側面部に限らず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置３９を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置３９は１個に限らず、複数設けることも可能である。さらに、データや信号等を外部装置との間で有線方式で送受信するように構成することも可能であり、その場合は、例えばケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置１の側面部等に設けられる。
筐体２の内部には、図２に示すように、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒには、それぞれ放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
このように、走査線５と信号線６で区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５により、接続された走査線５にオン電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内で発生し蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５にオフ電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止し、放射線検出素子７内で発生した電荷を保持して、放射線検出素子７内に蓄積させるようになっている。
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。
なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型等の他の形式の放射線検出素子で構成することも可能であり、限定されない。
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０に結束されている。
本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、後述するゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ１２ａ等のチップがフィルム上に組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。
また、本実施形態では、放射線検出素子７のｐ層７７側（図５参照）に第２電極７８を介してバイアス線９が接続されていることからも分かるように、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７８にバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７４側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。
本実施形態では、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段は、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を必要に応じて可変させるようになっている。
本実施形態では、バイアス線９の結線１０には、結線１０（バイアス線９）を流れる電流を検出する電流検出手段４３が設けられている。
なお、図７や図８および前述した図３等では、各バイアス線９が１本の結線１０に結束される場合が示されており、その場合は、電流検出手段４３は１本の結線１０に１つだけ設けるように構成することが可能であるが、各バイアス線９が複数の結線１０に結束されるように構成される場合もある。その場合には、電流検出手段４３を各結線１０に設けるように構成することも可能であり、また、複数の結線１０のうちの何本かに電流検出手段４３を設けるように構成することも可能である。
ここで、電流検出手段４３の構成について説明する。本実施形態では、電流検出手段４３は、バイアス線９の結線１０とバイアス電源１４との接続部分に設けられており、バイアス線９の結線１０中を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出するようになっている。
具体的には、電流検出手段４３は、図９に示すように、バイアス電源１４と各放射線検出素子７とを結ぶバイアス線９の結線１０に直列に接続される所定の抵抗値を有する抵抗器４３ａと、それに並列に接続されたダイオード４３ｂと、抵抗器４３ａの両端子間の電圧Ｖを測定して制御手段２２に出力する差動アンプ４３ｃとを備えて構成されている。
そして、電流検出手段４３は、差動アンプ４３ｃで抵抗器４３ａの両端子間の電圧Ｖを測定し、抵抗器４３ａを流れる電流、すなわちバイアス線９の結線１０を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出して、制御手段２２に出力するようになっている。
なお、電流検出手段４３に備えられる抵抗器４３ａとしては、結線１０中を流れる電流を適切な電圧値Ｖに変換可能な抵抗値を有する抵抗器が用いられる。また、抵抗器４３ａに並列にダイオード４３ｂを接続することで低線量の場合の検出精度が向上される。なお、抵抗器４３ａやダイオード４３ｂのいずれかのみを配線に直列に接続して、その両端子間の電圧Ｖを差動アンプ４３ｃで測定するように構成することも可能である。
また、本実施形態では、電流検出手段４３には、バイアス線９の結線１０中を流れる電流を検出する必要がない場合に、抵抗器４３ａの両端子間を短絡するためのスイッチ４３ｄが設けられている。
また、差動アンプ４３ｃには電源供給手段４４から電力が供給されるようになっており、電流検出手段４３で電流を検出する際には、電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃに電力が供給され、スイッチ４３ｄの短絡が解除されて電流検出手段４３が起動状態とされ、電流を検出しない場合には、スイッチ４３ｄで抵抗器４３ａの両端子間が短絡されるとともに、電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃへの電力の供給が停止されて電流検出手段４３の起動が停止されるようになっている。
なお、本実施形態では、電流検出手段４３は、上記のように、バイアス線９や結線１０中を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出するように構成されているが、電流により結線１０の周囲に発生する磁気を検出する等して、電流値そのものを検出するように構成することも可能である。
図７や図８に示すように、各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７、図８中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７、図８中ではＧと表記されている。）は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる各走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７、図８中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。
走査駆動手段１５は、本実施形態では、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを備えており、ゲートドライバ１５ｂに接続されている各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を制御するようになっている。本実施形態では、電源回路１５ａは、ゲートドライバ１５ｂに対して各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を供給するようになっている。
また、ゲートドライバ１５ｂは、前述したゲートＩＣ１２ａが複数並設されて形成されており、パルス幅変調（Pulse Width Modulation：ＰＷＭ）等により各走査線５に印加するオン電圧のパルス幅等を変調できるようになっている。また、ゲートドライバ１５ｂは、各走査線５にオン電圧を印加する時間間隔、すなわち各走査線５に印加する電圧をオフ電圧からオン電圧に切り替えてから、オフ電圧に切り替えた後で再度或いは次の走査線５にオン電圧に切り替えるまでの時間間隔ΔＴ（以下、オンタイミングΔＴという。）を可変させることができるようになっている。
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７が設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。
読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
本実施形態では、増幅回路１８はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されて構成されている。また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で、放射線検出素子７のＴＦＴ８がオン状態とされると（すなわち、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに走査線５を介してオン電圧が印加されると）、当該放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力端子から出力されるようになっている。
増幅回路１８は、このようにして、各放射線検出素子７から出力された電荷量に応じて電圧を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオン状態とすることで、増幅回路１８の入力側と出力側とを短絡し、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷を放電して増幅回路１８をリセットすることができるようになっている。
なお、増幅回路１８を、放射線検出素子７から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。また、図８に示すように、増幅回路１８には、電源供給部１８ｄから電力が供給されるようになっている。なお、図７では、電源供給部１８ｄの図示が省略されている。
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が接続されている。相関二重サンプリング回路１９は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路１９におけるサンプルホールド機能は、制御手段２２から送信されるパルス信号によりそのオン／オフが制御されるようになっている。
すなわち、各放射線検出素子７からの画像データの読み出しの際に、相関二重サンプリング回路１９は、増幅回路１８がリセットされ、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた後、各ＴＦＴ８がオン状態とされる前の時点で制御手段２２から１回目のパルス信号を受信すると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値を保持する。その後、ＴＦＴ８がオン状態とされ、ＴＦＴ８や信号線６を介して放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積される。
そして、相関二重サンプリング回路１９は、制御手段２２から１回目のパルス信号を受信した時点から所定時間経過し、放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積された時点で制御手段２２から２回目のパルス信号を受信すると、その時点で再び増幅回路１８から出力されている電圧値を保持して、それらの電圧値の差分値を下流側にアナログ値の画像データとして出力するようになっている。
相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データは、アナログマルチプレクサ２１に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信される。そして、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段４０に出力されて順次保存されるようになっている。
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段４０が接続されている。
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段４０、バイアス電源１４等の各機能部に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。また、バッテリ４１には、図示しない充電装置から電力を供給してバッテリ４１を充電する際に充電装置とバッテリ４１とを接続する接続端子４２が取り付けられている。
以下、各放射線検出素子７のリセット処理や、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射開始の検出等における制御手段２２の制御構成等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用についてもあわせて説明する。
制御手段２２は、放射線画像撮影前に、放射線画像撮影装置１の電源スイッチ３６（図１参照）が押下されたり外部のコンピュータ等から起動信号が送信される等して放射線画像撮影装置１が起動されたり、放射線画像撮影装置１がいわゆるスリープ状態から覚醒状態に遷移されたりした時点で、走査駆動手段１５にトリガ信号を送信して、走査駆動手段１５に各放射線検出素子７のリセット処理を開始させるようになっている。
本実施形態では、走査駆動手段１５（図７参照）は、ゲートドライバ１５ｂからオン電圧を印加する走査線５のラインＬ１〜Ｌｘを順次切り替えるようにして、各放射線検出素子７のリセット処理を行うようになっている。以下、このように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂからオン電圧を印加する走査線５のラインＬ１〜Ｌｘを順次切り替えながら行われる各放射線検出素子７のリセット処理を、順次リセット方式のリセット処理という。
各放射線検出素子７のリセット処理を行う場合、放射線画像撮影装置１が起動したり覚醒状態に遷移されたりした時点では、各放射線検出素子７内には、前述したような放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生した暗電荷や、前回の放射線画像撮影で各放射線検出素子７内で発生した電荷すなわち画像データの読み残し分等の余分な電荷が比較的多く残存している場合がある。
そこで、本実施形態では、走査駆動手段１５は、各放射線検出素子７のリセット処理を開始した最初の段階では、図２２に示した通常のリセット処理の場合と同様に、ゲートドライバ１５ｂからある走査線５にオン電圧を印加した後、当該走査線５に印加する電圧をオン電圧からオフ電圧に切り替えると同時に次の走査線５に印加する電圧をオフ電圧からオン電圧に切り替えるようにして、１面分のリセット処理Ｒｍを繰り返しながら、初期の前記リセット処理としての順次リセット方式のリセット処理を行うようになっている。
すなわち、本実施形態では、図１０に示すように、各放射線検出素子７のリセット処理を開始した最初の段階では、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加する時間Ｔon（以下、オン時間Ｔonという。）と、前述したオンタイミングΔＴすなわち各走査線５にオン電圧を印加する時間間隔ΔＴとが同じになるように設定されている。
このように、本実施形態では、各放射線検出素子７のリセット処理が開始された最初の段階では、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加するオン時間Ｔonをできるだけ長くして、各放射線検出素子７内に残存する余分な電荷をできるだけ多く放出させることで、リセット効率を高めるようになっている。
なお、この各放射線検出素子７のリセット処理が開始された最初の段階では、バイアス線９の結線１０中を流れる電流の検出を行う必要がないため、電流検出手段４３（図９参照）の電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃへの電力の供給は停止されていて電流検出手段４３の起動が停止されており、スイッチ４３ｄがオン状態とされて抵抗器４３ａの両端子間が短絡された状態とされている。このように、抵抗器４３ａの両端子間を短絡させることでバイアス線９の結線１０中を電流が流れ易くなるため、リセット効率がさらに向上される。
走査駆動手段１５は、本実施形態では、各放射線検出素子７のリセット処理を開始してから予め設定された所定時間が経過した時点や、予め設定された回数の１面分のリセット処理Ｒｍが終了した時点で、各放射線検出素子７のリセット処理の仕方を切り替えるようになっている。なお、この予め設定される所定時間や１面分のリセット処理Ｒｍの回数は、各放射線検出素子７内に残存する余分な電荷が十分に放出されるために必要な時間や回数に設定される。
本実施形態では、走査駆動手段１５は、上記の時点で、図１０に示したようなリセット処理からオン時間ＴonやオンタイミングΔＴ或いはその両方を例えば図１１に示すように可変させて、ゲートドライバ１５ｂから走査線５のあるラインＬｎに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えた後、一旦走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加した状態を維持した後で、走査線５の次のラインＬn+1に印加したオフ電圧をオン電圧に切り替える動作を繰り返すようにして、各放射線検出素子７のリセット処理の仕方を切り替えるようになっている。
以下、このように、処理の仕方が切り替えられた後の、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加した状態を設ける各放射線検出素子７のリセット処理を、全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理という。
なお、図１１では、図１０に示したオン時間ＴonやオンタイミングΔＴからオン時間ＴonとオンタイミングΔＴの両方を可変させた場合が示されているが、オン時間Ｔonが短くなるように可変させたり、オンタイミングΔＴが長くなるように可変させる等して、オン時間ＴonとオンタイミングΔＴのうちいずれか一方のみを可変させるように構成することも可能である。
また、図１０に示したような各放射線検出素子７のリセット処理を行う必要がない場合には、各放射線検出素子７のリセット処理が開始された最初の段階から、図１１に示したような各放射線検出素子７のリセット処理、すなわち全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理を行うように構成することも可能である。
制御手段２２は、走査駆動手段１５が上記のようにして各放射線検出素子７のリセット処理の仕方を切り替えた時点で、電流検出手段４３の電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃに電力を供給させて電流検出手段４３を起動させるようになっている。そして、スイッチ４３ｄをオフ状態として抵抗器４３ａの両端子間の短絡を解除させる。
そして、図１１に示したような全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理の際に、制御手段２２は、電流検出手段４３から出力される、バイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖを監視して、放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始されたか否かを検出するようになっている。
そして、制御手段２２は、全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理の際、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘに対してオフ電圧が印加されている間に、すなわち走査線５のあるラインＬｎに印加される電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替わってから走査線５の次のラインＬn+1にオン電圧が印加されるまでの期間Ｔoff（図１１参照）の間（つまり全オフ期）に、電流検出手段４３が検出した電流（すなわち電流に相当する電圧値Ｖ）を監視し、その値に基づいて放射線の照射の開始を検出するようになっている。
図２３等に示したように、走査線５にオン電圧が印加され、ＴＦＴ８がオン状態とされて各放射線検出素子７内に蓄積された暗電荷等の余分な電荷がバイアス線９に放出されると、電流検出手段４３により検出される、バイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖが増加する。
そのため、図１１に示したような全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理を行う場合、仮に電流検出手段４３が検出した電流に相当する電圧値Ｖを常時監視したとすると、図１２（Ａ）に示すように、走査線５のあるラインＬにオン電圧を印加している間（図中の「ＯＮ」から「ＯＦＦ」までの間）は結線１０中を流れる電流の電流量（すなわち電圧値Ｖ）が上昇する。
しかし、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加している間（図中の「ＯＦＦ」から「ＯＮ」までの間）は、各ＴＦＴ８がオフ状態となっており、各放射線検出素子７からは暗電荷がほとんど漏出されないため、結線１０中を流れる電流の電流量（すなわち電圧値Ｖ）が低下する。
そして、本発明では、上記のように、制御手段２２は、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけ電流検出手段４３が検出した電流（すなわち電流に相当する電圧値Ｖ）を監視するため、図１２（Ｂ）に示すように、この電流量（或いはそれに相当する電圧値Ｖ）が低下した電流のみを監視する状態となる。
このように、本発明では、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されて各ＴＦＴ８がオフ状態とされているため、各放射線検出素子７から暗電荷がほとんど漏出せず、バイアス線９の結線１０中を流れる電流の電流量（すなわちそれに相当する電圧値Ｖ）が低下している間だけ、電流検出手段４３が検出した結線１０中を流れる電流（すなわち電圧値Ｖ）を制御手段２２が監視して、放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始されたか否かを検出するようになっている。
本実施形態の放射線画像撮影装置１では、上記のように全ＴＦＴ８がオフ状態とされていても、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、図１３に示すように、バイアス線９の結線１０中を流れる電流の電流値（すなわちそれに相当する電圧値Ｖ）が上昇する。以下、このような現象が生じる理由について説明する。
放射線画像撮影装置１に放射線の照射が開始されると、前述したように、本実施形態では放射線画像撮影装置１に入射した放射線がシンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が直下の放射線検出素子７のｉ層７６（図５参照）に到達して、放射線検出素子７のｉ層７６内で電子正孔対が発生する。そのため、放射線検出素子７内では、第２電極７８（図８等参照）に対する第１電極７４の電位が変化する。
本実施形態では、第２電極７８にはバイアス電源１４からバイアス線９を介して所定の負の値のバイアス電圧が印加されていて第２電極７８の電位が固定されており、ｉ層７６内で発生した電子正孔対のうち、正孔が第２電極７８側に移動し、電子が第１電極７４側に移動するため、第１電極７４側の電位が下がる。そして、放射線検出素子７の第１電極７４側の電位が下がると、図８に示したＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図８中ではＳと表記されている。）側の電位がそれに伴って下がる。
また、ＴＦＴ８では、ゲート電極８ｇとソース電極８ｓとそれらの間の絶縁層７１（図５参照）とで一種のコンデンサが形成されており、ゲート電極８ｇとソース電極８ｓとの間に寄生容量が存在している。そして、所定のオフ電圧が印加されていて電位が変わらないＴＦＴ８のゲート電極８ｇに対して、ＴＦＴ８のソース電極８ｓ側の電位が下がると、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇとソース電極８ｓとの電位差が変化する。
そのため、変化した電位差に対応する電荷が、走査駆動手段１５の電源回路１５ａからゲートドライバ１５ｂや各走査線５を通ってＴＦＴ８のゲート電極８ｇに供給される。すなわち各走査線５中を電流が流れる。また、それと等量の電流がＴＦＴ８−放射線検出素子７間に流れ、等量の電流が放射線検出素子７−バイアス電源１４間、すなわちバイアス線９やその結線１０中を流れる。
このように、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されて全ＴＦＴ８がオフ状態とされていても、バイアス線９やその結線１０中を流れる電流の電流量が増加して、電流量が増加した電流が電流検出手段４３に流れるため、電流検出手段４３で検出される電流に相当する電圧値Ｖが図１３に示したように上昇する。
そのため、本実施形態では、図１４に示すように、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加された状態でバイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖに対して、予め閾値Ｖthが設定されており、制御手段２２は、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間に監視した電圧値Ｖがこの閾値Ｖthを越えた時点で、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたと判断するようになっている。
図１２（Ａ）、（Ｂ）や図１３、図１４および後述する図１５では、グラフを見やすくするため、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加された状態でバイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖが０ではない有意の値を有するように記載されているが、実際には、ＴＦＴ８を介してリークする暗電荷の量はごく僅かであり、バイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖはほぼ０に等しい値になる。
そのため、図１３に示したように放射線画像撮影装置１に対して比較的強い放射線（すなわち線量が大きい放射線）が照射された場合は勿論、図１４に示すように弱い放射線（すなわち線量が小さい放射線）が照射された場合であっても、予め閾値Ｖthを適切な値に設定しておくことによって、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射の開始を的確に検出することが可能となる。
なお、全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理の際、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されている間（図１１のＴonの期間、図１２〜図１４では「ＯＮ」から「ＯＦＦ」の間）は、制御手段２２は、電流検出手段４３が検出した電流（すなわち電流に相当する電圧値Ｖ）を監視しない。
また、この間は、オン電圧が印加された走査線５に接続されている各ＴＦＴ８はオン状態とされて各放射線検出素子７から暗電荷等の余分な電荷を放出させるリセット処理が行われている。
そのため、走査線５にオン電圧が印加されている間は、制御手段２２が電流検出手段４３のスイッチ４３ｄ（図９参照）をオン状態として抵抗器４３ａの両端子間を短絡させるように構成することが可能である。このように構成すれば、抵抗器４３ａの両端子間を短絡させることでバイアス線９の結線１０中や信号線６中を電流が流れ易くなるため、リセット効率が向上される。
また、本実施形態では、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間にのみ放射線の照射の開始が検出されるため、図１５に示すように、走査線の１本のラインＬにオン電圧が印加されている間に放射線の照射が開始されると、その時点（図中の時刻ｔ１参照）では放射線の照射開始を検出することができない。
しかし、図１５に示すように、その直後に走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加された時点で、電流検出手段４３から出力されるバイアス線９の結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖが閾値Ｖthを越えた値として検出されるため、その時点（図中の時刻ｔ２参照）で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。
制御手段２２は、上記のようにして電流検出手段４３が検出した結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖに基づいて放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射の開始を検出すると、走査駆動手段１５にトリガ信号を送信して、各放射線検出素子のリセット処理を停止させるようになっている。
走査駆動手段１５は、制御手段２２からのトリガ信号を受信すると、図１６に示すように、全オフ期を有する順次リセット方式の各放射線検出素子のリセット処理を停止して、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加した状態を維持するようになっている。そして、各ＴＦＴ８がオフ状態とされているため、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（すなわち画像データ）がそのまま各放射線検出素子７内に蓄積されるようになり、放射線画像撮影装置１は電荷蓄積状態に移行する。
なお、電荷蓄積状態では、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷を漏出させずに各放射線検出素子７内に確実に蓄積させるために、走査線５を介して各ＴＦＴ８に印加されるオフ電圧は、通常、例えば−１０［Ｖ］等の絶対値が大きな負の電圧値に設定される。
しかし、図１１に示した全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理において、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間にバイアス線９の結線１０中を流れる電流を監視する場合、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介して各ＴＦＴ８に印加されるオフ電圧は、０［Ｖ］以下の、絶対値が小さな負の値である方が、放射線の照射により各放射線検出素子７からバイアス線９や結線１０に流れる電流の電流量が多くなる。そして、その方が電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが大きくなり、制御手段２２が放射線の照射の開始を検出し易くなる。
そこで、上記のようにして各放射線検出素子７のリセット処理を行う際に走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘに印加するオフ電圧（以下、Ｖoff２という。）の値が、電荷蓄積状態における例えば−１０［Ｖ］等に設定されるオフ電圧（以下、Ｖoff１という。）の値よりも高い、０［Ｖ］以下の値（例えば−１［Ｖ］等）に設定するように構成することが可能である。
このように構成する場合、図１７に示すように、各放射線検出素子７のリセット処理の際には、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘに例えば−１［Ｖ］等に設定された値が高いオフ電圧Ｖoff２を印加する。そして、前述したように、走査駆動手段１５は、制御手段２２が放射線の照射が開始されたことを検出して送信したトリガ信号を受信すると、各放射線検出素子のリセット処理を停止させるとともに、ゲートドライバ１５ｂから走査線の全てのラインＬ１〜Ｌｘに印加するオフ電圧の値をＶoff２からより低い値のＶoff１に低下させる。
このように構成すれば、各放射線検出素子７のリセット処理時には放射線の照射の開始を検出し易くなるとともに、放射線の照射が開始された後は、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（すなわち画像データ）が各放射線検出素子７内から漏出することを的確に防止することが可能となる。
なお、図１７におけるＶonは、オン電圧の値を表す。また、図１７では、制御手段２２が放射線の照射が開始されたことを検出した時点で、オフ電圧をＶoff２からＶoff１に一気に低下させる場合が示されているが、オフ電圧を、Ｖoff２からＶoff１にある程度の時間をかけて連続的に或いは段階的に低下させるように構成することも可能である。
また、放射線画像撮影装置１が電荷蓄積状態に移行した後、図１３〜図１５等に示したように増加した電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが、例えば閾値Ｖth以下に低下した段階で、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が終了したことを検出するように構成することが可能である。また、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたことを検出した時点から所定の時間が経過した時点で放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が終了したと判断するように構成することも可能である。
放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が終了すると、前述したように読み出し回路１７により各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理が行われる。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、各放射線検出素子７のリセット処理として、走査線５にオン電圧を印加してＴＦＴ８をオン状態として放射線検出素子７から余分な電荷を放出させた後、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加する動作を繰り返して全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理を行う。
そして、各放射線検出素子７のリセット処理において、走査線５の各ラインＬにオン電圧が印加されている間は、放射線の照射開始等の検出を行わず、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間にバイアス線９の結線１０中を流れる電流を検出して、放射線の照射が開始されたことを検出する。
前述した従来の場合のように、走査線５の各ラインＬにオン電圧が印加されて各放射線検出素子７から余分な電荷がバイアス線９や結線１０に放出されている最中にバイアス線９や結線１０を流れる電流を検出するように構成すると、照射された放射線の線量が小さい場合には、放射線の照射により発生した電荷に起因する電流に相当する電圧値Ｖが、余分な電荷に起因する電流に相当する電圧値Ｖにいわば埋もれてしまい、放射線の照射が開始されたことを検出することが困難になる（図２７参照）。
しかし、本実施形態のように、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間にバイアス線９の結線１０中を流れる電流を検出するように構成すれば、余分な電荷に起因してバイアス線９や結線１０中を流れる電流の電流量はごく僅かであり、それに相当する電圧値Ｖはほぼ０に等しい値になる。
そのため、図１４に示したように、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の線量が小さいような場合であっても、放射線の照射により発生した電荷に起因して増加するバイアス線９や結線１０中を流れる電流を的確に検出することが可能となり、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。
なお、上記の説明（図１２（Ｂ）〜図１５参照）では、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されている間（図１１のＴonの期間、図１２〜図１４では「ＯＮ」から「ＯＦＦ」の間）は、制御手段２２は、電流検出手段４３から出力される電流に相当する電圧値Ｖを監視せず、いわば無視するように構成されている場合について説明した。
しかし、このように制御手段２２側で電圧値Ｖを監視し或いは監視しないように制御するように構成する代わりに、例えば、制御手段２２では、常時、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖを監視するように構成し、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されて電流検出手段４３がバイアス線９や結線１０中を流れる電流を検出するモードとされている場合には、電流検出手段４３から検出した電流に相当する電圧値Ｖを出力するように構成する。
そして、走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されて電流検出手段４３がバイアス線９や結線１０中を流れる電流を検出しないモードとされている場合には、電流検出手段４３から例えば電圧値Ｖとして０［Ｖ］を出力するように構成することも可能である。
このように構成すれば、走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されて、電流検出手段４３がバイアス線９や結線１０中を流れる電流を検出しないモードとされている場合には、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが閾値Ｖthを越えることがないため、制御手段２２が、走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されている最中に放射線の照射の開始を検出することはない。
従って、このように構成しても、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけ電流検出手段４３が検出した電流に相当する電圧値Ｖを監視する上記の本実施形態の場合と全く同様にして、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射の開始を的確に検出することが可能となる。
［第２の実施の形態］
上記の第１の実施形態では、各放射線検出素子７のリセット処理として、図１１に示したような全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理を行う場合、或いは図１０に示した通常の順次リセット方式のリセット処理から図１１に示した全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理に各放射線検出素子７のリセット処理の仕方を切り替える場合について説明した。
しかし、各放射線検出素子７のリセット処理の仕方は、この全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理に限定されず、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧を印加して各ＴＦＴ８をオン状態として各放射線検出素子７から電荷を放出させてリセットする動作を繰り返しながら、その間に全ての走査線５にオフ電圧を印加する期間（すなわち前述した全オフ期）を設ける仕方であれば、他の種々の方式のリセット処理を採用することができる。
本発明の第２の実施形態では、この各放射線検出素子７のリセット処理の仕方として、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから全ての走査線５に一斉にオン電圧を印加して各放射線検出素子７をリセットした後、全ての走査線５に印加したオン電圧を一斉にオフ電圧に切り替えて前述した全オフ期を設け、この動作を繰り返すようにして各放射線検出素子７のリセット処理を行う場合について説明する。
なお、以下、この方式による各放射線検出素子７のリセット処理を、全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理という。
全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理では、図１８に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオフ電圧から一斉にオン電圧に切り替えて、所定のオン時間Ｔonの間、オン電圧を印加した状態を維持する。そして、所定のオン時間Ｔonが経過すると、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧から一斉にオフ電圧に切り替えて、所定の期間Ｔoff（すなわち全オフ期）の間、オフ電圧を印加した状態を維持する。そして、この動作を繰り返させることにより、各放射線検出素子７のリセット処理が行われる。
なお、この場合も、各放射線検出素子７のリセット処理を開始した最初の段階では、各放射線検出素子７内に残存する余分な電荷をできるだけ多く放出させてリセット効率を高めるために、図１９の左側に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加して、各放射線検出素子７から一斉に余分な電荷を放出させる状態を継続する通常の一括リセット方式のリセット処理を行うように構成することも可能である。
また、このように構成する場合は、走査駆動手段１５は、図１９に示すように、各放射線検出素子７のリセット処理を開始してから予め設定された所定時間が経過した時点で、各放射線検出素子７のリセット処理の仕方を、通常の一括リセット方式のリセット処理から、上記の全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理に切り替える。
そして、本実施形態においても、図１２（Ｂ）〜図１５に示したように、制御手段２２を、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけ電流検出手段４３から出力されるバイアス線９や結線１０中を流れる電流に相当する電圧値Ｖを監視するように構成される。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１においても、上記の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置１と全く同等の有効な効果を奏することが可能となる。
すなわち、図１３や図１５に示したように放射線画像撮影装置１に対して比較的強い放射線（すなわち線量が大きい放射線）が照射された場合は勿論、図１４に示したように弱い放射線（すなわち線量が小さい放射線）が照射された場合であっても、例えば予め閾値Ｖthを適切な値に設定しておくことによって、放射線の照射により発生した電荷に起因して増加するバイアス線９や結線１０中を流れる電流を的確に検出することが可能となり、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。
なお、図示を省略するが、本実施形態においても、例えば第１の実施形態で図１７に示した手法と同様に、全オフ期を有する一括リセット処理時のオフ電圧を、通常の絶対値が大きな負の電圧値（例えば図１７におけるＶoff１）よりも高い負の値（例えば図１７におけるＶoff２）に設定するように構成して、制御手段２２が放射線の照射の開始を検出し易くし、制御手段２２が放射線の照射が開始されたことを検出した時点で、各放射線検出素子のリセット処理を停止させるとともに、走査線の全てのラインＬ１〜Ｌｘに印加するオフ電圧の値を通常の低い値（Ｖoff１）に低下させるように構成することが可能である。
その際、オフ電圧をＶoff２からＶoff１に一気に低下させるように構成することも可能であり、また、オフ電圧をＶoff２からＶoff１にある程度の時間をかけて連続的に或いは段階的に低下させるように構成することも可能であることは前述した通りである。
また、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の１本のラインＬにオン電圧が印加されている間、制御手段２２は電流検出手段４３から出力される電流に相当する電圧値Ｖを監視せず、いわば無視するように構成することも可能であり、また、制御手段２２で電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖを常時監視し、電流検出手段４３がバイアス線９や結線１０中を流れる電流を検出しないモードとされている場合に電流検出手段４３から例えば電圧値Ｖとして０［Ｖ］を出力するように構成することも可能である。
［第３の実施の形態］
上記の第１の実施形態や第２の実施形態では、電流検出手段４３でバイアス線９やその結線１０中を流れる電流を検出するように構成されている場合について説明したが、前述したように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている状態で放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、バイアス線９や結線１０中のみならず、走査線５中でも電流が流れる。
そこで、図７や図８に示したように、電流検出手段４３をバイアス線９やその結線１０上に設ける代わりに、例えば図２０に示すように、電流検出手段４３を、各走査線５或いはそれらを結束した結束線２４に接続して設け、電流検出手段４３で、走査線５やその結束線２４中を流れる電流の値を検出するように構成することが可能である。
この場合、電流検出手段４３は、図９に示した第１の実施形態の場合と同様に構成することが可能であるが、その際、抵抗器４３ａ等の一端側は、バイアス電源１４ではなく、走査駆動手段１５の電源回路１５ａ等の他の電源回路に接続され、抵抗器４３ａの他端側が走査線５やその結束線２４に接続される。
このように構成した場合でも、第１、第２の実施形態と同様に、制御手段２２を、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけ電流検出手段４３から出力される走査線５や結束線２４中を流れる電流に相当する電圧値Ｖを監視するように構成することで、第１、第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置１と全く同等の有効な効果を奏することが可能となる。
また、図７等に示したように、各走査線５は走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂに接続されている。そして、走査駆動手段１５では、図２１に簡略化して示すように、オン電圧とオフ電圧が電源回路１５ａからそれぞれ配線１５ｃonと配線１５ｃoffとを介してそれぞれ別個にゲートドライバ１５ｂに供給されるようになっている。
また、ゲートドライバ１５ｂの内部には、スイッチ素子１５ｄが、各走査線５がそれぞれ接続された端子ごとに設けられていて、スイッチ素子１５ｄの接続をそれぞれ切り替えることにより、各走査線５に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるように構成されている。
走査駆動手段１５がこのように構成されている場合、上記のように走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている状態で走査線５中を流れる電流は、結局、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff中を流れることになる。
そこで、例えば図２１に示すように、電流検出手段４３を、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff上に設け、電流検出手段４３で、配線１５ｃoff中を流れる電流の値を検出するように構成することも可能である。
このように構成した場合、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている状態では、各走査線５中を流れる電流は、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff中を流れるため、電流検出手段４３で検出される。
しかし、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の１本のラインＬ（上記の全オフ期を有する順次リセット方式のリセット処理の場合）或いは走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘ（上記の全オフ期を有する一括リセット方式のリセット処理）にオン電圧が印加されている状態では、各走査線５中を流れる電流は、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃon中を流れるため、電流検出手段４３では検出されない。
そのため、この場合、理論的には、電流検出手段４３で検出され出力される電流に相当する電圧値Ｖを制御手段２２が常時監視するように構成すれば、自動的に、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけの電流に相当する電圧値Ｖを監視することができる。
しかし、実際には、ゲートドライバ１５ｂでスイッチ素子１５ｄを切り替える際にスイッチ素子１５ｄで電流の貫通現象が生じたり、スイッチ素子１５ｄの切り替え自体でノイズが生じたりするため、放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射されていないにもかかわらず、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが閾値Ｖthを越えてしまう場合がある。
そこで、この場合も、前述した第１、第２の実施形態や第３の実施形態における上記の形態の場合と同様に、制御手段２２を、走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧が印加されている間だけ電流検出手段４３から出力される配線１５ｃoff中を流れる電流に相当する電圧値Ｖを監視するように構成することが望ましい。
そして、このように構成した場合でも、第１、第２の実施形態や第３の実施形態における上記の形態に係る放射線画像撮影装置１と全く同等の有効な効果を奏することが可能となる。
すなわち、図１３や図１５に示したように放射線画像撮影装置１に対して比較的強い放射線（すなわち線量が大きい放射線）が照射された場合は勿論、図１４に示したように弱い放射線（すなわち線量が小さい放射線）が照射された場合であっても、例えば予め閾値Ｖthを適切な値に設定しておくことによって、放射線の照射により発生した電荷に起因して増加するバイアス線９や結線１０中を流れる電流を的確に検出することが可能となり、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。
なお、その他、本発明が上記の各実の形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。
１ 放射線画像撮影装置
５、Ｌ、Ｌ１〜Ｌｘ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
８ ＴＦＴ（スイッチ手段）
９ バイアス線
１０ 結線（バイアス線）
１４ バイアス電源
１５ 走査駆動手段
１５ａ 電源回路
１５ｂ ゲートドライバ
１５ｃoff 配線
２２ 制御手段
４３ 電流検出手段
４３ａ 抵抗器
ｒ 領域
Ｔon オン時間（オン電圧を印加する時間）
Ｖ 電流に相当する電圧値（電流の値）
Ｖoff オフ電圧
Ｖoff１ 低いオフ電圧
Ｖoff２ 高いオフ電圧
Ｖon オン電圧
ΔＴ オンタイミング（オン電圧を印加する時間間隔）

Claims (12)

  1. 互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
    前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線に印加される電圧に応じてオフ状態とオン状態とが切り替えられ、前記オフ状態では前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、前記オン状態では前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
    前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
    装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
    電流検出手段が検出した前記電流の値に基づいて、少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
    を備え、
    前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧を印加して前記スイッチ手段をオン状態として当該スイッチ手段に接続された前記放射線検出素子から前記電荷を放出させた後、全ての前記走査線にオフ電圧を印加する動作を繰り返して、前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
    前記制御手段は、前記走査駆動手段の前記ゲートドライバから全ての前記走査線にオフ電圧が印加されている間に前記電流検出手段が検出した前記電流の値に基づいて放射線の照射の開始を検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させて、全ての前記走査線にオフ電圧が印加されている状態で、前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
  2. 前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバからオン電圧を印加する前記走査線を順次切り替えるとともに、前記ゲートドライバから前記走査線に印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えた後、一旦全ての前記走査線にオフ電圧を印加した状態を維持した後で次の前記走査線に印加したオフ電圧をオン電圧に切り替えるようにして、前記各放射線検出素子のリセット処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
  3. 前記走査駆動手段は、前記各放射線検出素子のリセット処理を開始した時点では、前記ゲートドライバから前記走査線に印加する電圧をオン電圧からオフ電圧に切り替えると同時に次の前記走査線に印加する電圧をオフ電圧からオン電圧に切り替えるようにして初期の前記リセット処理を行った後、前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧を印加した後で全ての前記走査線にオフ電圧を印加する動作を繰り返す前記各放射線検出素子のリセット処理の仕方に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
  4. 前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧を印加する時間を可変させることで、前記各放射線検出素子のリセット処理の仕方を切り替えることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像撮影装置。
  5. 前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバから一の前記走査線にオン電圧を印加した後、次の前記走査線にオン電圧を印加するまでの時間間隔を可変させることで、前記各放射線検出素子のリセット処理の仕方を切り替えることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
  6. 前記走査駆動手段は、前記ゲートドライバから全ての前記走査線に一斉にオン電圧を印加した後、全ての前記走査線に印加したオン電圧を一斉にオフ電圧に切り替える動作を繰り返すようにして、前記各放射線検出素子のリセット処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
  7. 前記走査駆動手段は、前記各放射線検出素子のリセット処理を開始した時点では、前記ゲートドライバから全ての前記走査線に一斉にオン電圧を印加した状態を維持し、所定時間が経過した時点で全ての前記走査線に一斉にオフ電圧を印加し、その後、前記ゲートドライバから全ての前記走査線に一斉にオン電圧を印加した後で前記所定時間よりも短い時間が経過した時点で全ての前記走査線にオフ電圧を一斉に印加する動作を繰り返す前記各放射線検出素子のリセット処理の仕方に切り替えることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
  8. 前記電流検出手段は、抵抗器を備え、装置内を流れる前記電流を電圧値に変換して検出するように構成されており、
    前記制御手段は、前記走査駆動手段の前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧が印加されている間は、前記電流検出手段の前記抵抗器の両端子間を短絡させるように制御することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
  9. 前記走査駆動手段の前記ゲートドライバから前記走査線にオン電圧を印加して前記スイッチ手段をオン状態とした後に全ての前記走査線にオフ電圧を印加する動作を繰り返して前記各放射線検出素子のリセット処理を行う際の前記オフ電圧の値が、前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる際に前記走査線に印加する前記オフ電圧の値よりも高い０［Ｖ］以下の値に設定されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
  10. 前記各放射線検出素子に接続されたバイアス線と、
    前記バイアス線を介して前記各放射線検出素子にバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
    をさらに備え、
    前記電流検出手段は、前記バイアス線を流れる電流の値を検出することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
  11. 前記電流検出手段は、前記走査線を流れる電流の値を検出することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
  12. 前記電流検出手段は、前記走査駆動手段の前記電源回路と前記ゲートドライバとを結ぶ配線を流れる電流の値を検出することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
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