JP5459066B2 - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Description

本発明は、放射線画像撮影装置に関する。

照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。

このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。

このような放射線画像撮影装置では、放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置との間のインターフェースの構築が必ずしも容易でない場合があり、放射線を照射した旨の信号を放射線発生装置等の外部装置から入手せず、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始や照射終了を検出できるように構成されていると便利である場合がある。

そこで、例えば特許文献４や特許文献５に記載の発明では、後述する図７等に示すように、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されて各放射線検出素子７内に電荷が発生すると、各放射線検出素子７から、各放射線検出素子７に接続されているバイアス線９に電荷が流れ出してバイアス線９を流れる電流が増加することを利用して、その電流値の増減に基づいて放射線の照射の開始等を検出することが提案されている。

ところで、放射線検出素子７は、放射線の照射を受けると、その内部で電荷が発生し、その発生する電荷の電荷量が放射線の線量に応じて変わるため、照射された放射線の線量を電気信号（すなわち画像データ）に変換して読み出すことができる。しかし、その一方で、放射線検出素子７では、放射線画像撮影装置に放射線が照射されていない状態でも、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等によりその内部で電子正孔対（すなわちいわゆる暗電荷）が常時発生している。

そのため、例えば特許文献５に記載された放射線画像撮影装置において、バイアス線９を流れる電流を検出して放射線の照射の開始等を検出する際に、各放射線検出素子７のスイッチ手段である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８をオフ状態としておくと、その間に各放射線検出素子７内に暗電荷が蓄積されてしまい、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生する電荷、すなわち画像データとして読み出したい電荷を各放射線検出素子７内に蓄積し得る量が減少してしまう。

そこで、バイアス線９を流れる電流を検出して放射線の照射の開始等を検出する際に、例えば図３０に示すように、走査駆動手段１５（後述する図７等参照）から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各ＴＦＴ８を順次オン状態として、各放射線検出素子７内に蓄積された暗電荷等の余分な電荷を信号線６に放出される各放射線検出素子７のリセット処理が行われる場合がある。

特開平９−７３１４４号公報 特開２００６−０５８１２４号公報 特開平６−３４２０９９号公報 米国特許第７２１１８０３号明細書 特開２００９−２１９５３８号公報

しかしながら、上記のように、各放射線検出素子７のリセット処理を行いながらバイアス線９を流れる電流を検出して放射線の照射の開始等を検出するように構成すると、例えば図３１に示すように、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でリセット処理が行われている走査線５（図３１の場合は走査線５のラインＬ２）に接続されている各放射線検出素子７から、放射線の照射により発生した有用な電荷の一部が、オン状態になっているＴＦＴ８を介して流出してしまう。

この場合、図３２に示すように、走査線５のラインＬ２に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データは、信頼がおけないものとなる。そのため、例えば、これらの画像データを破棄して走査線５のラインＬ２をいわゆる線欠陥として扱い、走査線５のラインＬ２に隣接する走査線５のラインＬ１、Ｌ３に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データ等を用いて走査線５のラインＬ２に接続されている各放射線検出素子７の画像データを補間する等して修復することが必要となる。

また、放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線発生装置において、放射線の照射を開始した時点で、照射する放射線の線量が瞬時に立ち上がらず、放射線の線量の立ち上がりが緩やかであるような場合には、例えば図３３に示すように、実際に放射線の照射が開始された時点と、放射線画像撮影装置が放射線の照射の開始を検出した時点がずれて、複数の走査線５（図３３の場合は走査線５のラインＬ２〜Ｌ４）に接続されている各放射線検出素子７から、放射線の照射により発生した有用な電荷の一部が、オン状態になっているＴＦＴ８を介して流出してしまう。

このような場合に、上記と同様にして、走査線５のラインＬ２〜Ｌ４を線欠陥として扱うと、図３４に示すように、線欠陥が走査線５の隣接する複数のラインＬ２〜Ｌ４に連続して現れるようになる。そして、これらの連続する線欠陥に対して、例えば走査線５のラインＬ１、Ｌ５に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データで補間する等して画像データが修復される。

しかし、例えば、放射線画像撮影装置で撮影された放射線画像を医療における診断用等に用いるような場合、上記のようにして画像データを破棄すると、破棄された各画像データ中に、病変部が撮影されていたとしても、それらの情報も破棄されてしまう。そして、周囲の画像データで補間する等して画像データを修復しても、それらの病変部の情報は修復されないため、病変部の情報が失われてしまう場合がある。そして、連続して線欠陥となる走査線５の数が多いほど、病変部の情報が画像データ中から失われる可能性が高くなる。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、装置自体で放射線の照射の開始等を検出する場合に、線欠陥が複数の走査線に連続して現れることを防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。また、線欠陥として扱われる走査線に接続されている各放射線検出素子の画像データを的確に修復可能な放射線画像撮影装置や放射線画像処理装置を提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線と、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となり前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替える走査駆動手段と、
前記放射線検出素子から放出された電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
前記読み出し回路以外で構成された照射検出手段から出力される値が放射線の照射開始により変化することに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から、ある前記走査線にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線に前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
前記照射検出手段から出力された前記値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させ、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加させて、放射線の照射により前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積モードに移行し、
放射線の照射が終了した後に、放射線の照射開始を検出した時点或いはその直前に前記各放射線検出素子のリセット処理でオン電圧を印加した前記走査線の次にオン電圧を印加すべき前記走査線からオン電圧の印加を開始させ、かつ、前記各放射線検出素子のリセット処理で前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加した順番と同じ順番に前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させて前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行うことを特徴とする。

本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、電流検出手段を設けて装置内の配線を流れる電流を検出することで、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射の開始等を検出することが可能となる。

また、放射線画像撮影前に各放射線検出素子のリセット処理や各放射線検出素子からの画像データの読み出し処理を行いながら放射線の照射開始を待つ際、図３０に示した従来例のようにオン電圧を印加する走査線を１本ずつシフトさせながら印加するのではなく、ある走査線にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線に検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにしてリセット処理や読み出し処理を行う。

そのため、図３４に示した従来例のように線欠陥が隣接する複数の走査線に連続して現れる状態にはならず、線欠陥が複数の走査線に連続して現れることを的確に防止して、後述する図２２に示すように、線欠陥が互いに離間して現れる状態とすることが可能となる。

また、放射線の照射が開始されたことを検出すると、各放射線検出素子のリセット処理や画像読み出し処理を停止させて電荷蓄積モードに移行するため、実際に放射線画像撮影装置に放射線の照射が開始された時点と、放射線の照射が開始されたことを検出した時点とがずれたとしても、その間にオン電圧が印加されてリセット処理や読み出し処理が行われる走査線の本数を低減することが可能となる。そのため、上記のように画像データが修復される各放射線検出素子の数をより少なくすることが可能となる。

また、本発明のような方式の放射線画像撮影装置および放射線画像処理装置によれば、上記のように、互いに離間して現れる線欠陥の各走査線に対して例えば線形補間等の手法を用いたり、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データを用いて、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データ（いわゆる本画像）を修復する。

その際、修復に用いられる線欠陥の周囲の走査線に接続されている各放射線検出素子の画像データは、線欠陥とされた走査線に接続されている各放射線検出素子とは異なる時期に読み出された画像データであり、放射線の照射の影響を全く受けていない信頼し得るデータである。そのため、それらの信頼できる画像データを用いて、線欠陥として扱われる各走査線に接続されている各放射線検出素子の画像データを的確に修復することが可能となる。

そのため、修復された画像データが信頼性の高いデータとなるとともに、線欠陥となる複数の走査線のラインＬが互いに離間して現れる状態になるため、例えば、線欠陥とされ破棄された画像データ中に撮影されていた病変部を、それに隣接する各放射線検出素子の画像データで的確に修復することが可能となる。

本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。 図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 基板の構成を示す平面図である。 図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。 図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。 ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。 電流検出手段の構成の構成を表す等価回路図である。 画像データの読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。 相関二重サンプリング回路における電圧値の変化等を表すグラフである。 各放射線検出素子のリセット処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。 放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理の際に各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの例を表すタイミングチャートである。 各信号線がそれぞれ分断されて構成され、いわゆる両側読み出しを行うように構成された放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。 放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理の際に各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの別の例を表すタイミングチャートである。 電流検出手段から出力される電圧値の時間的推移の例を表すグラフである。 放射線画像撮影前のリセット処理、電荷蓄積モードおよび放射線画像撮影後の読み出し処理において各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの例を表すタイミングチャートである。 放射線画像撮影前のリセット処理、電荷蓄積モードおよび放射線画像撮影後の読み出し処理において各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの別の例を表すタイミングチャートである。 図１７の場合にオフセット補正値読み出し処理で放射線画像撮影後の画像データの読み出し処理までの処理シーケンスを繰り返す場合のタイミングを表すタイミングチャートである。 放射線画像処理装置の構成を表すブロック図である。 真の画像データＤ^＊の走査線ごとの平均値を走査線のライン番号の順にプロットした例を示すグラフである。 図１７の場合に画像データを修復すべき各走査線５が１ラインおきに現れる状態を表す図である。 電流検出手段を走査線等に接続させるように構成した場合の放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 電流検出手段を走査駆動手段の配線に設けた場合の等価回路を表すブロック図である。 第２の実施形態における放射線画像撮影前の読み出し処理で各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの例を表すタイミングチャートである。 第２の実施形態における放射線画像撮影前の読み出し処理、電荷蓄積モードおよび放射線画像撮影後の読み出し処理において各走査線にオン電圧を順次印加させるタイミングの例を表すタイミングチャートである。 図２６の場合にオフセット補正値読み出し処理で放射線画像撮影後の画像データの読み出し処理までの処理シーケンスを繰り返す場合のタイミングを表すタイミングチャートである。 真の画像データｄ^＊の走査線ごとの平均値を時系列的に並べてプロットした例を示すグラフである。 放射線検出素子から放出される電荷や他の放射線検出素子からリークする各電荷と読み出される画像データとの関係を説明する図である。 従来例において各放射線検出素子のリセット処理時に各走査線にオン電圧を印加するタイミングを示すタイミングチャートである。 放射線の照射により発生した電荷の一部がリセット処理でオン状態となっているＴＦＴを介して流出することを説明するタイミングチャートである。 線欠陥として扱われる走査線を表す図である。 実際の放射線照射開始時点と放射線の照射開始を検出した時点がずれて複数の走査線に接続されている各放射線検出素子から有用な電荷の一部が流出することを説明するタイミングチャートである。 走査線の隣接する複数のラインに連続して現れた線欠陥の例を表す図である。

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置および放射線画像処理装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施形態や後述する第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４等が収納された可搬型（すなわちいわゆるカセッテ型）の装置として構成されている。

筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。

また、図１に示すように、筐体２の側面部分には、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７、図示しないバッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材３８の側面部には、アンテナ装置３９が埋め込まれている。

なお、アンテナ装置３９の設置位置は蓋部材３８の側面部に限らず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置３９を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置３９は１個に限らず、複数設けることも可能である。さらに、データや信号等を外部装置との間で有線方式で送受信するように構成することも可能であり、その場合は、例えばケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置１の側面部等に設けられる。

筐体２の内部には、図２に示すように、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。

シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。

基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、それぞれ放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。

このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。

本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。

そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５により、接続された走査線５にオン電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内で発生し蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５にオフ電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止し、放射線検出素子７内で発生した電荷を保持して、放射線検出素子７内に蓄積させるようになっている。

ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。

基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。

ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。

また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。

第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。

放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。

また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。

なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型等の他の形式の放射線検出素子で構成することも可能であり、限定されない。

放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。

図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０に結束されている。

本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、後述するゲートドライバ１５ｂを構成するＩＣ１２ａ等のチップがフィルム上に組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。

また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。

ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。

前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。

また、本実施形態では、放射線検出素子７のｐ層７７側（図５参照）に第２電極７８を介してバイアス線９が接続されていることからも分かるように、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７８にバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７４側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。

本実施形態では、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段は、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を必要に応じて可変させるようになっている。

本実施形態では、バイアス線９の結線１０には、結線１０（バイアス線９）を流れる電流を検出する電流検出手段４３が設けられている。

なお、図７や図８および前述した図３等では、各バイアス線９が１本の結線１０に結束される場合が示されており、その場合は、電流検出手段４３は１本の結線１０に１つだけ設けるように構成することが可能であるが、各バイアス線９が複数の結線１０に結束されるように構成される場合もある。その場合には、電流検出手段４３を各結線１０に設けるように構成することも可能であり、また、複数の結線１０のうちの何本かに電流検出手段４３を設けるように構成することも可能である。

ここで、電流検出手段４３の構成について説明する。本実施形態では、電流検出手段４３は、バイアス線９の結線１０とバイアス電源１４との接続部分に設けられており、バイアス線９の結線１０中を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出するようになっている。

具体的には、電流検出手段４３は、図９に示すように、バイアス電源１４と各放射線検出素子７とを結ぶバイアス配線９の結線１０に直列に接続される所定の抵抗値を有する抵抗器４３ａと、それに並列に接続されたダイオード４３ｂと、抵抗器４３ａの両端子間の電圧Ｖを測定して制御手段２２に出力する差動アンプ４３ｃとを備えて構成されている。

そして、電流検出手段４３は、差動アンプ４３ｃで抵抗器４３ａの両端子間の電圧Ｖを測定し、抵抗器４３ａを流れる電流、すなわちバイアス線９の結線１０を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出して、制御手段２２に出力するようになっている。

なお、電流検出手段４３に備えられる抵抗器４３ａとしては、結線１０中を流れる電流を適切な電圧値Ｖに変換可能な抵抗値を有する抵抗器が用いられる。また、抵抗器４３ａに並列にダイオード４２ｄを接続することで低線量の場合の検出精度が向上される。なお、抵抗器４３ａやダイオード４３ｂのいずれかのみを配線に直列に接続して、その両端子間の電圧Ｖを差動アンプ４３ｃで測定するように構成することも可能である。

また、本実施形態では、電流検出手段４３には、バイアス線９の結線１０中を流れる電流を検出する必要がない場合に、抵抗器４３ａの両端子間を短絡するためのスイッチ４３ｄが設けられている。

また、差動アンプ４３ｃには電源供給手段４４から電力が供給されるようになっており、電流検出手段４３で電流を検出する際には、電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃに電力が供給され、スイッチ４３ｄの短絡が解除されて電流検出手段４３が起動状態とされ、電流を検出しない場合には、スイッチ４３ｄで抵抗器４３ａの両端子間が短絡されるとともに、電源供給手段４４から差動アンプ４３ｃへの電力の供給が停止されて電流検出手段４３の起動が停止されるようになっている。

なお、本実施形態では、電流検出手段４３は、上記のように、バイアス線９や結線１０中を流れる電流を電圧値Ｖに変換して検出するように構成されているが、電流により結線１０の周囲に発生する磁気を検出する等して、電流値そのものを検出するように構成することも可能である。

図７や図８に示すように、各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７、図８中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７、図８中ではＧと表記されている。）は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる各走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７、図８中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。

走査駆動手段１５は、本実施形態では、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを備えており、ゲートドライバ１５ｂに接続されている各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を制御するようになっている。本実施形態では、電源回路１５ａは、ゲートドライバ１５ｂに対して各走査線５を介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加するオン電圧およびオフ電圧を供給するようになっている。

各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７が設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。

読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。

本実施形態では、増幅回路１８はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されて構成されている。また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ_０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ_０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。

また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で、放射線検出素子７のＴＦＴ８がオン状態とされると（すなわち、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに走査線５を介してオン電圧が印加されると）、当該放射線検出素子７から放出された電荷がコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力端子から出力されるようになっている。

増幅回路１８は、このようにして、各放射線検出素子７から出力された電荷量に応じて電圧を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオン状態とすることで、増幅回路１８の入力側と出力側とを短絡し、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷を放電して増幅回路１８をリセットすることができるようになっている。

なお、増幅回路１８を、放射線検出素子７から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。また、図８に示すように、増幅回路１８には、電源供給部４２から電力が供給されるようになっている。なお、図７では、電源供給部４２の図示が省略されている。

増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が接続されている。相関二重サンプリング回路１９は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路１９におけるサンプルホールド機能は、制御手段２２から送信されるパルス信号によりそのオン／オフが制御されるようになっている。

すなわち、例えば画像データの読み出し処理の際には、図１０に示すように、まず、各読み出し回路１７の増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃを制御してオフ状態とされる。その際、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオフ状態にした瞬間に、いわゆるｋＴＣノイズが発生し、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂにｋＴＣノイズに起因する電荷が溜まる。

そのため、図１１に示すように、増幅回路１８から出力される電圧値が、電荷リセット用スイッチ１８ｃをオフ状態にした瞬間（図１１では「１８ｃoff」と表示）に、前述した基準電位Ｖ_０からｋＴＣノイズに起因する電荷の分だけ変化して電圧値Ｖinに変わる。制御手段２２は、この段階で、図１０に示すように、相関二重サンプリング回路１９に１回目のパルス信号Ｓｐ１を送信して、その時点（図１１では「ＣＤＳ保持」（左側）と表示）で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持させる。

続いて、図１０に示したように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから１本の走査線５（例えば走査線５のラインＬｎ）にオン電圧を印加してその走査線５にゲート電極８ｇが接続されているＴＦＴ８をオン状態とすると（図１０参照。図１１では「ＴＦＴon」と表示）、これらのＴＦＴ８が接続されている各放射線検出素子７から蓄積された電荷が各信号線６を介して増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに流れ込んで蓄積され、図１１に示すように、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じて増幅回路１８から出力される電圧値が上昇する。

そして、制御手段２２は、所定時間が経過した後、図１０に示すように、ゲートドライバ１５ｂから当該走査線５に印加しているオン電圧をオフ電圧に切り替えてその走査線５にゲート電極８ｇが接続されているＴＦＴ８をオフ状態とし（図１１では「ＴＦＴoff」と表示）、この段階で各相関二重サンプリング回路１９に２回目のパルス信号Ｓｐ２を送信して、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持させる（図１１では「ＣＤＳ保持」（右側）と表示）。

各相関二重サンプリング回路１９は、２回目のパルス信号Ｓｐ２で電圧値Ｖfiを保持すると、電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データとして下流側に出力するようになっている。

相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データは、アナログマルチプレクサ２１に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信される。そして、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段４０に出力されて順次保存されるようになっている。

そして、制御手段２２は、画像データの読み出し処理の際には、走査駆動手段１５から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに対して図１０に示すようにオン電圧を順次印加させて、上記のようにして走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている各放射線検出素子７からそれぞれ画像データを読み出すようになっている。

なお、各放射線検出素子７のリセット処理の際には、図１２に示すように、各読み出し回路１７の増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃをオン状態として短絡した状態で、走査駆動手段１５から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加して各ＴＦＴ８をオン状態として、各放射線検出素子７からその内部に蓄積された電荷を各信号線６に放出させるようになっている。なお、この場合、制御手段２２から相関二重サンプリング回路１９にはパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２は送信されない。

制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段４０が接続されている。

また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段４０、バイアス電源１４等の各機能部に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。また、バッテリ４１には、図示しない充電装置から電力を供給してバッテリ４１を充電する際に充電装置とバッテリ４１とを接続する接続端子４２が取り付けられている。

以下、本実施形態における放射線画像撮影装置１での放射線画像撮影前の各処理から放射線の照射終了後の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理等について説明する。なお、以下では、放射線の照射終了後の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を、放射線画像撮影後の読み出し処理という。

本実施形態では、制御手段２２は、放射線画像撮影前に、放射線画像撮影装置１の電源スイッチ３６（図１参照）が押下されたり外部のコンピュータ等から起動信号が送信される等して放射線画像撮影装置１が起動されたり、放射線画像撮影装置１がいわゆるスリープ状態から覚醒状態に遷移されたりした時点で、走査駆動手段１５にトリガ信号を送信して、各放射線検出素子７のリセット処理を行うようになっている。

その際、本実施形態では、制御手段２２は、図３０に示した従来からの各放射線検出素子７のリセット処理におけるオン電圧の印加の仕方とは異なり、走査駆動手段１５から走査線５の各ラインＬ１〜ｌｘに対して、ある走査線５にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を印加するようにして走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子７のリセット処理を行うようになっている。

具体的には、例えば、本実施形態では前述したように走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂが例えばそれぞれ１２８本の走査線５が接続される各ゲートＩＣ１２ａ（図６参照）で構成されることを利用して、図１３に示すように、最初に、１番目のゲートＩＣ１２ａの１番目の端子に接続されている走査線５のラインＬ１にオン電圧を印加し、その次のタイミングで、２番目のゲートＩＣ１２ａの１番目の端子に接続されている走査線５のラインＬ１２９にオン電圧を印加する。

そして、その後、順次、３番目以降の各ゲートＩＣ１２ａの１番目の端子にそれぞれ接続されている走査線５のラインＬ２５７、…にオン電圧を順次印加する。続いて、今度は、各ゲートＩＣ１２ａの２番目の端子にそれぞれ接続されている走査線５のラインＬ２、Ｌ１３０、Ｌ２５８、…にオン電圧を順次印加する。以降、オン電圧を印加する各ゲートＩＣ１２ａの端子を順番に切り替えながら、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加していくように構成することが可能である。

また、例えば図１４に示すように、放射線画像撮影装置１が、各信号線６がそれらの中央部等でそれぞれ分断されて構成されており、図中の上側部分の各放射線検出素子７の画像データＤは、図中上側の各入出力端子１１を介して図１４では図示を省略する各読み出しＩＣ１６で読み出され、図中の下側部分の各放射線検出素子７の画像データＤは、図中下側の各入出力端子１１を介して別の各読み出しＩＣ１６で読み出されるように（すなわちいわゆる両側読み出しを行うように）構成されている場合がある。

このような場合に、例えば、最初に、図中の最上段の走査線５にオン電圧を印加し、その次のタイミングで、図中の最下段の走査線５にオン電圧を印加し、続いて、最上段の走査線５の１本下側の走査線５にオン電圧を印加し、続いて、最下段の走査線５の１本上側の走査線５にオン電圧を印加し、このようなオン電圧の印加の仕方を、順次、各信号線６が分断されている中央部に向かう方向にシフトさせながら行うように構成することも可能である。このように構成しても、ある走査線５にオン電圧を印加した次のタイミングで当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を順次印加するように構成できる。

さらに、例えば、図１５に示すように、先にライン番号が奇数の走査線５にオン電圧を順次印加し、その後、ライン番号が偶数の走査線５にオン電圧を順次印加するように構成しても、ある走査線５にオン電圧を印加した次のタイミングで当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を順次印加するように構成できる。

以下では、図示の都合上、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理において、図１５に示したようにオン電圧を印加する場合について説明するが、例えば図１３や図１４に示したようにオン電圧を印加すると、後述するように線欠陥とすべき走査線５同士が検出部Ｐ上で非常に離れた位置に存在するようになるといった利点がある。

また、ゲートＩＣ１２ａごとに見た場合、図１５の場合には奇数のライン番号の走査線５にオン電圧を印加した後、偶数のライン番号の走査線５にオン電圧を印加しなければならないが、図１３や図１４の場合には、各ゲートＩＣ１２ａごとに見た場合には、１番目の端子から順に（或いは最後の端子から順に遡って）オン電圧を印加すればよいため、各ゲート１２ａの制御構成が比較的単純になるといった利点もある。

一方、制御手段２２は、上記のように放射線画像撮影前に各放射線検出素子のリセット処理を繰り返し行わせるとともに、それとは別の処理として、前述した電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖを監視するようになっている。

電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖは、バイアス線９の結線１０を流れる電流の増減に対応して、例えば図１６に示すように変化する。すなわち、放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前の時点ｔａでは、各放射線検出素子７内で暗電荷が発生することに伴ってバイアス線９を流れる電流が結線１０に流れ込むため、放射線が照射されていなくても、バイアス線９の結線１０中には微量の電流が流れ、電流検出手段４３からは、それに対応した微量ではあるが０ではない電圧値Ｖａが出力される。

そして、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると（図１６の時刻ｔｂ参照）、前述したように各放射線検出素子７のｉ層７６（図５参照）内で電荷（すなわち電子正孔対）が発生し、それに対応してバイアス線９や結線１０を流れる電流が増加する。

そこで、本実施形態では、制御手段２２は、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが大きく増加し始めたことを検出することで、放射線の照射が開始されたことを検出するようになっている。

放射線の照射開始の検出は、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが予め設定された閾値Ｖthを越えた時刻ｔｃに放射線照射が開始されたとして検出するように構成してもよく、また、電圧値Ｖの時間微分値が予め設定された閾値を越えた時刻ｔｄに放射線照射が開始されたとして検出するように構成することも可能である。

なお、放射線発生装置からの放射線の照射が終了すると、今度は、各放射線検出素子７内での新たな電子正孔対の発生が停止し、それに応じた電流がバイアス線９中を流れなくなる。そのため、図１６における時刻ｔｅに示されるように、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが減少し始める。

そこで、例えば、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖが減少したことを検出して、放射線の照射が終了したことを検出するように構成することが可能である。この場合、放射線の照射終了の検出は、電圧値Ｖが前述した閾値Ｖthを下回った時刻ｔｆに放射線照射が終了されたとして検出するように構成してもよく、また、電圧値Ｖの時間微分値が所定の負の値の閾値をより負側に越えた時刻ｔｇに放射線照射が終了されたとして検出するように構成することも可能である。

また、制御手段２２がこのようにして放射線の照射が終了したことを検出するように構成することも可能であり、また、前述したように放射線の照射が開始されたことを検出した時点（例えば時刻ｔｃ）から予め設定された所定時間が経過した時点で放射線の照射が終了したものとして、下記の放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理に移行するように構成することも可能である。

制御手段２２は、上記のようにして電流検出手段４３が出力するバイアス線９の結線１０を流れる電流に相当する電圧値Ｖに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、図１７に示すように、各放射線検出素子７のリセット処理を停止させ、走査駆動手段１５から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させるようになっている。

このように、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させることで、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が各放射線検出素子７内に蓄積される状態となり、電荷蓄積モードに移行する。

なお、図１７では、走査線５のラインＬ７にオン電圧が印加された時点で放射線の照射が開始されたことが検出された場合が示されている。また、実際には、放射線画像撮影装置１に、走査線５のラインＬ３にオン電圧を印加した時点で放射線の照射が開始された場合が示されている。なお、この段階では、放射線画像撮影装置１自体では、この実際に放射線の照射が開始された時点を検出することができないことは前述した通りである。

制御手段２２は、前述したように、放射線の照射が開始されたことを検出した時点から所定時間が経過した時点で、或いは、自ら放射線の照射が終了したことを検出した時点で、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理を開始するようになっている。

本実施形態では、図１７に示すように、制御手段２２は、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理では、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理で、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧を印加していた走査線５（図１７の例では走査線５のラインＬ７）の次にオン電圧を印加すべき走査線５（図１７の例では走査線５のラインＬ９）から、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行わせるようになっている。

なお、図１８に示すように、放射線画像撮影後の読み出し処理で、通常の場合のように、走査線５の最初のラインＬ１から順にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行わせるように構成することも可能である。

図１７に示したように放射線画像撮影後の読み出し処理を走査線５のラインＬ９から開始した場合は、ライン番号が奇数の走査線５の最後のラインＬまで読み出した後、次にライン番号が偶数の走査線５のラインＬ２から最後のラインＬまで読み出し処理を行い、さらに走査線５の最初のラインＬ１に戻って、走査線５のラインＬ７まで読み出し処理を行う。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影後の読み出し処理で各放射線検出素子７から読み出された画像データＤを記憶手段４０に保存するようになっている。

一方、本実施形態では、制御手段２２は、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理を終了すると、図１９に示すように、各放射線検出素子７のリセット処理から放射線画像撮影後の読み出し処理までの間に走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加したタイミングと同じタイミングで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加して、今度は、各放射線検出素子７からそれぞれオフセット補正値Ｏを読み出すオフセット補正値読み出し処理を行うになっている。

この場合、オフセット補正値読み出し処理とは、前述したように各放射線検出素子７内で常時発生している暗電荷に起因するオフセット分が画像データＤに重畳されているため、この画像データＤに重畳されているオフセット分のみをオフセット補正値Ｏとして読み出すための処理である。そして、オフセット分は、各ＴＦＴ８がオフ状態とされている間に各放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷の量に依存し、蓄積される暗電荷の大きさは各ＴＦＴ８がオフ状態とされている時間（以下、ＴＦＴ８のオフ時間という。）に依存して変わる。

そのため、画像データＤに重畳されているオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されるオフセット補正値Ｏとを同じ大きさにするために、本実施形態では、上記のように、各放射線検出素子７のリセット処理から放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理と同じ処理シーケンスを繰り返してオフセット補正値読み出し処理を行うようになっている。

ただし、オフセット補正値読み出し処理の電荷蓄積モードでは、放射線画像撮影装置１に放射線は照射されない。すなわち、オフセット補正値読み出し処理における電荷蓄積モードでは、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の前の電荷蓄積モードと同じ時間だけ放射線画像撮影装置１が放置される。

このように構成すると、各放射線検出素子７のリセット処理から放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理までに、走査線５の各ラインＬ１〜ＬｘでＴＦＴ８がオフ状態とされていたオフ時間と、オフセット補正値読み出し処理で走査線５の各ラインＬ１〜ＬｘでＴＦＴ８がオフ状態とされるオフ時間とが同じになり、画像データＤに重畳されているオフセット分とオフセット補正値Ｏとが同じ大きさになる。

そのため、画像データＤからオフセット補正値Ｏを減算することで、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（暗電荷分を含まない。）のみに相当する真の画像データＤ^＊を得ることが可能となる。

なお、上記のオフセット補正値読み出し処理を複数回行って各放射線検出素子７ごとに複数のオフセット補正値Ｏを取得し、例えばそれらのオフセット補正値Ｏの平均値を算出してその平均値を当該放射線検出素子７のオフセット補正値Ｏとするように構成することも可能である。また、図１８に示したように、放射線画像撮影後の読み出し処理で走査線５の最初のラインＬ１から順にオン電圧を順次印加して画像データＤの読み出し処理を行う場合には、オフセット補正値読み出し処理も走査線５の最初のラインＬ１から順にオン電圧を順次印加して行われる。

制御手段２２は、オフセット補正値読み出し処理で各放射線検出素子７から読み出されたオフセット補正値Ｏを記憶手段４０に保存するようになっている。上記のように、複数のオフセット補正値Ｏの平均値等をオフセット補正値Ｏとする場合には、平均値等を算出して記憶手段４０に保存するようになっている。

次に、実際に放射線画像撮影装置１に放射線が照射された後、放射線の照射が開始されたことを検出するまでの間にオン電圧が印加された走査線５（図１７の例では走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７）に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データＤの修復処理について説明する。

この修復処理は、放射線画像撮影装置１自体すなわち制御手段２２が行うように構成することも可能であり、また、放射線画像撮影装置１とは別体の、例えば図２０に示すようなＣＰＵ５１やＲＯＭ５２、ＲＡＭ５３、入出力インターフェース５４等がバス５５に接続され、マウスやキーボード等の入力手段５６やＨＤＤ（Hard Disk Drive）等からなる記憶手段５７が接続されたコンピュータ等で構成された放射線画像処理装置５０で行うように構成することも可能である。

この場合、放射線画像処理装置５０のＲＯＭには所定のプログラムが格納されており、放射線画像処理装置５０は、必要なプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開してプログラムに従って上記の修復処理を実行するように構成される。

また、修復処理を放射線画像処理装置５０で行うように構成する場合、放射線画像撮影装置１は、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧を印加していた走査線５のライン番号（図１７の例では走査線５のラインＬ７のライン番号「７」）の情報、各画像データＤおよび各オフセット補正値Ｏ等を、放射線画像処理装置５０に送信する。また、放射線画像処理装置５０は、それらのデータを記憶手段５７に保存する。

以下、修復処理を放射線画像処理装置５０で行う場合について説明するが、放射線画像撮影装置１自体で行う場合も同様に説明される。

放射線画像処理装置５０は、画像データＤの修復処理を行う前に、まず、放射線画像撮影装置１から送信されてきた放射線画像撮影後の画像データＤとオフセット補正値Ｏに基づいて、下記（１）式に従って、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷のみに相当し暗電荷分を含まない真の画像データＤ^＊を各放射線検出素子７ごとに算出する。そして、算出されたこれらの真の画像データＤ^＊が、修復処理の対象となる。
Ｄ^＊＝Ｄ−Ｏ …（１）

次に、実際に放射線画像撮影装置１に放射線が照射された後、放射線の照射が開始されたことを検出するまでの間にオン電圧が印加された走査線５（図１７の例では走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７）に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊の修復処理について説明する。

修復処理を行う場合、上記のように、放射線画像撮影装置１自体では実際に放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始された時点を検出することができないため、走査線５のどのラインＬに接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復すべきかは分からない。そこで、まず、真の画像データＤ^＊の修復処理を行う対象となる走査線５をどのように設定するかが問題となる。以下では、この真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５の設定の方法として３種類の方法について説明するが、これらに限定されるものではない。

［方法１］
１つ目の方法としては、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧を印加していた走査線５を含み、それ以前にオン電圧が印加された所定本数の走査線５を真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５とする方法を挙げることができる。

例えば、上記の所定本数を予め１０本等と設定しておき、図１７に示した例では、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５は走査線５のラインＬ７であるから、放射線画像処理装置５０は、放射線画像撮影装置１から送信されてきた走査線５のライン番号（この場合は「７」）を参照して、走査線５のラインＬ７、Ｌ５、Ｌ３、Ｌ１、…を、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５とする。

なお、この場合（以下の場合も同様である。）、上記の所定本数は、実際に放射線画像撮影装置１に放射線が照射された後、放射線の照射が開始されたことを検出するまでの間にオン電圧が印加されると予想される走査線５（図１７の例では走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７）の本数以上の本数に設定される。

従って、上記の場合には、実際に放射線が照射されてから放射線の照射が開始されたことを検出するまでの間にオン電圧が印加される走査線５の本数は１０本未満であろうということで１０本等に設定したが、それよりも多くの本数の走査線５にオン電圧が印加される可能性がある場合には、上記の所定本数はより多くの本数に設定される。

［方法２］
また、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データＤから算出した真の画像データＤ^＊を解析して、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定するように構成することも可能である。

具体的には、図１７に示した例で説明すると、例えば、真の画像データＤ^＊のうち、まず、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５のラインＬ７を含む、その前後の１０本等の各走査線のラインＬ１〜Ｌ１７について、各走査線５ごとに、当該走査線５に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊の平均値を算出する。平均値の代わりに合計値を用いてもよい。

このように平均値（或いは合計値。以下同じであるため省略。）を算出する理由は、真の画像データＤ^＊にはそれぞれノイズが含まれているため、個々の真の画像データＤ^＊のままではノイズの影響で解析が困難な場合があるが、このように平均値を算出することで、個々の真の画像データＤ^＊のノイズが打ち消しあって相殺されるためである。

そこで、走査線５ごとの平均値Ｄ^＊aveを走査線５のラインＬｋの順にプロットすると、例えば図２１に示すように、平均値Ｄ^＊aveの推移のトレンドが得られる。そして、その中で、走査線５のラインＬ７、すなわち放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊の平均値Ｄ^＊aveや、それ以前にオン電圧が印加されていた走査線５のラインＬ５、Ｌ３等に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊の平均値Ｄ^＊aveが、全体的な推移のトレンドから外れる状態になる。

そこで、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５のラインＬ７を含み、それ以前に放射線が照射されている最中にオン電圧が印加された可能性がある走査線５のラインＬ１、Ｌ３、Ｌ５以外の、走査線５のラインＬ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８〜Ｌ１７について真の画像データＤ^＊の平均値Ｄ^＊aveの全体的な推移のトレンドを算出する。

そして、そのトレンドから外れ始める走査線５を解析すると、図２１の例では走査線５のラインＬ３であると分かる。そこで、この場合は、例えば平均値Ｄ^＊aveがトレンドから所定の閾値以上に外れた走査線５を放射線が照射されている間にオン電圧が印加された走査線５であると判断するように構成する等すれば、走査線５のラインＬ３にオン電圧が印加された時点で放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたと見なすことができる。

方法２では、例えば上記のようにして、各走査線５に接続されている各放射線検出素子の真の画像データＤ^＊から算出した平均値Ｄ^＊aveを解析する等して、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧を印加していた走査線５のラインＬ７を含む各走査線５に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データＤに基づく真の画像データＤ^＊を解析して、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定する。すなわち、上記の例では、走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７と決定する。

［方法３］
また、上記の方法２では、算出した真の画像データＤ^＊を解析して、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定する場合について説明したが、上記のように、本実施形態では、放射線の照射が開始されたか否かの判断は、電流検出手段４３が出力する、バイアス線９の結線１０を流れる電流に相当する電圧値Ｖに基づいて行われる。

そして、放射線画像撮影装置１における放射線の照射開始の検出は、上記のように、電流検出手段４３から出力された電圧値Ｖが予め設定された閾値Ｖthを越えた時点ｔｃ（図１６参照）や、電圧値Ｖの時間微分値が予め設定された閾値を越えた時点ｔｄとされるが、この電流検出手段４３から出力された電圧値Ｖを詳しく解析すれば、実際に放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始された時点がｔｂの時点であることが分かる。

そこで、電流検出手段４３から出力された、バイアス線９の結線１０を流れる電流に相当する電圧値Ｖを解析して、実際に放射線の照射が開始された時点（図１６の場合はｔｂ）を割り出し、その時点ｔｂで或いはその直後にオン電圧が印加された走査線５を割り出して、割り出した当該走査線５から、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧を印加していた走査線５までの各走査線５を、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５として決定するように構成することも可能である。

この場合、電流検出手段４３から出力された電圧値Ｖの解析を、放射線画像撮影装置１の制御手段２２で行ってもよく、その場合は、割り出した時点ｔｂでオン電圧が印加された走査線５の情報等が放射線画像撮影装置１から放射線画像処理装置５０に送信される。また、放射線画像撮影装置１の制御手段２２自体が真の画像データＤ^＊の修復処理を行う場合には、自ら割り出したその情報に基づいて修復処理が行われる。

また、電流検出手段４３から出力された電圧値Ｖの解析を、放射線画像処理装置５０で行う場合には、放射線画像撮影装置１から電圧値Ｖの情報が放射線画像処理装置５０に送信される。その場合、電流検出手段４３から出力された電圧値Ｖをすべて送信する必要はなく、放射線の照射が開始されたことを検出した時点から所定時間前までの電圧値Ｖのデータを送信すればよい。

なお、上記の方法２、方法３を適宜組み合わせて真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定するように構成することも可能である。また、方法１と方法２、方法３とを適宜組み合わせて、例えば、方法２、方法３で決定された走査線５の範囲が方法１の所定の範囲を越える場合にのみ方法２、方法３で決定された走査線５を採用し、それ以外の場合は方法１の所定の範囲の走査線５を採用するように構成することも可能である。

次に、放射線画像処理装置５０は、上記のようにして決定した各走査線５に接続されている各放射線検出素子７について、上記の（１）式に従って算出した真の画像データＤ^＊の修復処理を行う。

上記の例の場合、本実施形態では、真の画像データＤ^＊を修復すべき各走査線５は、図２２に示すように、走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７となる。なお、例えば、前述した図１３に示したように、各ゲートＩＣ１２ａごとに走査線５の各ラインＬ１、Ｌ１２９、…にオン電圧を順次印加していくような場合には、真の画像データＤ^＊を修復すべき各走査線５が、図２２に示すように１ラインおきに現れる状態ではなく、真の画像データＤ^＊を修復すべき各走査線５同士が非常に離れた位置に現れるようになることは前述した通りである。

そして、本実施形態では、放射線画像処理装置５０は、真の画像データＤ^＊を修復すべき各走査線５に接続されている各放射線検出素子７については、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データＤに基づいて算出された真の画像データＤ^＊は破棄し、当該放射線検出素子７に検出部Ｐ上で隣接する放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊に基づいて、当該放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復するようになっている。

例えば、走査線５のラインＬ６、Ｌ８に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊で走査線５のラインＬ７に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を例えば線形補間する等して修正する。走査線５のラインＬ５、Ｌ３に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊についても同様に修復する。

このように構成すれば、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に隣接する走査線５の各ラインＬ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８等は、図１５等に示したように、走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７にオン電圧が印加されて放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理が行われる時期とは全く別の時期にリセット処理が行われる。

そのため、走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７では、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されている間に各放射線検出素子７のリセット処理が行われてしまったために修復が必要となる真の画像データＤ^＊しか得られないが、それに隣接する走査線５の各ラインＬ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８に接続されている各放射線検出素子７では、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されている間に各放射線検出素子７のリセット処理が行われることはあり得ない。

そのため、走査線５の各ラインＬ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８に接続されている各放射線検出素子７では、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が各放射線検出素子７のリセット処理により失われることがなく、それらの各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊は信頼し得る。

そこで、それらの信頼できる真の画像データＤ^＊を用いて、走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復することで、修復された真の画像データＤ^＊が信頼性の高いデータとなる。

また、それとともに、照射開始時に、放射線発生装置から照射される放射線の線量の立ち上がりが遅く、実際に放射線の照射が開始された時点と放射線画像撮影装置１で放射線の照射が開始されたことを検出した時点とがずれる場合であっても、線欠陥となる複数の走査線５のラインＬが、例えば図３４に示したように隣接する複数の走査線５で連続して現れる状態にはならず、図２２に示したように、互いに離間して現れる状態になる。

そのため、図３４に示した従来例では、連続する線欠陥に対してその周囲の各走査線５に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を用いて修復すると、破棄された各走査線５に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊中に病変部が撮影されていたとしても、それらの情報を修復できずに破棄されてしまう。

しかし、本実施形態の場合には、それらの病変部が撮影されている走査線５の各ラインＬ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊で、破棄された走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊が的確に修復されるため、破棄された真の画像データＤ^＊中に撮影されていた病変部を的確に修復することが可能となる。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、電流検出手段４３を設けてバイアス線９等の装置内の配線を流れる電流を検出することで、放射線画像撮影装置１自体で放射線の照射の開始等を検出することが可能となる。

また、放射線画像撮影前に各放射線検出素子７のリセット処理を行いながら放射線の照射開始を待つ際、図３０に示した従来例のようにオン電圧を印加する走査線５を１本ずつシフトさせながら印加するのではなく、ある走査線５にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を印加するようにして各放射線検出素子７のリセット処理を行う。

そのため、図３４に示した従来例のように線欠陥が隣接する複数の走査線５に連続して現れる状態にはならず、線欠陥が複数の走査線５に連続して現れることを的確に防止して、図２２に示したように、線欠陥が互いに離間して現れる状態とすることが可能となる。

また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１や放射線画像処理装置５０によれば、上記のように、互いに離間して現れる線欠陥の各走査線５に対して例えば線形補間等の手法を用いて画像データＤ（真の画像データＤ^＊）を修復する。

その際、修復に用いられる線欠陥の周囲の走査線５に接続されている各放射線検出素子７の画像データＤ（真の画像データＤ^＊）は信頼し得るデータであり、それらの信頼できる真の画像データＤ^＊を用いて、線欠陥として扱われる各走査線５に接続されている各放射線検出素子７の画像データＤ（真の画像データＤ^＊）を的確に修復することが可能となる。

そのため、修復された画像データＤ（真の画像データＤ^＊）が信頼性の高いデータとなるとともに、線欠陥となる複数の走査線５のラインＬが互いに離間して現れる状態になるため、例えば、線欠陥とされ破棄された画像データＤ（真の画像データＤ^＊）中に撮影されていた病変部を、それに隣接する各放射線検出素子７の画像データＤ（真の画像データＤ^＊）で的確に修復することが可能となる。

なお、上記の第１の実施形態では、電流検出手段４３でバイアス線９やその結線１０中を流れる電流を検出するように構成されている場合について説明したが、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、バイアス線９や結線１０のみならず、以下の理由で、各走査線５でも電流が流れる。

すなわち、放射線画像撮影装置１に放射線の照射が開始されると、前述したように、放射線画像撮影装置１に入射した放射線がシンチレータ３で電磁波に変換され、変換された電磁波が直下の放射線検出素子７のｉ層７６（図５参照）に到達して、放射線検出素子７のｉ層７６内で電子正孔対が発生する。そのため、放射線検出素子７内では、第２電極７８に対する第１電極７４の電位が変化する。

本実施形態では、第２電極７８にはバイアス電源１４からバイアス線９を介して所定の負の値のバイアス電圧が印加されていて電位が固定されており、ｉ層７６内で発生した電子正孔対のうち、正孔が第２電極７８側に移動し、電子が第１電極７４側に移動するため、第１電極７４側の電位が下がる。そして、放射線検出素子７の第１電極７４側の電位が下がると、図８に示したＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図８中ではＳと表記されている。）側の電位がそれに伴って下がる。

また、ＴＦＴ８では、ゲート電極８ｇとソース電極８ｓとそれらの間の絶縁層８１（図５参照）とで一種のコンデンサが形成されており、ゲート電極８ｇとソース電極８ｓとの間に寄生容量が存在している。そして、所定のオフ電圧が印加されており電位が変わらないＴＦＴ８のゲート電極８ｇに対して、上記のようにＴＦＴ８のソース電極８ｓ側の電位が下がるため、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇとソース電極８ｓとの電位差が変化する。

そのため、変化した電位差に対応する電荷が走査線５を通ってＴＦＴ８のゲート電極８ｇに供給される。すなわち、放射線の照射に伴って走査線５中を電流が流れる。

そこで、図７や図８に示したように、電流検出手段４３をバイアス線９やその結線１０上に設ける代わりに、例えば、図２３に示すように、電流検出手段４３を、各走査線５或いはそれらを結束した結束線２４に接続して設け、電流検出手段４３で、走査線５やその結束線２４中を流れる電流の値を検出するように構成することが可能である。

また、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを流れる電流の総量に対応する電流が走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線上を流れる。走査駆動手段１５では、例えば、図２４に簡略化して示すように、オン電圧とオフ電圧が電源回路１５ａからそれぞれ配線１５ｃonと配線１５ｃoffとを介してそれぞれ別個にゲートドライバ１５ｂに供給されるようになっている。

また、ゲートドライバ１５ｂの内部には、スイッチ素子１５ｄが、各走査線５がそれぞれ接続された端子ごとに設けられていて、スイッチ素子１５ｄの接続をそれぞれ切り替えることにより、各走査線５に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるように構成されている。

走査駆動手段１５がこのように構成されている場合、上記のように、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理の際には、リセット処理が行われている走査線５以外の走査線５にはオフ電圧が印加されているため、上記のように放射線の照射に伴って各走査線５中を流れる電流は、その全て或いはほとんどが、結局、電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff中を流れることになる。

そこで、例えば図２４に示すように、電流検出手段４３を、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff上に設け、電流検出手段４３で、配線１５ｃoff中を流れる電流の値を検出するように構成することも可能である。

そして、図２３に示したように構成した場合も、或いは図２４に示したように構成した場合も、いずれの場合も、上記の実施形態の場合と同様に、電流検出手段４３が出力する電圧値Ｖ、すなわち走査線５や配線１５off中を流れる電流に相当する電圧値Ｖを監視することにより、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することができる。

なお、図２３や図２４に示した変形例は、下記の第２の実施形態においても採用することが可能である。

［第２の実施の形態］
上記の第１の実施形態では、放射線画像撮影前に各放射線検出素子７のリセット処理を行う場合について説明した。

しかし、各放射線検出素子７の代わりに、放射線画像撮影前から各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理を行うように構成することも可能である。そして、この放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データを用いれば、放射線画像撮影後の読み出し処理（すなわち放射線の照射が終了した後の読み出し処理）で読み出された画像データＤ或いは真の画像データＤを修正するように構成することが可能となる。

なお、以下では、この放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データを、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データＤと区別するために、画像データｄと記載する。また、この放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理を行う前に、前述した各放射線検出素子７のリセット処理を例えば所定回数繰り返して行うように構成することも可能である。

本実施形態では、制御手段２２は、この放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理では、例えば図２５に示すように、先にライン番号が奇数の走査線５にオン電圧を順次印加し、その後、ライン番号が偶数の走査線５にオン電圧を順次印加するように構成して、ある走査線５にオン電圧を印加した次のタイミングで当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を順次印加して読み出し処理を行うようになっている。

なお、図示を省略するが、第１の実施形態で図１３に示した場合と同様に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１２ａを順に切り替えながら、各走査線５にオン電圧を印加するようにして、ある走査線５にオン電圧を印加した次のタイミングで当該走査線５に検出部Ｐ上で隣接する走査線５以外の走査線５にオン電圧を順次印加して読み出し処理を行うように構成することも可能である。また、図１４を用いて説明したようにして各走査線５にオン電圧を印加するように構成することも可能である。

また、以下では、検出部Ｐ（図３や図７参照）上に二次元状に配列された１面分の各放射線検出素子７のうち画像データｄを読み出す対象となる全ての放射線検出素子７から画像データｄを読み出す期間を１フレームというものとする。そして、制御手段２２は、この放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理では、このフレームごとの画像データｄの読み出し処理を繰り返して行うようになっている。

そして、制御手段２２は、各放射線検出素子ごとに読み出された画像データｄを記憶手段４０に保存する。この場合、読み出し処理が開始されて以降の各フレームごとに読み出された各画像データｄを全て保存しておく必要はない。また、記憶手段４０の記憶容量等の制約もある。そのため、本実施形態では、記憶手段４０に画像データｄを保存するフレーム数が予め設定されている。

そして、制御手段２２は、上記のように各放射線検出素子７からの画像データｄの読み出し処理を繰り返して、予め設定されたフレーム数のフレーム分の各放射線検出素子７の画像データｄが記憶手段４０に保存されると、それ以降の各フレームの画像データｄについては、最初に画像データｄを保存したフレームから順に、過去のフレームの画像データｄ上に順次上書き保存していくようになっている。

また、制御手段２２は、上記の放射線画像撮影前の各放射線検出素子７からの画像データｄの読み出し処理と並行して、電流検出手段４３から出力される電圧値Ｖを監視するように構成されていることは、第１の実施形態の場合と同様であり、説明を省略する。また、電流検出手段４３をバイアス線９の結線１０に設けたり（図７等参照）、各走査線５やそれらを結束した結束線２４に接続して設けたり（図２３参照）、或いは、走査駆動手段１５の電源回路１５ａとゲートドライバ１５ｂとを結ぶ配線１５ｃoff（図２４参照）に設けることが可能であることも、第１の実施形態の場合と同様である。

制御手段２２は、電流検出手段４３が出力するバイアス線９の結線１０を流れる電流に相当する電圧値Ｖに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、図２６に示すように、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７からの画像データｄの読み出し処理を停止させ、走査駆動手段１５から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させて、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が各放射線検出素子７内に蓄積される電荷蓄積モードに移行する。

なお、図２６の場合も、実際の放射線の照射が走査線５のラインＬ３にオン電圧が印加された時点或いはその直前に開始され、走査線５のラインＬ７にオン電圧が印加された時点或いはその直後に放射線の照射が開始されたことが検出された場合が示されている。

制御手段２２は、前述したように、放射線の照射が開始されたことを検出した時点から所定時間が経過した時点で、或いは、自ら放射線の照射が終了したことを検出した時点で、放射線の照射が終了した後の画像データＤの読み出し処理を開始する。

本実施形態では、走査駆動手段１５は、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理では、読み出し処理の際に走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加してから印加した電圧をオフ電圧に切り替えるまでの時間（以下、オン時間という。すなわち図１０の最下段のタイミングチャートにおいてオン電圧が印加されている時間）を、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理と同じ時間とするようになっている。

正確に言えば、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間を、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間と同じにするように構成されている。

このように、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間を、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間と同じにすれば、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理と、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理で、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加する際のオン時間を変える必要がなく、少なくともオン時間については両方の読み出し処理で同じ処理を繰り返すだけで済むように構成することが可能となる。

なお、例えば、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間を、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理における各走査線５に対するオン時間よりも長い時間とするように構成すると、下記のような利点がある。

すなわち、上記のように、実際に放射線の照射が開始された時点と制御手段２２が放射線の照射が開始されたことを検出した時点がずれる場合に、それらの時点の時間間隔が同じである場合に、オン時間が短いと、その時間間隔の間に各走査線５に次々とオン電圧が印加されるため、オン電圧が印加される走査線５の本数が多くなり、後述するように画像データＤを修復しなければならない走査線５の本数が多くなる。

しかし、上記のようにオン電圧を長くするほど、上記の同じ時間間隔の間にオン電圧が印加される走査線５の本数が少なくなるため、画像データＤを修復しなければならない走査線５の本数を少なくすることが可能となるといった利点がある。

本実施形態では、図２６に示すように、制御手段２２は、放射線画像撮影後の読み出し処理では、放射線画像撮影前の読み出し処理において放射線の照射が開始されたことを検出した時点でまたはその直前にオン電圧を印加していた走査線５（図２６の例では走査線５のラインＬ７）の次にオン電圧を印加すべき走査線５（図２６の例では走査線５のラインＬ９）から、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行わせる。

なお、第１の実施形態における図１８に示したように、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理において、走査線５の最初のラインＬ１から順にオン電圧を順次印加して読み出し処理を行うように構成することも可能である。

制御手段２２は、放射線画像撮影後の読み出し処理で各放射線検出素子７から読み出された画像データＤを記憶手段４０に保存する。

一方、本実施形態においても、制御手段２２は、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理を終了すると、図２７に示すように、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理から放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理までの間に走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加したタイミングと同じタイミングで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を印加して、各放射線検出素子７からそれぞれオフセット補正値Ｏを読み出すオフセット補正値読み出し処理を行うになっている。

このように、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の前と後で同じ処理シーケンスを繰り返してオフセット補正値Ｏを読み出すように構成することで、画像データＤに重畳されているオフセット分とオフセット補正値Ｏとが同じ大きさになり、画像データＤからオフセット補正値Ｏを減算することで、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（暗電荷分を含まない。）のみに相当する真の画像データＤ^＊を得ることが可能となることは第１の実施形態で説明した通りである。

なお、本実施形態の場合、上記のように、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理から放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理と同じ処理シーケンスをそのまま繰り返してオフセット補正値読み出し処理を行うように構成すると、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の後に、再度、画像データｄの読み出し処理を行うことになる。なお、ここでの説明では、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出される画像データｄと区別するために、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の後の再度の画像データｄの読み出し処理で読み出される画像データｄを画像データｄａという。

しかし、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理で読み出された画像データｄは後述する画像データＤの修復処理に用いられるが、上記の放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の後、再度、画像データｄａの読み出し処理を行うように構成しても、読み出された当該画像データｄａは、画像データＤの修復処理には用いられない。そして、画像データｄａの読み出し処理を行うように構成すると、無駄な画像データｄａの読み出し処理を行わなければならない分だけ、各読み出し回路１７で無駄な電力を浪費することになる。

そこで、放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の後で画像データｄａの読み出し処理を行う代わりに、図２７に示したように、同じオン時間だけ走査線５の各ラインＬn+1〜Ｌｘ、Ｌ１〜Ｌｎにオン電圧を印加して、各放射線検出素子７のリセット処理を行うように構成することが可能である。このように構成すれば、各読み出し回路１７で読み出し処理を行う必要がなくなるため、各読み出し回路１７で無駄な電力消費を防止することが可能となる。

また、上記とは逆に、上記の放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理の後、再度、画像データｄａの読み出し処理を行うように構成し、その画像データｄａを用いて画像データＤを補正するように構成することも可能である。このように構成すると、画像データＤの読み出し処理で読み出し切れなかった読み残し分を、画像データｄａとして読み出すことが可能となるため、例えば、各放射線検出素子７ごとに読み出した画像データｄａを当該放射線検出素子７の画像データＤに加算する等して、画像データＤを補正することが可能となり、その分、画質も向上する。

制御手段２２は、上記のようにしてオフセット補正値読み出し処理で各放射線検出素子７から読み出されたオフセット補正値Ｏを記憶手段４０に保存するようになっている。第１の実施形態で説明したように、複数のオフセット補正値Ｏの平均値等をオフセット補正値Ｏとする場合には、平均値等を算出して記憶手段４０に保存するようになっている。

ところで、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理で各放射線検出素子７から読み出された画像データｄにも、暗電荷に起因するオフセット分が重畳されている。しかし、放射線画像撮影前の読み出し処理は、前述したように各フレームごとに繰り返して行われるため、図２６や図２７等に示した電荷蓄積モードの期間が存在しない。

そのため、図２７に示した放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理が終了した後の、各放射線検出素子７のリセット処理（或いは画像データの読み出し処理）からオフセット補正値読み出し処理までの間の走査線５の各ラインＬ１〜ＬｘにおけるＴＦＴ８のオフ時間と、図２５に示したフレームごとの放射線画像撮影前の各読み出し処理同士の間の走査線５の各ラインＬ１〜ＬｘにおけるＴＦＴ８のオフ時間とは、電荷蓄積モードの期間分だけ異なることになる。

そのため、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データｄに重畳されているオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Ｏは異なる値になり、オフセット補正値Ｏを画像データｄのオフセット補正処理に用いることができない。

しかし、図２５に示したように、放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前の各フレームで読み出される画像データｄは、放射線の照射による電荷に依存せず蓄積された暗電荷のみに依存するデータであるから、放射線照射前の各フレームで読み出された画像データｄを、実際に放射線の照射が開始されてから放射線の照射が開始されたことが検出されるまでの間に読み出された画像データｄ（すなわち図２６の例で言えば走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データｄ）のオフセット補正値として用いることができる。

なお、この場合のオフセット補正値としての画像データｄを、以下、オフセット補正値ｏという。また、実際に放射線の照射が開始されてから放射線の照射が開始されたことが検出されるまでの間に読み出された画像データｄを、以下、放射線の照射中に読み出された画像データｄという。

従って、例えば、前述したように、放射線画像撮影前の各フレームごとに読み出された画像データｄのうち、上書きされずに記憶手段４０に保存されて残っている放射線の照射開始の検出前のフレームの画像データｄを、放射線の照射中に読み出された画像データｄのオフセット補正値ｏとして用いるように構成することが可能である。

また、そのような放射線の照射開始の検出前のフレームの画像データｄが複数のフレーム分保存されて残っている場合には、それらの各フレームの各画像データｄの各放射線検出素子７ごとの平均値等を算出し、各平均値等を、放射線の照射中に読み出された画像データｄのオフセット補正値ｏとして用いるように構成することも可能である。

また、放射線の照射中に読み出された画像データｄのオフセット補正値ｏとして、予め各放射線検出素子７ごとに設定しておくように構成することも可能である。なお、以下では、放射線画像撮影装置１でオフセット補正値ｏを取得する場合について説明するが、オフセット補正値ｏが予め設定される場合には、記憶手段４０等の放射線画像撮影装置１のメモリや後述する放射線画像処理装置５０のメモリに、各放射線検出素子７ごとのオフセット補正値ｏが予め記憶され、制御手段２２や放射線画像処理装置５０はそれを参照して、以下に説明する修復処理を行うように構成される。

次に、実際に放射線画像撮影装置１に放射線が照射されてから放射線の照射が開始されたことを検出するまでの間に（すなわち放射線の照射中に）オン電圧が印加された走査線５（図２６の例では走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７）に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データＤの、画像データｄに基づく修復処理について説明する。

第１の実施形態の場合と同様に、本実施形態においても、この修復処理は、放射線画像撮影装置１の制御手段２２で行うように構成することも可能であり、また、放射線画像処理装置５０（図２０参照）で行うように構成することも可能である。

また、修復処理を放射線画像処理装置５０で行うように構成する場合、放射線画像撮影装置１は、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出した各画像データｄのうち、放射線の照射が開始されたことを検出したフレームの各画像データｄと、前述した各オフセット補正値ｏ、および放射線の照射が開始されたことを検出した時点でまたはその直前にオン電圧を印加していた走査線５のライン番号（図２６の例では走査線５のラインＬ７のライン番号「７」）の情報、および、各画像データＤと各オフセット補正値Ｏ等を、放射線画像処理装置５０に送信する。また、放射線画像処理装置５０は、それらのデータを記憶手段５７に保存する。

以下、修復処理を放射線画像処理装置５０で行う場合について説明するが、放射線画像撮影装置１自体で行う場合も同様に説明される。

放射線画像処理装置５０は、画像データＤの修復処理を行う前に、まず、第１の実施形態の場合と同様に、画像データＤとオフセット補正値Ｏに基づいて、上記の（１）式に従って、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷のみに相当し暗電荷分を含まない真の画像データＤ^＊を各放射線検出素子７ごとに算出する。算出されたこれらの真の画像データＤ^＊が、修復処理の対象となる。

また、本実施形態では、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データｄとオフセット補正値ｏに基づいて、下記（２）式に従って、画像データｄから暗電荷分に相当するデータを差し引いた真の画像データｄ^＊を各放射線検出素子７ごとに算出する。
ｄ^＊＝ｄ−ｏ …（２）

そして、本実施形態においても、上記のように、放射線画像撮影装置１自体では実際に放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始された時点を検出することができないため、走査線５のどのラインＬに接続されている各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復すべきかが分からない。そこで、まず、真の画像データＤ^＊の修復処理を行う対象となる走査線５をどのように設定するかが問題となる。そして、例えば、第１の実施形態に示した３種類の方法で、真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定することができる。

また、本実施形態では、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データｄの情報やそれに基づいて算出された真の画像データｄ^＊の情報がある。そこで、以下の方法４に基づいて真の画像データＤ^＊を修復すべき走査線５を決定することも可能である。

［方法４］
方法４では、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データｄやそれに基づく真の画像データｄ^＊を解析することで、真の画像データＤ^＊を修復する走査線５を決定する。

具体的には、この場合も図２６に示した例で説明すると、例えば、上記の（２）式に従って算出された真の画像データｄ^＊のうち、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でまたはその直前にオン電圧が印加されていた走査線５のラインＬ７を含む、それ以前の例えば１０本等の各走査線５について、各走査線５ごとに、当該走査線５に接続されている各放射線検出素子７の真の画像データｄ^＊の平均値ｄ^＊aveを算出する。

この場合も、平均値の代わりに合計値を用いてもよい。また、平均値等を用いる利点については、第１の実施形態で説明した方法２の場合と同様である。

そして、走査線５ごとの平均値ｄ^＊aveを、これらの走査線５ごとの平均値ｄ^＊aveを算出する基となった画像データｄが放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された順に時系列的に並べてプロットすると、図２８に示すように、平均値ｄ^＊aveは、実際に放射線画像撮影装置１に放射線が照射される以前はほぼ０の値をとるが、放射線の照射が開始されたことが検出された走査線５のラインＬ７の２本前にオン電圧が印加された走査線５のラインＬ３あたりから０とは有意に異なる値になる。

そのため、この場合も、各放射線検出素子７の真の画像データｄ^＊の平均値ｄ^＊aveの推移のトレンドから外れ始める走査線５を解析すると、図２８の例では走査線５のラインＬ３であると分かるから、走査線５のラインＬ３にオン電圧が印加される時点でまたはその直前に放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたと見なすことができる。

方法４では、このようにして、上記の（２）式に従って算出された各放射線検出素子の真の画像データｄ^＊から算出した平均値ｄ^＊aveを解析する等して、放射線の照射が開始されたことを検出した時点でまたはその直前にオン電圧を印加していた走査線５のラインＬｎを含む各走査線５に接続されている各放射線検出素子７から読み出された画像データｄに基づく真の画像データｄ^＊を解析して、真の画像データＤ^＊を修復する走査線５を決定する。すなわち、上記の例では、真の画像データＤ^＊を修復する走査線５を走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７と決定する。

次に、放射線画像処理装置５０は、上記の方法１〜方法４に基づいて決定した各走査線５に接続されている各放射線検出素子７について、上記の（１）式に従って算出した真の画像データＤ^＊の、真の画像データｄ^＊に基づく修復処理を行う。

放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（暗電荷分を含まない。）のみに相当する真の画像データＤ^＊は、通常の場合は、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データＤに含まれており、上記（１）式に示したように、画像データＤからオフセット補正値Ｏを減算することで算出できる。

しかし、例えば図２６を見れば分かるように、放射線の照射中に読み出し処理が行われた走査線５の各ラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７では、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷（すなわち真の画像データＤ^＊に相当する電荷）の一部が、放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理で読み出されてしまい、読み出された画像データｄに含まれる。

すなわち、走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７に接続されている各放射線検出素子７では、各放射線検出素子７から読み出されるべき本来の画像データすなわち真の画像データＤ^＊が、放射線画像撮影前の読み出し処理と放射線画像撮影後の読み出し処理とで分割されて読み出されていると見なすことができる。

そして、画像データｄに含まれる真の画像データＤ^＊の一部は、上記（２）式に従って画像データｄからオフセット補正値ｏを減算することで算出することができ、それが真の画像データｄ^＊に相当する。

そこで、最も単純な修復処理として、放射線画像処理装置５０で、上記のようにして決定した各走査線５（図２６の例では走査線５のラインＬ３、Ｌ５、Ｌ７）に接続されている各放射線検出素子７について、上記の（１）式に従って算出した真の画像データＤ^＊と、上記（２）式に従って算出した真の画像データｄ^＊とを加算して、当該各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復するように構成することが可能である。

このように構成すれば、各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を容易かつ的確に修復することが可能となる。

一方、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されている間に（すなわち放射線の照射中に）放射線画像撮影前の画像データｄの読み出し処理が行われると、以下に述べるような特異な現象が発生する。そのため、この現象による影響を考慮して、各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復するように構成することも可能である。

すなわち、放射線画像撮影装置１では、各放射線検出素子７内に蓄積された電荷が各ＴＦＴ８を介してごく僅かであるが信号線６にリークする。そして、図２９に示すように、例えば走査線５のラインＬｉにオン電圧が印加されて放射線検出素子７ｉから電荷Ｑが信号線６に放出されている際にも、各ＴＦＴ８を介して他の各放射線検出素子７から同じ信号線６に電荷ｑがそれぞれ流れ込む。

そして、放射線検出素子７ｉからの電荷Ｑと他の各放射線検出素子７からリークしたごく小さな各電荷ｑとの総和が増幅回路１８で電荷電圧変換されて、当該放射線検出素子７ｉの画像データｄｉとして読み出される。なお、図２９では、他の放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷がｑと記載されているが、これは便宜上の記載であり、他の各放射線検出素子７から互いに等しい量の電荷ｑがリークすることを意味するものではない。

また、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、本実施形態では、照射された放射線がシンチレータ３（図２等参照）で電磁波に変換されてこの電磁波が各ＴＦＴ８に照射されるが、各ＴＦＴ８に電磁波が照射されると、各ＴＦＴ８内で電子正孔対が発生して、各ＴＦＴ８内を流れるリーク電流の量が多くなり、各ＴＦＴ８で各放射線検出素子７内に蓄積されている電荷のリーク量が増加する。

また、放射線の照射により各放射線検出素子７内で電荷が新たに発生して、各放射線検出素子７内での電荷の蓄積量も増加するため、その分においても各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から信号線６にリークする電荷ｑの量が増加する。そのため、放射線検出素子７ｉからの電荷Ｑと他の各放射線検出素子７からリークした各電荷ｑとの総和に相当する画像データｄｉの値が、他の各放射線検出素子７から各ＴＦＴ８を介してリークして同じ信号線６に流れ込む電荷ｑの量が増加した分だけ増加する。

一方、放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前にオフセット補正値ｏを取得する際には、これらの他の放射線検出素子７からＴＦＴ８を介してリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分の寄与はなく、オフセット補正値ｏは、他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分を含まない値である。

そのため、上記（２）式に従って、画像データｄからオフセット補正値ｏを減算して真の画像データｄ^＊を算出すると、真の画像データｄ^＊は、前述した真の画像データＤ^＊の一部そのものの値にはならず、それに、上記の他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分が加算された値になる。

上記の最も単純な修復処理は、上記の他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分を無視して、真の画像データＤ^＊と真の画像データｄ^＊とを単純に加算することに相当するものである。他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分が非常に小さい場合には、この修復処理でも有効かつ的確に各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復することが可能となる。

また、上記の他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分の影響を考慮する場合、例えば、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の単位時間あたりの線量すなわち線量率等に応じて値が変わる係数を予め実験的に求めておき、真の画像データｄ^＊に当該係数を乗算した値と、真の画像データＤ^＊とを加算して各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊を修復するように構成することが可能である。

例えば、ある線量率の放射線が照射された場合に、真の画像データｄ^＊が、上記の他の放射線検出素子７からリークする電荷ｑの放射線の照射による増加分によって本来の値の１割増し（すなわち１．１倍）の値として読み出される場合には、読み出された画像データｄに基づいて算出した真の画像データｄ^＊に、係数として１．１の逆数（すなわち１／１．１＝約０．９）を乗算した値を真の画像データＤ^＊に加算する。

このように構成すれば、上記の放射線が照射されている間に生じる特異な現象の影響を排除して、各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊をより的確に修復することが可能となる。

なお、上記のようにして修復された各放射線検出素子７の真の画像データＤ^＊をさらに適切な値とするための処理を行うように構成することは可能であり、適宜の処理が行われる。また、修復された真の画像データＤ^＊に対して対数変換処理や階調処理等の通常の画像処理が行われることは改めて説明するまでもない。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１においても、前述した第１の実施形態の場合と同様の優れた効果を発揮することが可能となる。

また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１や放射線画像処理装置５０によれば、第１の実施形態のように、放射線画像撮影前に各放射線検出素子７のリセット処理を行う代わりに、放射線画像撮影前に画像データｄの読み出し処理を行って、第１の実施形態ではリセット処理でいわば捨てられてしまった電荷すなわち画像データｄを用いて、放射線画像撮影後の読み出し処理で読み出された画像データＤ（真の画像データＤ^＊）を修復する。

そのため、画像データＤをより的確に修復することが可能となるとともに、実際に放射線画像撮影装置１に放射線の照射が開始された時点と、放射線の照射が開始されたことを検出した時点とがずれて、放射線が照射されている間に走査線５にオン電圧が印加されて画像データｄの読み出し処理が行われても、それらの走査線５を線欠陥として扱わず、画像データｄで画像データＤを修復することができるようになる。

そのため、放射線画像撮影装置１で撮影された放射線画像を医療における診断用等に用いるような場合、走査線５を線欠陥する場合には破棄されていた画像データＤを破棄せずに、当該画像データＤとそれに対応する画像データｄを用いて画像データＤが修復されるため、線欠陥とする場合には失われていた病変部の情報が、上記のように画像データＤを修復することで失われなくなり、放射線画像中により的確に残るようになる。そのため、医師等がその放射線画像を見て、病変部の診断を的確に行うことが可能となる。

なお、本発明が上記の各実施形態に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。

１ 放射線画像撮影装置
５、Ｌ１〜Ｌｘ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
８ ＴＦＴ（スイッチ手段）
１５ 走査駆動手段
１５ａ 電源回路
１５ｂ ゲートドライバ
２２ 制御手段
４０ 記憶手段
４３ 電流検出手段
５０ 放射線画像処理装置
Ｄ 画像データ
Ｄ 放射線の照射が終了した後の読み出し処理で読み出される画像データ
ｄ 放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出される画像データ
Ｌ３、Ｌ５、Ｌ７ 画像データを修復する走査線
Ｏ オフセット補正値
Ｑ 電荷
ｒ 領域
Ｖ 電圧値（電流検出手段が検出した電流の値）

Claims (1)

1. 複数の走査線および複数の信号線と、
   二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
   前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となり前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
   前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替える走査駆動手段と、
   前記放射線検出素子から放出された電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
   前記読み出し回路以外で構成された照射検出手段から出力される値が放射線の照射開始により変化することに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する制御手段と、
   を備え、
   前記制御手段は、
   放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から、ある前記走査線にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線に前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
   前記照射検出手段から出力された前記値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させ、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加させて、放射線の照射により前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積モードに移行し、
   放射線の照射が終了した後に、放射線の照射開始を検出した時点或いはその直前に前記各放射線検出素子のリセット処理でオン電圧を印加した前記走査線の次にオン電圧を印加すべき前記走査線からオン電圧の印加を開始させ、かつ、前記各放射線検出素子のリセット処理で前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加した順番と同じ順番に前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させて前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。

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